JPH03124029A - 洗浄処理装置 - Google Patents

洗浄処理装置

Info

Publication number
JPH03124029A
JPH03124029A JP26196189A JP26196189A JPH03124029A JP H03124029 A JPH03124029 A JP H03124029A JP 26196189 A JP26196189 A JP 26196189A JP 26196189 A JP26196189 A JP 26196189A JP H03124029 A JPH03124029 A JP H03124029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
tank
processing
vessels
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26196189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2984007B2 (ja
Inventor
Kinya Ueno
欽也 上野
Hisashi Kondo
久 近藤
Naruhito Ibuka
井深 成仁
Takeshi Wakabayashi
剛 若林
Masazumi Nakarai
半井 正澄
Hiroshi Yamaguchi
弘 山口
Tetsuo Koyanagi
小柳 哲雄
Toshio Taketatsu
竹達 敏雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUGAI KK
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
SUGAI KK
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUGAI KK, Tokyo Electron Ltd filed Critical SUGAI KK
Priority to JP1261961A priority Critical patent/JP2984007B2/ja
Publication of JPH03124029A publication Critical patent/JPH03124029A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2984007B2 publication Critical patent/JP2984007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) 本発明は、洗浄処理装置に関する。
(従来の技術) 半導体製造工程は、各工程4経て製造されるが、この工
程の橋渡しをする必須工程が洗浄工程である。特に、最
近の半導体集積回路の高集積化、高密度化に伴って超洗
浄環境が必要となり、洗浄技術の良否がデバイス性能や
歩留まりに極めて影響されている。
通常、洗浄方法には、各種の化学的方法や物理的方法が
あり、このうち、超音波エネルギによる超音波洗浄やス
クラバ洗浄あるいは純粋洗浄等の方法が採用され、一般
にはこれらの物理的手法と薬液洗浄等の化学的手法とを
組合せることによりこの種の洗浄が行われている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記の従来例のうち、超音波エネルギに
よる超音波洗浄は、エネルギや時間によっては被処理体
に損傷を与えてしまい、いわゆる過剰な洗浄を引き起こ
すことがあり、また、−枚毎に処理槽に収容したいわゆ
る枚葉式の各処理槽に個別に超音波振動子を配設して洗
浄しているため、構造が複雑でコストアップにもなる等
の課題を有していた6 本発明は、上記の実情に鑑み、各処理槽に共用する超音
波振動子を配設して全体のコンパクト化を図ると共に、
損傷のない洗浄を図ることにより精密的な被処理体の洗
浄に適した洗浄処理装置を提供することを目的としてい
る。
衾班夙青虜 (課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するため、本発明は、処理槽内の被処
理体を超音波洗浄する洗浄処理装置において、被処理体
を一枚づつ垂直状態に収容した複数個の処理槽に共用の
超音波振動子で超音波振動を与えるように構成した洗浄
処理装置である。
(作 用) 本発明は、上述のように一枚づつの被処理体を収容した
複数個の処理槽に共用の超音波振動子で超音波を与える
ように構成したから、搬送機構により搬送された一枚ご
との被処理体を処理槽に垂直状態に挿入させ、槽内に処
理液例えば加熱された薬液を収容して被処理体を浸漬す
ると共に、各処理槽は、温水を収容した保温槽内に収納
されているので、処理槽内の処理液が放熱されることな
く洗浄し、しかも保温槽内に設けた超音波振動子の振動
エネルギが温水を伝播して各処理槽に超音波振動を与え
て処理槽内の処理液が振動することにより処理液の洗浄
性能と振動洗浄とが相俟って効率的に洗浄を行うことが
できる。
(実施例) 以下に、本発明における洗浄処理装置を半導体ウェハの
洗浄装置に適用した例を図面に従って説明する。
本例における洗浄装置は、前工程例えばエツチング工程
を終了した半導体ウェハ1を搬送装置であるアーム機構
のピンセット(図示せず)により一枚づつ垂直状態に吸
着保持して、洗浄工程に搬送し、処理液2を収容した処
理槽3内に1枚毎に垂直状態で、かつ処理槽に非接触で
搬入し、スリット状の搬入ゲート4を被蓋した状態で洗
浄するものである。
第1図において、保温槽6内には、処理槽3内の処理液
2より沸点の高い液体5を収容して、少量の処理液2の
放熱を防止して洗浄機能を有効に発揮させている。本例
においては、内部に90℃程度に保温された液体5を収
容した保温槽6内に複数個本例においては4個の断面方
形状の縦長の処理槽3の下方部分を保温槽6内に臨まし
め、処理槽3の途中に設けた取付部8を介して保温槽6
に固着されている。また、液体5を収容した保温槽6は
、処理槽3内の処理液2の保温と、保温槽6内の底面に
1台の超音波振動子7を配設し、この超音波振動子7の
振動を各処理4’193に伝達し、処理槽3内の薬液2
を振動させて半導体ウェハ1の洗浄を行っている。
この処理槽3は、石英ガラスで形成されており、底部は
円弧状を呈し、内部の両側面に石英ガラスで形成された
スペーサ9.10を処理槽3と一体に又は別体に形成さ
れており、底面に半導体ウェハ1の垂直状態を保持する
保持部11を設け、更に、半導体ウェハ1を収納する収
納空間12の一面のウェハ1の裏面と対面する側にU字
形状の挿入溝13を形成している。
また、処理槽3の上方開口部に形成した鍔部14にバッ
キング15を介してゲート部材16を固着し、このゲー
ト部材16の上方にスリット状の搬入ゲート4を設け、
更に、ゲート部材16の両側部に保持板17を設け、こ
の保持板17に円弧溝18を形成し、この円弧溝18に
長尺状に表面円形体19を摺動自在に設け、この表面円
形体19の両端に回動片20を固着し1回動片2oは、
保持板17の回動軸21に軸着させ、この回動軸21を
駆動系の駆動軸と連動させ、回動軸21を中心に回動片
20を回動させ、表面円形体19を円弧溝18に案内さ
れながら搬入ゲート4を表面円形体19が閉塞したり、
開放したりするように構成されている。
また、図中22はオーバーフロー管、23は薬液の供給
管、24は排液管である。
次に上記した実施例の作用を説明する。
搬送機構により搬送された半導体ウェハ1を搬入する場
合、駆動系の駆動軸の駆動力を回動軸21に伝達され、
回動片20が回動して円弧溝18内を表面円弧体19が
摺動して処理槽3の上方開口部のスリット状の搬入ゲー
ト4より長尺状の表面円形体19が離間してゲート4を
開口させ、次いで、予めオリフラ合わせを完了した半導
体ウエハ1を吸着固定したピンセントにより搬入ゲート
4より搬入した後に、上記の駆動軸を上記とは反対側に
駆動させると、表面円形体19がゲート4に当接してゲ
ート4を被蓋する。この状態において、加熱された薬液
2(例えば過酸化水素水、フッ酸等の薬液)内に半導体
ウェハ1は浸漬されていると共に、各処理槽3は、温水
5を収容した保温槽6内に収納されているので、処理槽
3内の処理液2が放熱されることなく洗浄し、しかも保
温槽6内に設けた超音波振動子7の振動エネルギが温水
5を伝播して各処理槽3に超音波振動を与えて処理槽3
内の薬液2が振動することにより薬液2の洗浄性能と振
動洗浄とが相俟って効率的に洗浄を行うことができる。
処理工程が終了すると、表面円形体19を搬入ゲート4
より離間させて処理槽3より半導体ウェハ1を取りだし
次工程に搬送する。
介、1ty)落U稈 以上のことから明らかなように、本発明によると、次の
ような有用な効果がある。
各処理槽に共用する超音波振動子を配設して各処理槽に
振動を与えるようにしたので、装置全体のコンパクト化
とコストダウンを図ることができると共に、処理液の保
温と超音波振動子の振動伝達の効率化を図ることにより
、従来に比して効率的な洗浄を行うことができ、精密的
な被処理体の洗浄に適した洗浄処理装置を提供すること
ができる等の効果がある。
上記実施例では、半導体ウェハの洗浄について説明した
が、LCD基板の洗浄など洗浄であれば何れにも適用で
きる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明における洗浄処理装置の一実施例を示し
たもので、第1図は洗浄処理装置の断面図、第2図は第
1図の縦断側面図である。 1・・・・半導体ウェハ(被処理板) 2・・・・処理液 3・・・・処理槽 6・・・・保温槽 7・・・・超音波振動子第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)処理槽内の被処理体を超音波洗浄する洗浄処理装
    置において、上記処理槽を複数個設け、各処理槽に一枚
    の被処理体を収納し、これらの処理槽に共用の超音波振
    動子で超音波振動を与えるように構成したことを特徴と
    する洗浄処理装置。
JP1261961A 1989-10-09 1989-10-09 洗浄処理装置 Expired - Fee Related JP2984007B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1261961A JP2984007B2 (ja) 1989-10-09 1989-10-09 洗浄処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1261961A JP2984007B2 (ja) 1989-10-09 1989-10-09 洗浄処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03124029A true JPH03124029A (ja) 1991-05-27
JP2984007B2 JP2984007B2 (ja) 1999-11-29

Family

ID=17369061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1261961A Expired - Fee Related JP2984007B2 (ja) 1989-10-09 1989-10-09 洗浄処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2984007B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060573A (ja) * 1999-04-27 2001-03-06 Applied Materials Inc 半導体基板洗浄システム
JP2006528840A (ja) * 2003-07-24 2006-12-21 ケムトレース プレシジョン クリーニング, インコーポレイテッド マスクの清浄
JP2011017085A (ja) * 2003-07-24 2011-01-27 Applied Materials Inc マスクの清浄

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060573A (ja) * 1999-04-27 2001-03-06 Applied Materials Inc 半導体基板洗浄システム
JP2010010718A (ja) * 1999-04-27 2010-01-14 Applied Materials Inc 半導体基板洗浄システム
JP2006528840A (ja) * 2003-07-24 2006-12-21 ケムトレース プレシジョン クリーニング, インコーポレイテッド マスクの清浄
JP2011017085A (ja) * 2003-07-24 2011-01-27 Applied Materials Inc マスクの清浄

Also Published As

Publication number Publication date
JP2984007B2 (ja) 1999-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7914623B2 (en) Post-ion implant cleaning for silicon on insulator substrate preparation
US5626159A (en) Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US4869278A (en) Megasonic cleaning apparatus
JPH05102119A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
KR890008934A (ko) 웨이퍼가공방법
KR100355919B1 (ko) 반도체기판의 제조방법
US20070119544A1 (en) Apparatus and method for single substrate processing using megasonic-assisted drying
JP2003209086A (ja) 超音波洗浄装置
JP2005064530A (ja) ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置
JPH11260778A (ja) 枚葉式表面洗浄方法及び装置
JPH03124029A (ja) 洗浄処理装置
JPH03124026A (ja) 液体処理装置
US6523557B2 (en) Megasonic bath
JPH03257826A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
JPH10229066A (ja) ウェハ処理装置及びその方法、ウェハ搬送ロボット、半導体基体の製造方法並びに半導体製造装置
JP2984006B2 (ja) 洗浄装置
JP2002009033A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP6592351B2 (ja) 基板処理装置
JP4767769B2 (ja) 超音波洗浄装置
JP3430817B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH05308067A (ja) 超音波洗浄装置および方法
JP4443645B2 (ja) Cbd成膜装置
JP3729476B2 (ja) 基板洗浄装置
JP2005085978A (ja) 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置
JPH01189127A (ja) ウエハの洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees