JPH0358410A - 半導体構造の製造方法 - Google Patents

半導体構造の製造方法

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Publication number
JPH0358410A
JPH0358410A JP19496289A JP19496289A JPH0358410A JP H0358410 A JPH0358410 A JP H0358410A JP 19496289 A JP19496289 A JP 19496289A JP 19496289 A JP19496289 A JP 19496289A JP H0358410 A JPH0358410 A JP H0358410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grating
gaas
substrate
molecular beam
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19496289A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsunori Sugimoto
杉本 満則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高性能な半導体レーザや電界効果トランジスタ
(FET) 、光スイッチ等の構戒する半導体構造とし
て有望な量子細線の製造方法に関する. 〔従来の技術〕 現在、量子井戸構造は、半導体レーザの高性能化が実証
されており、今後事業化が見込まれている.現在の量子
井戸は、一次元方向にのみ電子を閉じ込めるものである
が、これを2次元の方向で電子を閉じ込める構造の量子
細線が出来れば、より高性能なデバイスが実現可能とな
る。このためには100人程度の幅の細線に電子を閉じ
込める必要があるため、これを製作するのは困難であっ
た。現在までに報告されている例では(100)面から
少しずれた面方位を有する板上に出来る原子層ステップ
を利用して膜面内に周期構造を形成する事が報告されて
いる(第5回分子線エピタクシー国際会議論文集、p3
82〜p388)。ところがこの様な方法では膜面内で
異なる量子細線を作る等の加工が不可能である等の欠点
を有している. 〔発明が解決しようとする課題〕 そこで、本発明の目的は、−E述した様な欠点が無く加
工性に優れた量子細線の製造方法を提供する事にある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体構造の製造方法においては、半導体基板
表而に、側面の最大傾斜角θ。の溝を1本または複数本
形成ずる工程と、この半導体基板上に分子線エピタクシ
ーにより半導体を結晶成長する工程とを少くとも備え、
前記分子線エピタクシーにおいて、前記半導体の構成元
素の少なくとも1つの分子線の前記湧の延びる方向に垂
直な方向のベクトル成分が前記半導体基板に対して傾斜
しており、その傾斜角θMがθM≦θGとなる事を特徴
とする構成になっている。
〔作用〕
本発明の半導体構造の製造方法では、講が形成された半
導体表面に傾けた分子線を当てる事により実現する。分
子線の基板表面に対する傾斜角θ閾が溝の側面の最大傾
斜角θGに対してθM≦θ0の場合に溝上に戒長じた結
晶は飛び飛これは、溝の凸部によって分子線の影が出来
るためである。すなわち 本発明では溝に斜めから分子
線を当てる事によって溝凹部に互いに分離した量子細線
を形成する事が出来る。又、成長時に量子細線が形成さ
れるために、続けて閉じ込めJfクを形成する事によっ
て量子細線の界面を空気に露出させないで形成出来る利
点を有する。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。第1図は本発明の一実施例の半導体構造の製造方
法を示したものである。まず第1図<a)に示す様にG
aAs基板1上にAffGaAs2を形成した後に溝を
複数本形成してグレーティングを形成する。このグレー
ティングを形成するためのレジストマスク形成方法とし
ては、光干渉を用いる方法や電子ビームやX線を用いる
方法があるが、電子ビームやX線を用いる方法の方が短
かいピッチのグレーティングを形成出来るため都合が良
い。ここではピッチ(A>としては100〜1000人
が適当である.次にこのGaAs基板1を分子線エピタ
クシー装置内に導入し、GaAsを結晶成長させる。こ
の場合に、第1図(a)に示す様にGaビーム5のグレ
ーティングの垂直方向の傾斜角θMをグレーティングの
側面の傾斜角θQ以下に設定する。これによってグレー
ティング3の凸部の影のためにGaAsからなる量子細
線4aが形成される。この時にAsビーム6はグレーテ
ィング全体の表面のAs脱離を防ぐため第1図(a)に
示す様にGaAs基板1に対してほぼ垂直に当てるのが
望ましい。次に第1図(b)に示す様にtiaAs基板
1を90”回転してGaビーム5およびAJ7ビーム7
をグレーティング3と平行にする事によって、グレーテ
ィング3全体にビームを照射しAe GaAs8を形成
する。これによって量子細線4aはまわりをAI!Ga
Asで埋め込まれて、完全な量子細線構造が実現する。
又、量子細線4aの幅LはA で与えられる。例えばθo=55゜,θM=30,八=
400人の場合にはL=200人となり、室温で充分量
子細線としての効果が期待出来る。
以上述べた実施例では最初にGaAsからなる量子細線
4aを成長したが、この戒長に先だって^I GaAs
のバッファ一層を形戒すると、量子細線4aと下地との
界面を良くする事が出来る。又、本実施例の量子細線を
pn接合の中央に位置させれば半導体レーザや発光ダイ
オード等の応用が可能となる.又、Alj GaAs閉
じ込め層を形成する場合に本実施例では基板を90”回
転させて、分子線とグレーティングを平行して行なった
が、これに限らず基板に対して垂直な^eおよびGaビ
ームを用いてA!!GaAsを成長しても良い。又、本
実施例では材料としてAeGaAs系材料を用いたが、
これに限らすInGaAj’ As/InP,InGa
AsP/InP等の他の材料を用いても良い事は明らか
である.又、本実施例では、Asビームは基板に対して
垂直として、Gaビームのみを基板に対して傾けて或長
した。
GaAsの戒長においては、Gaの付着係数(付着原数
/飛来する原子数〉はほぼ1であるのに対しAsはGa
の無い場合は零であり、6aがある場合にのみ有限の値
を持つ。このため通常のGaAs戊長では^Sビームは
Gaビーl\に比べて充分多量に照射して成長1−、て
いる。このため、戊長速度はGaヒーl\のみで決まる
事となり、Gaビームのみを基板に傾けて成長ずれば分
離した量子細線が得られる。しかしながら、Asビ・・
=1いもGaビームと同方向に傾けて或罠しても支障は
無い。
〔発明の効果〕
本発明においては、湧の形成方法として、電子ビーム露
光によるマスクを用いたエッチングや、FIB*のマス
クレスのエッチング等の様に、A’電ビームを用いる方
法を採用可能な7′.:.め、この荷電ビ=−ムを精;
釘に制御fることによって、同一膜面内で異なる仔意の
量子細線を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1 1;/lは本発明の一実施例の半導体構造の製造
方法を示した図である。 1・・・GaAs基板、2・・・ Aj’Ga八s、3
・・・グレーティング、4a・・・址子細線、t1b・
・・GaAs、5・・・Gaビーム、6・・・Asビー
ム、7・・・^eビーム、8・・・Aer.:^s0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面に、側面の最大傾斜角θ_Gの溝を1本
    または複数本形成する工程と、この半導体基板上に分子
    線エピタクシーにより半導体を結晶成長する工程とを少
    くとも備え、前記分子線エピタクシーにおいて、前記半
    導体の構成元素の少なくとも1つの分子線の前記溝の延
    びる方向に垂直な方向のベクトル成分が前記半導体基板
    に対して傾斜しており、その傾斜角θ_Mがθ_M≦θ
    _Gとなる事を特徴とする半導体構造の製造方法。
JP19496289A 1989-07-26 1989-07-26 半導体構造の製造方法 Pending JPH0358410A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0533475A2 (en) * 1991-09-17 1993-03-24 Fujitsu Limited Optical semiconductor device, method of producing the optical semiconductor device, and laser device using optical semiconductor devices
US6220924B1 (en) 1998-04-22 2001-04-24 Bright Eyes Co., Ltd. Brassiere

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0533475A2 (en) * 1991-09-17 1993-03-24 Fujitsu Limited Optical semiconductor device, method of producing the optical semiconductor device, and laser device using optical semiconductor devices
US5347533A (en) * 1991-09-17 1994-09-13 Fujitsu Limited Optical semiconductor device, method of producing the optical semiconductor device, and laser device using optical semiconductor devices
US6220924B1 (en) 1998-04-22 2001-04-24 Bright Eyes Co., Ltd. Brassiere

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