JPS59114705A - 電力ケ−ブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電カケープルに関するものである。

従来、この種の電カケープルの絶縁層には、架橋低密度
ポリエチレンが使用されてきた＝架橋低密度ポリエチレ
ンは、耐水耐湿性、耐薬品性、耐溶剤性に優れ、かつ常
温近傍における体櫃固有抵抗及び絶縁耐力が高く安定で
ある等の特長をもっており、絶縁体として優れｔもので
ある。ところが％電カケープルは、９０℃程度の比較的
高温度の条件下で使用される場合が多々有り、従来の電
カケープルにおいては、８０℃以上の高温度下での電気
的特性が常温下に比較して大きく低下するという問題を
生じていた。

本発明は、上記事情に艦みてなされたもので、比較的高
温度の条件下でも良好な電気的特性を発揮できる亀カケ
ープルを提供することを目的とし、直鎖状低密度ポリエ
チレンを架橋せしめて得られる架橋ポリエチレンで絶縁
層を形成したことを特徴とするものである。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

図面は、本発明の電カケープルの一例を示すもので、図
中符号ｌはこの発明に係る翫カケープルである。この電
カケープル１は、内側から外側に向かって順次導体２％
内部半導電Ｍ３ｓ絶縁層４及び外部半導電層５から構成
されている。そして、絶縁層４は、直鎖状低密度ポリエ
チレンを架橋せしめて得られる架橋ポリエチレンで形成
されている。

ここで用いられる直鑓状低密度ポリエチレンは、低ｇｉ
、低圧の条件下で触媒を用いた反応により合成されるも
ので、従来用いられている低密度ポリエチレンが高温、
高圧下で合成さ才″Ｌ％比較的長い側ｌを有する構造で
あるのに対して、直鎖状低密度ポリエチレンは、短い側
鎖を有する構造である。

上記の分子構造上の差具に基いて、本発明に用いる直鎖
状低密度ボ１１エチレンは、従来用いられている低密度
ポリエチレン（Ｔｍ　：　　１０３〜１０７℃）Ｋ比較
して高い融点（Ｔｍ：　１２０〜１３０℃）を有してい
る。そして、この高い融点をもつことにヨリ、これを架
橋して得られる架橋ポリエチレンは、８０〜１００℃程
度の高温度においても安定した物性を示し良好な電気的
特性を発揮できる。

また、前記内部半導ｉ、７！’！３及び外部半導電層５
は、エチレン・酢酸ビニル共重合体やエチレン・エチル
アクリレート共重合体等に導ｎ性カーボンを配合した組
成物により形成されている。

つぎに、図面に示す電カケープルの１！！造方法の一例
を説明する。

あらかじめ、絶縁層４を形成する直鎖状低密度ポリエチ
レンにけジ・り〒シャシ・ブチルペルオキシド；ジクミ
ルペルオキシド；α、α′　−ビス（〃−シャルプチル
ペルオキシイソプロビル）ベンゼンなどの架橋剤と必要
に応じて４．４′−チオビス（３−メチル−６−タシヤ
ルプチルフエノール）；１．３．５−トリス（３’、５
’　−ジ−ターシャルブチル−４−ヒト０ロキシペンゾ
イル１イソシアスレートなどの老化防止剤や他の添加剤
を所定の割合をもって混合した組成物を製造しておく。

ついで、内部半導Ｎ届３を有するケーブル上に押出被覆
によって未架橋の直鎖状低密度ポリエチレン組成物より
なる絶Ｗ、Ｒ４を形成して未架橋ポリエチレン屯カケー
プルを製造する。また必要により外部半導電層が形成さ
れる。次に、連続架橋装置等によって前記未架橋ポリエ
チレン電カケープルを架橋させることによって、この発
明の可カケープル１２′ＩＸ得られる。

以下、実施例及び比較例を示してこの発明を具体的に説
明する。

〔実施例１〕 断面積３８ＦＪ２の軟缶撚徐よりなる導体２上に。

厚み０．５隨の内部半導ＴＫ層３と、厚み３鴎の絶縁層
４と％厚み０．５１の外部半導１層５とを順次押出被覆
して未架橋ポリエチレン電カケープルを製造した。絶縁
層４は、直鎖状低密度ボ１１エチレン（日本ユニカー製
、密ｆｆＯ，９２１１ｏｏ重介部罠、架橋剤としてジ・
ターシャル・ブチル・ペルオキシド°を２重量部、老化
防止剤として４，４′−チオヒス（３−メチル−６−タ
ーシャルブチルフェノールを０．２重量部配合しｔ組成
物により形成した。

次いで上記のケーブルをガス圧９　ｋ５！／１７ｎ　２
．　温度３００℃の売件で架橋させ、架橋ポリエチレン
絶縁環カケープルを得た。

このケーブルのＡＣ破壊電圧を測定したところ、２５℃
で１５０ＫＶ、９０℃テ１−４０　ＫＶ　テア’）た。

〔実施例２〕 絶ａ層４を形成するための組成物として、直鎖状低密度
ポリエチレン（商品名Ｔ−３１ＯＮ、日本石油化学Ｃ株
）製、密疲（１，９２）１００重！を部に架橋剤として
のα、α′−レス（ターシャルブチルペルオキシイソプ
ロピル１ベンゼンｔ　２７３　ｆ：０．２重量部を配合
してなるものを用い、他は実施例１と同様にして就カケ
ープルを得ｆｃ。

このケーブルｆ）ＡＣｙｌ、壊電圧を測定１．たととる
、２５℃で１５５ＫＶ、９（１℃−ｔ’１４０ＫＶで、
？、つた。− 〔比較例〕 絶縁層を形成する組成物として、従来使用されていた低
密度ボ１１エチｌ、／ン（商品名ミラソソ−９゜三井ポ
リケミカルＣ株１製）に実＃Ｉｇ′ｌ１１と同じ架橋剤
及び老化防止剤を配合［７たものを用い、他の売件は夷
＃Ａ例１と同機にして比較用のアカケーブルを得た。こ
のケーブルについてＡＣＣ破壊電圧測定し念ところ、２
５℃で１４０ＫＶ、９０℃で１１０ＫＶであった。

上記実施例１．２及び比較例に示したように、ｉ鎖状低
密度ポリエチレンを架橋せしめた材料により絶ａ層を形
成した畔カケープルは、９０℃程度の高温度下でも充分
高い絶縁耐圧を有し賜かつ、゛常温下と同程度の絶縁耐
圧を発揮できるものであることが分かる。

以上説明したように、この発明の東カケープルは、絶縁
層を直鎖状低冨度ポリエチレンを架橋せしめた架橋ポリ
エチレンＶこより形成し１とものであるから、晶温度で
のＩ気的特性が大きく向上して絶縁耐圧が低下したりす
ることがなく、結果的に環カケープルの寿命が延長さｔ
しるなどの利点を有する。

【図面の簡単な説明】

図面は、この発明の環カケープルの一例を示す説明図で
ある。 １・・・・・・ＩＦ、カケ−プル、４・・・・・・絶縁
層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導体上に直接或いは内部半導電層を介して架橋直鎖状低
   密度ポリエチレンの絶縁層を形成したことを特徴とする
   ■カケープル。