JPS5849945A - ホトマスク素材の製造方法 - Google Patents
ホトマスク素材の製造方法Info
- Publication number
- JPS5849945A JPS5849945A JP56136549A JP13654981A JPS5849945A JP S5849945 A JPS5849945 A JP S5849945A JP 56136549 A JP56136549 A JP 56136549A JP 13654981 A JP13654981 A JP 13654981A JP S5849945 A JPS5849945 A JP S5849945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sputtering
- torr
- photomask material
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトマスク素材の新規な製造方法に係り、特
に支持体上に透明導電膜を有するホトマスク素材の製造
方法に間する。
に支持体上に透明導電膜を有するホトマスク素材の製造
方法に間する。
近年工０の集積度が増大しＬ８工から超り、Ｓ工へと進
むにつれて、ホトマスク素材もエマルジ日ンタイプから
ハードプレートへと移行してきた。
むにつれて、ホトマスク素材もエマルジ日ンタイプから
ハードプレートへと移行してきた。
これはハードマスクの高解像力、低欠陥、長寿命による
ものであるが、反面ハードマスクは静電気の帯電および
放電現象によりパターン欠損を生じるという欠点を有し
ている。この欠点を補うため支持体上に透明導電膜を設
けたホトアスク素材が提案さｎでいる。しかし従来のＩ
Ｉｉ造方法では透明導電膜と遮光層および反射防止層を
夫々真空蒸着とスパッタリング、あるいは全ての層を真
空Ｉａ層で作成しているため、表面欠陥およびエツチン
グ特性が通常の透明導電膜を有しない輌品に比べて劣り
ていた。
ものであるが、反面ハードマスクは静電気の帯電および
放電現象によりパターン欠損を生じるという欠点を有し
ている。この欠点を補うため支持体上に透明導電膜を設
けたホトアスク素材が提案さｎでいる。しかし従来のＩ
Ｉｉ造方法では透明導電膜と遮光層および反射防止層を
夫々真空蒸着とスパッタリング、あるいは全ての層を真
空Ｉａ層で作成しているため、表面欠陥およびエツチン
グ特性が通常の透明導電膜を有しない輌品に比べて劣り
ていた。
本発明の目的は上記の欠点を改良し、低欠陥でエツチン
グ特性に優れた透明導電膜付ホトマスク素材の製造方法
を提供する事である。
グ特性に優れた透明導電膜付ホトマスク素材の製造方法
を提供する事である。
本発明者等はスパッタリング法で作成したクロム層およ
び酸化クロム層か優れた特性を有している事に着目し、
透明導電膜をも同一スパッタ一槽内にてスパッタリング
法で作成する事により低欠陥でエツチング特性に優れた
ホトマスク素材を得た。
び酸化クロム層か優れた特性を有している事に着目し、
透明導電膜をも同一スパッタ一槽内にてスパッタリング
法で作成する事により低欠陥でエツチング特性に優れた
ホトマスク素材を得た。
以下に実施例をあげて説明するが１本発明はこれに限定
されるものではない。
されるものではない。
実施例
スパッタ一槽内をｌＸ１０Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気し
た後、混合比３：２のアルゴンと酸素の混合ガスｉｔ
３ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒの圧力になる様に導入する
。
た後、混合比３：２のアルゴンと酸素の混合ガスｉｔ
３ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒの圧力になる様に導入する
。
基板を２００℃に加熱した後、スズとアンチモンの混合
物をターゲットとしてＤＣマグネトロン法により酸化ス
ズ／酸化アンチモン混合の透明導電膜を３０ＯＡ’影形
成た。再度ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ以下まで排気し、その
後アルゴンを３Ｘ１０ Ｔｏｒｒまで導入する。クロ
ムをターゲットとしＤＣマグネトロン方式でクロム膜を
７００ Ａ’の厚さ忙形成した。
物をターゲットとしてＤＣマグネトロン法により酸化ス
ズ／酸化アンチモン混合の透明導電膜を３０ＯＡ’影形
成た。再度ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ以下まで排気し、その
後アルゴンを３Ｘ１０ Ｔｏｒｒまで導入する。クロ
ムをターゲットとしＤＣマグネトロン方式でクロム膜を
７００ Ａ’の厚さ忙形成した。
次にガス組成ｔアルゴン：酸素が４：１となる様に調整
し、圧力は３Ｘ１０ Ｔｏｒｒのままとする。
し、圧力は３Ｘ１０ Ｔｏｒｒのままとする。
クロムターゲットよりＤＣマグネトロン方式で酸化クロ
ム膜を２５ＯＡ”形成した。この様にして作成したホト
マスク素材を１時間超音波洗浄した後のピンホールは１
μｍ以上で０．１ケ／ｃｒＩ以下であった。
ム膜を２５ＯＡ”形成した。この様にして作成したホト
マスク素材を１時間超音波洗浄した後のピンホールは１
μｍ以上で０．１ケ／ｃｒＩ以下であった。
この膜を硝酸第２セリウムアンモニウム系のエッチャン
トでエツチングすると、パターンエツジの凹凸は±０．
０３１１ｍ以下であり、サイドエッチ量は０．１μｍ
／ １０ Ｓ・Ｃであった。このマスクを熱浸−酸で画
分間煮沸しても異常は発生しなかった。
トでエツチングすると、パターンエツジの凹凸は±０．
０３１１ｍ以下であり、サイドエッチ量は０．１μｍ
／ １０ Ｓ・Ｃであった。このマスクを熱浸−酸で画
分間煮沸しても異常は発生しなかった。
さらに上記のホトマスク素妬００℃、Ｉ分間加熱した後
にエツチングを行なってもパターン欠陥は未加熱のもの
と差がなかった。
にエツチングを行なってもパターン欠陥は未加熱のもの
と差がなかった。
この結果を従来法で作成したホトマスク素材と比較した
ものを表１に示す。
ものを表１に示す。
以上の結果によれば、透明導電膜、クロム膜および酸化
クロム膜をスパッタリング法で、連続して作成する事に
より、低欠陥でエツチング特性に優れ、且つ耐酸性や耐
熱性忙優れたホトマスク素材が得られた。
クロム膜をスパッタリング法で、連続して作成する事に
より、低欠陥でエツチング特性に優れ、且つ耐酸性や耐
熱性忙優れたホトマスク素材が得られた。
第１図一本発明によるホトマスク素材断面図第２図一本
発明によるホトマスク素材のサイドエツチング特性 第３図一本発明によるホトマスク素材の超音波洗浄後の
ピンホール密度 第４図一本発明によるホトマスク素材の耐酸性 １は支持体、２は透明導電膜、３はクロム膜、４は酸化
クロム・膜 代理人桑原義美 第 １図 ０ＶＥＲｏｃＨＩＮｅ ｎＭ＝ （ＳＣＣ） ＠５図 ｕ５′に、オ埼用（ム輯ｄ） 手続補正書 （古式） 昭和５７年２月２５日 特ｉｆ庁長官島田響樹殿 Ｉ 事ｆ′１のに示 Ｗ１和５６年特許願第 １３６５４９ 号２ 発明の
名称 ホトマスク素材のＩｌｌｌｌ法 ３ 補正針する一δ ｄｉ件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁１」２６番２号名
称 （＋２７）小西六写真丁業株式会社居 所 東京
都日野市さくら町１番地小西六写真り業株式会社内 別紙の選り 手続補正書 昭和５７１１１１１１０＋１ １１１−１０ノ（小 昭和５６年特許願第 １３６５４９ 号２ 発明の名
称 ホトマスク素材の製造方法 ３ 捕ｉＥをする汗 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１−Ｊ″目２６番籾名
称 ｆ１２７１小西六写頁゛［業株式会社イ寵硼明２川
本信彦 ６、補正の対象 明細書のｒ４１Ｆ請求の範囲」７、補
正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り補正します。 別紙 特許請求の範囲 （１） 透明支持体上に順次必須の層として透明導電
、膜、遮光膜および／又は反射防止膜を有するホトマス
ク素材の製造方法において、前記必須の層をすべて連続
的にスパッタリングにより、形成した事を特徴とするホ
トマスク素材の製造方法。 （２） 透明導電膜の主成分が酸化スズである事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク素材の
製造方法。
発明によるホトマスク素材のサイドエツチング特性 第３図一本発明によるホトマスク素材の超音波洗浄後の
ピンホール密度 第４図一本発明によるホトマスク素材の耐酸性 １は支持体、２は透明導電膜、３はクロム膜、４は酸化
クロム・膜 代理人桑原義美 第 １図 ０ＶＥＲｏｃＨＩＮｅ ｎＭ＝ （ＳＣＣ） ＠５図 ｕ５′に、オ埼用（ム輯ｄ） 手続補正書 （古式） 昭和５７年２月２５日 特ｉｆ庁長官島田響樹殿 Ｉ 事ｆ′１のに示 Ｗ１和５６年特許願第 １３６５４９ 号２ 発明の
名称 ホトマスク素材のＩｌｌｌｌ法 ３ 補正針する一δ ｄｉ件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁１」２６番２号名
称 （＋２７）小西六写真丁業株式会社居 所 東京
都日野市さくら町１番地小西六写真り業株式会社内 別紙の選り 手続補正書 昭和５７１１１１１１０＋１ １１１−１０ノ（小 昭和５６年特許願第 １３６５４９ 号２ 発明の名
称 ホトマスク素材の製造方法 ３ 捕ｉＥをする汗 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１−Ｊ″目２６番籾名
称 ｆ１２７１小西六写頁゛［業株式会社イ寵硼明２川
本信彦 ６、補正の対象 明細書のｒ４１Ｆ請求の範囲」７、補
正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り補正します。 別紙 特許請求の範囲 （１） 透明支持体上に順次必須の層として透明導電
、膜、遮光膜および／又は反射防止膜を有するホトマス
ク素材の製造方法において、前記必須の層をすべて連続
的にスパッタリングにより、形成した事を特徴とするホ
トマスク素材の製造方法。 （２） 透明導電膜の主成分が酸化スズである事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク素材の
製造方法。
Claims (2)
- （１） 透明支持体上に順次必須の層として透明導電
膜、遮光膜および反射防止層を有するホトマスク素材の
製造方法において、前記必須の層をすべて連続的にスパ
ッタリングにより、形成した事を特徴とするホトマスク
素材の製造方法。 - （２） 透明導電膜が酸化スズである事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のホトマスク素材の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136549A JPS5849945A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | ホトマスク素材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136549A JPS5849945A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | ホトマスク素材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849945A true JPS5849945A (ja) | 1983-03-24 |
Family
ID=15177805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136549A Pending JPS5849945A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | ホトマスク素材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849945A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138256A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法 |
| JPS61138257A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Toshiba Corp | マスク基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451832A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136549A patent/JPS5849945A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451832A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138256A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法 |
| JPS61138257A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Toshiba Corp | マスク基板 |
| JPS6339892B2 (ja) * | 1984-12-10 | 1988-08-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6339893B2 (ja) * | 1984-12-10 | 1988-08-08 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2651203B2 (ja) | 透明体およびその製造方法 | |
| JPS6146821B2 (ja) | ||
| US4655811A (en) | Conductive coating treatment of glass sheet bending process | |
| US6387576B2 (en) | Black matrix and preparing method thereof, and a display device employing the black matrix | |
| TW201035674A (en) | Blank mask and photomask fabricated using it | |
| JPH02245702A (ja) | 反射防止膜及びその製作方法 | |
| JPS5849945A (ja) | ホトマスク素材の製造方法 | |
| JP6556029B2 (ja) | レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法 | |
| JPS6095437A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JPS6322575B2 (ja) | ||
| JPS6033557A (ja) | 電子線露光用マスク素材の製造方法 | |
| JPS6251460B2 (ja) | ||
| JPH0439660A (ja) | フォトマスク材用基板、フォトマスク材及びそれらの製造法 | |
| JP3373919B2 (ja) | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク | |
| JPS6235361A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JP2936103B2 (ja) | 酸化アルミニウム薄膜 | |
| JPH0650387B2 (ja) | フオトマスクおよびその製造方法 | |
| JP6621947B2 (ja) | レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法 | |
| JPS60132323A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH02219057A (ja) | フオトマスクブランクおよびフオトマスク | |
| JP2000303163A (ja) | 低反射黒色膜、低反射黒色積層膜、低反射黒色膜の製造方法およびカラーフィルター | |
| JPS59149604A (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPS62163053A (ja) | フオトマスクブランクおよびフオトマスク | |
| JPS6093439A (ja) | フォトマスク | |
| JP2016024204A (ja) | レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法 |