JPS5850415B2 - イオンビ−ムの遮断方法 - Google Patents

イオンビ−ムの遮断方法

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JPS5850415B2
JPS5850415B2 JP54078653A JP7865379A JPS5850415B2 JP S5850415 B2 JPS5850415 B2 JP S5850415B2 JP 54078653 A JP54078653 A JP 54078653A JP 7865379 A JP7865379 A JP 7865379A JP S5850415 B2 JPS5850415 B2 JP S5850415B2
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は微小パターンの形成およびレプリカ作成技術
に係り、特に選別した基板上にイオンビームリソグラフ
法を用いて高解像度のレジストパターンを形成する方法
に関する。
平行化イオンビームを利用して既知の市販の重合体（レ
ジスト）を露光する方法はイオンビームリソグラフ法の
分野で一般的に知られており、また例えば「ザ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス」第４５巻雁３
（１９７４年）中にＲｏＬ、セリジャーおよびＷ、Ｐ、
フレミングによって「フォーカスト・イオン・ビームズ
・イン・ミクロフアプリケーション」という表題の下に
記載されている。
多くのウェーハ加工操作において、イオンビームリソグ
ラフ法は、レジストの露光時間を短縮できるので、電子
ビームリソグラフ法やホトリソグラフ法よりも好ましい
。
あるイオン種をレジスト層中に選択的に注入する際に最
適の解像度を得るためには、イオン源とイオンビームが
照射される支持ウェーハもしくは基板との間のイオンビ
ーム径路において、イオンビームが選択的にマスクされ
る際のイオンビームの散乱もしくは分散を極力抑制する
必要がある。
すなわち、イオンビームが選択的マスクを通過する径路
におけるイオンビームの散乱角度を最小限にすることに
よって、例えば、高周波電界効果トランジスターにおけ
るゲート幅（長さＬｇ）のような装置の線幅をそれだけ
小さくできるのである。
照射されるイオンビームの散乱角θを小さくすることは
、マスクとレジストとの間に間隔Ｓが存在するような非
接触式（ｏｆｆ−ｃｏｎｔａｃｔ）リソグラフ法におい
て特に重要である。
ある角度θに対して、レジストで観測される横方向の偏
向は間隔Ｓが増す程大きくなる。
しかしながら、非接触式リングラフ法においては、マス
クが汚染されるのを防止し、その結果同一マスクを繰り
返し使用できるようにするためには、マスクとレジスト
との間隔Ｓを充分にとることが望ましい。
さらに、非接触式リングラフ法は大量生産にしばしば必
要な広領域の露光がおこなえるので有利である。
したかって、マスクとレジストとの間にとり得る最大限
の間隔を設けることができ、しかもマスクを通って照射
されるイオンの散乱角を最小限に抑えて高解像度のレジ
ストパターンを形成できる非接触式リングラフ法を用い
ることが望ましい。
現在、トランジスターのゲ゛−ト長は多くのＸバンドお
よびそれよりも高周波数の電解効果トランジスタでは０
．５ミクロメータが望まれているが、まだ達成されてい
ない。
したがって、上記イオンビームの解像度の向上およびイ
オンの散乱の抑制が望まれている。
本発明者は上記緒特性を改善するための方法を米国特許
出願第７９４２８８号に記載した。
この方法では、酸化アルミニウム（Ａ’２０３）のよう
な材料の無定形の緊密な超薄膜をイオン吸収マスクの支
持体として用いている。
このマスクはレジスト層を有する基板と整列され、イオ
ンはマスクに投射され、イオン吸収マスク中のパターン
化開口部によって露光されるＡ１２０３の超薄膜の選択
された領域を透過する。
透過したイオンはレジストの被覆された基板を打撃し、
その中の所定の領域を露光する。
この方法を使用すれば、従来法に較べて、加速されたイ
オンは極くわずかのマスク粒子を通過させることとなる
。
したがって、この方法によれば、イオンビームリソグラ
フ法の分野においてイオンの散乱を最小限に抑えること
ができ、しかも解像度を向上させることができる。
この発明の一般的な目的はイオンビームリソグラフ法に
おいてイオンの散乱を抑制し、これによってレジストの
現像の際の解像度をさらに向上させるための方法を提供
することである。
上記目的を達成するために、本発明者らは、イオンビー
ムの横方向の偏向を最小限に抑えつつイオンビームを遮
断する方法を開発した。
この方法は平行化イオンビームを単結晶性薄膜の選択さ
れた領域において通過させてなるものである。
この方法によれば、イオン透過に対する原子格子の抵抗
が最小限に抑制される。
この発明の一態様において、ある種のイオン種をイオン
ビームレジスト層、半導体あるいは他の標的材料に選択
的に注入する際のイオンビームの指向性を制御するイオ
ンリソグラフ法が提供される。
この方法は、厚さ２ミクロメータでその一表面に隣接し
てパターン化したイオン吸収領域を有する単結晶性薄膜
をまず提供する工程を含むものである。
ついで、平行化イオンビームを上記薄膜に対して垂直に
投射し、これを上記イオン吸収パターンの開口を通過さ
せる。
上記薄膜の単結晶特性はイオンの透過に対する当該薄膜
の抵抗を最小限にする。
したがって、イオンビームはその初期運動方向に対して
横方向の偏向および散乱が少なく、したがって遮断され
ないイオンが衝突した標的における解像度が増大する。
すなわち、この発明の目的は遮断されないイオンの散乱
角および横方向の偏向を最小限にするように平行化イオ
ンビームを所定のパターンに遮断する方法を提供するこ
とである。
また、この発明の目的はイオンビームリソグラフ法を用
いてレジスト材料中に高解像度のパターンを得るための
方法を提供することである。
さらに、この発明の目的はりソゲラフマスクを通るイオ
ンの移動距離および偏向を最小限に抑制し、かつマスク
を通るイオンの透過を最大にする方法を提供することで
ある。
さらにまた、この発明の目的はイオン種をイオンビーム
レジスト材料中に選択的に注入する際にイオンビームの
指向性を制御する方法を提供することである。
以下、この発明を添付の図面に示した好ましい態様につ
いてさらに詳しく説明する。
第１図には、１１０シリコン（すなわち、１１０結晶面
で切ったシリコンウェーバ）のような単結晶性材料の薄
い（典型的には、２ミクロメータ以下の）膜２及び金の
ような重金属系イオン吸収材料のパターン化層４よりな
るチャンネル透過型マスク構体が示されている。
パターン化層４は薄膜２に接合され、典型的には０．５
ないし１．０ミクロメータの厚さを有する。
平行化広領域イオンビーム６はマスクの表面に垂直な、
マスク中のチャンネルと整列化され、マスクの表面に投
射される。
この投射されたイオンが薄膜２中を通るにつれ、マスク
の平面に垂直なチャンネル８に沿って案内され、゛その
運動に対する抵抗は少ない。
イオン吸収材料層４によって覆われていないマスク領域
において、イオンは偏向角がほとんどなくマスクから出
来する。
簡便のため上記イオンの偏向角は図示していないが、こ
れは第３図に詳細に示されている。
マスクから出たイオンは、第１図に示されているように
、マスクと標的材料間の間隔Ｓを移動し、最終的には、
典型的には半導体ウェーバ１２上に被着された標的レジ
スト層１０を打撃する。
第２図には、１１０シリコンのような単結晶性材料の薄
膜２′および損傷結晶領域４′のパターンからなるチャ
ンネル透過型マスク構体が示されている。
上記損傷結晶領域４′はイオン吸収領域として作用し、
モして１１０シリコンウエーバをアルゴンのような重イ
オンで打撃することによって形成できる。
第１図について述べたと同様に、平行化広領域イオンビ
ーム６′はマスク中のチャンネル８′と整列化され、マ
スクの表面に投射される。
損傷結晶を持たない薄膜領域においてイオンは偏向角が
ほとんどなくマスクから出来する。
簡便のため上記イオンの偏向角は第２図には示していな
いが、第３図に詳細に示しである。
マスクから出たイオンは第２図に示す間隔Ｓを移動し、
ウェーバ１２′に被着された標的レジスト層１０′を打
撃する。
第３図には、投射イオンの散乱角もしくは偏向角θを示
すために第１図を少し簡略化した図が示されている。
すなわち、第３図は二つのイオンビーム（マスク構体中
の一開口の横方向の両端におけるイオンビーム）だけを
示している以外は第１図と同じである。
第３図には示していないが、他のイオンビームもマスク
４中の他の開口を散乱角θをもって同様に透過する。
第３図に示すイオンビーム２０がマスク構体中のチャン
ネル２２を通過するときに何ら抵抗がない場合には、イ
オンビームは経路２４に沿ってマスクから出来する。
しかしながら、イオンビーム２０がマスク中のチャンネ
ルを通過する間にイオンは、シリコン薄膜２中の原子核
に隋伴する電子雲との相互作用にもっばら基因して、そ
の動きに対してわずかな抵抗に遭遇する。
したがって、マスクから出たイオンビーム２６はその動
きの初期方向から角度θだけ偏向する。
この散乱角θはＬＨ，＋２△ＬＲ（ここで、ＬＲは線屑
像度、モして△ＬＲは二つの横方向で生じるイオン散乱
によるＬＲの変化）で測定される実際の線幅を決定する
。
既述のように、透過マスクと標的レジスト間の間隔Ｓを
大きくとり、しかも散乱角θを最小限に抑えることが望
ましい。
現在要求されている装置を製造するためには、△ＬＲは
０．１ミクロメータであることが望ましく、そうするた
めには、Ｓは１０ミクロン以上、さらに好ましくは５０
ミクロンであることが望ましい。
さて、第３図に戻って、０．１ １０μｍであるためにはθ＝ −ｙ ＝０．０１ラジア
ン＝０．６度であり、また△ＬＲが０．１ μｍでＳが
５０μｍであるためにはθ−”−〇、００２ラジア０ ソー０．１２度である。
したがって、現在の要求を満すためには散乱角は０．１
２度ないし０．６度の範囲であることが要求される。
従来の方法では達成することが困難であったこのような
小さな角度もこの発明を用いることによってより容易に
達成することができる。
チャンネル透過型マスクの散乱が小さいことは二つの方
向で利益がある。
上記数個は１００シリコンのマスクに適用される。
３倍以上の開放チャンネルを有する１１０シリコンをマ
スクに使用すると、１００シリコンの３倍の厚さを有す
るマスクで同じθが得られ、また１００シリコンと同じ
厚さのマスクを用いると、１００シリコンマスクによっ
て得られるθの１／３のθが得られる。
第４図には、１１０面に沿って切ったシリコンの結晶構
造をその表面に対して垂直な方向から見た模式図が示さ
れている。
シリコン格子中の原子は面心立方構造に配列され、これ
についてはＳ０Ｍ、Ｓｚｅ著「フイジイツクス・オブ・
セミコンダクター・デバイシズ」 （ウィリーインター
サイエンス、１９６９年）の１２〜１７頁に詳しく説明
されている。
結晶格子が１１０而に沿って配列しているときは、シリ
コン原子とその原子間結合によって六角柱の空間が構成
されている。
第４図にはこのような六角柱がいくつか示されている。
今、一つの六角柱４０を考えると、シリコン原子４１な
いし４６およびその結果は六面体の辺を構成している。
原子４１．４２および４３は相互に回一平面上にあり、
かつ１１０面に沿って切断された結晶の切断面上にある
。
原子４４．４５および４６は相互に同一平面上にあるが
、観察者から離れる方向に原子間結合４８の長さに等し
い距離だけ原子４１．４２および４３の面から離れてい
る。
このパターンは結晶中三次元的に繰り返されていて六角
住空間の集合体が形成される。
この１１０結晶配向は結晶格子中の原子間に最大の空間
を与えるとともに、ミラー指数によって定義される全て
の結晶面の単位面積当り最大の格子空間を与える。
したがって、この１１０配向によって図に対して垂直方
向に柱４０に類似の原子間空間を通過するイオン５０の
ようなイオンに対する抵抗は最小となる。
この発明を実施するに当り、１００Ｓｉを用い２．５ミ
クロンのＬＲを有する、第１図に示したタイプのマスク
をレジストを被着した標的基板から１０ミクロンないし
５０ミクロンの間隔Ｓを離して設置する。
このマスクの表面に垂直に、加速電圧３００ ＫｅＶの
プロトンの平行化ビームを投射する。
透過イオンの散乱角は透過イオンによってレジスト上に
露光されたパターン線幅に関連する低い△ＬＲ，値（す
なわち、△ＬＲ＝ ０．１ミクロメータ）によって示さ
れる。
以上この発明をその好ましい態様について説明したが、
この発明はそれらに限定されるものではない。
特に、この発明はイオンビームリソグラフ法に限るもの
ではなく、イオンビームのあらゆる遮断方法、とくに不
純物ドープの目的で基板にイオンを選択的に注入する方
法をも含むものである。
さらに、この発明は通過するイオンに対する原子格子抵
抗が前記したように最小となるように結晶学的に配向し
たあらゆる単結晶性薄膜の使用をも包含するものである
。
さらにまた、イオン吸収材料も金に限らず、他の原子番
号の高い金属例えばタングステンやモリブデンも使用で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一態様を断面的に示す図、第２図は
この発明の第２の態様を断面的に示す図、第３図はこの
発明方法を用いた際の透過イオンの散乱角を詳細に示す
図、および第４図は１１０シリコン結晶構造をマスクの
面に対して垂直方向から見た原子格子模式図。 ２．２′・・・・・・単結晶性薄膜、４，４′・・・・
・・イオン吸収領域、６，６′・・・・・・イオンビー
ム、８，８′・・・・・・チャンネル、１０ 、１０’
・・・・・ルジスト、１２．１２’・・・・・・基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ イオンビームによる標的の打撃方法であって、平行
    化イオンビームをして単結晶性薄膜の選択された領域を
    透過させ、および該薄膜から離れて位置する標的を、該
    選択された領域を透過したイオンビームで打撃すること
    からなり、もってイオン透過に対する原子格子抵抗を最
    小とするとともに該標的を打撃するイオンビームの横方
    向偏向を最小としたことを特徴とする方法。 ２ 薄膜の厚さが２ミクロメータ以下である特許請求の
    範囲第１項記載の方法。 ３ イオンビームを薄膜の１１０結晶面に垂直な方向に
    透過し、および薄膜の一表面に隣接しかつイオンビーム
    を所望パターンに選択的に遮断する位置に、イオンマス
    ク領域を設置する工程を含んでなる特許請求の範囲第１
    項記載の方法。 ４（ａ）透過するイオンに対する原子格子抵抗が最小と
    なる結晶面で切った単結晶性材料の薄膜の一表面にイオ
    ン吸収領域を設け、（ｂ）前記−表面および前記薄膜の
    結晶面に対して垂直に平行イオンビームを投射すること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５（ａ）イオンビームが遮断されるべき所定のパターン
    に対応してパターン化されたイオン吸収領域を一表面に
    隣接して有する厚さ２ミクロメータ以下の単結晶性薄膜
    を提供する工程、および（ｂ）前記薄膜に対して垂直に
    平行イオンビームを投射しこれを前記イオン吸収領域に
    隣接する非吸収領域間において前記薄膜を透過させる工
    程からなり、前記薄膜の薄膜特性および単結晶性がイオ
    ンの透過に対して最小限の抵抗を提供することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６（ａ）イオンビーム源から所定の間隔をもって、イオ
    ンビームレジスト層を被着してなる基板を提供する工程
    、（ｂ）イオン吸収マスクを有する単結晶性薄膜を前記
    基板および前記イオンビーム源間の所定の位置に設置す
    る工程、および（Ｃ）平行広領域イオンビームを前記薄
    膜の表面に垂直に投射し、これを前記イオン吸収マスク
    によって曝露されかつ前記薄膜表面に垂直に延びる前記
    薄膜中の結晶格子ナヤンネルを透過させることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の方法。 １ 薄膜が２ミクロメータ以下の厚さおよび１１０結晶
    面に平行な表面を有することを特徴とする特許請求の範
    囲第６項記載の方法。 ８ イオン吸収マスクが薄膜中の不透過領域パターンに
    よって形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第７
    項記載の方法。 ９ 不透過領域が、前記薄膜に対する重イオンの選択的
    打撃によって形成されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第８項記載の方法。
JP54078653A 1978-06-21 1979-06-21 イオンビ−ムの遮断方法 Expired JPS5850415B2 (ja)

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US05/917,610 US4158141A (en) 1978-06-21 1978-06-21 Process for channeling ion beams

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JPS5539694A JPS5539694A (en) 1980-03-19
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EP (1) EP0006701B1 (ja)
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DE (1) DE2964894D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63161687A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Tokin Corp Ｑスイツチ
JPH0341809B2 (ja) * 1981-11-13 1991-06-25

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357417A (en) * 1979-04-24 1982-11-02 Westinghouse Electric Corp. High resolution lithography using protons or alpha particles
US4310743A (en) * 1979-09-24 1982-01-12 Hughes Aircraft Company Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure
US4318750A (en) * 1979-12-28 1982-03-09 Westinghouse Electric Corp. Method for radiation hardening semiconductor devices and integrated circuits to latch-up effects
FR2475069A1 (fr) * 1980-02-01 1981-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de dopage rapide de semi-conducteurs
DE3035200C2 (de) * 1980-09-18 1982-09-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München Maske für die Ionenstrahl-Schattenprojektion
ZA8244B (en) * 1981-01-16 1982-11-24 Grace W R & Co Method and apparatus for making printed circuit boards
DE3121666A1 (de) * 1981-05-30 1982-12-16 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und einrichtung zur gegenseitigen ausrichtung von objekten bei roentgenstrahl- und korpuskularstrahl-belichtungsvorgaengen
JPS5814532A (ja) * 1981-07-17 1983-01-27 Fujitsu Ltd イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法
JPS5846652A (ja) * 1981-09-14 1983-03-18 Fujitsu Ltd 多層配線形成方法
JPS5892223A (ja) * 1981-11-27 1983-06-01 Matsushita Electronics Corp レジストパタ−ン形成方法
JPS5895383U (ja) * 1981-12-22 1983-06-28 ヤンマー農機株式会社 無限軌道帯を備えた農作業機のクロ−ラ位置確認装置
US4507331A (en) * 1983-12-12 1985-03-26 International Business Machines Corporation Dry process for forming positive tone micro patterns
JPS61127174A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4757208A (en) * 1986-03-07 1988-07-12 Hughes Aircraft Company Masked ion beam lithography system and method
AT393333B (de) * 1986-11-27 1991-09-25 Ims Ionen Mikrofab Syst Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion
US5416821A (en) * 1993-05-10 1995-05-16 Trw Inc. Grid formed with a silicon substrate
US6018566A (en) * 1997-10-24 2000-01-25 Trw Inc. Grid formed with silicon substrate
US6335534B1 (en) * 1998-04-17 2002-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes
US6358860B1 (en) 1999-10-07 2002-03-19 Vlsi Standards, Inc. Line width calibration standard manufacturing and certifying method
DE102015114429B4 (de) 2015-08-28 2017-05-11 Infineon Technologies Ag Partikelbestrahlungsgerät, Strahlmodifikatorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Junctionabschlussextensionszone
DE102016106119B4 (de) * 2016-04-04 2019-03-07 mi2-factory GmbH Energiefilterelement für Ionenimplantationsanlagen für den Einsatz in der Produktion von Wafern
JP6569048B2 (ja) * 2017-03-22 2019-09-04 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 イオンビーム機能性透過膜、イオンビーム機能性透過膜を用いたビームライン機器、イオンビーム機能性透過膜を用いたフィルター機器、フィルター機器の調整方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0341809B2 (ja) * 1981-11-13 1991-06-25
JPS63161687A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Tokin Corp Ｑスイツチ

Also Published As

Publication number Publication date
US4158141A (en) 1979-06-12
DE2964894D1 (en) 1983-03-31
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EP0006701A1 (en) 1980-01-09
JPS5539694A (en) 1980-03-19

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