JPS5850442A - 圧力電気変換装置 - Google Patents
圧力電気変換装置Info
- Publication number
- JPS5850442A JPS5850442A JP15024281A JP15024281A JPS5850442A JP S5850442 A JPS5850442 A JP S5850442A JP 15024281 A JP15024281 A JP 15024281A JP 15024281 A JP15024281 A JP 15024281A JP S5850442 A JPS5850442 A JP S5850442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- plating layer
- nickel plating
- pressure
- semiconductor diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、圧力センサとして構成された半導体ダイヤ
フラムを用いた圧力電気変換装置に係鳴特にそれを収容
するパッケージ側の気密性の保持を向上させたものであ
る。
フラムを用いた圧力電気変換装置に係鳴特にそれを収容
するパッケージ側の気密性の保持を向上させたものであ
る。
第1図は従来のこの種の圧力電気変換装置の構成例を示
す断面図で、1は圧力センサを構成する半導体ダイヤフ
ラム、2はこの半導体ダイヤフラム1を支持する台座、
3は前記台座2を貫通する圧力導入孔、4は前記半導体
ダイヤフラム1を台座2に接着するろう材、5は前記台
座2を取り付ケルコバール(クエステイングハウス社の
商標名)、ニッケル42%の鉄−ニッケル合金等のパッ
ケージ、6は前記パッケージ5の表面に施されたリン系
無電解ニッケルメッキ層、Tは前記リン系無電解ニッケ
ルメッキ層6の上にメッキされた金メッキ層、8は前記
台座2をパッケージ5Vc接着するろう材、9は前記パ
ッケージ5の内部から外部へ引き出すリード、1oは前
記半導体ダイヤフラム1とリード9とを接続するアルミ
ニウムまたは金からなる金属線、11は圧力導入パイプ
、12は前記半導体ダイヤフラム1の上方部を真空に保
持するキャップである。
す断面図で、1は圧力センサを構成する半導体ダイヤフ
ラム、2はこの半導体ダイヤフラム1を支持する台座、
3は前記台座2を貫通する圧力導入孔、4は前記半導体
ダイヤフラム1を台座2に接着するろう材、5は前記台
座2を取り付ケルコバール(クエステイングハウス社の
商標名)、ニッケル42%の鉄−ニッケル合金等のパッ
ケージ、6は前記パッケージ5の表面に施されたリン系
無電解ニッケルメッキ層、Tは前記リン系無電解ニッケ
ルメッキ層6の上にメッキされた金メッキ層、8は前記
台座2をパッケージ5Vc接着するろう材、9は前記パ
ッケージ5の内部から外部へ引き出すリード、1oは前
記半導体ダイヤフラム1とリード9とを接続するアルミ
ニウムまたは金からなる金属線、11は圧力導入パイプ
、12は前記半導体ダイヤフラム1の上方部を真空に保
持するキャップである。
上記従来の圧力センサとしては、150μm程度の厚さ
の単結晶基板の片面に選択拡散してピエゾ効果を示す領
域を形成し、他方の面に選択エッチングによって凹部な
設けた半導体ダイヤフラム1が用いられ、この半導体ダ
イヤフラム1をパッケージ5Vc固定するために、半導
体ダイ−117ラム1とパッケージ5の間に、半導体ダ
イヤフラム10線膨張係数と同等の線膨張係数を有し、
圧力導入孔3を有する、例えばシリコンまたはガラス等
の台座2が用いられている。また、前記台座2とパッケ
ージ5を固定するためVC,リン系無電解ニッケルメッ
キ層6および金メッキ層Iをメッキしたパッケージ5に
半田もしくは金、シリコン等でろう付けして、気密性を
保持していた。
の単結晶基板の片面に選択拡散してピエゾ効果を示す領
域を形成し、他方の面に選択エッチングによって凹部な
設けた半導体ダイヤフラム1が用いられ、この半導体ダ
イヤフラム1をパッケージ5Vc固定するために、半導
体ダイ−117ラム1とパッケージ5の間に、半導体ダ
イヤフラム10線膨張係数と同等の線膨張係数を有し、
圧力導入孔3を有する、例えばシリコンまたはガラス等
の台座2が用いられている。また、前記台座2とパッケ
ージ5を固定するためVC,リン系無電解ニッケルメッ
キ層6および金メッキ層Iをメッキしたパッケージ5に
半田もしくは金、シリコン等でろう付けして、気密性を
保持していた。
上記従来のリン系無電解ニッケルメッキ層6を有するパ
ッケージ5では、リン系無電解ニッケルメッキ層60線
膨張係数が、例えばコバール等の材料で作られたパッケ
ージ5より著しく大きく、かつ、第2図に示すように、
ろう付けする際に400℃程度にリン系無電解ニッケル
メッキ層6を施したパッケージ5を高温に上昇させると
、リン系無電解ニッケルメッキ層6の硬度が上昇し、前
記リン系無電解ニッケルメッキ層6にクランクが入る。
ッケージ5では、リン系無電解ニッケルメッキ層60線
膨張係数が、例えばコバール等の材料で作られたパッケ
ージ5より著しく大きく、かつ、第2図に示すように、
ろう付けする際に400℃程度にリン系無電解ニッケル
メッキ層6を施したパッケージ5を高温に上昇させると
、リン系無電解ニッケルメッキ層6の硬度が上昇し、前
記リン系無電解ニッケルメッキ層6にクランクが入る。
その結果、前記クラックを浦してリークが発生し、気密
性を保持することが著しく困難であった。
性を保持することが著しく困難であった。
この発明は、上記の点にかんがみてなさねたもので、リ
ン系無電解ニッケルメッキ層の代りに、例えば電解ニッ
ケルメッキ層あるいはポロン系無電解ニッケルメッキ層
のようなリンを含farいニッケルメッキ層を設けるこ
とによって、気密性の信頼度が高く、かつ、製造が容易
で安価な圧力電気変換装置を提供することを目的として
いる。以下、この発明について説明する。
ン系無電解ニッケルメッキ層の代りに、例えば電解ニッ
ケルメッキ層あるいはポロン系無電解ニッケルメッキ層
のようなリンを含farいニッケルメッキ層を設けるこ
とによって、気密性の信頼度が高く、かつ、製造が容易
で安価な圧力電気変換装置を提供することを目的として
いる。以下、この発明について説明する。
第3図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、第
1図の従来例と同等部分は同一符号で示しである。この
図で、6aは前記パッケージ5の上に施したリンを含4
t、cい電解ニッケルメッキ層あるいはポロン系無電解
ニッケルメッキ層であり、これらの線膨張係数は、従来
のリン系無宿1解ニッケルメッキ層6の線膨張係数より
小さく、400℃程度の加熱によっても、メッキ層の硬
化は起らず、逆に軟化傾向を示すため、ニッケルメッキ
層のクラックは皆無となって、気密性を十分保持するこ
とができる。
1図の従来例と同等部分は同一符号で示しである。この
図で、6aは前記パッケージ5の上に施したリンを含4
t、cい電解ニッケルメッキ層あるいはポロン系無電解
ニッケルメッキ層であり、これらの線膨張係数は、従来
のリン系無宿1解ニッケルメッキ層6の線膨張係数より
小さく、400℃程度の加熱によっても、メッキ層の硬
化は起らず、逆に軟化傾向を示すため、ニッケルメッキ
層のクラックは皆無となって、気密性を十分保持するこ
とができる。
なお、上記実施例ではリンを含まないニッケルメッキ層
を設けたパッケージを示したが、台座。
を設けたパッケージを示したが、台座。
半導体ダイヤプラムにも同様のニッケルメッキ層を適用
できる。
できる。
以上詳細に説明したように、この発明は、パッケージ表
面にリンを含まないニッケルメッキ層を設けたので、半
導体ダイヤフラムの上方部を真空に保持することが容易
となり、製作歩留りが向上し、装置の信頼性の向上およ
び原価低減がはかれる利点がある。
面にリンを含まないニッケルメッキ層を設けたので、半
導体ダイヤフラムの上方部を真空に保持することが容易
となり、製作歩留りが向上し、装置の信頼性の向上およ
び原価低減がはかれる利点がある。
第1図は従来の圧力電気変換装置の構成例を示す断面図
、第2図はリン系無電解ニッケルメッキ層におけるメッ
キ硬度と加熱温度の相関図、第3図はこの発明の一実施
例の構成を示す断面図である。 図中、1は半導体ダイヤフラム、2は台座、5はパッケ
ージ、6&はリンを含まない電解ニッケルメッキ層であ
る。なお、図中の同−符一号は同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −(はか1名)
、第2図はリン系無電解ニッケルメッキ層におけるメッ
キ硬度と加熱温度の相関図、第3図はこの発明の一実施
例の構成を示す断面図である。 図中、1は半導体ダイヤフラム、2は台座、5はパッケ
ージ、6&はリンを含まない電解ニッケルメッキ層であ
る。なお、図中の同−符一号は同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −(はか1名)
Claims (1)
- 半導体基体の一方の主面部にピエゾ効果を示す領域が形
成され、他方の主面に凹部が形成されて圧力センサを構
成する半導体ダイヤフラムを、この半導体ダイヤプラム
と同等の線膨張係数を有する材質からなる台座を介して
パッケージに取り付け、前記パッケージおよび台座に前
記半導体ダイヤフラムへの圧力導入孔を形成したものに
おいて、前記パッケージ表面にリンを含まないニッケル
メッキ層を設けたことを特徴とする圧力電気変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15024281A JPS5850442A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 圧力電気変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15024281A JPS5850442A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 圧力電気変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5850442A true JPS5850442A (ja) | 1983-03-24 |
Family
ID=15492664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15024281A Pending JPS5850442A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 圧力電気変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5850442A (ja) |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP15024281A patent/JPS5850442A/ja active Pending
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