JPS583228A - 荷電ビ−ム光学鏡筒 - Google Patents
荷電ビ−ム光学鏡筒Info
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- JPS583228A JPS583228A JP10145081A JP10145081A JPS583228A JP S583228 A JPS583228 A JP S583228A JP 10145081 A JP10145081 A JP 10145081A JP 10145081 A JP10145081 A JP 10145081A JP S583228 A JPS583228 A JP S583228A
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- deflector
- aperture
- mask
- deflectors
- diameter
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビー＾露光装置中イオンＶ−ム露光装置
等の荷電ビー装羨置に用いられる荷電ビーム光学鏡筒の
改良に関する。
等の荷電ビー装羨置に用いられる荷電ビーム光学鏡筒の
改良に関する。
近時、電子ビーム露光装置でレチクル中！スク等を作成
することが盛んに＆つていゐが、円形ビームで描画を行
う場合には、感光剤であるレジストリ材質、レジスト０
Ｗｉｌｌグロ竜スおよび描画すべ會最小Δターンの寸法
勢によって、円形ビームｏ１１径或いはＶ一本電流を変
える必要がある。そして、上記Ｖ−ム直径中Ｃ−ム電流
等を変えるには、従来電子光学鏡筒のレンズ倍率或いは
電子銃輝ｉを変えるようＫしていた。
することが盛んに＆つていゐが、円形ビームで描画を行
う場合には、感光剤であるレジストリ材質、レジスト０
Ｗｉｌｌグロ竜スおよび描画すべ會最小Δターンの寸法
勢によって、円形ビームｏ１１径或いはＶ一本電流を変
える必要がある。そして、上記Ｖ−ム直径中Ｃ−ム電流
等を変えるには、従来電子光学鏡筒のレンズ倍率或いは
電子銃輝ｉを変えるようＫしていた。
第１図はビーム寸法可変ＩＩＯ従来の電子ビーム光学鏡
筒を示す概略構成図である０図中１はカソード１、クエ
ネルト電極Ｊおよび７ノード４からなる電子銃であシ、
５は第１コンデンサレンズ、Ｃはブランキング用偏向器
、ｒは第２コンデンナレンズ、８はビーム位置決め用偏
向器、＃社対物レンズ、１０は試料面、１ノは高圧電源
、１１はバイアス抵抗、ＩＪはカソード加熱用電源であ
る。を九、１４は試料＠１０上のビーム電流を検出する
丸めの７７ラデーカツプ、ｌｊは電流針、１−は試料面
１０におけるＣ−ムＯ＊＊をｍ＊するためのナイフェツ
ジである。電子銃１０作る第１り冒スオーパＰ１は１菖
１コンデンナレンｊｅ５によ〉偏向器Ｃの偏向中心に結
像され、ζＯ位置に第２り謬スオー／４ｐｍが形成され
て％Ａ為、そして、第２コンデンナレｓ；ｙｅｙＫよシ
同しンズｒＯ下方に第３り―スオー／＃ ｐ 、が形成
され、このりＵスオー／４Ｐｌが対物レンズ−によシ試
料＠１０に結偉畜れている。
筒を示す概略構成図である０図中１はカソード１、クエ
ネルト電極Ｊおよび７ノード４からなる電子銃であシ、
５は第１コンデンサレンズ、Ｃはブランキング用偏向器
、ｒは第２コンデンナレンズ、８はビーム位置決め用偏
向器、＃社対物レンズ、１０は試料面、１ノは高圧電源
、１１はバイアス抵抗、ＩＪはカソード加熱用電源であ
る。を九、１４は試料＠１０上のビーム電流を検出する
丸めの７７ラデーカツプ、ｌｊは電流針、１−は試料面
１０におけるＣ−ムＯ＊＊をｍ＊するためのナイフェツ
ジである。電子銃１０作る第１り冒スオーパＰ１は１菖
１コンデンナレンｊｅ５によ〉偏向器Ｃの偏向中心に結
像され、ζＯ位置に第２り謬スオー／４ｐｍが形成され
て％Ａ為、そして、第２コンデンナレｓ；ｙｅｙＫよシ
同しンズｒＯ下方に第３り―スオー／＃ ｐ 、が形成
され、このりＵスオー／４Ｐｌが対物レンズ−によシ試
料＠１０に結偉畜れている。
このような構成であれば、試料面１−上に結像されるビ
ームの直径は、第２コンデンナレンズ１および対物レン
ズ９の各倍率によって制御される。第１クロスオー／４
Ｐ重の輝度は、バイアス抵抗ｘｚＫよシカソード・ウェ
ネルト間のバイアス電圧を操作するか、或＾は電＠ＩＩ
Ｋよシカノード加熱電流を操作するかによって制御され
る。そして、ビーム電流！紘Ｃ−ムＯ直径４とり四スオ
ーノぐＰｌの輝度Ｂが定まれば、次式で示すように定義
される。
ームの直径は、第２コンデンナレンズ１および対物レン
ズ９の各倍率によって制御される。第１クロスオー／４
Ｐ重の輝度は、バイアス抵抗ｘｚＫよシカソード・ウェ
ネルト間のバイアス電圧を操作するか、或＾は電＠ＩＩ
Ｋよシカノード加熱電流を操作するかによって制御され
る。そして、ビーム電流！紘Ｃ−ムＯ直径４とり四スオ
ーノぐＰｌの輝度Ｂが定まれば、次式で示すように定義
される。
Ｉ−Ｂ（παｄ）Ａ
ただし、αは電子ビームＯ収束牟頂角である。
かくしてしｙ、ＩＩＰ倍率或いはクロスオーΔ輝直を変
えることによりてＶ−ム直価やビーム電流等を可変する
ことができ、電子ビーム描画を効果的に行うことがで自
る。
えることによりてＶ−ム直価やビーム電流等を可変する
ことができ、電子ビーム描画を効果的に行うことがで自
る。
しかしながら、この種の装置に用いられる電子ピーλ光
学鏡筒にあっては次の（１）〜（３）のよう慶問題があ
った。
学鏡筒にあっては次の（１）〜（３）のよう慶問題があ
った。
（１） ビームの直径を変える九めにレン、ＩＰ１．
９の倍率を変えると、ビームの走査方向が回転する。こ
のため、ビームの直径を変える毎に走査方向を調整して
元に戻す必要があ）、その操作が極めて煩雑である。
９の倍率を変えると、ビームの走査方向が回転する。こ
のため、ビームの直径を変える毎に走査方向を調整して
元に戻す必要があ）、その操作が極めて煩雑である。
（２） レン、Ｉｅｒ、ｐの倍率を変えると、試料面
１０上でのビーム位置が変わってしまう、このため、ビ
ームの直径を変えゐ毎に原点マーカ等を基準にしてビー
ム位置を元に戻す必要があり、その操作が極めて煩雑で
ある。
１０上でのビーム位置が変わってしまう、このため、ビ
ームの直径を変えゐ毎に原点マーカ等を基準にしてビー
ム位置を元に戻す必要があり、その操作が極めて煩雑で
ある。
（３）電子銃の条件を変えクロスオーＡｐ、の輝度を変
えると、クロスオーバＰ１の直径および電流も変わる。
えると、クロスオーバＰ１の直径および電流も変わる。
すなわち、試料面１０上でのビームの直径およびビーム
電流が同時に変わる。
電流が同時に変わる。
このため、電子銃条件を変える毎にレンズ７゜９の倍率
を変える必要が生じる。
を変える必要が生じる。
このように１従来同一試料面内でビームの直径を可変す
る仁とは極めて困難であった。を九、上述した問題は電
子ビーム光学鏡筒のみならず、イオンビーム光学鏡筒に
ついても買える仁とである。
る仁とは極めて困難であった。を九、上述した問題は電
子ビーム光学鏡筒のみならず、イオンビーム光学鏡筒に
ついても買える仁とである。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするとζろ祉、同一試料面内で荷電ビームの直径を容
易に変えることのできる荷電ビーム光学鏡筒を提供する
ことＫある。
とするとζろ祉、同一試料面内で荷電ビームの直径を容
易に変えることのできる荷電ビーム光学鏡筒を提供する
ことＫある。
まず、本発明の詳細な説明する０本発明の骨子は、直径
の興なる複数のア・量−チャを有したアノ臂−チャｉス
クを用い、偏向器によるＣ−ム偏向によシビーム照射さ
れるア／中−チャを選択するようにしたものである０例
えば、第２図に示す如く直径の相異なる６個の円形アパ
ーチャ２１ａ、〜、２１ｆを同一直線上に配列し°たビ
ーム整形用ア／４−チャマスク２１の上方（ビーム入射
側）Ｋ、アノ臂−チャ選択用偏向器１２゜２Ｊを配置す
ると共に、下方（試料側）ｆｌｃビーム振シ戻し用偏向
器２４ｅｌｌを配置すゐ、そして、偏向器ＪＪＫよルビ
ームを一方向Ｃ紙面左方向）Ｋ偏向すると共に、偏向ａ
１２３にょシ該ビームを上記と逆方向ＫｒＨＪじ角度だ
け偏向すれば、ア・臂−チャマスクｊＪＫ照射されるビ
ームの位置が左方向にずれ、例えばア・譬−チャ１１ｂ
がビーム照射される。すなわち、偏向器ｘｘ、ｘｚＫよ
シアノ臂−チャ１１ｈか選択される。そして、仁のとき
ア／母−チャＩｌｂに照射されるビームの軸はアノ−チ
ャマスク２ノと垂直なものとなる１次に、アイ−チャＪ
７＆＋を介したビームを偏向器１４．１１によ）振シ戻
し、偏向器１４．１１ｔＣよ）偏向されたビームの軸を
光軸（偏向１！７１で偏肉される前のビームの軸）と一
致せしめる。これによル偏向器２５の下方に設けられた
電子レンズ（図示せず）郷によって、アパーチャｘｉｂ
ｏ＠が試料面に結像されることｋなる。かぐして、アノ
−チャ選択用偏向器ｚｘ、、ｚｓｌ／Ｃよる偏向によ〕
ビーム照射されるアイ−チャｌ１ｍ、〜、２１ｆを選択
し、ビーム振〕戻し用偏向＠ｘ４＊ｚｉによシビームを
振シ戻す仁とによって、試料面上でのビームの直径が可
変制御される。
の興なる複数のア・量−チャを有したアノ臂−チャｉス
クを用い、偏向器によるＣ−ム偏向によシビーム照射さ
れるア／中−チャを選択するようにしたものである０例
えば、第２図に示す如く直径の相異なる６個の円形アパ
ーチャ２１ａ、〜、２１ｆを同一直線上に配列し°たビ
ーム整形用ア／４−チャマスク２１の上方（ビーム入射
側）Ｋ、アノ臂−チャ選択用偏向器１２゜２Ｊを配置す
ると共に、下方（試料側）ｆｌｃビーム振シ戻し用偏向
器２４ｅｌｌを配置すゐ、そして、偏向器ＪＪＫよルビ
ームを一方向Ｃ紙面左方向）Ｋ偏向すると共に、偏向ａ
１２３にょシ該ビームを上記と逆方向ＫｒＨＪじ角度だ
け偏向すれば、ア・臂−チャマスクｊＪＫ照射されるビ
ームの位置が左方向にずれ、例えばア・譬−チャ１１ｂ
がビーム照射される。すなわち、偏向器ｘｘ、ｘｚＫよ
シアノ臂−チャ１１ｈか選択される。そして、仁のとき
ア／母−チャＩｌｂに照射されるビームの軸はアノ−チ
ャマスク２ノと垂直なものとなる１次に、アイ−チャＪ
７＆＋を介したビームを偏向器１４．１１によ）振シ戻
し、偏向器１４．１１ｔＣよ）偏向されたビームの軸を
光軸（偏向１！７１で偏肉される前のビームの軸）と一
致せしめる。これによル偏向器２５の下方に設けられた
電子レンズ（図示せず）郷によって、アパーチャｘｉｂ
ｏ＠が試料面に結像されることｋなる。かぐして、アノ
−チャ選択用偏向器ｚｘ、、ｚｓｌ／Ｃよる偏向によ〕
ビーム照射されるアイ−チャｌ１ｍ、〜、２１ｆを選択
し、ビーム振〕戻し用偏向＠ｘ４＊ｚｉによシビームを
振シ戻す仁とによって、試料面上でのビームの直径が可
変制御される。
なお、上記説明ではアノ−チャ選択用偏向器７２、Ｊｌ
の２組を用いたが、偏向器２１を省略することもできる
。この場合、偏向器１１によシ第２図中破ａＫ示す如く
ビームを偏向し、さらに偏向器１４．２１にょシ同図中
破線に示す如くビームを偏向すればよい。
の２組を用いたが、偏向器２１を省略することもできる
。この場合、偏向器１１によシ第２図中破ａＫ示す如く
ビームを偏向し、さらに偏向器１４．２１にょシ同図中
破線に示す如くビームを偏向すればよい。
本発明はこのような点に着目し、直径の相異なるｎ個の
７／４−チャを有したア／臂−チャマスクのビーム入射
側に少なくとも１組のアノヤーチャ選択用偏向器を配置
すゐと共に、アパーチャマスクの試料側に同マスクを介
し九−一ムをそれぞれ逆方向に偏向する２組の偏向器を
配置し、上記アノ−チャ選択用偏向ｌ１ＩＫよりビーム
照射すべきアノ母−チャを選択し、上記ビーム振ル戻し
用偏向器によシピームを振〕戻し該虻−ムの軸を光軸と
一致せしめるようにしたものである。
７／４−チャを有したア／臂−チャマスクのビーム入射
側に少なくとも１組のアノヤーチャ選択用偏向器を配置
すゐと共に、アパーチャマスクの試料側に同マスクを介
し九−一ムをそれぞれ逆方向に偏向する２組の偏向器を
配置し、上記アノ−チャ選択用偏向ｌ１ＩＫよりビーム
照射すべきアノ母−チャを選択し、上記ビーム振ル戻し
用偏向器によシピームを振〕戻し該虻−ムの軸を光軸と
一致せしめるようにしたものである。
したがって本発明によれば、ア／量−チャ選択用偏向器
およびビームＪｌｌシ戻し用偏向器による各偏向量を適
崗に制御することＫよって、試料面上でのビームの直径
を容易に変えることができる。しかも、ビーム０Ｉｌｌ
を変えて亀、試料面上ＫＴｈける走査方向が回転したル
ビーム位置が変動する等の不都合状生じない、ヒのため
、前記舎偏向量を適ｍに制御するのみでビームの直径を
効果的に変えることができ、その操作が極めて簡略化さ
れゐ等の効果を賽する。
およびビームＪｌｌシ戻し用偏向器による各偏向量を適
崗に制御することＫよって、試料面上でのビームの直径
を容易に変えることができる。しかも、ビーム０Ｉｌｌ
を変えて亀、試料面上ＫＴｈける走査方向が回転したル
ビーム位置が変動する等の不都合状生じない、ヒのため
、前記舎偏向量を適ｍに制御するのみでビームの直径を
効果的に変えることができ、その操作が極めて簡略化さ
れゐ等の効果を賽する。
以下、本発ＩＪ！Ｏ詳細を図示の実施例によって説明す
る。
る。
第３図は本発明を電子ビーム露光装置に適用した一実施
例を示す概略構成図である。なお、第１図および第２図
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。この実施例が前記第１図に示しえ装置と異なる
点は、前記第２コンテンナレンズ１を省略する代シに１
前記ビーム整形用アΔ−チャマスク２１および偏向器２
２．〜，２４を付加したことである。
例を示す概略構成図である。なお、第１図および第２図
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。この実施例が前記第１図に示しえ装置と異なる
点は、前記第２コンテンナレンズ１を省略する代シに１
前記ビーム整形用アΔ−チャマスク２１および偏向器２
２．〜，２４を付加したことである。
すなわち、前記第１コンデンナレン−ｅｅｌの下方（試
料側）Ｋｆツンキング用偏向器ｄ、ア・苧−チャ選択用
偏向器ｘｚ、ｘｓ、アΔ−チャ１ス夕１１．ビーム振り
戻し用偏向器２４．２６゜ビーム位置決め用偏向Ｉ［＃
および対物レン、Ｉｅｇが上記履に配置されている。そ
して、電子銃ｌの作るクロスオー／４Ｐ１はコンデンサ
レンズ５によ〕アパーチャマスク２１上に形成されるも
のとなっている。また、ｆランキング用偏向器６はアノ
−チャマスク２１０アΔ−チャ２１ａ。
料側）Ｋｆツンキング用偏向器ｄ、ア・苧−チャ選択用
偏向器ｘｚ、ｘｓ、アΔ−チャ１ス夕１１．ビーム振り
戻し用偏向器２４．２６゜ビーム位置決め用偏向Ｉ［＃
および対物レン、Ｉｅｇが上記履に配置されている。そ
して、電子銃ｌの作るクロスオー／４Ｐ１はコンデンサ
レンズ５によ〕アパーチャマスク２１上に形成されるも
のとなっている。また、ｆランキング用偏向器６はアノ
−チャマスク２１０アΔ−チャ２１ａ。
〜、２１ｆの配列方向と直交する方向にビームを偏向す
るものとなっている。さらに、ア・ター’Ｆ−−？ｊ−
７１，〜、１１ｔＯ直径は左からｌ１ｋｄ（＃ｌＫ）、
ｄ＋ａ（ｓｍ）、ｄ＋２ａ（趣）、−、ｄ＋５ｍ〔μｍ
〕に設定されている。
るものとなっている。さらに、ア・ター’Ｆ−−？ｊ−
７１，〜、１１ｔＯ直径は左からｌ１ｋｄ（＃ｌＫ）、
ｄ＋ａ（ｓｍ）、ｄ＋２ａ（趣）、−、ｄ＋５ｍ〔μｍ
〕に設定されている。
このような構成であれば、偏向１ａｘｘ、ｚｓＫより電
子ビームを所定方向に偏向すると共に偏向器２４．２５
によ）同ビームを振ｐ戻すことｋより、電子ビームは見
かけ上図中破線に示す光路を進む。すなわち、試料面１
０上ではアイ−チャ２１＆、〜、ｚｘｆｔＤいずれを介
して結像されたビームもその位１ｆが常に不便となる。
子ビームを所定方向に偏向すると共に偏向器２４．２５
によ）同ビームを振ｐ戻すことｋより、電子ビームは見
かけ上図中破線に示す光路を進む。すなわち、試料面１
０上ではアイ−チャ２１＆、〜、ｚｘｆｔＤいずれを介
して結像されたビームもその位１ｆが常に不便となる。
さらに、ビームの直径を変えるのにレンｙｅ ｚ ｅ
＃の各倍率等を変えゐ必要がないので、ビームの走査方
向が回転する等の不都合は生じない・一方、試料面１０
上におけるビーム電流は、アノ−チャ２１農、〜、２１
ｆの選択に関係なく電子銃１の輝度に比例する。し九が
って、あるビーム径におけるビーム電流は／苛イアス抵
抗１２或いはカソード加熱用電源１１を操作する仁とに
よシ容、ＩＫ制御できる。
＃の各倍率等を変えゐ必要がないので、ビームの走査方
向が回転する等の不都合は生じない・一方、試料面１０
上におけるビーム電流は、アノ−チャ２１農、〜、２１
ｆの選択に関係なく電子銃１の輝度に比例する。し九が
って、あるビーム径におけるビーム電流は／苛イアス抵
抗１２或いはカソード加熱用電源１１を操作する仁とに
よシ容、ＩＫ制御できる。
このように本装置によれば、試料面１０上でのビームの
直径を変えても、試料＠ｚｏＫおけゐ走査方向は回転せ
ず、ビームの位置は変動しない。さもに、ビーム電流と
ビーム径とを独立に変光られる等の効果を奏すゐ、この
ため、同−試料上でビーム０１１１１を変えて一例も補
正を行う必要がなく、連続して描画を行い得る。さらに
、ビームの直径を他の・ナツメー！と独立させて変える
ことができるので、例えばノダターンの内部拡大いビー
ムで、周辺部社細いビームで描画する、或い紘大きなパ
ターンは太いビームで、小さなパターンは細いビームで
描画する等の効果的な描画が可能となる。オた、ア／量
−チャ２１ａ、〜、２１ｆを同一直線上に配列し、ブラ
ンキング用偏向器６０偏向方向を上記直線と略直交する
方向としているので、ア／臂−チャマスク２１をｌラン
キング用として用いることができる。さらに、コンデン
サレンズ１が不要となるので、構成の簡略化およびロー
コスト化をはか〕得る等の効果を奏する。
直径を変えても、試料＠ｚｏＫおけゐ走査方向は回転せ
ず、ビームの位置は変動しない。さもに、ビーム電流と
ビーム径とを独立に変光られる等の効果を奏すゐ、この
ため、同−試料上でビーム０１１１１を変えて一例も補
正を行う必要がなく、連続して描画を行い得る。さらに
、ビームの直径を他の・ナツメー！と独立させて変える
ことができるので、例えばノダターンの内部拡大いビー
ムで、周辺部社細いビームで描画する、或い紘大きなパ
ターンは太いビームで、小さなパターンは細いビームで
描画する等の効果的な描画が可能となる。オた、ア／量
−チャ２１ａ、〜、２１ｆを同一直線上に配列し、ブラ
ンキング用偏向器６０偏向方向を上記直線と略直交する
方向としているので、ア／臂−チャマスク２１をｌラン
キング用として用いることができる。さらに、コンデン
サレンズ１が不要となるので、構成の簡略化およびロー
コスト化をはか〕得る等の効果を奏する。
なお、本発明は上述した１ｇ！膣例に＠定されるもので
はない。例えば、前記ビーム整彫用ア／譬−チャマスク
のアノ−チャ祉、直線状でなくマトリクス状に配列され
たものでもよい、さらに、アノ４−チャの数や直径等は
仕様に応じて適宜定めればよい。また、クリティカル照
明方式に限らずケーラ照明方式の電子ビーム露光装置に
適用すゐことかできる。さらに１電子ビーム露光装置に
限らずイオンビーム露光装置、その他各種の荷電ビーム
装置に適用することもできる。
はない。例えば、前記ビーム整彫用ア／譬−チャマスク
のアノ−チャ祉、直線状でなくマトリクス状に配列され
たものでもよい、さらに、アノ４−チャの数や直径等は
仕様に応じて適宜定めればよい。また、クリティカル照
明方式に限らずケーラ照明方式の電子ビーム露光装置に
適用すゐことかできる。さらに１電子ビーム露光装置に
限らずイオンビーム露光装置、その他各種の荷電ビーム
装置に適用することもできる。
また、アノ−チャマスクをＶ−人達行方向と略直交する
面内で機械的に移動し得る構成とするよびビーム振夛戻
し用偏向器を省略することも可能である。ただし、この
場合アノ臂−チャｉスクＯ機械的移動によルアノーチャ
を選択するので、その精度が悪くなることは免れない、
その他、本発明はそＯ要旨を逸脱しない範囲で、種種変
形して実施することができる。
面内で機械的に移動し得る構成とするよびビーム振夛戻
し用偏向器を省略することも可能である。ただし、この
場合アノ臂−チャｉスクＯ機械的移動によルアノーチャ
を選択するので、その精度が悪くなることは免れない、
その他、本発明はそＯ要旨を逸脱しない範囲で、種種変
形して実施することができる。
第１図は従来装置の一例を示す概略構成図、第２図は本
発明の詳細な説明する丸めの模式図、第３図は本発明を
電子ビーム露光装置に適用し九−実施例を示す概略構成
図である。 １・・・電子銃、Ｉ−コンデンサレンズ、６・・・ブラ
ンキング用偏向板、８・−♂−ム位置決め用偏向板、ｐ
・・・対物レンズ、１０・−・試料面、２１・・・ビー
ム整形剤アーーチヤｉスク、ｊＪｍ、〜、２１ｆ・・・
アノターチャ、１１．１１・・・７ノ臂−チャ選択用偏
向器、２４．２１・・・ビーム振〕戻し用偏向器・出願
人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦才１ 図 才３図 第１頁の続き ０発 明 者 笠原泉 ０発 明 者 辻和夫 式会社沼津事業所内 ■出 願 人 東芝機械株式会社 東京都中央区銀座４丁目２番１１ 号
発明の詳細な説明する丸めの模式図、第３図は本発明を
電子ビーム露光装置に適用し九−実施例を示す概略構成
図である。 １・・・電子銃、Ｉ−コンデンサレンズ、６・・・ブラ
ンキング用偏向板、８・−♂−ム位置決め用偏向板、ｐ
・・・対物レンズ、１０・−・試料面、２１・・・ビー
ム整形剤アーーチヤｉスク、ｊＪｍ、〜、２１ｆ・・・
アノターチャ、１１．１１・・・７ノ臂−チャ選択用偏
向器、２４．２１・・・ビーム振〕戻し用偏向器・出願
人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦才１ 図 才３図 第１頁の続き ０発 明 者 笠原泉 ０発 明 者 辻和夫 式会社沼津事業所内 ■出 願 人 東芝機械株式会社 東京都中央区銀座４丁目２番１１ 号
Claims (4)
- （１） 荷電Ｖ−ムの寸法を可変制御し該ビームを試
料買上Ｋ１１ｌ射する荷電ビーム光学鏡筒において、直
ｌＩＯ相異なる麓個ＯＦ３形アΔ−チャを有し九ビーム
１１形用アパーチャーｒスクと、仁の７−−チヤマスク
０１１＃−ム入射側に配置され上記Ｖ−ムを偏向してビ
ーム照射されるア／４−チャを選択する少なくとも１１
Ｉｌのアイ−チャ選択用偏向器と、上記アノ−チャマス
タの試料＠に配置され上記アーーチヤ！スクな介したビ
ームをそれぞれ逆一方向に偏向し諌ビー＾の軸を光軸に
一致せしめる２組の一部ム振シ戻し用偏向器とを具備し
てなるヒとを特徴とする荷電ビーム光学ａｍ。 - （２）前記アパーチャマスクは、そのアパーチャ直径で
定義されたものであることを時機とすゐ特許請求の範囲
第１項記載の荷電ビーム光学鏡筒。 - （３） 前記アパーチャマスクは、１個のアーーチヤ
を同−線上に配列してなるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム光学鏡筒。 - （４）前記アノ−チャ選択用偏向器社、前記ビームをそ
れぞれ逆方向Ｋ１１ｊじ角度だけ偏向せしめる２組の偏
向器からなるものであゐととを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の荷電ビーム光学鏡筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145081A JPS583228A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145081A JPS583228A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583228A true JPS583228A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14301022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10145081A Pending JPS583228A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583228A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286274A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPH0615092U (ja) * | 1991-08-15 | 1994-02-25 | 宏 遊座 | 発光エンブレム |
| JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
| JP2017084537A (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 東方晶源微電子科技（北京）有限公司 | 電子ビーム検査・測長装置用の電子ビーム径制御方法及び電子ビーム径制御装置、並びに電子ビーム検査・測長装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5316578A (en) * | 1976-07-30 | 1978-02-15 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
| JPS5469075A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-02 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing device |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10145081A patent/JPS583228A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5316578A (en) * | 1976-07-30 | 1978-02-15 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0615092U (ja) * | 1991-08-15 | 1994-02-25 | 宏 遊座 | 発光エンブレム |
| JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
| JP2017084537A (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 東方晶源微電子科技（北京）有限公司 | 電子ビーム検査・測長装置用の電子ビーム径制御方法及び電子ビーム径制御装置、並びに電子ビーム検査・測長装置 |
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