JPS5834658Y2 - ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブル - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、ゴム、プラスチック絶縁型カケープルの改
良に関するものである。

近年型カケープルの特に内部半導電層からの水トリーに
原因する絶縁層の吸水劣化が生ずることが大きな問題と
なっている。

中でも電界の高い内部半導電層から発生する水トリ＝（
以下内環トリーと略す）は極めて有害であり、これが絶
縁破壊に至るなどケーブル寿命を左右することにもなる
ことは良く知られている。

内溝トリーは、以前のテープ材料による巻付構成から、
半導電性材料による押出被覆に代り、その発生が著しく
抑制されている。

しかし上記半導電性材料には導電性材料としてカーボン
ブラックが混入されているため、その粒子に直接起因す
るか又は押出条件などに原因する半導電層上への小突起
が発生し易い。

かかる小突起の存在はこの部分に電界が集中して電界強
度を著しく増大させ、この結果該突起を始点として内溝
トリーが発生し易くなるのである。

内部半導電層にカーボンブラックを導電性材料として用
いる限り上述の小突起の発生を皆無にすることは到底不
可能に近い。

そこで従来上記内導トリーの発生、生長を抑制しようと
して水分の導体側からの侵入を阻止するべく遮水構造、
水密構造にするなど多数の提案がなされて来た。

しかしこれらの提案の多くは、電カケープルの製造上の
作業性を低下させるばかりでなく、そのための別個の材
料を用いる等によりコスト高になる欠点が免かれなかっ
た。

ここに考案者等はかかる欠点を解決すべく鋭意検討を重
ねた結果、内部半導電性材料中に適量のモノアルコキシ
チタネーＩ・を混入することが著しい効果を示すことを
見出しこの考案を完成したのである。

即ちこの考案は、導体１上に、内部半導電層２及び架橋
或いは未架橋のゴムまたはプラスチック絶縁層３、保護
シース４をこの順に被覆してなるゴム、プラスチック絶
縁型カケープルにおいて、前記内部半導電層２を、ポリ
オレフィン樹脂基材１００重量部に対してモノアルコキ
シチタネート０゜１〜５．０重量部及び所望量のカーボ
ンブラックを混合してなる組成物にて形成したことを特
徴とするゴム、プラスチック絶縁型カケープルである。

一般に、内部半導電層中に存在するカーボンブラックが
吸湿性を有すること、このようなカーボンブラックを介
して水分が供給され上述した内導トリーが発生しかつ発
達するものであると云はれている。

この考案においては、モノアルコキシチタネートが存在
することにより、これが次式の如くカーボンブラック表
面に化学結合を生じチタネートの単分子膜を形威し、こ
れが疎水性を示すことになり水分の透過を妨げこの考案
の効果を奏するものと考えられる。

この考案で用いられるポリオレフィンとしては、ポリエ
チレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンエチル
アクリレート共重合体、エチレンプロピレン共重合体、
塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポリエチレン等
である。

導電性材料のカーボンブラックとしては、一般に用いら
れるものが殆んど限定なく用いられ、例えばアセチレン
ブラック、ファーネスブラック及びＫｅｔｊｅｎ Ｂｌ
ａｃｋ ＥＣなどであり、使用例としては前２者は樹脂
１．００重量部に対し５０〜７０重量部、後者は１０〜
２０重量部で好ましい。

次にモノアルコキシチタネートとしては、イソプロピル
−イソステアロイルチタネート、イソプロピル−トリ（
ラウリルミリスチル）チタネーＩ・、イソプロピル−イ
ソステアロイル−ジメタクリルチタネート、イソプロピ
ル−トリ（トチ゛シルベンゼンスルホニル）チタネート
、イソプロピル−イソステアロイル−ジアクリルチタネ
ート、イソプロピル−トリ（ジイソオクチル−フォスフ
ェート）チタネート、イソプロピルージ（トチ゛シルベ
ンゼンスルホニル）−４−アミノベンゼンスルホニルチ
タ＊−１・等である。

かかるモノアルコキシチタネートは樹脂基材１００重量
部に対して０．１〜５．０重量部、好ましくは０．１〜
１．０重量部混合される。

この下限以下では本考案の効果が不充分となり、上限を
超えて使用しても、本考案の効果は変わらず材料費が徒
らに高価となりいづれも好ましくない。

具体的に内部半導電性材料を得るには、予めカーボンブ
ラックとモノアルコキシチタネートとを混合分散させ、
これをバンバリーミキサ−又はオープンロールにて樹脂
基材に対して混練するか又はこれら三者を同時に混合し
ても良い。

これらの混和物にはその特性を低下させない範囲で他の
架橋剤、酸化防止剤、滑材などを適宜混合しても良い 尚これらの混和物は必要に応じて設けられる外部半導電
層５として使用しても良いこと勿論である。

又この考案における絶縁層及び保護シースについては一
般に電カケープルに使用されるものを例外なく使用でき
るのでその説明を省略する。

この考案は以上の説明及び以下の実施例から明らかなよ
うに単にモノアルコキシチタネートを少なく共同部半導
電層に存在させたことにより前記問題を解決したもので
あり、その工業的価値は非常に大きい。

以下実施例によりこの考案を具体的に説明する。

実施例１〜８及び比較例１〜２ ２００ｍｍ２の導体上に、表１に示す組成による内部半
導電層用組成物（バンバリーミキサ−にて混和した）を
１ｍｍ厚、架橋剤入りポリエチレン絶縁体を４ｍｍ厚に
同時押出被覆し、加圧溶融塩架橋により架橋させた。

次にこの上に半導電性テープ及び遮蔽銅テープをラップ
巻きして外部半導電層を設けると共にＰＶＣを押出被覆
する事により保護シースを設け、６．６ＫＶＣｖケーブ
ルを得た。

得られたケーブルの夫々の導体内に水を注入し、１００
０ Ｈｚ、 ６ ＫＶ課電し導体通電により室温〜９０
℃までの６時間ＯＮ、ＯＦＦのヒートサイクルを与え加
速劣化テスＩ・を行った。

６ケ月経過後に各試験ケーブルの絶縁破壊試験及び内環
トリーの顕微鏡観察を行ない結果を同表に示した。

上表の結果によれば実施測高は内部ト ノ−が発 生せず特性低下が少ないことが明らがであった。

【図面の簡単な説明】

図面は本考案のゴム、プラスチック絶縁電カケープルの
構造を説明するための断面説明図である。 １・・・・・・導体、２・・・・・・内部半導電層、３
・・・・・・ゴムまたはプラスチック絶縁層、４・・・
・・・保護シース、５・曲・外部半導電層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 導体上に、内部半導電層及びゴムまたはプラスチック絶
   縁層、保護シースをこの順に被覆してなるゴム、プラス
   チック絶縁型カケープルにおいて、前記内部半導電層を
   、ポリオレフィン樹脂基材１００重量部に対してモノア
   ルコキシチタネート０゜１〜５．０重量部及び所望量の
   カーボンブラックを混合してなる組成物にて形成したこ
   とを特徴とするゴム、プラスチック絶縁型カケープル。