JPS5832589B2 - 組織培養用成形物 - Google Patents

組織培養用成形物

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JPS5832589B2
JPS5832589B2 JP12130279A JP12130279A JPS5832589B2 JP S5832589 B2 JPS5832589 B2 JP S5832589B2 JP 12130279 A JP12130279 A JP 12130279A JP 12130279 A JP12130279 A JP 12130279A JP S5832589 B2 JPS5832589 B2 JP S5832589B2
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JP
Japan
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molded article
tissue culture
molded
temperature plasma
low
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Expired
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JP12130279A
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JPS5645189A (en
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和彦 神吉
康全 加島
洋義 畑
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は組織培養用成形物に関する。
組織培養用成形物として、近年、合成樹脂製の容器やフ
ィルムが多用されるに至っている。
合成樹脂成形物は一般に親水性に欠けるため、このまま
ではかかる成形物への細胞の接着性が悪く、好ましい組
織培養ができない。
従って、従来より種種の方法にて成形物表面を表面処理
し、その親水性を高めることが行なわれている。
例えば、親水性樹脂コーティング、オゾン処理、コロナ
放電処理、酸化剤や鉱酸による処理等が既に知られてい
る。
これらの処理のなかで、コロナ放電処理は特に広く行な
われているが、表面親水性の経時低下が著しいため、細
胞生育、増殖性に安定したデータが得難く、また、一旦
成形物表面に付着した細胞が生育途中で剥落する等の欠
点を有している。
さらに、成形物表面の細胞に対する毒性が完全には解消
されるには至っておらず、細胞の種類によってその生育
状態に差が生じるという欠点もある。
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであ
って、表面の親水性の経時低下が起こらず、従って、好
ましい組織培養が可能となると共番、こ、長期にわたっ
て細胞生育、増殖性に関して安定したデータが得られる
ようにした組織培養用合成樹脂成形物を提供することを
目的とする。
本発明の組織培養用成形物は、成形物表面のX線光電子
スペクトルによる酸素原子/炭素原子比が0.15〜0
.35の範囲にあるように低温プラズマにより表面処理
されていることを特徴とする。
本発明においては種々の合成樹脂からなる成形物を用い
ることができる。
合成樹脂の具体例としてポリスチレン、ポリメチルメタ
クリレート、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、アク
リロニトリル−メチルアクリレート共重合体、スチレン
−無水マレイン酸共重合体、スチレン−アクリロニトリ
ル共重合体、アセチルセルロース、アセチルブチルセル
ロース、アセタール化ポリビニルアルコール、ポリプロ
ピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリエステル
、ポリメチルペンテン−1等を挙げることができるが、
好ましくは、処理効果が特に顕著であるポリスチレン、
スチレンアクリロニトリル共重合体、スチレン−無水マ
レイン酸共重合体及びポリ塩化ビニルである。
また、成形物は、シャーレ、マルチウェルプレート、細
口瓶、広口瓶、フラスコ、試験管、ビーカー等の容器の
ほか、フィルム、シートを含み、これらは射出成形、ブ
ロー成形、押出成形、カレンダー成形等の適宜の成形法
によって製造することができる。
低温プラズマによる表面処理とは、既に知られているよ
うに、100 mmHg以下の低圧ガスに高周波電界、
マイクロ波電界又は直流電界を印加することによって低
温プラズマを発生させ、このプラズマガス流を成形物表
面に接触させることであり、本発明に従って、成形物表
面のX線光電子スペクトルによる酸素原子/炭素原子比
が0.15〜0.35、好ましくは0.20〜0.30
の限定された範囲にあるように表面を酸化して、その表
面に親水性を付与することにより、成形物表面における
細胞の生育性及び増殖性を著しく向上させることができ
る。
上記酸素原子/炭素原子比が0.15より小さいときは
、成形物表面への細胞の付着性がなお乏しく、その生育
が阻害される。
一方、0,35を越えると、細胞の成形物表面への付着
性は良好であるが、細胞の生育性、増殖性を阻害する毒
性を処理面が有することとなる。
添付図面は高周波放電低温プラズマ処理装置の一例を示
し、ペルジャー1内はI X 10 ’mmHg乃至
100100i、好ましくはlXl0 mrnHg
乃至50mmHgの減圧雰囲気下にあり、高周波発生装
置2に接続したバンド(電極)3により雰囲気ガスをプ
ラズマ化する。
雰囲気ガスはガス導入管4からペルジャー内に供給し、
ガス排出管5から真空ポンプ(図示せず)により排気し
、生じたプラズマガス流が成形物6の細胞生育性、増殖
性を向上させるべき表面に効果的に接触するように成形
物をペルジャー内に配置し、低温プラズマ処理を行なう
このようにして処理した成形物表面の酸化度の指標とし
ての酸素原子/炭素原子比は、X線光電子スペクトルに
おいて534eV電子結合エネルギーの位置に現われる
酸素原子のIsピークの面積Ao及び285 eVの電
子結合エネルギーの位置に現われる炭素原子のIsピー
クの面積Aoから式(Ao/Ac)Xjにより求めるこ
とができる。
ここに、jは元素間の補正係数であり、X線源として1
’JK a線を用いた場合のj値は0.45とした。
本発明の組織培養用成形物は、一般に組織培養試験の対
象として用いられるすべての細胞株に対して良好な表面
を有するが、代表的な細胞株として、He1a (ヒト
子宮頚部癌)、L(マウス正常皮下結合組織)、WI−
38(ヒト正常胎児肺)、KB(ヒドロ屈筋)、Cha
ng Liver(ヒト正常肝臓)、FL(ヒト正常羊
膜)、Don (チャイニーズハムスター正常肺)、B
HK−21(シアリンハムスター正常腎)等を例示する
ことができる。
本発明によれば、以上のように、成形物を、その表面が
限定された酸素原子/炭素原子比を有するように、低温
プラズマ処理することにより、成形物表面に経時低下が
なく、且つ、細胞生育に毒性をもたない親水性を付与し
得たので、細胞の生育性、増殖性が著しく改善され、長
期間にわたってこれらについて安定したデータを得るこ
とができる。
実施例 直径75關のポリスチレン製シャーレを、図示した装置
により低温プラズマ処理した。
ペルジャー内を2 X 10 ’mmHgの空気圧に
保ちつつ、処理条件を高周波出力100〜250W、処
理時間数分〜10分の範囲で変動させ、前記した表面酸
素原子/炭素原子比の種々異なる処理物を得た。
こうして得た各シャーレ表面の上記比を、X線光電子分
析装置ESCA650B(■島津製作所)(X線源AR
Ka線)を用いて前記のように測定した。
結果を下表に示す。
これらシャーレは酸化エチレン滅菌した後、組織培養試
験に供した。
即ち、各シャーレにおいて、Eegle MEM培地1
0wLlに牛血清(Bovine Serum ) 2
ml及び7.5%NaHCO3によりpH調整した培
養液5Mを培地とし、これにHe1aS 3細胞(大
日本製薬■製)IXIO’個含む液(約1wLl)を投
与した後、37℃の保温下に5%炭酸ガス気流中にて培
養を行なった。
培養を開始して48時間後に0.25%トリプシン液を
シャーレに加え、シャーレ壁面に生育した細胞を壁面か
ら離脱させて細胞浮遊液とした。
この細胞浮遊液中の細胞濃度をBurker Tur
k型血球計算板を用いて測定した。
結果を前記比と共に下表に示す。
尚、表においてシャーレ1は低温プラズマ処理を施こさ
なかったものである。
上表から、本発明に従って限定された範囲の酸素原子/
炭酸原子比を有するように低温プラズマ処理されたシャ
ーレが、特異的に高い細胞生育性及び増殖性を示すこと
が明らかである。
【図面の簡単な説明】
図面は高周波放電による低温プラズマ処理装置の一例を
示す。 1・・・・・・ペルジャー、2・・・・・・高周波発生
装置、3・・・・・・バンド、4・・・・・・ガス導入
管、5・・・・・・ガス排気管、6・・・・・・成形物

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 成形物表面のX線光電子スペクトルによる酸素原子
    /炭素原子比が0.15〜0.35の範囲にあるように
    低温プラズマにより表面処理されていることを特徴とす
    る組織培養用成形物。 2 成形物がポリスチレン、スチレン−アクリロニトリ
    ル共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体又はポ
    リ塩化ビニルからなることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の組織培養用成形物。
JP12130279A 1979-09-20 1979-09-20 組織培養用成形物 Expired JPS5832589B2 (ja)

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JP2007275575A (ja) * 2006-03-31 2007-10-25 Cordis Development Corp プラズマ処理式の血管閉塞装置および方法

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