JPH0220679Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0220679Y2 JPH0220679Y2 JP1980076084U JP7608480U JPH0220679Y2 JP H0220679 Y2 JPH0220679 Y2 JP H0220679Y2 JP 1980076084 U JP1980076084 U JP 1980076084U JP 7608480 U JP7608480 U JP 7608480U JP H0220679 Y2 JPH0220679 Y2 JP H0220679Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- solar slit
- sample
- slit
- solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010206 sensitivity analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はマクロアナライザ装置に関し、特に
試料からのX線のみをとらえ、不要な反射電子を
除去するための改良に関するものである。
試料からのX線のみをとらえ、不要な反射電子を
除去するための改良に関するものである。
従来、用いられていたこの種の装置は試料に電
子ビームを照射し、試料より発生する特性X線を
X線分光器により分光検出する構成であるが、こ
の場合、分光結晶には特性X線の他に反射電子が
衝突するため、分光結晶から発生したX線又は反
射電子が検出器に混入するため、検出信号のS/
N比が低下することになつていた。このような
S/N比を向上させるための解決手段として、X
線分光器の入射口に数KVの高電圧を印加した偏
向板を設けることにより、反射電子の分光器への
侵入を防止し、X線のみを分光器に入射させるよ
うにしていた。
子ビームを照射し、試料より発生する特性X線を
X線分光器により分光検出する構成であるが、こ
の場合、分光結晶には特性X線の他に反射電子が
衝突するため、分光結晶から発生したX線又は反
射電子が検出器に混入するため、検出信号のS/
N比が低下することになつていた。このような
S/N比を向上させるための解決手段として、X
線分光器の入射口に数KVの高電圧を印加した偏
向板を設けることにより、反射電子の分光器への
侵入を防止し、X線のみを分光器に入射させるよ
うにしていた。
しかしながら、このような従来の偏向板を用い
る方法では、試料と分光器との間の距離が長くな
り、高感度の分析が困難となつていた。
る方法では、試料と分光器との間の距離が長くな
り、高感度の分析が困難となつていた。
この考案は以上の欠点をすみやかに除去するた
めのきわめて好適な手段を提供することを目的と
するもので、その要旨とするところはソーラース
リツトにきわめて弱い磁場をかけることにより、
試料からの反射電子をソーラースリツト内でとら
え、X線分光器に混入させないようにする構成で
ある。
めのきわめて好適な手段を提供することを目的と
するもので、その要旨とするところはソーラース
リツトにきわめて弱い磁場をかけることにより、
試料からの反射電子をソーラースリツト内でとら
え、X線分光器に混入させないようにする構成で
ある。
以上、図面とともにこの考案によるマクロアナ
ライザ装置の好適な実施例について説明すると、
図面において符号1で示されるものは電子ビーム
を発射する電子銃であり、この電子銃1から発射
された電子ビームは電子レンズ2で集束されて試
料3に照射され、試料からX線を発生させてい
る。
ライザ装置の好適な実施例について説明すると、
図面において符号1で示されるものは電子ビーム
を発射する電子銃であり、この電子銃1から発射
された電子ビームは電子レンズ2で集束されて試
料3に照射され、試料からX線を発生させてい
る。
この試料からのX線はソーラースリツト4の各
スリツト板5の間を通過して分光結晶6で分光さ
れX線検出器7より検出される。さらに、このソ
ーラースリツト4の入口部4aには全体がC型形
状をなす電磁石8が装着されている。このような
構成においては試料3からの反射電子は電磁石8
の磁界により除去され、各スリツト板5の間を平
行X線のみが通過して分光結晶6で分光され、分
光されたX線はX線検出器7により検出すること
ができるものである。
スリツト板5の間を通過して分光結晶6で分光さ
れX線検出器7より検出される。さらに、このソ
ーラースリツト4の入口部4aには全体がC型形
状をなす電磁石8が装着されている。このような
構成においては試料3からの反射電子は電磁石8
の磁界により除去され、各スリツト板5の間を平
行X線のみが通過して分光結晶6で分光され、分
光されたX線はX線検出器7により検出すること
ができるものである。
なお、上記実施例では電磁石を用いているが、
永久磁石においても同様適用可能である。
永久磁石においても同様適用可能である。
この考案によるマクロアナライザ装置は以上の
ような構成と作用とを備えているため、ソーラー
スリツトと磁石のみを利用することにより反射電
子を完全に除去することができ、それによつて
S/N比が改善されるとともに装置全体の精度を
大幅に引き上げることができるものである。
ような構成と作用とを備えているため、ソーラー
スリツトと磁石のみを利用することにより反射電
子を完全に除去することができ、それによつて
S/N比が改善されるとともに装置全体の精度を
大幅に引き上げることができるものである。
図面はこの考案によるマクロアナライザ装置の
全体構成を示すための構成図である。 1……電子銃、3……試料、4……ソーラース
リツト、5……スリツト板、6……分光結晶、7
……X線検出器、8……電磁石。
全体構成を示すための構成図である。 1……電子銃、3……試料、4……ソーラース
リツト、5……スリツト板、6……分光結晶、7
……X線検出器、8……電磁石。
Claims (1)
- 電子ビームを試料に照射するための電子銃と、
試料から発生したX線を通過させるためのソーラ
ースリツトと、このソーラースリツトを通過した
X線を分光する分光器と、分光されたX線を検出
するX線検出器と、このソーラースリツトの入口
部に装着され、両磁極はこのソーラースリツトの
スリツト板の両端に対向し、全体としてほぼC型
状をなす磁石とを備え、この磁石によりソーラー
スリツトを通過しようとする不要な反射電子を除
去するように構成したことを特徴とするマクロア
ナライザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980076084U JPH0220679Y2 (ja) | 1980-05-30 | 1980-05-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980076084U JPH0220679Y2 (ja) | 1980-05-30 | 1980-05-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57651U JPS57651U (ja) | 1982-01-05 |
JPH0220679Y2 true JPH0220679Y2 (ja) | 1990-06-05 |
Family
ID=29438740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1980076084U Expired JPH0220679Y2 (ja) | 1980-05-30 | 1980-05-30 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0220679Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0218566Y2 (ja) * | 1985-05-02 | 1990-05-24 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS514712U (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-14 | ||
JPS5111493A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | |
JPS5355094A (en) * | 1976-10-28 | 1978-05-19 | Jeol Ltd | X-ray microanalyzer |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5811011Y2 (ja) * | 1977-05-23 | 1983-03-01 | 日本電子株式会社 | X線検出装置 |
JPS55113955U (ja) * | 1979-02-02 | 1980-08-11 |
-
1980
- 1980-05-30 JP JP1980076084U patent/JPH0220679Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS514712U (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-14 | ||
JPS5111493A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | |
JPS5355094A (en) * | 1976-10-28 | 1978-05-19 | Jeol Ltd | X-ray microanalyzer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57651U (ja) | 1982-01-05 |
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