JPS5930035A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS5930035A JPS5930035A JP14140382A JP14140382A JPS5930035A JP S5930035 A JPS5930035 A JP S5930035A JP 14140382 A JP14140382 A JP 14140382A JP 14140382 A JP14140382 A JP 14140382A JP S5930035 A JPS5930035 A JP S5930035A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、１つのパンケージの中に２つの半導体圧カ
センサチツブを組み込んだ複合形の半導体圧カセンザに
関するものである。
センサチツブを組み込んだ複合形の半導体圧カセンザに
関するものである。
一般に、シリコンやゲルマニウムなどの半導体単結晶が
、圧力が加わることによって歪を受けると抵抗値が変化
することは、ピエゾ抵抗効果としてよ（知られている。
、圧力が加わることによって歪を受けると抵抗値が変化
することは、ピエゾ抵抗効果としてよ（知られている。
このピエゾ抵抗効果を有効に利用し得る構造にした半導
体圧力センサが、最近よく用いられるよ５になってきて
いる。シリコンやゲルマニウムなどの半導体単結晶を用
い、有効な結晶面を選び、この結晶面に半導体基体の導
電型と逆の導ＭＬ屋の不純物を選択的に拡散して拡散抵
抗層を形成し、この拡散抵抗層を形成した面と反対側の
面に、拡散抵抗ｔｍ形成部分と対向した部分を研磨法や
エツチング法などを用い肉薄部とし、周辺を肉厚部とし
て残すように凹形状に形成する。この肉薄部として形成
されｆこ感圧素子である起歪部に、液体または気体で圧
力を加えて歪ｙＩｌ−発生さぜるとその際に生じる圧縮
応力および引張力によって拡散抵抗層の抵抗値が変化し
、・その変化に応じた圧力を電気信号に変換し取り出す
ことができる。
体圧力センサが、最近よく用いられるよ５になってきて
いる。シリコンやゲルマニウムなどの半導体単結晶を用
い、有効な結晶面を選び、この結晶面に半導体基体の導
電型と逆の導ＭＬ屋の不純物を選択的に拡散して拡散抵
抗層を形成し、この拡散抵抗層を形成した面と反対側の
面に、拡散抵抗ｔｍ形成部分と対向した部分を研磨法や
エツチング法などを用い肉薄部とし、周辺を肉厚部とし
て残すように凹形状に形成する。この肉薄部として形成
されｆこ感圧素子である起歪部に、液体または気体で圧
力を加えて歪ｙＩｌ−発生さぜるとその際に生じる圧縮
応力および引張力によって拡散抵抗層の抵抗値が変化し
、・その変化に応じた圧力を電気信号に変換し取り出す
ことができる。
このような原理を用いた半導体圧カセ／すは、他の方式
の圧力センサに比較し著しく高感度であり、軽量・小形
化が可能となり、さらに、クリープ現象が生じないなど
の特徴がある。さらに、最近の高度に進歩したＩＣプレ
ーナ技術な駆使することによって特性の均一なものを一
度に多量に生産することが可能となり、コスト的にも安
いものか得られるという大きな利点がル）す、最近この
半導体圧力センサが一般に広く利用されるようになって
ぎている。
の圧力センサに比較し著しく高感度であり、軽量・小形
化が可能となり、さらに、クリープ現象が生じないなど
の特徴がある。さらに、最近の高度に進歩したＩＣプレ
ーナ技術な駆使することによって特性の均一なものを一
度に多量に生産することが可能となり、コスト的にも安
いものか得られるという大きな利点がル）す、最近この
半導体圧力センサが一般に広く利用されるようになって
ぎている。
半尋体圧カセ〕／すには、絶対圧形、差圧形、ゲージ圧
形などの種類があり、それぞれの用途に応じ過当なもの
が選び用いられているが、このうち絶対圧形は半導体圧
力士ンーＩＪ素子自体が基準圧室Ｚ待った構造になって
おり、外気圧の変化に伴う補正等な必袂ど【−ないため
便い易いという利点がある。 ゛ 半導体圧力センサは、その応用分野としては。
形などの種類があり、それぞれの用途に応じ過当なもの
が選び用いられているが、このうち絶対圧形は半導体圧
力士ンーＩＪ素子自体が基準圧室Ｚ待った構造になって
おり、外気圧の変化に伴う補正等な必袂ど【−ないため
便い易いという利点がある。 ゛ 半導体圧力センサは、その応用分野としては。
自動車用、血圧形などの医療機器用、産業機器用などに
最近益々拡大しつつある。特に、自動車用としては排ガ
ス規制に対処するｋめに、大気圧を測定し吸気ガスと空
気との混合比袈きめ細かく制御したり、エンジンの吸気
圧を測定しｊ−ンジンを最適条件に制御ｊにとが行われ
４）。このように、大気圧補正用とエンジン吸気圧制御
用とり測定用に最近半導体圧力センサが用いられるよう
になってきている。
最近益々拡大しつつある。特に、自動車用としては排ガ
ス規制に対処するｋめに、大気圧を測定し吸気ガスと空
気との混合比袈きめ細かく制御したり、エンジンの吸気
圧を測定しｊ−ンジンを最適条件に制御ｊにとが行われ
４）。このように、大気圧補正用とエンジン吸気圧制御
用とり測定用に最近半導体圧力センサが用いられるよう
になってきている。
さらに、２つまたはそれ以上の異なった雰囲気の圧力を
同時に測定することが多（行われろようになってきたた
め、このような用途に適した小形で低コストの半導体圧
カセンザが要求されるようになってきている。
同時に測定することが多（行われろようになってきたた
め、このような用途に適した小形で低コストの半導体圧
カセンザが要求されるようになってきている。
従来の半導体圧力センサの５ち絶対圧形の主な構造は、
第１図、第２図に示すようなものがある。
第１図、第２図に示すようなものがある。
第１図に示すものは、半導体圧力センサの感圧素子が形
成されにシリコン半導体表面肩側の肉薄部が、圧力被測
定雰囲気に露呈した構造（以下表面受圧形構造と呼ぶ）
であり、−１：１こ、第２図に示すものは、感圧素子が
形成されに面と反対側の面の肉薄部が、圧力被測定雰囲
気に露呈した構造（以下裏面受圧形構造と呼ぶ）である
。
成されにシリコン半導体表面肩側の肉薄部が、圧力被測
定雰囲気に露呈した構造（以下表面受圧形構造と呼ぶ）
であり、−１：１こ、第２図に示すものは、感圧素子が
形成されに面と反対側の面の肉薄部が、圧力被測定雰囲
気に露呈した構造（以下裏面受圧形構造と呼ぶ）である
。
次に、第１図、第２図の従来の半導体圧力センサの構造
の詳細について説明する。
の詳細について説明する。
まず、第１図の表面受圧形構造のものについて説明する
。第１図において、１は半導体圧力センサチップ（以下
単にチップという）で、ＩａはＮ形シリコン単結晶基板
であり、１ｂは研磨やエツチングの方法で形成された肉
薄部、１Ｃは前記肉薄部１ｂ領域内の表面層ＩＣＰＣ工
形物を選択的にイオン注入法または拡散法により導入し
形成した拡散抵抗層であり、一般的には４つの拡散抵抗
層がブリッジ状に形成される。１ｄは前記拡散抵抗／＠
１ｅを電極部１ｅまで引き出丁ための低抵抗層で、Ｐ形
不純物を拡散することによって形成される。２および２
′は前記チップ１を支持する支持台であり、シリコンと
熱膨張係数の類似したシリコンあるいはガラスなどが一
般に用いられ、チップ１は支持台２上にろう材やガラス
などの接着剤３により接着固定される。また、支持台２
，２′は別個に形成されたものン、金属ろう材やガラス
などの接着剤５ａＹ用いて接着固定するか、または一体
成形されたものが用いられろ。チップ１と支持台２，２
′の接着は、真空中または一定圧の不活性ガス中で行わ
れ、気密空間４領域内は、真空または一定圧になるよう
に制御され基準圧室が形成される。
。第１図において、１は半導体圧力センサチップ（以下
単にチップという）で、ＩａはＮ形シリコン単結晶基板
であり、１ｂは研磨やエツチングの方法で形成された肉
薄部、１Ｃは前記肉薄部１ｂ領域内の表面層ＩＣＰＣ工
形物を選択的にイオン注入法または拡散法により導入し
形成した拡散抵抗層であり、一般的には４つの拡散抵抗
層がブリッジ状に形成される。１ｄは前記拡散抵抗／＠
１ｅを電極部１ｅまで引き出丁ための低抵抗層で、Ｐ形
不純物を拡散することによって形成される。２および２
′は前記チップ１を支持する支持台であり、シリコンと
熱膨張係数の類似したシリコンあるいはガラスなどが一
般に用いられ、チップ１は支持台２上にろう材やガラス
などの接着剤３により接着固定される。また、支持台２
，２′は別個に形成されたものン、金属ろう材やガラス
などの接着剤５ａＹ用いて接着固定するか、または一体
成形されたものが用いられろ。チップ１と支持台２，２
′の接着は、真空中または一定圧の不活性ガス中で行わ
れ、気密空間４領域内は、真空または一定圧になるよう
に制御され基準圧室が形成される。
１は外装支持体で、１ａはコバール、鉄ニツケル合金な
どよりなる金属板部、７ｂは気密封着ガラス７ｃで金属
板部７ａＫ電気的に絶縁するとともに、封着固定された
入出力電気信号用の外部リード端子であり、チップ１を
封着固定した支持台２および２′は接着剤５ａ、５ｂ’
ａ’介して外装支持体Ｉの金属板１７ａＫ接着固足され
る。６は前記チップ１の電極部１ｅと外部リード端子Ｔ
ｂ間を電気的に接続する金やアルミニウムなどの金属細
線、８は鉄、鉄ニッケル、ニッケルなどよりなるパッケ
ージで、このパンケージ８と外装支持体７とは接合部８
ｃで溶接され気密封着されろ。８ａは前記パッケージ８
の上部に設けられた圧力尋人バイブで、８ｂは受圧伝達
用通気孔である。
どよりなる金属板部、７ｂは気密封着ガラス７ｃで金属
板部７ａＫ電気的に絶縁するとともに、封着固定された
入出力電気信号用の外部リード端子であり、チップ１を
封着固定した支持台２および２′は接着剤５ａ、５ｂ’
ａ’介して外装支持体Ｉの金属板１７ａＫ接着固足され
る。６は前記チップ１の電極部１ｅと外部リード端子Ｔ
ｂ間を電気的に接続する金やアルミニウムなどの金属細
線、８は鉄、鉄ニッケル、ニッケルなどよりなるパッケ
ージで、このパンケージ８と外装支持体７とは接合部８
ｃで溶接され気密封着されろ。８ａは前記パッケージ８
の上部に設けられた圧力尋人バイブで、８ｂは受圧伝達
用通気孔である。
第１図に示す表面受圧形構造の半導体圧力センサでは、
受圧伝達用通気孔８ｂに導入された被測定ガス圧または
液圧をチップ１の歪による抵抗変化欠利用し、電気信号
の変化として外部リード端子１ｂより取り出丁ことがで
きる。
受圧伝達用通気孔８ｂに導入された被測定ガス圧または
液圧をチップ１の歪による抵抗変化欠利用し、電気信号
の変化として外部リード端子１ｂより取り出丁ことがで
きる。
次に、他の絶対正形構造の半導体圧力センサの例として
裏面受圧形構造のものを第２図について説明丁＾。
裏面受圧形構造のものを第２図について説明丁＾。
まず、第２図において、第１図と同一符号の個所は同一
構成部分を示し、２ａは前記支持台２の中心付近に縦方
向に貫通するように設けられた受圧伝達用貫通孔であ４
）。また、７ｄは前記外装支持体１の中央部に設けられ
ｋｔ力導入バイブで、受圧伝達用通気孔７ｅが、支持台
２の受圧伝達用貫通孔２＆に連通１小ように設けられて
いる。９は前記パッケージＢ内に形成される空間領域で
基準王室を形成する。４′は前記受圧伝達用通気孔Ｉｅ
に通じ＾受圧室である。
構成部分を示し、２ａは前記支持台２の中心付近に縦方
向に貫通するように設けられた受圧伝達用貫通孔であ４
）。また、７ｄは前記外装支持体１の中央部に設けられ
ｋｔ力導入バイブで、受圧伝達用通気孔７ｅが、支持台
２の受圧伝達用貫通孔２＆に連通１小ように設けられて
いる。９は前記パッケージＢ内に形成される空間領域で
基準王室を形成する。４′は前記受圧伝達用通気孔Ｉｅ
に通じ＾受圧室である。
第１図６第２図に示した絶対圧形の半導体圧力センサは
、それぞれ次のような利点および欠点がある。
、それぞれ次のような利点および欠点がある。
第１図に示した表面受圧形構造の半導体圧カセンザは、
製造方法が比較的容易であるが、チップ１０衣面が被測
定カスや液体などＶＣ直接触れることから、被測定ガス
や液体について制限が加わるという欠点があるが、大気
を含め不活性ガスなどの圧力測定において！ｉ特に問題
はない。。
製造方法が比較的容易であるが、チップ１０衣面が被測
定カスや液体などＶＣ直接触れることから、被測定ガス
や液体について制限が加わるという欠点があるが、大気
を含め不活性ガスなどの圧力測定において！ｉ特に問題
はない。。
次に、第２図に示すような裏面受圧形構造の半導体圧力
センサでは、その製造方法が第１図の表面受圧形構造の
半導体圧力センサに比較し困難であるという欠点がある
が、チップ１０表面側が被測定ガスや液体に直接触れろ
ことがないため、信頼性上値れるという特徴がある。
センサでは、その製造方法が第１図の表面受圧形構造の
半導体圧力センサに比較し困難であるという欠点がある
が、チップ１０表面側が被測定ガスや液体に直接触れろ
ことがないため、信頼性上値れるという特徴がある。
半導体圧力センサの応用分野として自動車用があること
は前述したが、排ガス規制に対処するために、１つの半
導体圧力センサで大気圧を測定し、エンジンの吸気ガス
のガソリンと空気との混合比の制御をきめ細か（行い、
また、他の半導体圧力センサでエンジンの吸気圧を測定
し、エンジンを最適な条件にて制御すゐことが行われる
。
は前述したが、排ガス規制に対処するために、１つの半
導体圧力センサで大気圧を測定し、エンジンの吸気ガス
のガソリンと空気との混合比の制御をきめ細か（行い、
また、他の半導体圧力センサでエンジンの吸気圧を測定
し、エンジンを最適な条件にて制御すゐことが行われる
。
この場合前者の用途Ｖこは、第１図の表面受圧形構造の
半導体圧力センサを用いても信頼性上何ら差し支えない
のに対し、後者の用途には、第２図の裏面受圧形構造の
半導体圧力センサを用いるのが信頼性上有利である。こ
りような２つの被測定ガスなどの圧カケ測定する用途に
おいて、２つの半導体圧力センサ乞用いろ場合スペース
を取ること、また、コスト的に高くつ（などの欠点があ
った。
半導体圧力センサを用いても信頼性上何ら差し支えない
のに対し、後者の用途には、第２図の裏面受圧形構造の
半導体圧力センサを用いるのが信頼性上有利である。こ
りような２つの被測定ガスなどの圧カケ測定する用途に
おいて、２つの半導体圧力センサ乞用いろ場合スペース
を取ること、また、コスト的に高くつ（などの欠点があ
った。
この発明は、このような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、１つの半導体圧カセ／すにより２つの被
測定ガスなどの用途に用いることができる複合形の半導
体圧力センサを提供ｊるものである。以下、この発明に
ついて説明する。
されたもので、１つの半導体圧カセ／すにより２つの被
測定ガスなどの用途に用いることができる複合形の半導
体圧力センサを提供ｊるものである。以下、この発明に
ついて説明する。
第３図はこの発明の一実施例な示す半導体圧力、センナ
の構成断面図である。この図で、１０．２０はそれぞれ
半導体圧カセンサチツブ（以下単にチップという）で、
チップ２０はその肉厚部である脚部２０ａと、チップ１
０の感圧素子が形成され１こ側（赤面側）の肉薄部１０
ｂを取り囲む領域表面との間に、ノリフンと熱膨張係数
の等しいまたは類似しＩこ低融点ガラスなどを用いて融
着されろ。
の構成断面図である。この図で、１０．２０はそれぞれ
半導体圧カセンサチツブ（以下単にチップという）で、
チップ２０はその肉厚部である脚部２０ａと、チップ１
０の感圧素子が形成され１こ側（赤面側）の肉薄部１０
ｂを取り囲む領域表面との間に、ノリフンと熱膨張係数
の等しいまたは類似しＩこ低融点ガラスなどを用いて融
着されろ。
融層は真空中もしくは一定圧雰囲気で行われ、気密空間
の領域が真空もしくは一定圧になるように行われ基準圧
室２０４を形成する。また、チップｉＱ４’！、チップ
２０よりチップサイズケ若干太きくシ、チップ１０のメ
タライス電極１０ｅが、チップ２０の外側に位置するよ
う工夫される。
の領域が真空もしくは一定圧になるように行われ基準圧
室２０４を形成する。また、チップｉＱ４’！、チップ
２０よりチップサイズケ若干太きくシ、チップ１０のメ
タライス電極１０ｅが、チップ２０の外側に位置するよ
う工夫される。
８はパッケージで、第１図の従来例と同様の形状のもの
で、８ｍは受圧伝達用通気孔８ｂ’＆有する圧力導入パ
イプ→である。ｌｌ：た、２は第２図の従来例と同様の
形状の支持台で、その中心付近を縦方向ＶＣ貫通ｊる受
圧伝達用貫通孔２ａを有している。支持台２とチップ１
０の脚部１０ａとの間は接層剤３を用いて気密封着され
る。Ｉは外装支持体で、接合部８Ｃでパングー：）８と
溶接され、気＠封Ｓされる。
で、８ｍは受圧伝達用通気孔８ｂ’＆有する圧力導入パ
イプ→である。ｌｌ：た、２は第２図の従来例と同様の
形状の支持台で、その中心付近を縦方向ＶＣ貫通ｊる受
圧伝達用貫通孔２ａを有している。支持台２とチップ１
０の脚部１０ａとの間は接層剤３を用いて気密封着され
る。Ｉは外装支持体で、接合部８Ｃでパングー：）８と
溶接され、気＠封Ｓされる。
それぞれ複数の本数ＪＣ’）なる外部リード端子７ｂ。
７ｂ’は、気密封着ガラス７ｃ、７ｃ’で外装支持体Ｔ
の金属板部７ａと電気的に絶縁されるように封着固定さ
れる、１外部リード端子７ｂは、その内部先端部とチッ
プ２０のメタライズ電極２０ｅとの間を金やアルミニウ
ムなどの金属細線２０６で電気的に短絡接続され金。ま
た、外部リード端子Ｔｂ’は、その内部先端部とチップ
°１０のメタライズ電極１０ａとの間を金やアルミニウ
ムなどの金属細線１０６で電気的に短絡接続される、。
の金属板部７ａと電気的に絶縁されるように封着固定さ
れる、１外部リード端子７ｂは、その内部先端部とチッ
プ２０のメタライズ電極２０ｅとの間を金やアルミニウ
ムなどの金属細線２０６で電気的に短絡接続され金。ま
た、外部リード端子Ｔｂ’は、その内部先端部とチップ
°１０のメタライズ電極１０ａとの間を金やアルミニウ
ムなどの金属細線１０６で電気的に短絡接続される、。
外装支持体７の中央部には、第２図Ｑ）従来例で説明し
た外装支持体７の場合と同様、受圧伝達用通気孔７ｅを
有−′ｆ′会圧力導入バイブ７ｄが設けられる。チップ
１０を封着固定した支持台２は、接着剤５を介し℃外装
支持体７に、支持台２に設けられｆこ受圧伝達用貫通孔
２ａと外装支持体７に設けしれに受圧伝達用通気孔７ｅ
が互（・に連らなるように接層固定される。
た外装支持体７の場合と同様、受圧伝達用通気孔７ｅを
有−′ｆ′会圧力導入バイブ７ｄが設けられる。チップ
１０を封着固定した支持台２は、接着剤５を介し℃外装
支持体７に、支持台２に設けられｆこ受圧伝達用貫通孔
２ａと外装支持体７に設けしれに受圧伝達用通気孔７ｅ
が互（・に連らなるように接層固定される。
以上により、基準圧室２０４ケ共有する２つの半導体圧
力センサ、ｊ７エわらチップ２０の表面受圧形牛導体圧
カセンサとチップ１０の裏面受圧形半導体圧力七ンサ馨
、１つσノパッケージ８に組み込んだ複合形の′＃−導
体圧カセンサを得ることができ、１つのパンケージ８の
もので、第１図および第２図に示した従来の２つツノ半
導体圧力センナの機能ケ内蔵したものとすることが゛（
きる。
力センサ、ｊ７エわらチップ２０の表面受圧形牛導体圧
カセンサとチップ１０の裏面受圧形半導体圧力七ンサ馨
、１つσノパッケージ８に組み込んだ複合形の′＃−導
体圧カセンサを得ることができ、１つのパンケージ８の
もので、第１図および第２図に示した従来の２つツノ半
導体圧力センナの機能ケ内蔵したものとすることが゛（
きる。
この複合形の半導体圧力センサを用いれば、基準王室２
０４を共用として一万のナツプ２０に、例えば被測定ガ
ス圧を導入すること［、Ｃリチップ２０の歪によりその
拡散抵抗層２０ｅの抵抗変化を外部リード端子７ｂから
電気信号の変化として取り出し、また、他方のチップ１
０に、前記とは異なる被測定ガス圧を導入して、その拡
散抵抗層１０ｃの抵抗変化を外部リード端子７ｂ’から
電気信号の変化として取り出すことに工９１つの複合形
の半導体圧力センサで、２つの被測定ガスなどの半導体
圧力センサとしての機能を具備させることができる１、 て被合形の半導体圧力センサを構成し１こので、２つＱ
）半導体圧カセンザ乞使用する従来例に比較し、小形化
、低コスト化が可能になるという利点を有する０
０４を共用として一万のナツプ２０に、例えば被測定ガ
ス圧を導入すること［、Ｃリチップ２０の歪によりその
拡散抵抗層２０ｅの抵抗変化を外部リード端子７ｂから
電気信号の変化として取り出し、また、他方のチップ１
０に、前記とは異なる被測定ガス圧を導入して、その拡
散抵抗層１０ｃの抵抗変化を外部リード端子７ｂ’から
電気信号の変化として取り出すことに工９１つの複合形
の半導体圧力センサで、２つの被測定ガスなどの半導体
圧力センサとしての機能を具備させることができる１、 て被合形の半導体圧力センサを構成し１こので、２つＱ
）半導体圧カセンザ乞使用する従来例に比較し、小形化
、低コスト化が可能になるという利点を有する０
第１図および第２図は従来の絶対圧形牛導体圧カセンサ
の構造例な示す断面図、第３図はこの発明の一実施例を
示す複合形の半導体圧力センサの構造を示ｊ断面図であ
る（６ 図中、２は支持台、３，５は接着剤、Ｔは外装支持体、
７ｅは受圧伝達用通気孔、８は）（ツケージ、８ｂは受
圧伝達用通気孔、１０，２（Ｎｉチップ、１０ｂは肉薄
部、１０Ｃは拡散抵抗層、１０ｄは低抵抗層、２０ｂは
肉薄部、２０ｃは拡散抵抗層、２０ｄは低抵抗層、２０
４は基準王室である。 代理人 葛野２信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 手続補正書 （自発） 事件の表示 特願昭５７−１４’１４０３号発明
の名称 半導体圧力センサ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第３頁ｌＯ行の「血圧形」を、「血圧計」
と補正する。 （２）同じく第１０頁２行の「チップ１０の」を、「チ
ップ１０の低抵抗層１０ｄ上の」と補正する。 （３）同じく第１Ｏ頁１７行の「チップ２０の」を、ｒ
チップ２０の低抵抗層２Ｏｄ上の」と補正する。 （４）同じく第１１頁２行の「・・・接続される。」の
次に下記を加える。 「なお、２０ｂは肉薄部、３０は接着剤を示す。」 （５）図面の第３図を別紙のように補正する。 以上 第 ３ 図
の構造例な示す断面図、第３図はこの発明の一実施例を
示す複合形の半導体圧力センサの構造を示ｊ断面図であ
る（６ 図中、２は支持台、３，５は接着剤、Ｔは外装支持体、
７ｅは受圧伝達用通気孔、８は）（ツケージ、８ｂは受
圧伝達用通気孔、１０，２（Ｎｉチップ、１０ｂは肉薄
部、１０Ｃは拡散抵抗層、１０ｄは低抵抗層、２０ｂは
肉薄部、２０ｃは拡散抵抗層、２０ｄは低抵抗層、２０
４は基準王室である。 代理人 葛野２信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 手続補正書 （自発） 事件の表示 特願昭５７−１４’１４０３号発明
の名称 半導体圧力センサ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第３頁ｌＯ行の「血圧形」を、「血圧計」
と補正する。 （２）同じく第１０頁２行の「チップ１０の」を、「チ
ップ１０の低抵抗層１０ｄ上の」と補正する。 （３）同じく第１Ｏ頁１７行の「チップ２０の」を、ｒ
チップ２０の低抵抗層２Ｏｄ上の」と補正する。 （４）同じく第１１頁２行の「・・・接続される。」の
次に下記を加える。 「なお、２０ｂは肉薄部、３０は接着剤を示す。」 （５）図面の第３図を別紙のように補正する。 以上 第 ３ 図
Claims (1)
- 固定支持部分と外力の印加により歪を生ずる拡散抵抗層
が形成されｆこシリコンダ−（７フラムとで構成された
半導体圧力上ンザチツプの２個で前記両シリコンタイア
フラム間に共通の基準圧室な形をパッケージ内に収容し
たこと乞特徴とする半導体圧カセンザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14140382A JPS5930035A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14140382A JPS5930035A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930035A true JPS5930035A (ja) | 1984-02-17 |
Family
ID=15291185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14140382A Pending JPS5930035A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930035A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776219A (en) * | 1987-04-06 | 1988-10-11 | Jaromir Friedrich | Pressure transducer |
| US5663506A (en) * | 1995-08-21 | 1997-09-02 | Moore Products Co. | Capacitive temperature and pressure transducer |
| US5672808A (en) * | 1996-06-11 | 1997-09-30 | Moore Products Co. | Transducer having redundant pressure sensors |
| WO1998001731A1 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Honeywell Data Instruments, Inc. | Pressure transducer with error compensation |
| JP2008020433A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-31 | Denso Corp | 力学量センサ |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP14140382A patent/JPS5930035A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776219A (en) * | 1987-04-06 | 1988-10-11 | Jaromir Friedrich | Pressure transducer |
| US5663506A (en) * | 1995-08-21 | 1997-09-02 | Moore Products Co. | Capacitive temperature and pressure transducer |
| US5672808A (en) * | 1996-06-11 | 1997-09-30 | Moore Products Co. | Transducer having redundant pressure sensors |
| US5804736A (en) * | 1996-06-11 | 1998-09-08 | Moore Products Co. | Differential capacitive transducer |
| US6029524A (en) * | 1996-06-11 | 2000-02-29 | Moore Products Co. | Transducer having redundant pressure sensors |
| WO1998001731A1 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Honeywell Data Instruments, Inc. | Pressure transducer with error compensation |
| US6023978A (en) * | 1996-07-10 | 2000-02-15 | Honeywell Data Instruments, Inc. | Pressure transducer with error compensation from cross-coupling outputs of two sensors |
| JP2008020433A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-31 | Denso Corp | 力学量センサ |
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