JPS5833643Y2 - 質量分析装置におけるイオンビ−ム電流検出装置 - Google Patents
質量分析装置におけるイオンビ−ム電流検出装置Info
- Publication number
- JPS5833643Y2 JPS5833643Y2 JP7255778U JP7255778U JPS5833643Y2 JP S5833643 Y2 JPS5833643 Y2 JP S5833643Y2 JP 7255778 U JP7255778 U JP 7255778U JP 7255778 U JP7255778 U JP 7255778U JP S5833643 Y2 JPS5833643 Y2 JP S5833643Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- ion beam
- beam current
- detection device
- current detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は質量分析装置におけるイオンビーム電流検出装
置の改良に関する。
置の改良に関する。
質量分析装置例えば、二重収束イオン光学系を持つ装置
においては電場の出口に第１図に示す様に第１スリツト
Ｓ１を設けてイオンビームのエネルギー幅（ビーム幅）
を規制すると共に、その後方に第２スリツトＳ２を設け
、該第２スリツトに第１スリツトを通過したイオンビー
ムのうちの半分程度を入射させてイオンビーム電流を検
出している。
においては電場の出口に第１図に示す様に第１スリツト
Ｓ１を設けてイオンビームのエネルギー幅（ビーム幅）
を規制すると共に、その後方に第２スリツトＳ２を設け
、該第２スリツトに第１スリツトを通過したイオンビー
ムのうちの半分程度を入射させてイオンビーム電流を検
出している。
ところが第１図に示す様な構成ではイオンの入射によっ
て各スリットから発生した２次電子の影響でイオンビー
ム電流に誤差が発生し、しかも発生する２次電子の量は
イオン量の小さな増減によって大幅に変化するため、特
に高精度が要求される定量分析の際には大きな誤差が発
生していた。
て各スリットから発生した２次電子の影響でイオンビー
ム電流に誤差が発生し、しかも発生する２次電子の量は
イオン量の小さな増減によって大幅に変化するため、特
に高精度が要求される定量分析の際には大きな誤差が発
生していた。
本考案は上述した従来の問題点を改善すべくなされたも
のであり、以下図面を用いて本考案を詳説する。
のであり、以下図面を用いて本考案を詳説する。
第２図、第３図は本考案の一実施例を示す断面図であり
、同図において１は第１図に示したものと全く同じ構造
の第１スリツト、２はその後方に配置された第２スリツ
ト、３，４は両スリット間及び第１スリツト前方に配置
された正又は負の電位が与えられた円筒電極である。
、同図において１は第１図に示したものと全く同じ構造
の第１スリツト、２はその後方に配置された第２スリツ
ト、３，４は両スリット間及び第１スリツト前方に配置
された正又は負の電位が与えられた円筒電極である。
上記第２スリツト２はイオンビーム通路Ｉに対して例え
ば３０°傾いた面を持つ２枚のスリット電極５，６と該
スリット電極５，６を支持するための支持電極７と、上
記スリット電極５９．６を囲む様に支持電極７に取り付
けられた箱体台とから構成される。
ば３０°傾いた面を持つ２枚のスリット電極５，６と該
スリット電極５，６を支持するための支持電極７と、上
記スリット電極５９．６を囲む様に支持電極７に取り付
けられた箱体台とから構成される。
該箱体８には第２スリツト２を矢印Ａ方向から見た第３
図に示す様に四角形の窓が開けられている。
図に示す様に四角形の窓が開けられている。
斯かる構成となせば、イオンの入射によって第１スリツ
ト１から発生した２次電子は正電位が与えられた円筒電
極４によって吸収され、更に第２スリット２：のスリッ
ト電極５，６から発生した２次電子は負の電位が与えら
れた円筒電極３によって押し返されて再び第２スリツト
２へ吸収されることになる。
ト１から発生した２次電子は正電位が与えられた円筒電
極４によって吸収され、更に第２スリット２：のスリッ
ト電極５，６から発生した２次電子は負の電位が与えら
れた円筒電極３によって押し返されて再び第２スリツト
２へ吸収されることになる。
しかも本実施例ではスリット電極５，６はイオンビーム
通路■に対して傾斜しているため、該スリット電極面で
イオンが反射した場合でも、イオンは箱体８内部で衝突
を繰り返して検出される。
通路■に対して傾斜しているため、該スリット電極面で
イオンが反射した場合でも、イオンは箱体８内部で衝突
を繰り返して検出される。
従って第２スリツト２からは２次電子や反射イオン等に
起因する誤差のない正確なイオンビーム電流を検出する
ことができる。
起因する誤差のない正確なイオンビーム電流を検出する
ことができる。
第１図は従来のスリット配置を示す図、第２図は本考案
の一実施例を示す断面図、第３図は第２スリツトの平面
図である。 １：第１スリツト、２：第２スリツト、３，４ ：円筒
電極、５，６：スリット電極、７：支持電極、８：箱体
。
の一実施例を示す断面図、第３図は第２スリツトの平面
図である。 １：第１スリツト、２：第２スリツト、３，４ ：円筒
電極、５，６：スリット電極、７：支持電極、８：箱体
。
Claims (1)
- イオンビーム通路上に配置される第１及り第２スリツト
と、該第１スリツトの前方に一配慮さん正電位が与えら
れる第１の筒状電極と、第１スリツトと第２スリツトの
間に配置され負電位が与えられる第２の筒状電極とから
成り、前記第２スリツトの第１スリツトに面する側にイ
オン入射窓を有する箱体を取付け、該第２スリツトから
イオンビーム電流を取出すようにしたことを特徴とする
實量分析装置におけるイオンビーム電流検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7255778U JPS5833643Y2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 質量分析装置におけるイオンビ−ム電流検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7255778U JPS5833643Y2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 質量分析装置におけるイオンビ−ム電流検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54174391U JPS54174391U (ja) | 1979-12-08 |
| JPS5833643Y2 true JPS5833643Y2 (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=28984350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7255778U Expired JPS5833643Y2 (ja) | 1978-05-29 | 1978-05-29 | 質量分析装置におけるイオンビ−ム電流検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833643Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-05-29 JP JP7255778U patent/JPS5833643Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54174391U (ja) | 1979-12-08 |
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