JPS5832304A - 感湿誘電損失体素子 - Google Patents
感湿誘電損失体素子Info
- Publication number
- JPS5832304A JPS5832304A JP56129972A JP12997281A JPS5832304A JP S5832304 A JPS5832304 A JP S5832304A JP 56129972 A JP56129972 A JP 56129972A JP 12997281 A JP12997281 A JP 12997281A JP S5832304 A JPS5832304 A JP S5832304A
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- Japan
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- dielectric loss
- moisture
- humidity
- sensitive
- sensitive dielectric
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はB a ” 10 * S ’ T i O
3* B a 1−、S r 、T ’O3(ただしO
<、<1)またはそれらのいずれか一つを主成分とする
感湿誘電損失体素子に関するものである。
3* B a 1−、S r 、T ’O3(ただしO
<、<1)またはそれらのいずれか一つを主成分とする
感湿誘電損失体素子に関するものである。
感湿誘電損失体素子、は湿度に敏感に感応し、湿度によ
ってその誘電損失(誘電正接)が変化する素子であり、
湿度の測定用素子や、湿度調節用のセンサとして用いる
ものである。周知のように、Fe2o3やAl2O3,
Cr2O3,Ni2O3などの金属酸化物は吸水性に優
れており、そのため、こ抗 のような性質を利用して感湿抵抗体素子が作製されてい
る。ところが、上記金属酸化物を使用した感湿抵抗体素
子は、全般的に抵抗が高く、水分の吸脱着現象により抵
抗変化があっても、これを電気的に精度よく検出するこ
とが困難なものである。
ってその誘電損失(誘電正接)が変化する素子であり、
湿度の測定用素子や、湿度調節用のセンサとして用いる
ものである。周知のように、Fe2o3やAl2O3,
Cr2O3,Ni2O3などの金属酸化物は吸水性に優
れており、そのため、こ抗 のような性質を利用して感湿抵抗体素子が作製されてい
る。ところが、上記金属酸化物を使用した感湿抵抗体素
子は、全般的に抵抗が高く、水分の吸脱着現象により抵
抗変化があっても、これを電気的に精度よく検出するこ
とが困難なものである。
すなわち、この種の素子は、たとえば、結露点の検出と
いった高湿度領域での応用に限られている。
いった高湿度領域での応用に限られている。
素子と測定の容易な抵抗値の素子とするためにこれまで
上記金属酸化物に、アルカリ金属系の物質、たとえば、
Na、Liなどの化合物を、添加混合することが試みら
れている。しかしながら、この方法では、抵抗の絶対値
は減少するものの、高湿度の状態ではアルカリ金属系化
合物が溶出し、感湿抵抗特性が変化する。このような理
由により、実際にこれを使用することはむずかしい。ま
た、これらの素子は、物理吸着した水のイオン伝導によ
り、感湿特性を得ているものである。たとえば、3 イオン化しやすい低濃度の成分を含む雰囲気に触 、
ねるだけで感湿抵抗特性が変化する。
上記金属酸化物に、アルカリ金属系の物質、たとえば、
Na、Liなどの化合物を、添加混合することが試みら
れている。しかしながら、この方法では、抵抗の絶対値
は減少するものの、高湿度の状態ではアルカリ金属系化
合物が溶出し、感湿抵抗特性が変化する。このような理
由により、実際にこれを使用することはむずかしい。ま
た、これらの素子は、物理吸着した水のイオン伝導によ
り、感湿特性を得ているものである。たとえば、3 イオン化しやすい低濃度の成分を含む雰囲気に触 、
ねるだけで感湿抵抗特性が変化する。
本発明は、かかる問題点を解決したもので、これまでの
感湿抵抗体とは異なる、新しい感湿誘電損失体素子を提
供するものである。
感湿抵抗体とは異なる、新しい感湿誘電損失体素子を提
供するものである。
すなわち、本発明にかかる素子は、BaTiO3゜S
r T 1C)2 、 Ba1−xS r xT i
03 (ただしO<x<1)、またはそれらのいずれか
を主成分とする磁器または薄膜に電極を付与すると、湿
度に応じて、電極間の誘電損失(誘電正接)が大きく変
化する現象を見出したものである。
r T 1C)2 、 Ba1−xS r xT i
03 (ただしO<x<1)、またはそれらのいずれか
を主成分とする磁器または薄膜に電極を付与すると、湿
度に応じて、電極間の誘電損失(誘電正接)が大きく変
化する現象を見出したものである。
本発明はこのような現象の発見にもとづくものであり、
その組成を選ぶことに、より、低湿度から高湿度にかけ
て高い感度を示す素子を得ることができる。相対湿度−
誘電圧接特性は、低湿度から高湿度までほぼ対数的に直
線である。
その組成を選ぶことに、より、低湿度から高湿度にかけ
て高い感度を示す素子を得ることができる。相対湿度−
誘電圧接特性は、低湿度から高湿度までほぼ対数的に直
線である。
本発明の素子を構成する磁器または薄膜は一種の誘電体
であり、その組成を選定することによって、湿度変化に
よる誘電正接値の変化が大きい素子を作ることができる
。しかも、上記成分は、ペロブスカイト形結晶構造の化
合物であり、その誘電正接の温度係数も小さい。本発明
の素子は、交流電圧印加により流れる電流と電圧の位相
差を、簡単な位相検出回路を用いることにより容易に相
対湿度0〜100%の全湿度領域において湿度検知がで
きる。さらに、またその湿度応答性も早いものである。
であり、その組成を選定することによって、湿度変化に
よる誘電正接値の変化が大きい素子を作ることができる
。しかも、上記成分は、ペロブスカイト形結晶構造の化
合物であり、その誘電正接の温度係数も小さい。本発明
の素子は、交流電圧印加により流れる電流と電圧の位相
差を、簡単な位相検出回路を用いることにより容易に相
対湿度0〜100%の全湿度領域において湿度検知がで
きる。さらに、またその湿度応答性も早いものである。
本発明にかかる素子の感応部は、通常の磁器製造技術ま
たは薄膜製造技術で簡単に製造することができるもので
ある。さらに、いわゆる金属酸化物であり、長期間大気
中に放置しておいても、その表面状態が変化しない。
たは薄膜製造技術で簡単に製造することができるもので
ある。さらに、いわゆる金属酸化物であり、長期間大気
中に放置しておいても、その表面状態が変化しない。
BaTiO3,SrTiO3の両成分はペロブスカイト
形結晶構造の化合物であり、湿度変化に応じて誘電正接
の変化が一義的に決まる。そして、B a T iOs
成分と8 r T i Oa酸成分の組成比において、
低湿度領域から、、高湿度領域にわたり高い感度を得る
ことができる。□ 以下、本発明にかかる感湿誘電損失体素子の実施例につ
いて、図面を用いて詳細に説明する。
形結晶構造の化合物であり、湿度変化に応じて誘電正接
の変化が一義的に決まる。そして、B a T iOs
成分と8 r T i Oa酸成分の組成比において、
低湿度領域から、、高湿度領域にわたり高い感度を得る
ことができる。□ 以下、本発明にかかる感湿誘電損失体素子の実施例につ
いて、図面を用いて詳細に説明する。
第1図に本発明にかか゛る感湿誘電体素子の構造の一例
を示す。同図Aは電極が全面電極を有するバルク型の素
子であり、箒4図Bは電極がくし型電極を有する薄膜型
の素子である。これら第1図A、 Hの素子の感湿誘
電損失体は磁器であっても、あるいは膜であっても、本
質的な機能は同じである。なお、図Aにおいて、1はバ
ルク型の感湿誘電損失体、2.3はその主面に形成され
た電極、4.6はリード端子である。図Bにおいて、6
は薄膜型の感湿誘電損失体、7はその支持基板、8゜9
は電極、10.11はリード端子である。
を示す。同図Aは電極が全面電極を有するバルク型の素
子であり、箒4図Bは電極がくし型電極を有する薄膜型
の素子である。これら第1図A、 Hの素子の感湿誘
電損失体は磁器であっても、あるいは膜であっても、本
質的な機能は同じである。なお、図Aにおいて、1はバ
ルク型の感湿誘電損失体、2.3はその主面に形成され
た電極、4.6はリード端子である。図Bにおいて、6
は薄膜型の感湿誘電損失体、7はその支持基板、8゜9
は電極、10.11はリード端子である。
以下の説明では、第1図Aのバルク型の素子を代表させ
て説明する。
て説明する。
まず、感湿誘電損失体素子の製造手順について述べる。
磁器の出発原料として、T 102 、 B a Co
a 。
a 。
S r COsを用い、これらを所定の割合に配合し、
メノウボール入りポットミルで湿式混合した。得られた
混合物を乾燥させてから40mX 40+nx 10r
mnの寸法に成形し、空気中において1200℃で2時
間仮焼した。この仮焼物を粉砕して4叫\4mmX0’
、25閣の寸法に成形して空気中において1260℃で
2時間焼成して磁器化させ、Ba1−x5I工T 10
a(ただし、x=0.0.2,0.4,0.6,0.
8.1)の磁器を得た。
メノウボール入りポットミルで湿式混合した。得られた
混合物を乾燥させてから40mX 40+nx 10r
mnの寸法に成形し、空気中において1200℃で2時
間仮焼した。この仮焼物を粉砕して4叫\4mmX0’
、25閣の寸法に成形して空気中において1260℃で
2時間焼成して磁器化させ、Ba1−x5I工T 10
a(ただし、x=0.0.2,0.4,0.6,0.
8.1)の磁器を得た。
一方、上述の手順において、配合のときにMnO2を添
加し、B a o 、e S r o 、 4 T 1
0299 ・5重量部に対してM n O2を0.5重
量部含む磁器素子を作った。同様にして、M n 02
が4重量係官まれている磁器素子を種々作製した。
加し、B a o 、e S r o 、 4 T 1
0299 ・5重量部に対してM n O2を0.5重
量部含む磁器素子を作った。同様にして、M n 02
が4重量係官まれている磁器素子を種々作製した。
感湿誘電損失体が膜の場合、スノくツタリング法。
蒸着法、スクリーン印刷法などにより形成して同様に各
種組成の素子を得ることができる。
種組成の素子を得ることができる。
次に、前述のようにして得た感湿誘電損失体1の両面に
RuO。ペースト電極を塗布し、800℃で焼付で電極
2,3を形成した。なお、電極はpt系、Aq系、Au
系でもよい。小して、pt線をRuO2系ペーストを用
いて8oo℃で焼付けてリード端子4,6を設け、感湿
誘電損失体素子とする。
RuO。ペースト電極を塗布し、800℃で焼付で電極
2,3を形成した。なお、電極はpt系、Aq系、Au
系でもよい。小して、pt線をRuO2系ペーストを用
いて8oo℃で焼付けてリード端子4,6を設け、感湿
誘電損失体素子とする。
第2図は、前記によっ・て得られたB a T iO3
−8r T iOa基磁器素子の相対湿度−誘電損失(
誘電種組成により、相対湿度−誘電正接の感度特性を自
由に変えることができ、しかも高感度特性を示す。
−8r T iOa基磁器素子の相対湿度−誘電損失(
誘電種組成により、相対湿度−誘電正接の感度特性を自
由に変えることができ、しかも高感度特性を示す。
第3図は、同様にMn O2を含むB a o 、 e
S io、4T10s磁器素子の相対湿度−誘電損失(
誘電正接)の感度特性を示す。第3図より、M n 0
2量が3重量%以下では、低湿度領域の感度特性が改善
されている。なお、M n02量が3重量%を越えると
、低湿度から高湿度領域にかけて全体の感度が低下し、
実用的でなくなる。したがって、M n 02量は3重
量%を上限とすることが望ましい。これは他の主成分組
成についても認められた。
S io、4T10s磁器素子の相対湿度−誘電損失(
誘電正接)の感度特性を示す。第3図より、M n 0
2量が3重量%以下では、低湿度領域の感度特性が改善
されている。なお、M n02量が3重量%を越えると
、低湿度から高湿度領域にかけて全体の感度が低下し、
実用的でなくなる。したがって、M n 02量は3重
量%を上限とすることが望ましい。これは他の主成分組
成についても認められた。
さらに、本発明の素子を相対湿度から結露(相対湿度1
ootlb)の湿度サイクルを105回繰返して試験し
た。その結果、湿度−誘電正接特性の変化量は、数チ以
内であり、きわめて安定なものであることを確認した。
ootlb)の湿度サイクルを105回繰返して試験し
た。その結果、湿度−誘電正接特性の変化量は、数チ以
内であり、きわめて安定なものであることを確認した。
また、湿度応答性については、相対湿度0〜100%に
おいて、応答速度は数秒以内であり、きわめて速い。そ
して、従来の感湿抵抗特性を示すイオン伝導タイプとは
異なり、素子に吸着した水分そのものによる誘電損失の
変化であるため、きわめて安定で、しかも、各種の有機
ガスや酸性ガスなどに対し、安定した湿度検知が得られ
るものである。
おいて、応答速度は数秒以内であり、きわめて速い。そ
して、従来の感湿抵抗特性を示すイオン伝導タイプとは
異なり、素子に吸着した水分そのものによる誘電損失の
変化であるため、きわめて安定で、しかも、各種の有機
ガスや酸性ガスなどに対し、安定した湿度検知が得られ
るものである。
さらに、本発明において、B a T * OsやS
r T iOa 。
r T iOa 。
BaTiO3−5rTiO3系のみに限られるもノテな
く、これに、MgTto3.CaTiO3,KTaO3
,PbHfO3゜LiTaO3,LiNbO3,Ba1
rn3.CaZrO3゜5rZro3.MgZro3.
PbZrO3,NaNbO3゜KNbO3,PbT i
o3.MgCr2O4などを1種または複数種加えると
、応答性がよく、特性劣化のきわめて少ない、高感度の
感湿誘電損失体素子を得ることができる。
く、これに、MgTto3.CaTiO3,KTaO3
,PbHfO3゜LiTaO3,LiNbO3,Ba1
rn3.CaZrO3゜5rZro3.MgZro3.
PbZrO3,NaNbO3゜KNbO3,PbT i
o3.MgCr2O4などを1種または複数種加えると
、応答性がよく、特性劣化のきわめて少ない、高感度の
感湿誘電損失体素子を得ることができる。
以上に説明したように、本発明にかかる感湿誘電損失体
素子は、湿度−誘電正接特性を有する全く新しい感湿素
子であり、高安定性と高精度検知を行うことができ、産
業界にとって価値大なる感湿誘電損失体素子を提供する
。
素子は、湿度−誘電正接特性を有する全く新しい感湿素
子であり、高安定性と高精度検知を行うことができ、産
業界にとって価値大なる感湿誘電損失体素子を提供する
。
第1図fA)、 (B)は、それぞれ本発明にかかる感
湿型正接特性の感度との関係を示す図である。 1.7・・・・・・感湿誘電損失体、2,3,8.9・
・ 電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名畠1
図 蘂 211 朝封渫洟(%) 13図 1’H(%)
湿型正接特性の感度との関係を示す図である。 1.7・・・・・・感湿誘電損失体、2,3,8.9・
・ 電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名畠1
図 蘂 211 朝封渫洟(%) 13図 1’H(%)
Claims (2)
- (1) BaTi0 、SrTiO3,Ba1−、S
r、TiO3(ただしo<”<’)* またはそれを
主成分とする磁器または膜に電極を設けたことを特徴と
する感湿誘電損失体素子。 - (2) B a T i O、S r T i O、
またはBa1−!5rxTie33 3 (ただし0(x(1)を主成分とし、3重量%を越えな
い量のMnOを含む磁器または膜に電極を設けたことを
特徴とする感湿誘電損失体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56129972A JPS5832304A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 感湿誘電損失体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56129972A JPS5832304A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 感湿誘電損失体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832304A true JPS5832304A (ja) | 1983-02-25 |
JPH0237046B2 JPH0237046B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=15022984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56129972A Granted JPS5832304A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 感湿誘電損失体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5832304A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5658202A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sensor and temperature moisture detector |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56129972A patent/JPS5832304A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5658202A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sensor and temperature moisture detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0237046B2 (ja) | 1990-08-22 |
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