JPS5889708A - 耐水トリ−性に秀れた架橋電気絶縁体 - Google Patents
耐水トリ−性に秀れた架橋電気絶縁体Info
- Publication number
- JPS5889708A JPS5889708A JP56187296A JP18729681A JPS5889708A JP S5889708 A JPS5889708 A JP S5889708A JP 56187296 A JP56187296 A JP 56187296A JP 18729681 A JP18729681 A JP 18729681A JP S5889708 A JPS5889708 A JP S5889708A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tert
- butyl
- crosslinking
- density
- peroxide
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐水トリー性が改善された電気絶縁体に関する
。ポリオレフィン絶縁電カケープル。
。ポリオレフィン絶縁電カケープル。
就中、架橋ポリエチレン絶縁ビニルシースケーブル（Ｃ
■ケーブル）は現在広く用いられており、今後更に高電
圧化されてゆくものと期待され、その長期性能の安定化
に重大な関心が払われている。ところがこのＣ■ケーブ
ルにおいては、長期使用の間にケーブル性能の緩慢な劣
化が認められること、特に該ケーブルが、水中、あるい
は浸潤条件下で使用される場合は特に劣化の進行が促進
され、絶縁体中の微小ボイド。
■ケーブル）は現在広く用いられており、今後更に高電
圧化されてゆくものと期待され、その長期性能の安定化
に重大な関心が払われている。ところがこのＣ■ケーブ
ルにおいては、長期使用の間にケーブル性能の緩慢な劣
化が認められること、特に該ケーブルが、水中、あるい
は浸潤条件下で使用される場合は特に劣化の進行が促進
され、絶縁体中の微小ボイド。
異物等を中心として電界方向に伸びる劣化痕（ポウタイ
・トリー）や絶縁層と半導を層の界面での突起、あるい
はギヤ、−９プを起点として相対状に電界方向に伸びる
劣化痕（水トリー）が生じる°とい、う欠点がある。
・トリー）や絶縁層と半導を層の界面での突起、あるい
はギヤ、−９プを起点として相対状に電界方向に伸びる
劣化痕（水トリー）が生じる°とい、う欠点がある。
上記水トリーおよびボウタイトリーは該ケーブルの絶縁
性能全般の低下を引起し、遂にはケーブルの絶縁破壊を
惹起する一因となるものであるがその発生原因について
は現在に至るもまだ完全には解明されていない。
性能全般の低下を引起し、遂にはケーブルの絶縁破壊を
惹起する一因となるものであるがその発生原因について
は現在に至るもまだ完全には解明されていない。
本発明者らは、かかる状況に鑑がみ、上配水トリーの発
生し麹いＣ■ケーブル用架橋ポリオレフィン絶縁体につ
き鋭意研究を重ねた結果、高級。−オレ、（ンを含むＪ
ＩＳ Ｋ ６７６０にょるメルトインデックスが０．２
〜４．ＯＦ／１０分であって、かつその密度が０９１８
〜ｒｊ、９５２９／’♂のげ鎖状低密度ポリエチレンと
分子内に少なくとも１個の第三級ブチル基およびヒドロ
キン基を含むフェノール系老化防止剤とからなる架橋体
であって、該架橋体のＬ）ＴＡによる融点が１１０℃〜
１５０℃の範囲である絶縁体は、前配水トリーおよび／
またはボウタイトリー発生に対する抵抗力（耐水トリー
性）が顕著であることを見出し、本発明に至った。
生し麹いＣ■ケーブル用架橋ポリオレフィン絶縁体につ
き鋭意研究を重ねた結果、高級。−オレ、（ンを含むＪ
ＩＳ Ｋ ６７６０にょるメルトインデックスが０．２
〜４．ＯＦ／１０分であって、かつその密度が０９１８
〜ｒｊ、９５２９／’♂のげ鎖状低密度ポリエチレンと
分子内に少なくとも１個の第三級ブチル基およびヒドロ
キン基を含むフェノール系老化防止剤とからなる架橋体
であって、該架橋体のＬ）ＴＡによる融点が１１０℃〜
１５０℃の範囲である絶縁体は、前配水トリーおよび／
またはボウタイトリー発生に対する抵抗力（耐水トリー
性）が顕著であることを見出し、本発明に至った。
さらに本発明に於ては前記絶縁体が有機過酸化物によっ
て架橋され、かつそのゲル分率が少なくとも５０％以上
、９０％以下である場合に、殊に好ましい耐水トリー性
が得られることを見出し本発明を完成した。
て架橋され、かつそのゲル分率が少なくとも５０％以上
、９０％以下である場合に、殊に好ましい耐水トリー性
が得られることを見出し本発明を完成した。
一般に、葭鎖状低密度ポリエチレン（Ｌ−ＬＤＩ）Ｅ）
は、たとえばエチレンモノマーヲ重合してポリエチレン
とする際に重合圧力を中二像圧（一般には１ｏｏｗ／ａ
ｌ嵐下）とし、重合触媒としてフィリップス触媒あるい
は改良チーグツ−触媒を用い、かつ高級α−オレフ？ン
モノマーをコモノマーとしてエチレンと共重合さｊせ、
高密度ポリエチレンと本質的に同じポリマー主鎖構造を
有し乍ら、上記高級α−オレフィンモノマーの共重合に
より０．９１３〜０．９４０の低密度を有するポリエチ
レンの総称であって、本発明で用いるものはこれらの中
で、前記の密度範囲、メルトインデックス範囲、ＤＴＡ
融点。
は、たとえばエチレンモノマーヲ重合してポリエチレン
とする際に重合圧力を中二像圧（一般には１ｏｏｗ／ａ
ｌ嵐下）とし、重合触媒としてフィリップス触媒あるい
は改良チーグツ−触媒を用い、かつ高級α−オレフ？ン
モノマーをコモノマーとしてエチレンと共重合さｊせ、
高密度ポリエチレンと本質的に同じポリマー主鎖構造を
有し乍ら、上記高級α−オレフィンモノマーの共重合に
より０．９１３〜０．９４０の低密度を有するポリエチ
レンの総称であって、本発明で用いるものはこれらの中
で、前記の密度範囲、メルトインデックス範囲、ＤＴＡ
融点。
添加剤、架橋状況（ゲル分率）等の諸条件を満たしたも
のに限定される。
のに限定される。
本発明に於て、前記高級α−オレフずンコモノマーとし
ては、炭素数１０以下、好ましくは６以下のもの、たと
えば４−メチルペンテン＝１およびブテン−１が挙げら
れる。また、上記コモノマーの分子中における置は、Ｌ
−ＬＤＰＥの密度に反映するので、その皺は、上記搏度
節囲とする様に選ばれる。レジン密度がこれより小であ
れば耐水トリー性が低下し、また密度が仁れより大であ
れば加工性に劣るため夫々好ましくない。
ては、炭素数１０以下、好ましくは６以下のもの、たと
えば４−メチルペンテン＝１およびブテン−１が挙げら
れる。また、上記コモノマーの分子中における置は、Ｌ
−ＬＤＰＥの密度に反映するので、その皺は、上記搏度
節囲とする様に選ばれる。レジン密度がこれより小であ
れば耐水トリー性が低下し、また密度が仁れより大であ
れば加工性に劣るため夫々好ましくない。
また該架橋体のＤＴＡによる融点か１１０°〜１３０℃
であって、かつそのゲル分率が５０〜１９０％、より好
ましくは７５〜９０％であることか必要である。ＤＴＡ
による融点およびゲル分率が前記範囲内にないときはい
ずれも耐水トリー性が著しく損われる。
であって、かつそのゲル分率が５０〜１９０％、より好
ましくは７５〜９０％であることか必要である。ＤＴＡ
による融点およびゲル分率が前記範囲内にないときはい
ずれも耐水トリー性が著しく損われる。
本発明のＬ−ＬＬ）ＰＥのＪＩＳ Ｋ ６７６０による
メルトインデックス範囲は前記の通り０．２〜４、 Ｏ
Ｆ ／Ｉｉｌ令、より好ましくは０．２〜五〇り／１０
介であることを套装とする。メルトインデックスがかか
る範囲より小なる場合は加工性に劣り、また大々る場合
は耐水トリー性に劣るためそれぞれ好ましくない。
メルトインデックス範囲は前記の通り０．２〜４、 Ｏ
Ｆ ／Ｉｉｌ令、より好ましくは０．２〜五〇り／１０
介であることを套装とする。メルトインデックスがかか
る範囲より小なる場合は加工性に劣り、また大々る場合
は耐水トリー性に劣るためそれぞれ好ましくない。
本発明の特徴はかかるＬ−Ｌｌ）ＰＥを架橋して用いる
ことである。
ことである。
・かかる場合の架橋法としては放射線架橋、あるいは電
子線架橋あるいは化学架橋、いずれの方法でも用いつる
が、就中、化学架橋、即ちパーオキシドに依る架橋が好
ましい。この場合。
子線架橋あるいは化学架橋、いずれの方法でも用いつる
が、就中、化学架橋、即ちパーオキシドに依る架橋が好
ましい。この場合。
用いつるパーオキシドとしては、たとえばジー第三ブチ
ルバーオキシド、第三ブチル・クミル。
ルバーオキシド、第三ブチル・クミル。
パーオキシド、ジクミルパーオキシド（ＤＣＰ）２．５
−ジメチル−２，５−ジ（第三ブチル・パーオキ）へキ
サン、２．５−ジメチル−２，５−ジ（第三ブチルパー
オキシ）ヘキシン−３、Ｌ３−ビス（Ｍ三ブチル・パー
オキシ・イン１０ピル）ベンゼン（Ｐ−１４）、１．１
−ビス（第三ブチルパーオキシ） −３，５，５−）リ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（第
三ブチル・パーオキシ）バレレート、ベンゾイルパーオ
キシド、Ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、２，４−
ジクロロベンゾイルパーオキシド第三ブチル・パーオキ
シベンゾエート、第三ブチルパーオキシインプロピル・
カルボナート等が挙ケられ、就中ジクミルパーオキシド
、１．３〜ビス（第三ブチルパーオキシ・インプロビル
）ベンゼンが好ましい。
−ジメチル−２，５−ジ（第三ブチル・パーオキ）へキ
サン、２．５−ジメチル−２，５−ジ（第三ブチルパー
オキシ）ヘキシン−３、Ｌ３−ビス（Ｍ三ブチル・パー
オキシ・イン１０ピル）ベンゼン（Ｐ−１４）、１．１
−ビス（第三ブチルパーオキシ） −３，５，５−）リ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（第
三ブチル・パーオキシ）バレレート、ベンゾイルパーオ
キシド、Ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、２，４−
ジクロロベンゾイルパーオキシド第三ブチル・パーオキ
シベンゾエート、第三ブチルパーオキシインプロピル・
カルボナート等が挙ケられ、就中ジクミルパーオキシド
、１．３〜ビス（第三ブチルパーオキシ・インプロビル
）ベンゼンが好ましい。
また該パーオキシドの使用量は架橋後のし−Ｌｌ）ＰＨ
の架橋度が後述する測定法によるゲル分率にして、前記
の通り５０％以上９０％以下の範囲となるよう選択する
必要があるが、例えば本発明に於ては該Ｌ−Ｌｌ）ＰＥ
１００部（重１Ｌ以下同じ）当り０．５〜４１Ｍ５好
ましくｌよｔ 、、５部〜３部の範囲で用いる。さら番
こ前記の分子内に少なくとも１個の第三級ブチル基とヒ
ドロキシ基を含むフェノール系老防剤の具体例と七では
例えばモ（フェノール系老防剤、たとえば２．６−ジー
第三−ブチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４
−エチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４−メ
チルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４□−〇−
ブチルフェノール、４−ヒドロキン・メチル−２，６−
ジー第三ブチルフェノール、２．４−ジメチル−６−第
三ブチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−α−ジ
メチルアミノ−Ｐ−クレゾール、ｂ−（ａ−ヒドロキＶ
−５．５−ジー第三ブチルアニリノ）−２，４−ビス・
オクチル−チオ−１；５．５− ）リアジン、η−オク
タデシルー３−（４’−とＰＣＩキヘシー３’、 ５’
−ジー第三ブチル・フェニル）フロビオネートなど、ビ
ス、トリスＪボ１Ｊフェノール系老防剤、たとえハ２．
２’−メチレン−ビル）、２．２′−メチレン−ビス（
４−エチｌレー６−第王ブチルフェノール）、４．４’
−メチレン−ビス（２，６−ジー第・三ブチルフェノー
ル）。
の架橋度が後述する測定法によるゲル分率にして、前記
の通り５０％以上９０％以下の範囲となるよう選択する
必要があるが、例えば本発明に於ては該Ｌ−Ｌｌ）ＰＥ
１００部（重１Ｌ以下同じ）当り０．５〜４１Ｍ５好
ましくｌよｔ 、、５部〜３部の範囲で用いる。さら番
こ前記の分子内に少なくとも１個の第三級ブチル基とヒ
ドロキシ基を含むフェノール系老防剤の具体例と七では
例えばモ（フェノール系老防剤、たとえば２．６−ジー
第三−ブチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４
−エチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４−メ
チルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−４□−〇−
ブチルフェノール、４−ヒドロキン・メチル−２，６−
ジー第三ブチルフェノール、２．４−ジメチル−６−第
三ブチルフェノール、２．６−ジー第三ブチル−α−ジ
メチルアミノ−Ｐ−クレゾール、ｂ−（ａ−ヒドロキＶ
−５．５−ジー第三ブチルアニリノ）−２，４−ビス・
オクチル−チオ−１；５．５− ）リアジン、η−オク
タデシルー３−（４’−とＰＣＩキヘシー３’、 ５’
−ジー第三ブチル・フェニル）フロビオネートなど、ビ
ス、トリスＪボ１Ｊフェノール系老防剤、たとえハ２．
２’−メチレン−ビル）、２．２′−メチレン−ビス（
４−エチｌレー６−第王ブチルフェノール）、４．４’
−メチレン−ビス（２，６−ジー第・三ブチルフェノー
ル）。
４．４′−ブチリデンビス（３−メチル−６−第手ブチ
ルフェノール） １，３．５− ）リメチｌレー２．４
．６− ）リス（３，５−ジー第三ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）ベンゼン、トＩＪスー（２−メチル−４
−ヒドロキ！／−５−ｍ三ブチ！レフ工二ル）ブタン、
テトラキス−しメチレン−３（３’、５’−ジー第三ブ
チル７４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメ
タン、４．４’−チオビス（６−ｉ三ブチル−５−メチ
ルフェノ−ノリ、４．４１−チオビス（６−第三ブチル
−０−クレゾール） 、 ２．２’−チオビス（６−第
三ブチル−４−メチルフェノール）、等が挙ケラれる。
ルフェノール） １，３．５− ）リメチｌレー２．４
．６− ）リス（３，５−ジー第三ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）ベンゼン、トＩＪスー（２−メチル−４
−ヒドロキ！／−５−ｍ三ブチ！レフ工二ル）ブタン、
テトラキス−しメチレン−３（３’、５’−ジー第三ブ
チル７４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメ
タン、４．４’−チオビス（６−ｉ三ブチル−５−メチ
ルフェノ−ノリ、４．４１−チオビス（６−第三ブチル
−０−クレゾール） 、 ２．２’−チオビス（６−第
三ブチル−４−メチルフェノール）、等が挙ケラれる。
これらの中でも特に好ましいものは４．４′−チオビス
＝（６−第三ブチル−３−メチルフェノール）、テトフ
キスー（メチレン−５−（３’、５’−、シー第三ブチ
ル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタ
ン、２．２’ −メチレン−ビス（４−メチル−６−第
三ブチルフェノール）および２．６−ジー第三ブチル−
４−メチルフェノールである。
＝（６−第三ブチル−３−メチルフェノール）、テトフ
キスー（メチレン−５−（３’、５’−、シー第三ブチ
ル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタ
ン、２．２’ −メチレン−ビス（４−メチル−６−第
三ブチルフェノール）および２．６−ジー第三ブチル−
４−メチルフェノールである。
上記の分子内に少なくとも１個の第三級ブチル基および
ヒドロキシ基を含むフェノール系老防剤の使装置はＬ−
ＬＤＰＥ１００部当り０．１〜２．５部、好ましくは０
．２〜１．０部である。使用着がかかる範囲よりも小な
る場合、添加効果がなくなる、また、大なる場合、ゲル
分率が低下する等の欠点があり、いずれも好ましくない
。
ヒドロキシ基を含むフェノール系老防剤の使装置はＬ−
ＬＤＰＥ１００部当り０．１〜２．５部、好ましくは０
．２〜１．０部である。使用着がかかる範囲よりも小な
る場合、添加効果がなくなる、また、大なる場合、ゲル
分率が低下する等の欠点があり、いずれも好ましくない
。
また本発明においては前記の諸添加剤に加゛えてポリオ
レフィンに通常用いられる各種の添加剤たとえば架橋助
剤（トリアリルインシアヌレート、）！Ｉメチロールプ
ロパントリメタクリレート、エチレングリコールジメタ
クリレートなど）、紫外線吸収剤、銅害防止剤等を坤常
看加えて用いるも差仕えない。
レフィンに通常用いられる各種の添加剤たとえば架橋助
剤（トリアリルインシアヌレート、）！Ｉメチロールプ
ロパントリメタクリレート、エチレングリコールジメタ
クリレートなど）、紫外線吸収剤、銅害防止剤等を坤常
看加えて用いるも差仕えない。
本発明の組成物の架構方法については特に制限なく、前
記の如く、ゲル分率が５部％〜９０−の範囲となる様に
架橋条件を選べば良いので・あるが、特に前記パーオキ
シドを用いて化学架橋を行なう場合、架橋温度としては
樹脂温度として１６０℃〜２５０℃、架橋時間は５分〜
６０分の間で選ぶのが好ましく、この場合の加熱媒体、
加熱方法はたとえば熱板、水蒸気、溶融塩、不活性気体
、輻射線等種々あるが、そのいずれでもよい。
記の如く、ゲル分率が５部％〜９０−の範囲となる様に
架橋条件を選べば良いので・あるが、特に前記パーオキ
シドを用いて化学架橋を行なう場合、架橋温度としては
樹脂温度として１６０℃〜２５０℃、架橋時間は５分〜
６０分の間で選ぶのが好ましく、この場合の加熱媒体、
加熱方法はたとえば熱板、水蒸気、溶融塩、不活性気体
、輻射線等種々あるが、そのいずれでもよい。
本発明の電気絶縁体はゴム、プラスチック工業に於いて
通常の加工方法により容易に混合・押出・架橋等必要な
一連の加工操作を施こして成形製造し得、かつ、耐水ト
リー劣化を有するため、特に水トリー劣化を蒙むるおそ
れのある電カケープル用に好適に用いつる。さらに本発
明の未架楡物は、単に押出、複機のみならず、たとえば
射出成型、あるいは一旦テープ状に加工したうえで巻付
はモールド等の方法により任意の形状の絶縁鳩を形成せ
しめて本発明とすることができるため、本発明は、電線
・ケーブルのジ１インド部あるいは付−品にも用いうる
ことは云うまでもない。
通常の加工方法により容易に混合・押出・架橋等必要な
一連の加工操作を施こして成形製造し得、かつ、耐水ト
リー劣化を有するため、特に水トリー劣化を蒙むるおそ
れのある電カケープル用に好適に用いつる。さらに本発
明の未架楡物は、単に押出、複機のみならず、たとえば
射出成型、あるいは一旦テープ状に加工したうえで巻付
はモールド等の方法により任意の形状の絶縁鳩を形成せ
しめて本発明とすることができるため、本発明は、電線
・ケーブルのジ１インド部あるいは付−品にも用いうる
ことは云うまでもない。
以下、実施例、比較例に依り本発明を更にくわしく説明
する。
する。
実施例１−８、比較例１〜４
樹脂基材として第１表に示す本発明のＬ−ＬＬ）ＰＥを
用いて第１表に示す各実施例、比較例の各組成を１１５
℃〜１２０℃に加熱したロールミルにて均一に混合せし
めたあと、プレス成型機を用いて第１表に示す条件にて
５ ｖｍ ｐ！ＩＶ−トに成型・架−橋した。次いで仁
のシートから一辺２５ｍの正方形試料を切り出し、その
上端から針端角度３０に研磨したクロムメッキ鉄釘を１
００℃にて徐々に挿入し、下端より５ ｗｍ ｉで到達
せしめた後、室温まで冷却、一旦抜去し、生じた空隙部
に真空下蒸溜水を充たしたあと練鉄針を再挿入し、試料
の下端から８ｗｘ＋の位置に到達せしめた。
用いて第１表に示す各実施例、比較例の各組成を１１５
℃〜１２０℃に加熱したロールミルにて均一に混合せし
めたあと、プレス成型機を用いて第１表に示す条件にて
５ ｖｍ ｐ！ＩＶ−トに成型・架−橋した。次いで仁
のシートから一辺２５ｍの正方形試料を切り出し、その
上端から針端角度３０に研磨したクロムメッキ鉄釘を１
００℃にて徐々に挿入し、下端より５ ｗｍ ｉで到達
せしめた後、室温まで冷却、一旦抜去し、生じた空隙部
に真空下蒸溜水を充たしたあと練鉄針を再挿入し、試料
の下端から８ｗｘ＋の位置に到達せしめた。
かくして得られた「鉄釘−水電柱」を装着した各試料に
室温下、１０ＫＶ、１２’１Ｏ１（ｆ １７）Ｙ流電圧
を２００時間印加後、該試料を厚さ２００μにスライス
カットし、発生水トリーを顧徴鏡観察した。試験は各実
施例、比較例につきそれぞれ１０点の試料につき行ない
、発生水トリー長の最大値、最小値および算術平均値を
もって、各組成の水トリー件の評価基準とした。得られ
た結ユ果を第１表に示す。
室温下、１０ＫＶ、１２’１Ｏ１（ｆ １７）Ｙ流電圧
を２００時間印加後、該試料を厚さ２００μにスライス
カットし、発生水トリーを顧徴鏡観察した。試験は各実
施例、比較例につきそれぞれ１０点の試料につき行ない
、発生水トリー長の最大値、最小値および算術平均値を
もって、各組成の水トリー件の評価基準とした。得られ
た結ユ果を第１表に示す。
遇、各実施゛例、比較例で用いた樹脂基材の特性たるメ
ルトインデックス、密度はそれぞれＪＩＳ Ｋ ６
ｙ６ａに準拠して測定し、ゲル分率は該試料を９０℃キ
シレン中２４時間浸漬し、残存不溶分を真空下６０℃に
て１０時間以上乾燥した後の残存不溶部分の重着と明朗
重量の１００分比でもって示した。
ルトインデックス、密度はそれぞれＪＩＳ Ｋ ６
ｙ６ａに準拠して測定し、ゲル分率は該試料を９０℃キ
シレン中２４時間浸漬し、残存不溶分を真空下６０℃に
て１０時間以上乾燥した後の残存不溶部分の重着と明朗
重量の１００分比でもって示した。
得られた結果を第１表に示す。
Claims (1)
- 四級α−オレフィンを含むＪＩＳ Ｋ ６７６０による
メルトインデックスが０．２〜４．ＯＦ／１０分であっ
て、かつその密度が０．９１８〜０．９５２ｆ／２８の
直鎖状低密度ポリエチレンと、分子内に少なくとも１個
の第三級ブチル基およびとドロキシ基を含むフェノール
系老化防止剤とからなる架橋体であって、該架橋体の１
）ＴＡによる融点が１１０℃〜１３０℃の範囲であるこ
とを特徴とする耐水トリーに秀れた架橋電気絶縁体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187296A JPS5889708A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 耐水トリ−性に秀れた架橋電気絶縁体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187296A JPS5889708A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 耐水トリ−性に秀れた架橋電気絶縁体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889708A true JPS5889708A (ja) | 1983-05-28 |
| JPS6161486B2 JPS6161486B2 (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=16203510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187296A Granted JPS5889708A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 耐水トリ−性に秀れた架橋電気絶縁体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889708A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59114705A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-07-02 | 株式会社フジクラ | 電力ケ−ブル |
| JPS6454605A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujikura Ltd | Composition of insulator |
| JP2006111668A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Nippon Polyethylene Kk | 電線被覆用又は絶縁用樹脂組成物 |
| JP2006182941A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nippon Polyethylene Kk | 水架橋用ポリエチレン系樹脂原料及び水架橋用ポリエチレン系樹脂組成物並びにそれらを用いた水架橋ポリエチレン系樹脂成形体 |
| JP2006328152A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Fujikura Ltd | 水密材およびそれを用いた屋外用架橋ポリエチレン絶縁電線 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275369A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56187296A patent/JPS5889708A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59114705A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-07-02 | 株式会社フジクラ | 電力ケ−ブル |
| JPS6454605A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujikura Ltd | Composition of insulator |
| JP2006111668A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Nippon Polyethylene Kk | 電線被覆用又は絶縁用樹脂組成物 |
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| JP2006328152A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Fujikura Ltd | 水密材およびそれを用いた屋外用架橋ポリエチレン絶縁電線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6161486B2 (ja) | 1986-12-25 |
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