JPS5850741A - シリコンウエ−ハのハンドリング方法 - Google Patents

シリコンウエ−ハのハンドリング方法

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Publication number
JPS5850741A
JPS5850741A JP14916381A JP14916381A JPS5850741A JP S5850741 A JPS5850741 A JP S5850741A JP 14916381 A JP14916381 A JP 14916381A JP 14916381 A JP14916381 A JP 14916381A JP S5850741 A JPS5850741 A JP S5850741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
jigs
treatment
solution
silicon wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP14916381A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Otsuka
義夫 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5850741A publication Critical patent/JPS5850741A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シリコンウェーハ・のノ1ンドリング方法に
関するものである。
一般に半導体素子製造工程においては素材であるシリコ
ンウェーハ1に対して洗浄エツチング等種々の処理が施
される。
本発明はかかるウエーノ・処理工程におけるウェーハハ
ンドリング方法に関するものである。
従゛来のハンドリング方法を図面をもとに説明すると第
1図におい【、シリコンウェーハ2をウェーハ保持治具
1に収納後、処理液が入った処理容器3に浸漬されて一
定時間放置する方法とっていた。第2図は治具4上に保
持治具1を2ケ載せた例で第1図と同じ方法である。
しかしながら、これらの従来の方法ではシリコンウェー
ハ全面が処理液に十分接触しないため処理のバラツキが
発生すること、およびクエーノ)は静止しているため処
理効果が少いこと等の欠点があったO 本発明の目的は、上記欠点を解決することを目的とした
ウェーハハンドリング方法を提供することである。
本発明の特徴は標準のウェーハ保持治具を組み合わせ、
繰り返し傾斜運動をさせ【、治具内に収納されたウェー
ハに回転・往復運動を与えて各種処理をしようとするこ
とにある。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明の実施例を示すものでウェーハ2な2ケ
の保持治具1内に収納した後連結治具5を用いて固定し
、洗浄液が入った洗浄容器3″  に浸漬ししかる後ハ
ンドル6に矢印運動を与えるとウェーハ2は保持治具1
内で回転・往復運動をするものである。
かかるハンドリング方法によれば、ウェーハは処理液の
中で回転・往復運動をするので、十分に処理液に接触し
安定した処理が行なえるとともに処理時のウェーハハン
ドリング工数を節減できる寺多くの利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれ従来のウェーハハンドリ
ング方法を示す図であり、第3図は本発明の実施例を示
す図である。 なお図面において、1は保持治具、2はシリコンウェー
ハ、3.3’、3”は処理容器、4は平板治鳳奉3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェーハを収納した保持治具と、当該保持治具、と同一
    形状を有する空の保持治具とを、クエーノ・挿入側を対
    向させて組み合わせ、しかる後2個1組の治具に傾斜運
    動を与えて、治具内クエー71に回転運動と往復運動と
    を与えることを特徴としたウェーハのノ1ンドリング方
    法。
JP14916381A 1981-09-21 1981-09-21 シリコンウエ−ハのハンドリング方法 Pending JPS5850741A (ja)

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JPS5850741A true JPS5850741A (ja) 1983-03-25

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194344U (ja) * 1984-11-24 1986-06-18
JPH0448722U (ja) * 1990-08-30 1992-04-24

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194344U (ja) * 1984-11-24 1986-06-18
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