JPS5839065A - 電力用ｍｏｓ電界効果トランジスタ - Google Patents
電力用ｍｏｓ電界効果トランジスタInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7803—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device
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- H01L29/7805—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors structurally associated with at least one other device the other device being a pn-junction diode in antiparallel, e.g. freewheel diode
-
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第−導電形の無−帯域、第二導電形で半導体素
体の第−表［Ｋ露出するチャネル帯域および第−導電形
でチャネル帯域中に配され第一表面に＠接するソース帯
域を含み、＃記第−帯域はＦレイン帯域を形成して半導
体素体の第一表面に露出するような半導体素体と、チャ
ネル帯域とソース帯域な結合するソース電極と、半導体
素体の第一表面と反対側の第二表面に設けられたドレイ
ン電極と、また第一表面に対して絶縁されたゲート電極
と゛を備えた電力用ＭＯ８電解効果トランジスタ（ＭＯ
Ｓ−ＦＩＴ ’） Ｋ関する。
体の第−表［Ｋ露出するチャネル帯域および第−導電形
でチャネル帯域中に配され第一表面に＠接するソース帯
域を含み、＃記第−帯域はＦレイン帯域を形成して半導
体素体の第一表面に露出するような半導体素体と、チャ
ネル帯域とソース帯域な結合するソース電極と、半導体
素体の第一表面と反対側の第二表面に設けられたドレイ
ン電極と、また第一表面に対して絶縁されたゲート電極
と゛を備えた電力用ＭＯ８電解効果トランジスタ（ＭＯ
Ｓ−ＦＩＴ ’） Ｋ関する。
この様な電力用ＭＯＩ９−ＰＦｊ’ｒは多くの刊行物で
取り上げられている〔例えば「エレクトロニック・デザ
イン（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅａｉｇｎ ） Ｊ
１９８０年９刀１日号、３１および３２ページ参照〕。
取り上げられている〔例えば「エレクトロニック・デザ
イン（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅａｉｇｎ ） Ｊ
１９８０年９刀１日号、３１および３２ページ参照〕。
それは非常に小さな制御入力においてすべての種類の負
荷のスイッチングに適する・可能な応用領域は直流チヨ
。
荷のスイッチングに適する・可能な応用領域は直流チヨ
。
バおよび発動機制御への使用である・これらに応用する
場合に負荷は高い誘導性部分を持つ。誘導性負荷の１断
の＠にスイッチング回路に過渡電流が流れる・従りてバ
イポーラ半導体素子の使用の１ｌＩＩには、半導体素子
に逆並列に接続されたノリーホイールダイオードケ用意
する。その時は過渡電流はこのフリーホイールダイオー
ドを西じて流れるＯ 上記の回路に電力用ＭＯ８−ＦＥＴ ｉ−用ｔ・る場合
には、これがドレイン帯域とソース電極により接触され
るチャネル帯域の部分とによ”、 Ｊｆ’Ｏ’；され、
た（・わゆる集積逆ダイオードを有するから、所定の前
提の下でそのようなフリーホイーノ息・ダイオードを省
略することが４きる。集積逆ダイオードＧエノ（イボー
ラ導電メカニズムを持ち、それによりある負荷を内蔵す
る。集積逆ダイオードな刺」用する回路に対する例が第
１図および第２図に示されて（％る。
場合に負荷は高い誘導性部分を持つ。誘導性負荷の１断
の＠にスイッチング回路に過渡電流が流れる・従りてバ
イポーラ半導体素子の使用の１ｌＩＩには、半導体素子
に逆並列に接続されたノリーホイールダイオードケ用意
する。その時は過渡電流はこのフリーホイールダイオー
ドを西じて流れるＯ 上記の回路に電力用ＭＯ８−ＦＥＴ ｉ−用ｔ・る場合
には、これがドレイン帯域とソース電極により接触され
るチャネル帯域の部分とによ”、 Ｊｆ’Ｏ’；され、
た（・わゆる集積逆ダイオードを有するから、所定の前
提の下でそのようなフリーホイーノ息・ダイオードを省
略することが４きる。集積逆ダイオードＧエノ（イボー
ラ導電メカニズムを持ち、それによりある負荷を内蔵す
る。集積逆ダイオードな刺」用する回路に対する例が第
１図および第２図に示されて（％る。
先ずトランジスタＴ、およびＴ！がオフ状＠にされた状
態から出発する（第１図）。その時過渡電流■が逆ダイ
オードＤ！ヲ通じて流れるＯ トランジスタＴ、 Ｖオ
ン状態にした場合に誘導性負、荷りの過渡電流はＭＯＳ
−ＦＥＴ Ｔｘの逆ダイオードＤ３力１らＭＯＳ −Ｆ
ＩＴ Ｔ’１のトランジスタ部分に転流し１逆電流がト
ランジスタＴＩのなお大きな電圧にお（・て逆ダイオー
ドＤ２を通じて流れる（第２図）ＯこｉｔはＭＯＳ−ｒ
ｌｌｌＴＴ、の高い損失に導く。従ってこの場合ＫＭＯ
８−ＦＩＴテ１に非常に高速のダイオードを逆並列に接
続することが提起された（ Ｐｏｗ＠ｒｃｏ口γ議事−
「電力用ＭＯ８−シＢ丁の集積逆整流器の利用（Ｕｓｉ
ｎｇ ｔｈ＠ Ｐｏｗｅｒ ＭＯ８ＦＩＴ’ｓ
Ｉｎｔｅｇｒａｌ ＲｅｖｅｒｓｅＲｅｅ１目轟ｅｒ
）ＪＪ２−９ページ参照〕曇しかしそれは著しい付加的
費用を意味する。
態から出発する（第１図）。その時過渡電流■が逆ダイ
オードＤ！ヲ通じて流れるＯ トランジスタＴ、 Ｖオ
ン状態にした場合に誘導性負、荷りの過渡電流はＭＯＳ
−ＦＥＴ Ｔｘの逆ダイオードＤ３力１らＭＯＳ −Ｆ
ＩＴ Ｔ’１のトランジスタ部分に転流し１逆電流がト
ランジスタＴＩのなお大きな電圧にお（・て逆ダイオー
ドＤ２を通じて流れる（第２図）ＯこｉｔはＭＯＳ−ｒ
ｌｌｌＴＴ、の高い損失に導く。従ってこの場合ＫＭＯ
８−ＦＩＴテ１に非常に高速のダイオードを逆並列に接
続することが提起された（ Ｐｏｗ＠ｒｃｏ口γ議事−
「電力用ＭＯ８−シＢ丁の集積逆整流器の利用（Ｕｓｉ
ｎｇ ｔｈ＠ Ｐｏｗｅｒ ＭＯ８ＦＩＴ’ｓ
Ｉｎｔｅｇｒａｌ ＲｅｖｅｒｓｅＲｅｅ１目轟ｅｒ
）ＪＪ２−９ページ参照〕曇しかしそれは著しい付加的
費用を意味する。
本発明は、集積逆〆イオードの逆電流特性を、外部ダイ
オードなしＫＭＯ８−ＰＲＹ中の電力損失を低械し、お
よび／あるいは回路の動作周波数を高めることができる
ように改善することＶｌ的とする。
オードなしＫＭＯ８−ＰＲＹ中の電力損失を低械し、お
よび／あるいは回路の動作周波数を高めることができる
ように改善することＶｌ的とする。
本発明は、少なくともドイレン帯域が再結合中心を形成
する金属原子によりドーピングされていることを特徴と
する・ 西ドイツ特許出願会合第２６３２４４８号公報に、再結
合中心として金を含む０ＭＯ８素子が記載されている・
この場合金は 化サイリスタ、すなわち望ましくないサ
イリスタの電流増幅率を低下させ・それによって起り得
るバイポーラ作用を阻止し、除去する目的金持つ。これ
とは反対に上述の逆ダイオードにおいては 生の望まし
くない素子ではなくて、その特性を改善し、最適化すべ
き素子が問題となる。
する金属原子によりドーピングされていることを特徴と
する・ 西ドイツ特許出願会合第２６３２４４８号公報に、再結
合中心として金を含む０ＭＯ８素子が記載されている・
この場合金は 化サイリスタ、すなわち望ましくないサ
イリスタの電流増幅率を低下させ・それによって起り得
るバイポーラ作用を阻止し、除去する目的金持つ。これ
とは反対に上述の逆ダイオードにおいては 生の望まし
くない素子ではなくて、その特性を改善し、最適化すべ
き素子が問題となる。
本発明を第３図および第４図に関連する一実施例を引用
してｐｌｌｌＢに説明する。
してｐｌｌｌＢに説明する。
＃Ｉ３図に示す半導体素体け、符号１が付されている。
それは１０１７ないし１０””原子／ばのドーピングを
もつ強いｎ形ドープの基板２からなる・基板２の上にエ
ピタキシャルの弱いｎ形ドープの層３が設けられている
。そのドーピングと厚さは素子の耐圧に依存すル、 ５
００ Ｖ ノＭＯ８−ＦＩＴ ｔ！、例えば２．７．１
０”薗−１のドーピングを持つ約４５μｍ厚さの層を備
えている。半導体素体１は上面４と下面５を有する。上
面４には強いｐ形ドープの帯域６が注入されるか拡散さ
れており、その帯域６は半導体素体の上面４に露出する
。この帯域はＭＯＢ−ＦＩＩＴのチャネル帯域である。
もつ強いｎ形ドープの基板２からなる・基板２の上にエ
ピタキシャルの弱いｎ形ドープの層３が設けられている
。そのドーピングと厚さは素子の耐圧に依存すル、 ５
００ Ｖ ノＭＯ８−ＦＩＴ ｔ！、例えば２．７．１
０”薗−１のドーピングを持つ約４５μｍ厚さの層を備
えている。半導体素体１は上面４と下面５を有する。上
面４には強いｐ形ドープの帯域６が注入されるか拡散さ
れており、その帯域６は半導体素体の上面４に露出する
。この帯域はＭＯＢ−ＦＩＩＴのチャネル帯域である。
帯域６の中に強いｎ形ドープのソース帯域７が埋め込ま
れている。ソース帯域に図示しないソース電極が接触し
、それ例えば二酸化シリコンからなる絶縁層９か配され
ている。さらに表１ｉｒ４の上には、例えば多結晶シリ
コンからなるゲート電極８が設けられ、それは表面に対
して絶縁層９によって絶縁されている・ソース帯域７と
チャネル帯域６の上方には接触孔ルが明いており、その
中に後でソース電極が設けられる。
れている。ソース帯域に図示しないソース電極が接触し
、それ例えば二酸化シリコンからなる絶縁層９か配され
ている。さらに表１ｉｒ４の上には、例えば多結晶シリ
コンからなるゲート電極８が設けられ、それは表面に対
して絶縁層９によって絶縁されている・ソース帯域７と
チャネル帯域６の上方には接触孔ルが明いており、その
中に後でソース電極が設けられる。
半導体素体中に上述の集積逆ダイオードを表わすダイオ
ードＵが記入されている。この逆ダイオードはチャネル
帯域６とドレイン帯域３によって形成する・帯域６およ
び３の間に存在するｐセ接合１０は同時にこのダイオー
ド１１のｐｍ接合である・ＭＯＢ−ＰＢＴの通常の動作
状ｌｌ、すなゎちソース帯域７からドレイン帯域３にキ
ャリヤが流れる場合には、とのダイオードは逆方向に１
ａ続されているので何の役もしない・それは、 ＭＯＢ
−ＦＩＴを通ずる電流と電圧が誘導性負荷の上述の影響
により逆になり、過渡電流としてダイオード１１ Ｖ通
じて流れると１にはじめてそｑ）作用を示す・この場合
、電流はそれ故チャネル帯域６がらドレイン帯域３ＫＲ
れこむ、その場合ドレイン帯域および特にエピタキシャ
ル層３は両極性のキャリヤにより溢れ、高い蓄積キャリ
ヤが生れる。そのとき誘導性負荷の逍断あるいは切換え
の結電ダイオードを逆電流が通り、これがオン状ＩＩＫ
あるトランジスタにおいて よりも先ず高いトランジス
タ電圧と結び付いて上述の高いス、イツチング損失をも
たらす・この損失の低減のために１牛導体素体は接続電
極の設置の前に一方の面を、すなわち接触窓１２の中に
あるいは表面５の上のいずれかに、もしくは双方の面を
、例えば金のような再結合中心を形成する金属で覆う。
ードＵが記入されている。この逆ダイオードはチャネル
帯域６とドレイン帯域３によって形成する・帯域６およ
び３の間に存在するｐセ接合１０は同時にこのダイオー
ド１１のｐｍ接合である・ＭＯＢ−ＰＢＴの通常の動作
状ｌｌ、すなゎちソース帯域７からドレイン帯域３にキ
ャリヤが流れる場合には、とのダイオードは逆方向に１
ａ続されているので何の役もしない・それは、 ＭＯＢ
−ＦＩＴを通ずる電流と電圧が誘導性負荷の上述の影響
により逆になり、過渡電流としてダイオード１１ Ｖ通
じて流れると１にはじめてそｑ）作用を示す・この場合
、電流はそれ故チャネル帯域６がらドレイン帯域３ＫＲ
れこむ、その場合ドレイン帯域および特にエピタキシャ
ル層３は両極性のキャリヤにより溢れ、高い蓄積キャリ
ヤが生れる。そのとき誘導性負荷の逍断あるいは切換え
の結電ダイオードを逆電流が通り、これがオン状ＩＩＫ
あるトランジスタにおいて よりも先ず高いトランジス
タ電圧と結び付いて上述の高いス、イツチング損失をも
たらす・この損失の低減のために１牛導体素体は接続電
極の設置の前に一方の面を、すなわち接触窓１２の中に
あるいは表面５の上のいずれかに、もしくは双方の面を
、例えば金のような再結合中心を形成する金属で覆う。
金属は符号１３ 、１４が付せられている。金は、例え
ば全浴中への浸漬によっであるいけスバ、り、すなわち
陰極スバ、りによって備えることができる。備えられた
層は０．１および２０ｎｍの間の厚さであるとよい、金
をそれから帯域６，７と酸化物層９が作成される温度よ
り低い温度において半導体素体中和拡散する・温度は７
００ないし８００℃が有効であることが分かつている・
金を導電率を決定するドーピング物質による鳳エピタキ
シャル層３のドーピングと同じたけＭＯＢ−ＦＩＴ 中
に入れることが有効である。全濃度は、導電率を定める
ドーピングの最低量よりも幾分高（さえあってもよい、
最高値として約３倍和なっても差支えない・α２倍が下
限と見なされている。
ば全浴中への浸漬によっであるいけスバ、り、すなわち
陰極スバ、りによって備えることができる。備えられた
層は０．１および２０ｎｍの間の厚さであるとよい、金
をそれから帯域６，７と酸化物層９が作成される温度よ
り低い温度において半導体素体中和拡散する・温度は７
００ないし８００℃が有効であることが分かつている・
金を導電率を決定するドーピング物質による鳳エピタキ
シャル層３のドーピングと同じたけＭＯＢ−ＦＩＴ 中
に入れることが有効である。全濃度は、導電率を定める
ドーピングの最低量よりも幾分高（さえあってもよい、
最高値として約３倍和なっても差支えない・α２倍が下
限と見なされている。
金の拡散の後に表面４，５の上および絶縁層９の上にい
（らか存在する残渣を王水によって工、チングして除（
。つづいて表１７４．５に電極１５ 、１６を設ける（
第４１１）１１フルｊニウムの蒸着が普通である・ 金の代りに白金のような再結合中心を形成する他の金属
を拡散してもよい。
（らか存在する残渣を王水によって工、チングして除（
。つづいて表１７４．５に電極１５ 、１６を設ける（
第４１１）１１フルｊニウムの蒸着が普通である・ 金の代りに白金のような再結合中心を形成する他の金属
を拡散してもよい。
絶縁層９とゲート電極Ｓの設置の前に上面４の全面を再
結合中心を形成する金属で覆い、これを全面で拡散する
ことも可能である。
結合中心を形成する金属で覆い、これを全面で拡散する
ことも可能である。
再結合中心によって蓄積されたキャリヤとそれＫより切
換えるＭＯＢ−ＦＥＴ中のスイッチング損失は決定的に
下げられる・１１トランジスタの順方向抵抗８゜１のわ
ずかな上昇だけを考慮すればよ′い。帯域３の中のドー
ピングの３倍高い金ドーピングが２０％のＲａｎの上昇
を生ずる・
換えるＭＯＢ−ＦＥＴ中のスイッチング損失は決定的に
下げられる・１１トランジスタの順方向抵抗８゜１のわ
ずかな上昇だけを考慮すればよ′い。帯域３の中のドー
ピングの３倍高い金ドーピングが２０％のＲａｎの上昇
を生ずる・
第１図および第２図は集積逆ダイオードを有するＭＯＢ
−ＦＦＩＴの直列回路における過渡電流を示す回路図、
第３図は本発明に基づく一実施例の主要な製造工種に対
応する電力用ＭＯＢ−Ｆｌｉｉ’ｆ’の半導体の部分断
面図、＃、４図は＄３図ｆ） ＭＯＢ−Ｆ１！ｌＴＫ
ＩＩ続電極を備えた状−での半導体素体の部分断面図で
ある。 ｌ・・・半導体素体、３・・・ドレイン帯域、４・・・
上面（第一表面）、６・・・チャネル帯域、７・・・ソ
ース帯域、８・・・ゲー）ＷＭ、９・・・絶縁層、１５
・・・ソース電極、Ｉ６・・・ドレイン電極。 代理人弁理１−山 口 巖
−ＦＦＩＴの直列回路における過渡電流を示す回路図、
第３図は本発明に基づく一実施例の主要な製造工種に対
応する電力用ＭＯＢ−Ｆｌｉｉ’ｆ’の半導体の部分断
面図、＃、４図は＄３図ｆ） ＭＯＢ−Ｆ１！ｌＴＫ
ＩＩ続電極を備えた状−での半導体素体の部分断面図で
ある。 ｌ・・・半導体素体、３・・・ドレイン帯域、４・・・
上面（第一表面）、６・・・チャネル帯域、７・・・ソ
ース帯域、８・・・ゲー）ＷＭ、９・・・絶縁層、１５
・・・ソース電極、Ｉ６・・・ドレイン電極。 代理人弁理１−山 口 巖
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第−導電形の第一帯域、第二導電形で半導体素体の
第一表面に露出するチャネル帯域および第−導電形でチ
ャネル帯域中に配され第一表面に隣接するソース帯域を
含み、前記第−帯域がドレイン帯域を形成して半導体素
体の第一表面に露出するような半導体素体と、チャネル
帯域およびソース帯域と結合するソース電極と、＃Ｐ導
体素体の第一表面と反対側の第二表面に設けられたドレ
イン電極と、第一表面に対して絶縁されたゲート電極と
を備えたものにおいて、少なくともドレイン帯域が再結
合中心を形成する金属原子によりドーピングされている
ことをＩ！＃徴とす、る電力用ＭＯ８電界効果トランジ
スタ・ ２、特許請求の範囲第１項記載のトランジスタにおいて
、金属原子のドーピング濃度がドレイン帯域の導電率を
定めるドーピング濃度の０．２倍と３倍との関にあるこ
とＶ％愼とする電力用ＭＯ８電界効果トランジスタ。 ３）特許請求の範ｌ！ｌ第２項記載のトランジスタにお
いて、ドーピング濃度が導電率を定めるドーピング物質
によるドレイン帯域の最低ドーピングより高いことｖ４
Ｉ徽とする電力用ＭＯ８電界効果トランジスタ・ ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のトランジスタにおいて、金属原子が金であることｖ
４Ｉ微とする電力用ＭＯ８電界効果トランジスタ。 ５）４Ｉ許請求の範Ｉ！第１項ないし第４項のいずれか
に記載のトランジスタにおいて、接続電極の設置とゲー
ト電極の設置の前に金属を半導体素体の全面に備え、そ
れから該金属を半導体素体の帯域寺社−庫と結縁層棒が
作成される温度以下にある温度で拡散して製作されたこ
とを特徴とする電力用ＭＯ８電界効果トランジスタ・ ６）特許請求の範囲第１項ないし第４項の〜・ずれかに
記載のトランジスタにおいて、接続電極の設置の前でゲ
ート電極の設置の島とに金属な少なくと−一つの表面−
に選択的に備え、それから誼金属を半導体素体の帯域÷
ト一÷と絶縁層（９１が作成される温度以下にある温度
で拡散して製作されたことケ特書とする電力用ＭＯ８電
界効果トランジスタ。 ７）特許請求の範囲第１項ないし第６］Ｊのいずれかに
記載のトランジスタにおいて、金ＪＩＩＩｖ半導体素体
の表面にスパ、りして製作されたことを特徴とする電力
用ＭＱ８電界効果トランジスタ・８）特許請求の範囲第
１項ないし第７項のいずれかに記載のトランジスタにお
いて、金属ｖＯ，１ないＬ／ ｚ ａｍの厚さに備えて
製作されたことＶ＊微とする電力用ＭＯ８電界効果トラ
ンジスタ・９）特許請求の範囲第４項記載のトランジス
タにおいて、金を７００と８００℃の間に制御された温
度により拡散して製作されたこと１−＊徽とする電力用
ＭＯ８電界効果トランジスタ・
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE19813131914 DE3131914A1 (de) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | Leistungs-mos-feldeffekttransistor und verfahren zu seiner herstellung |
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|---|---|
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| JP (1) | JPS5839065A (ja) |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457757A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Nec Corp | Vertical insulated-gate field-effect transistor |
| JPH0247874A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
| JPH07111329A (ja) * | 1990-11-29 | 1995-04-25 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | シリコンスライス内に白金イオンを導入および拡散する方法 |
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| JPH0828506B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| DE19730759C1 (de) * | 1997-07-17 | 1998-09-03 | Siemens Ag | Vertikaler Leistungs-MOSFET |
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| DE102009051317B4 (de) * | 2009-10-29 | 2011-11-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement |
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- 1982-07-30 DE DE8282106923T patent/DE3273866D1/de not_active Expired
- 1982-08-11 JP JP57139672A patent/JPS5839065A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457757A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Nec Corp | Vertical insulated-gate field-effect transistor |
| JPH0247874A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
| JPH07111329A (ja) * | 1990-11-29 | 1995-04-25 | Consorzio Per La Ric Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | シリコンスライス内に白金イオンを導入および拡散する方法 |
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