JPS5814532A - イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法 - Google Patents
イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法Info
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- JPS5814532A JPS5814532A JP11180381A JP11180381A JPS5814532A JP S5814532 A JPS5814532 A JP S5814532A JP 11180381 A JP11180381 A JP 11180381A JP 11180381 A JP11180381 A JP 11180381A JP S5814532 A JPS5814532 A JP S5814532A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- -1 ion ion Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、結晶のチャネリング効果を利用するイオン・
ビーム露光用マスクを製造する方法の改良に関する。
ビーム露光用マスクを製造する方法の改良に関する。
従来、イオン・ビーム露光用マスクとしては、超薄膜ア
モルファス・マスク（前者）及びチャネリング型結晶マ
スク（後者）が知られている。
モルファス・マスク（前者）及びチャネリング型結晶マ
スク（後者）が知られている。
前者は例えに第１図に見られるように超薄膜徹化アルミ
ニウム層１及び金などのイオン吸収材層２の二層構造に
壜っている。また、後者は酸化アル建ニウム層１の代シ
に面方位を適切に選択した薄膜シリコン結晶層を用いる
４のである。
ニウム層１及び金などのイオン吸収材層２の二層構造に
壜っている。また、後者は酸化アル建ニウム層１の代シ
に面方位を適切に選択した薄膜シリコン結晶層を用いる
４のである。
これ等は、いずれのものに於いても、マスクとして機能
させるには、イオン吸収材料層２は所望パターンにパタ
ーニングされていなければならないＯ このバターニングは工程が複維であシ、しかも、０．０
１ （μ寓〕乃至０．１（ｐｍ） の微細パターンを
形成しなければならないので、製造歩留シは良くない。
させるには、イオン吸収材料層２は所望パターンにパタ
ーニングされていなければならないＯ このバターニングは工程が複維であシ、しかも、０．０
１ （μ寓〕乃至０．１（ｐｍ） の微細パターンを
形成しなければならないので、製造歩留シは良くない。
本発明は、シリコン結晶のチャネリング効果を利用する
イオン・ビーム露光用マスクの範噛に属するものである
が、その製造が極めて容易であるとともに微細パターン
を有するものが歩留り良く得られるようにするものであ
シ、以下これを詳細に説明する。
イオン・ビーム露光用マスクの範噛に属するものである
が、その製造が極めて容易であるとともに微細パターン
を有するものが歩留り良く得られるようにするものであ
シ、以下これを詳細に説明する。
本発明では、単結”晶に照射したイオンのチャネリング
注入分布が非晶質固体に照射したイオンのランダム注入
分布に比較して非常に深い（数倍程度になる）旨の現象
を利用している。
注入分布が非晶質固体に照射したイオンのランダム注入
分布に比較して非常に深い（数倍程度になる）旨の現象
を利用している。
第２図はチャネリング分布Ａとランダム分布Ｂを比較す
る為の線図であシ、縦軸に注入原子濃度、横軸に深さを
それぞれ採って表わしてあシ、第５図は結晶軸が＜ １
１０ ＞であるシリコン単結晶に燐イオン（Ｐ＋）を照
射した場合のピーク深さく縦軸）と照射エネルギ（横軸
）との関係を表わすもので、Ｒｐａａｋはチャネリング
分布の場合、ＲＰはランダム分布の場合をそれぞれ示し
ている。
る為の線図であシ、縦軸に注入原子濃度、横軸に深さを
それぞれ採って表わしてあシ、第５図は結晶軸が＜ １
１０ ＞であるシリコン単結晶に燐イオン（Ｐ＋）を照
射した場合のピーク深さく縦軸）と照射エネルギ（横軸
）との関係を表わすもので、Ｒｐａａｋはチャネリング
分布の場合、ＲＰはランダム分布の場合をそれぞれ示し
ている。
さて、そこで、本発明では、薄膜結晶を選択的に非晶質
化或いはそれに近い状態にまで結晶性を破壊することに
依り所定パターンのイオン吸収領域を形成し、イオン吸
収材層を不要としたイオン・ビーム露光用マスク管得る
ものである。
化或いはそれに近い状態にまで結晶性を破壊することに
依り所定パターンのイオン吸収領域を形成し、イオン吸
収材層を不要としたイオン・ビーム露光用マスク管得る
ものである。
第４図は本発明一実施例に依って作成したマスクの要部
断面説明図である。
断面説明図である。
図に於いて、１１は面方位が（１１０）で厚さ例えば１
〔μ講〕のシリコン単結晶薄膜、１１８はイオン非吸収
領域、１１ｂはイオン吸収領域をそれぞれ示す。
〔μ講〕のシリコン単結晶薄膜、１１８はイオン非吸収
領域、１１ｂはイオン吸収領域をそれぞれ示す。
イオン吸収領域１１ｈを形成するには、Ｐを加速エネル
ギ７００ 〔ＫａＶ〕、ドーズ量Ｉ Ｘ １０”（＊ｓ
−”）程度で注入し、その部分を非晶質或いはそれに近
い状態となるように結晶性を破壊するものである。
ギ７００ 〔ＫａＶ〕、ドーズ量Ｉ Ｘ １０”（＊ｓ
−”）程度で注入し、その部分を非晶質或いはそれに近
い状態となるように結晶性を破壊するものである。
イオン吸収領域１１６のパターン形成は、イオン・ビー
ムを細く絞シ、マスク・レスで走査しても良いし、マス
クと走査ビームを併用しても良い。
ムを細く絞シ、マスク・レスで走査しても良いし、マス
クと走査ビームを併用しても良い。
結晶性を破壊するには前記Ｐ＋に限らず、他のイオン、
例えｄガリウム・イオン（Ｇ−）などであっても良い。
例えｄガリウム・イオン（Ｇ−）などであっても良い。
また、単結晶薄膜の種類、面方位、膜厚などについては
前記実施例に限定されるものではなく、露光イオン・ビ
ームの種類やエネルギに最も適するように選択すれば良
い。唯、面方位に関してはチャネリングが最も起シ易い
面方位を選ぶことが望ましい。
前記実施例に限定されるものではなく、露光イオン・ビ
ームの種類やエネルギに最も適するように選択すれば良
い。唯、面方位に関してはチャネリングが最も起シ易い
面方位を選ぶことが望ましい。
第４図に見られるマスクを使用してイオン・ビーム照射
を行なうと、イオン・ビームはイオン非吸収領域１１６
を透過し、イオン吸収領域１１６で遮断されるので成る
パターンをもって無光が行なわれることにまる。
を行なうと、イオン・ビームはイオン非吸収領域１１６
を透過し、イオン吸収領域１１６で遮断されるので成る
パターンをもって無光が行なわれることにまる。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、単 □
結晶薄罠に所望パターンでイオンビームをａ射し、結晶
性を破壊することに依シ前記パターンのイオン吸収領域
を形成してイオン・ビーム嬉光用マスクを得る仁とがで
き、その際、従来のようにイオン吸収材層のフォト・リ
ソグラフィ技術に依るノ（ターユング工程を必要としな
いので、製作が容易且つ簡単であるとともに極めて高精
度の微細）くターンを得る仁とができ、製造歩留りは向
上する。
結晶薄罠に所望パターンでイオンビームをａ射し、結晶
性を破壊することに依シ前記パターンのイオン吸収領域
を形成してイオン・ビーム嬉光用マスクを得る仁とがで
き、その際、従来のようにイオン吸収材層のフォト・リ
ソグラフィ技術に依るノ（ターユング工程を必要としな
いので、製作が容易且つ簡単であるとともに極めて高精
度の微細）くターンを得る仁とができ、製造歩留りは向
上する。
第１図は従来例の要部断面説明図、第２図及び第３図は
注入イオンの分布を表わす線図、第４図は本発明一実施
例に依９て製作したマスクの要部断面説明図である。 図に於いて、１１はシリコン単結晶薄膜、１１ａはイオ
ン非吸収領域、１１６はイオン吸収領域である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外５名） ｌ！１ 図 ゝ２ 第２図 Ｐ中の照耐工２ルギ（ｗｔｖ）
注入イオンの分布を表わす線図、第４図は本発明一実施
例に依９て製作したマスクの要部断面説明図である。 図に於いて、１１はシリコン単結晶薄膜、１１ａはイオ
ン非吸収領域、１１６はイオン吸収領域である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外５名） ｌ！１ 図 ゝ２ 第２図 Ｐ中の照耐工２ルギ（ｗｔｖ）
Claims (1)
- 単結晶薄膜に所望パターンが形成されるようにイオンビ
ームを照射して選択的に結晶性を破壊することに依って
前記パターンのイオン吸収領域を形成する工程が含まれ
てなることを特徴とするイオン・ビーム露光用マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180381A JPS5814532A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11180381A JPS5814532A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814532A true JPS5814532A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14570546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180381A Pending JPS5814532A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | イオン・ビ−ム露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243591A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | 東亜高級継手バルブ製造株式会社 | 排水管 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5539694A (en) * | 1978-06-21 | 1980-03-19 | Hughes Aircraft Co | Method of breaking ion beam |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11180381A patent/JPS5814532A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5539694A (en) * | 1978-06-21 | 1980-03-19 | Hughes Aircraft Co | Method of breaking ion beam |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243591A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | 東亜高級継手バルブ製造株式会社 | 排水管 |
| JPH0361877B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1991-09-24 | Toa Kokyu Keishu Barubu Seizo Kk |
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