JPS583050U - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS583050U JPS583050U JP9652681U JP9652681U JPS583050U JP S583050 U JPS583050 U JP S583050U JP 9652681 U JP9652681 U JP 9652681U JP 9652681 U JP9652681 U JP 9652681U JP S583050 U JPS583050 U JP S583050U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- junction
- emitting diode
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のメサ型ＬＥＤの断面図、第２図ないし第
１０図は本考案の一実施例であるＬＥＤの製造工程の一
例を示す断面図である。 １・・・Ｎ層、２・・・Ｐ層、３．４・・・電極、５・
・・Ａｍ、０３粉末、６・・・耐熱性盲腸の膜、８・・
・腐蝕みぞ、９・・・ＰＮ接合部、１０・・・発光面。
１０図は本考案の一実施例であるＬＥＤの製造工程の一
例を示す断面図である。 １・・・Ｎ層、２・・・Ｐ層、３．４・・・電極、５・
・・Ａｍ、０３粉末、６・・・耐熱性盲腸の膜、８・・
・腐蝕みぞ、９・・・ＰＮ接合部、１０・・・発光面。
Claims (1)
- 化合物半導体をエビタキビャル成長して形成したＮ層と
Ｐ層またはＰ層どＮ層から成るＰＮ接合部と、該ＰＮ接
合部を貫通して島領域を形成した腐蝕みぞと：該鵬蝕み
ぞ内に充填固着した非導電性粉末および耐熱性樹脂から
成る充填部と、前記島領域のＮ層またはＰ層およ゛び該
層に接合した他方のＰ層またはＮ層にそれぞれ設けた電
極とから成り、補記腐蝕みを゛によって前記ＰＮ接合部
を所望の面積幌限定すると共に前記島領域の発光面と前
記充填部とを実質的に同一平面としたことを特徴とする
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9652681U JPS583050U (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9652681U JPS583050U (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583050U true JPS583050U (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=29891376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9652681U Pending JPS583050U (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583050U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48103185A (ja) * | 1972-04-10 | 1973-12-25 | ||
| US3912556A (en) * | 1971-10-27 | 1975-10-14 | Motorola Inc | Method of fabricating a scannable light emitting diode array |
| JPS5141558A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-07 | Tokyo Keiso Kk | Shitsuryoryuryokei |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP9652681U patent/JPS583050U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3912556A (en) * | 1971-10-27 | 1975-10-14 | Motorola Inc | Method of fabricating a scannable light emitting diode array |
| JPS48103185A (ja) * | 1972-04-10 | 1973-12-25 | ||
| JPS5141558A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-07 | Tokyo Keiso Kk | Shitsuryoryuryokei |
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