JPH0468765B2 - - Google Patents
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- JPH0468765B2 JPH0468765B2 JP58000503A JP50383A JPH0468765B2 JP H0468765 B2 JPH0468765 B2 JP H0468765B2 JP 58000503 A JP58000503 A JP 58000503A JP 50383 A JP50383 A JP 50383A JP H0468765 B2 JPH0468765 B2 JP H0468765B2
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- ion beam
- kev
- oxygen plasma
- acceleration energy
- energy
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、集積回路等を製造するための微細パ
ターン形成方法に関するものである。
ターン形成方法に関するものである。
（従来技術）
半導体製造の技術分野における微細パターンの
加工にあつては、半導体素子の高集積化等に伴な
い、従来のフオトリソグラフイから電子線リソグ
ラフイへ、更にＸ線リソグラフイ及びDeep−UV
リソグラフイ、イオンビームリソグラフイへと
次々と高度の技術提案がなされ数多くの研究開発
がなされている。
加工にあつては、半導体素子の高集積化等に伴な
い、従来のフオトリソグラフイから電子線リソグ
ラフイへ、更にＸ線リソグラフイ及びDeep−UV
リソグラフイ、イオンビームリソグラフイへと
次々と高度の技術提案がなされ数多くの研究開発
がなされている。
特に上述のイオンビームリソグラフイは高分解
能であると共にＸ線リソグラフイと同様に近接効
果がない等の特徴を有し、微細パターンの描画や
転写ができる優れた方法である。
能であると共にＸ線リソグラフイと同様に近接効
果がない等の特徴を有し、微細パターンの描画や
転写ができる優れた方法である。
このイオンビームリソグラフイ、即ちイオンビ
ームを用いた微細加工の具体例としては、Gaイ
オンビームを照射した後、酸素プラズマでドライ
現像を行ないパターニングを完了する例などが良
く知られている。しかしこの方法は、Gaイオン
ビームの照射によるレジストの変成層が酸素プラ
ズマ耐性の向上することを利用したものであり、
結果的には加速エネルギー18keVでイオン照射量
が１×1015／cm2と感度が低いこと及びレジストが
厚くなると良好なパターン形成が困難になる等の
欠点が免がれなかつた。
ームを用いた微細加工の具体例としては、Gaイ
オンビームを照射した後、酸素プラズマでドライ
現像を行ないパターニングを完了する例などが良
く知られている。しかしこの方法は、Gaイオン
ビームの照射によるレジストの変成層が酸素プラ
ズマ耐性の向上することを利用したものであり、
結果的には加速エネルギー18keVでイオン照射量
が１×1015／cm2と感度が低いこと及びレジストが
厚くなると良好なパターン形成が困難になる等の
欠点が免がれなかつた。
（発明の目的・構成）
本発明は、基板上に形成されたポリメチルメタ
クリレートからなるレジスト面に200〜300KeV
の高エネルギーのArイオンビームで所定のパタ
ーンを描画し、酸素プラズマでドライ現像するこ
とを特徴とし、その目的は、イオンビームリソグ
ラフイにおける解像力を高め且つ著しく高い感度
でレジストパターンを形成し得ることである。
クリレートからなるレジスト面に200〜300KeV
の高エネルギーのArイオンビームで所定のパタ
ーンを描画し、酸素プラズマでドライ現像するこ
とを特徴とし、その目的は、イオンビームリソグ
ラフイにおける解像力を高め且つ著しく高い感度
でレジストパターンを形成し得ることである。
（実施例）
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例 １
Si基板上にポリメチルメタクリレート（以下
PMMAと略す）を回転法により厚さ1μm塗布し、
170℃で30分間加熱した後、Arイオンビームを加
速エネルギーを変えてイオン量５×1014／cm2で照
射し、酸素ガス圧130Pa、ガス流量20SCCM、高
周波出力密度0.08w／cm2、エツチング時間10分の
条件で繰り返しプラズマ処理を行ない、その都
度、膜厚を測定し、エツチング深さとした。
PMMAと略す）を回転法により厚さ1μm塗布し、
170℃で30分間加熱した後、Arイオンビームを加
速エネルギーを変えてイオン量５×1014／cm2で照
射し、酸素ガス圧130Pa、ガス流量20SCCM、高
周波出力密度0.08w／cm2、エツチング時間10分の
条件で繰り返しプラズマ処理を行ない、その都
度、膜厚を測定し、エツチング深さとした。
図面はイオン照射による酸素プラズマ耐性を示
した図であり、横軸にエツチング10分間の繰り返
し回数、縦軸にプラズマ処理によるエツチング深
さを表わす。また、●はArイオンビーム未照射
の場合、〇はArイオンビームを30keVの加速エ
ネルギーで照射した場合、△はその加速エネルギ
ーを100keVとした場合、□は同加速エネルギー
を200keVとした場合、▽は同加速エネルギーを
300keVとした場合である。図から明らかなよう
に、加速エネルギー200〜300keVの高エネルギー
になると、急激にエツチングされにくくなること
がわかる。
した図であり、横軸にエツチング10分間の繰り返
し回数、縦軸にプラズマ処理によるエツチング深
さを表わす。また、●はArイオンビーム未照射
の場合、〇はArイオンビームを30keVの加速エ
ネルギーで照射した場合、△はその加速エネルギ
ーを100keVとした場合、□は同加速エネルギー
を200keVとした場合、▽は同加速エネルギーを
300keVとした場合である。図から明らかなよう
に、加速エネルギー200〜300keVの高エネルギー
になると、急激にエツチングされにくくなること
がわかる。
実施例 ２
実施例１と同様な方法でPMMAを塗布した後、
ベーキングを行ない、しかる後、金マスクパター
ンを用いて、Arイオンビームを加速エネルギー
200keV、イオン照射量５×1014／cm2で照射し、
実施例１と同様の条件で酸素プラズマ処理を施し
た。その結果、1.0μmのライン・アンド・スペー
スのパターンが良好に得られた。
ベーキングを行ない、しかる後、金マスクパター
ンを用いて、Arイオンビームを加速エネルギー
200keV、イオン照射量５×1014／cm2で照射し、
実施例１と同様の条件で酸素プラズマ処理を施し
た。その結果、1.0μmのライン・アンド・スペー
スのパターンが良好に得られた。
実施例 ３
実施例１と同様な方法でPMMAを塗布した後、
ベーキングを行ない、しかる後、Arイオンビー
ムを加速エネルギー300keV、イオン照射量５×
1014／cm2で照射し、実施例１と同様の条件で酸素
プラズマ処理を施した。その結果、1.0μmのライ
ン・アンド・スペースのパターンが良好に得られ
た。
ベーキングを行ない、しかる後、Arイオンビー
ムを加速エネルギー300keV、イオン照射量５×
1014／cm2で照射し、実施例１と同様の条件で酸素
プラズマ処理を施した。その結果、1.0μmのライ
ン・アンド・スペースのパターンが良好に得られ
た。
前述した実施例で示したように、加速エネルギ
ーを変えてPMMAレジスト面にイオン照射し、
その後酸素プラズマ中にて処理を行なうと、イオ
ン照射量1015／cm2では加速エネルギーが30〜
300keVまで耐性をもつが、５×1014／cm2の照射
量では加速エネルギー100keVまでは容易にエツ
チングされるが、200〜300keVではエツチングさ
れにくくなる。即ち、この範囲内においてイオン
ビームを照射すると、照射部分の酸素プラズマ耐
性は明らかに向上し、かつ高感度である。
ーを変えてPMMAレジスト面にイオン照射し、
その後酸素プラズマ中にて処理を行なうと、イオ
ン照射量1015／cm2では加速エネルギーが30〜
300keVまで耐性をもつが、５×1014／cm2の照射
量では加速エネルギー100keVまでは容易にエツ
チングされるが、200〜300keVではエツチングさ
れにくくなる。即ち、この範囲内においてイオン
ビームを照射すると、照射部分の酸素プラズマ耐
性は明らかに向上し、かつ高感度である。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明の微細パターン形
成方法は、イオンビームリソグラフイにおける解
像力を著しく向上させ、且つ著しく高感度でレジ
ストパターンを良好に形成し得る効果があり、特
に半導体素子に限らず光応用部品、磁気バブル素
子等の製造に応用できる。
成方法は、イオンビームリソグラフイにおける解
像力を著しく向上させ、且つ著しく高感度でレジ
ストパターンを良好に形成し得る効果があり、特
に半導体素子に限らず光応用部品、磁気バブル素
子等の製造に応用できる。
図面はPMMAレジストのArイオン照射による
酸素プラズマ耐性を示す図である。
酸素プラズマ耐性を示す図である。
Claims (1)
- １ 基板上に形成されたポリメチルメタクリレー
トからなるレジスト面に200〜300KeVの高エネ
ルギーのArイオンビームの照射により所定のパ
ターンを描画し、酸素プラズマでドライ現像を行
ない、パターニングを完了することを特徴とする
微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58000503A JPS59125625A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58000503A JPS59125625A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125625A JPS59125625A (ja) | 1984-07-20 |
| JPH0468765B2 true JPH0468765B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=11475560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58000503A Granted JPS59125625A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125625A (ja) |
-
1983
- 1983-01-07 JP JP58000503A patent/JPS59125625A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59125625A (ja) | 1984-07-20 |
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