JPS5829721A - テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 - Google Patents
テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法Info
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- JPS5829721A JPS5829721A JP12722481A JP12722481A JPS5829721A JP S5829721 A JPS5829721 A JP S5829721A JP 12722481 A JP12722481 A JP 12722481A JP 12722481 A JP12722481 A JP 12722481A JP S5829721 A JPS5829721 A JP S5829721A
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- tetrahydronaphthalene
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は式（Ｉｌで示される光学活性またはラセミの新
規テトラヒドロナフタレン誘導体ならびにその製造方法
に関するものである。
規テトラヒドロナフタレン誘導体ならびにその製造方法
に関するものである。
（式中、又 は水素または低級アμ岸ル基を表わし、Ｒ
２はメチル、ヒドロキシメｆｌＶハロメチル基を表わす
。） 式（Ｉｌで示される化合物は医農薬の中間体あるいは香
料の中間体として有用である。
２はメチル、ヒドロキシメｆｌＶハロメチル基を表わす
。） 式（Ｉｌで示される化合物は医農薬の中間体あるいは香
料の中間体として有用である。
たとえば Ｒ１がメチル基で、Ｒ２がメチル基の化合物
をアセチル化して得られる式＠）で示される化合物はじ
ゃ香の香りを有し、保留性、安定性に優れた香料となる
ことを見い出した。
をアセチル化して得られる式＠）で示される化合物はじ
ゃ香の香りを有し、保留性、安定性に優れた香料となる
ことを見い出した。
前記一般式（Ｉ）で示される新規光学活性またはラセミ
のテトラヒドロナフタレン誘導体は式（Ｉ［）で示され
る光学活性またはラセミのテトラヒドロナフチル酢酸誘
導体を還元することによって製（式中、鼠は水素または
低級アルキル基を表わす。） 式（Ｉ［）で示される化合物は本発明者らによって見い
出された方法によって合成することができる。
のテトラヒドロナフタレン誘導体は式（Ｉ［）で示され
る光学活性またはラセミのテトラヒドロナフチル酢酸誘
導体を還元することによって製（式中、鼠は水素または
低級アルキル基を表わす。） 式（Ｉ［）で示される化合物は本発明者らによって見い
出された方法によって合成することができる。
すなわち、式（Ｉ［）で示される光学活性またはラセミ
のテトラヒドロナフチル酢酸誘導体の製造方法に関して
本発明者らは４−（２−メチルプロベニ／Ｌ／）−５，
５−ジメチル−テトラヒドロ−２−フラノン、通称パイ
ロシンを７リーデＡ７−クラフッ触媒の存在下、芳香族
炭化水素と反応させることによっであるいはパイロシン
と芳香族炭化水素を酸触媒で反応させてラクトン誘導体
とし、次いでフリーデＡ／−クラフッ触媒下、処理する
ことによって製造できることを先に見い出した。この方
法は光学活性パイロシンを用いれば光学活性な式傳）で
示される化合物が得られる極めて特徴的な製造法である
。芳香族炭化水素としてはベンゼン、トルエン、プロピ
ルベンゼン、ブチルベンゼン等があげられる。反応式で
示せば以下の如くである。
のテトラヒドロナフチル酢酸誘導体の製造方法に関して
本発明者らは４−（２−メチルプロベニ／Ｌ／）−５，
５−ジメチル−テトラヒドロ−２−フラノン、通称パイ
ロシンを７リーデＡ７−クラフッ触媒の存在下、芳香族
炭化水素と反応させることによっであるいはパイロシン
と芳香族炭化水素を酸触媒で反応させてラクトン誘導体
とし、次いでフリーデＡ／−クラフッ触媒下、処理する
ことによって製造できることを先に見い出した。この方
法は光学活性パイロシンを用いれば光学活性な式傳）で
示される化合物が得られる極めて特徴的な製造法である
。芳香族炭化水素としてはベンゼン、トルエン、プロピ
ルベンゼン、ブチルベンゼン等があげられる。反応式で
示せば以下の如くである。
成用）で示される化合物から式（１）で示される化合物
を得る方法としては種々の方法がとられるが、例えばカ
ルボキシル基を還元して式（！−１）で示されるアルコ
ール体とする、またこれを式（Ｉ−２）で示されるハロ
ゲン化物に変換した後、再度還元する方法があげられる
。
を得る方法としては種々の方法がとられるが、例えばカ
ルボキシル基を還元して式（！−１）で示されるアルコ
ール体とする、またこれを式（Ｉ−２）で示されるハロ
ゲン化物に変換した後、再度還元する方法があげられる
。
（ＩＩ） （ｘ−４）
（Ｉ−２） （Ｉ’）ｈｖボキシ
ル基の還元方法としてはたとえば金属水素化物による方
法を挙げることができる。
ル基の還元方法としてはたとえば金属水素化物による方
法を挙げることができる。
金属水素化物としては水素化アルミニウムリチウム、水
素化アルミニウム、ジボラン等が用いられる。反応溶媒
は通常、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル系溶媒を用いる。
素化アルミニウム、ジボラン等が用いられる。反応溶媒
は通常、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル系溶媒を用いる。
反応温度は用いる溶媒の沸点以下で実施できるが、還元
剤として水素化アルミニウム、ジボランを用いる場合に
は一１０℃乃至２０℃でも反応は円滑に進行する。反応
を終了した液より水あるいは希塩酸等の酸で処理した後
、有機溶媒で抽出することによって、生成物を取得する
ことができる。
剤として水素化アルミニウム、ジボランを用いる場合に
は一１０℃乃至２０℃でも反応は円滑に進行する。反応
を終了した液より水あるいは希塩酸等の酸で処理した後
、有機溶媒で抽出することによって、生成物を取得する
ことができる。
カクシて得られた式（Ｉ−１”）のアルコール体をハロ
ゲン化する方法としては例えば、塩化チオニル、三塩化
リン、三臭化リン等を三級アミンの存在下に反応させる
方法が挙げられる。
ゲン化する方法としては例えば、塩化チオニル、三塩化
リン、三臭化リン等を三級アミンの存在下に反応させる
方法が挙げられる。
三級アミンとしてはピリジン、トリエチμアミン等が用
いられる。この際の反応溶媒はベンゼン、トルエン等の
芳香族炭化水素、クロロホルム、塩化メチレン等のノ１
０ゲン化炭化水素等が用いられる。反応温度は用いるノ
）ロゲン化剤により異なるが、通常は用いる溶媒の沸点
２．下で充分である。
いられる。この際の反応溶媒はベンゼン、トルエン等の
芳香族炭化水素、クロロホルム、塩化メチレン等のノ１
０ゲン化炭化水素等が用いられる。反応温度は用いるノ
）ロゲン化剤により異なるが、通常は用いる溶媒の沸点
２．下で充分である。
次に、かくして得られた式（Ｉ−２）のハロゲン化物を
水素化分解することにより式（■′）で示される光学活
性またはラセミのテトラヒドロナフタレン誘導体に導３
（ことができる。水素化分解方法としては金属水素化物
を用いる方法や接触水素化分解等の方法があげられる。
水素化分解することにより式（■′）で示される光学活
性またはラセミのテトラヒドロナフタレン誘導体に導３
（ことができる。水素化分解方法としては金属水素化物
を用いる方法や接触水素化分解等の方法があげられる。
金属水素化物としては水素化リチウムア／Ｉ／ミニウム
や水素化リチウムと水素化リチウムア／ｋｔニウムの組
合せによる方法顎ある。この場合、前記式（Ｉ−２）で
示される化合物をテトラヒドロフラン等のエーテル類に
溶解し、水素化リチウムアＨｚニウム等を加えて通常０
℃から用いる溶媒の沸点下で反応さゼればよも）。
や水素化リチウムと水素化リチウムア／ｋｔニウムの組
合せによる方法顎ある。この場合、前記式（Ｉ−２）で
示される化合物をテトラヒドロフラン等のエーテル類に
溶解し、水素化リチウムアＨｚニウム等を加えて通常０
℃から用いる溶媒の沸点下で反応さゼればよも）。
用いる水素化リチウムア／Ｌ’ミニウムの電番よ式（１
−２）のＡロゲン化物１モ／Ｌ／：こ対し、通常１
１ モルなは−モμから２
モμ、好ましく ｉｔ、 Ｔいし１モルである。水素化
リチウムと水素イヒリチウムア／Ｌ／ｌニウムの紹合せ
ｉこよる方法でＩよ式（Ｉ−２）のノ１０ゲン化物１モ
／Ｌ／ｉこ対し、水素化リチウムは１モμから２モル
水素イヒリチウＡ ７１Ｖ ｌニウムは０．１から０．
５ モｙｖ ノＩＩ 合”ｔ ｉ）’好適に用いられる
。
−２）のＡロゲン化物１モ／Ｌ／：こ対し、通常１
１ モルなは−モμから２
モμ、好ましく ｉｔ、 Ｔいし１モルである。水素化
リチウムと水素イヒリチウムア／Ｌ／ｌニウムの紹合せ
ｉこよる方法でＩよ式（Ｉ−２）のノ１０ゲン化物１モ
／Ｌ／ｉこ対し、水素化リチウムは１モμから２モル
水素イヒリチウＡ ７１Ｖ ｌニウムは０．１から０．
５ モｙｖ ノＩＩ 合”ｔ ｉ）’好適に用いられる
。
反応の進行はガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグ
ラフィー等の分析手段Ｉこよっテ知ルことができる。
ラフィー等の分析手段Ｉこよっテ知ルことができる。
生成物はそのままでも高純度である力（、必要によって
は蒸留等によりさら番こ精製することも可能である。
は蒸留等によりさら番こ精製することも可能である。
また、接麺５水素化分解法として番よ）（ラジウム、ニ
ッケル等の触媒の存在下、水素還元する方法があげられ
る。特に）（ラジウム系触媒を用（することにより好適
に反応は進行する。この場合、前記ハロゲン化物に対し
て約当モ！の塩基を存在させると反応は円滑に進行する
。塩基としてはアルカリ金属の有機酸塩（酢酸ナトリウ
ム、酢酸カリウム等）、有機三級アミン（トリエチμア
ミン、ピリジン等）あるいはアミド化合物（Ｎ、Ｎ−ジ
メ千ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチμホルムアミド等
）が好適に用いられる。
ッケル等の触媒の存在下、水素還元する方法があげられ
る。特に）（ラジウム系触媒を用（することにより好適
に反応は進行する。この場合、前記ハロゲン化物に対し
て約当モ！の塩基を存在させると反応は円滑に進行する
。塩基としてはアルカリ金属の有機酸塩（酢酸ナトリウ
ム、酢酸カリウム等）、有機三級アミン（トリエチμア
ミン、ピリジン等）あるいはアミド化合物（Ｎ、Ｎ−ジ
メ千ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチμホルムアミド等
）が好適に用いられる。
反応を行なうに際して本質的に本反応を阻害しない溶媒
で任意に稀釈して行なうことが好ましく、このような溶
媒としてはエタノ−μ、イソプロパノ−！、第三級ブタ
ノ−ｙなどのアルコール類やベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、テトラヒドロフランやジオキサンなど
のエーテル類が挙げられる。この還元反応に用いられる
パラジウム系触媒としては、非担持型、担持型いずれも
使用可能である。またそれらを粉末のまま使用してもよ
いし、適当な形及び大きさに成形して用いてもよい。非
担持型の触媒としてはたとえばパラジウムブラック、酸
化パラジウム、塩化パラジウムなどが用いられる。
で任意に稀釈して行なうことが好ましく、このような溶
媒としてはエタノ−μ、イソプロパノ−！、第三級ブタ
ノ−ｙなどのアルコール類やベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、テトラヒドロフランやジオキサンなど
のエーテル類が挙げられる。この還元反応に用いられる
パラジウム系触媒としては、非担持型、担持型いずれも
使用可能である。またそれらを粉末のまま使用してもよ
いし、適当な形及び大きさに成形して用いてもよい。非
担持型の触媒としてはたとえばパラジウムブラック、酸
化パラジウム、塩化パラジウムなどが用いられる。
担持型の触媒としては、たとえば種々の担持率のパラジ
ウム−炭、パラジウム−シリカ、バラレウムーアルミナ
などが用いられる。用いるパラジウム触媒の量は特に限
定されるものではないが、バッチ反応の場合、原料ハロ
ゲン化物１モルＪこ対して０．００１〜１当量、好まし
くは０．０１〜０．２当量である。
ウム−炭、パラジウム−シリカ、バラレウムーアルミナ
などが用いられる。用いるパラジウム触媒の量は特に限
定されるものではないが、バッチ反応の場合、原料ハロ
ゲン化物１モルＪこ対して０．００１〜１当量、好まし
くは０．０１〜０．２当量である。
還元反応に用いる水素は通常市販のものでよく、その使
用量は単に反応を完結させるという目的のために、化学
量論量以上あれば特に制限はなく、その圧力も常圧でも
反応は進行するが、反応を促進するために加圧する方法
もとられる。
用量は単に反応を完結させるという目的のために、化学
量論量以上あれば特に制限はなく、その圧力も常圧でも
反応は進行するが、反応を促進するために加圧する方法
もとられる。
通常は１５０気圧以下で充分である。還元反応温度は反
応を促進するために加温することが好ましいが、副反応
を抑制するためには１００℃以下好ましくは約 １０℃
から８０℃の範囲が適当である。
応を促進するために加温することが好ましいが、副反応
を抑制するためには１００℃以下好ましくは約 １０℃
から８０℃の範囲が適当である。
このようにして得られる式（Ｉ−１，２，Ｉ’）で示さ
れる化合物は文献米記載の新規化合物である。式ｆｉｌ
で示される光学活性なテトラヒドロナフチル酢酸誘導体
を用いた場合は、式（Ｉ−１，２、Ｉ’）で示される化
合物も光学活性体として得られる。
れる化合物は文献米記載の新規化合物である。式ｆｉｌ
で示される光学活性なテトラヒドロナフチル酢酸誘導体
を用いた場合は、式（Ｉ−１，２、Ｉ’）で示される化
合物も光学活性体として得られる。
以下、本発明を実施側番こより説明する。
実施例！
水素化リチウムアルミニウム１６．８ Ｆ （０，４４
２ｍｏｌ ）をテトラヒドロフラン２００−に懸濁させ
６０℃に昇温し、（Ｓ）−３−（力μボキシメチＮ”）
−１，１，４，４，６−ペンタメチ！−１，２，３，４
−テトラヒドロナフタレン（〔α〕、Ａ６＋２５．３°
（Ｃ−１、ベンゼン））７６．４ ｆ （０，２９４ｍ
ｏｌ ） （７） ｆトラヒトＴ：１７５７溶液を徐々
に滴下した。６０℃で２時間反応後、反応液を冷却し、
希塩酸を加えた。トルエン２００−で２回抽出し抽出液
を希塩酸、飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗
浄した。芒硝で乾燥後溶媒を留去し７０．５ ｆ（０，
２８７ｍｏｌ 、９７．５９Ｇ） （７） （Ｓ）−
３−（２−１＝ドロキシエチ／Ｉ／）ｓ ｔ １＃ ４
ｅ ４ｔ ６−ペンタメチ”＊２ｔ３＊４−テトラヒ
ドロナフタレンを得た。
２ｍｏｌ ）をテトラヒドロフラン２００−に懸濁させ
６０℃に昇温し、（Ｓ）−３−（力μボキシメチＮ”）
−１，１，４，４，６−ペンタメチ！−１，２，３，４
−テトラヒドロナフタレン（〔α〕、Ａ６＋２５．３°
（Ｃ−１、ベンゼン））７６．４ ｆ （０，２９４ｍ
ｏｌ ） （７） ｆトラヒトＴ：１７５７溶液を徐々
に滴下した。６０℃で２時間反応後、反応液を冷却し、
希塩酸を加えた。トルエン２００−で２回抽出し抽出液
を希塩酸、飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗
浄した。芒硝で乾燥後溶媒を留去し７０．５ ｆ（０，
２８７ｍｏｌ 、９７．５９Ｇ） （７） （Ｓ）−
３−（２−１＝ドロキシエチ／Ｉ／）ｓ ｔ １＃ ４
ｅ ４ｔ ６−ペンタメチ”＊２ｔ３＊４−テトラヒ
ドロナフタレンを得た。
〔α３ −ｓ、ｉｏ（Ｃ＝０．６２、エタノ−／Ｉ／
）５４１゜ ｚ、ｚｒ １．４４ ＃ １．９７ （５Ｈａ ｍ）、４＝ｆ＋＠
＋（３Ｈ＃ Ｉ ）、３．１７（ＩＨ，ｌ）、３．４４
〜３．７５ （２Ｈ、ｍ）、６．７３〜７．３０ （３
Ｈ、ｔＥｍ ）実施例２ ト１−３− （力！ボキシメチ／Ｌ’）−１，１゜４．
４．６−ペンタメチ／Ｉ／−１．２，３．４−テトラヒ
ドロナ７タレン（〔α］、６−２４．１゜（Ｃ−１、ベ
ンゼン））を用いて実施例１と同様に行ない（Ｒ）−３
−（２−ヒドロキシエチ／Ｌ／） −１ｅ ｔ ＃ ４
＃ ４ 、 ｅ−ペンタメチ〜−１，２，３，４−テ
トラヒドロナフタレンを得た。
）５４１゜ ｚ、ｚｒ １．４４ ＃ １．９７ （５Ｈａ ｍ）、４＝ｆ＋＠
＋（３Ｈ＃ Ｉ ）、３．１７（ＩＨ，ｌ）、３．４４
〜３．７５ （２Ｈ、ｍ）、６．７３〜７．３０ （３
Ｈ、ｔＥｍ ）実施例２ ト１−３− （力！ボキシメチ／Ｌ’）−１，１゜４．
４．６−ペンタメチ／Ｉ／−１．２，３．４−テトラヒ
ドロナ７タレン（〔α］、６−２４．１゜（Ｃ−１、ベ
ンゼン））を用いて実施例１と同様に行ない（Ｒ）−３
−（２−ヒドロキシエチ／Ｌ／） −１ｅ ｔ ＃ ４
＃ ４ 、 ｅ−ペンタメチ〜−１，２，３，４−テ
トラヒドロナフタレンを得た。
［α］ ＋ ８．３’ （ｃｗｏ、９６５、エタノ
−ｆｉ／）４６ ＮＭＲスペクトルは実施例１のものと同じであった。
−ｆｉ／）４６ ＮＭＲスペクトルは実施例１のものと同じであった。
実施例３
）／Ｌ’！／７００ ｐｊｃ（！１）−ａ−（２−？：
）’ロ４シエチ／Ｉ／）−１，１，４，４，６−ペン
タメチ／’ １ ｓ ２ ＊ ３＊ ’−テトラヒドロ
ナフタレン（［α］ −５Ｊ （Ｃ＝Ｏ＠６２、
エタノール））４６ ７０．５ Ｆ （０，２８７ｍｏｌ ）を溶解しピリジ
７２５．Ｏｆ （０，３１６ｍｏｌ ）を加えた。 ０
℃に冷却し塩化チオニ／Ｌ／ ４１．ＯＦ （０，３４
５ｍｏｔ ）を滴下り、ｔ。
）’ロ４シエチ／Ｉ／）−１，１，４，４，６−ペン
タメチ／’ １ ｓ ２ ＊ ３＊ ’−テトラヒドロ
ナフタレン（［α］ −５Ｊ （Ｃ＝Ｏ＠６２、
エタノール））４６ ７０．５ Ｆ （０，２８７ｍｏｌ ）を溶解しピリジ
７２５．Ｏｆ （０，３１６ｍｏｌ ）を加えた。 ０
℃に冷却し塩化チオニ／Ｌ／ ４１．ＯＦ （０，３４
５ｍｏｔ ）を滴下り、ｔ。
滴下終了後６０℃で５時間反応させた後冷却し、希塩酸
、飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。
、飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。
芒硝で乾燥後濃縮、蒸留し４６．５ ｆ （０，１７６
ｍｏｌ、６１１Ｇ） の（Ｓ）−３−（２−クロロエ
チ／Ｌ’）−１，１，４，４，６−ペンタメチ１ｖ−１
，２，３，４−テトラヒト付ナフタレンを得た。
ｍｏｌ、６１１Ｇ） の（Ｓ）−３−（２−クロロエ
チ／Ｌ’）−１，１，４，４，６−ペンタメチ１ｖ−１
，２，３，４−テトラヒト付ナフタレンを得た。
０、ｌ３
ｂｐ −１０６〜１０７℃
〔α） −３３，４” （Ｃ＝１．２、エタノ−／
Ｌ／）４６ ＮＭＲスペクト／ｌ／ （ｃｃｚ４）δ （ｐｐｍ）
＝ １．ｏｅ（３Ｈ，ｌ）、１．２３ （３Ｈ、Ｉ ）
、１．２７（３Ｈ。
Ｌ／）４６ ＮＭＲスペクト／ｌ／ （ｃｃｚ４）δ （ｐｐｍ）
＝ １．ｏｅ（３Ｈ，ｌ）、１．２３ （３Ｈ、Ｉ ）
、１．２７（３Ｈ。
＄）、１．３２ （３Ｂ 、 ｓ ）、１．４５〜１．
９８（５Ｈ。
９８（５Ｈ。
ｍ）、２．２８（３ＨＩｌ）、３．４９〜３．７５
（２Ｈ、ｍ）、６．７９〜７．２３（３Ｈ，Ｉｎ）実施
例４ ト）−３−（２−ヒドロキシエチｆｉ／）−１゜１．４
，４．６−ペンタメチμｍ１．２，３゜４？テトラヒド
ロナフタレンを用いて実施例３と同様に行ない（ＩＬ）
−３−（２−クロロエチ／’）＊−１＊１．４．４．
６−ペンタメチル−１，２，３，４−テトラヒト付ナフ
タレンを得た。
（２Ｈ、ｍ）、６．７９〜７．２３（３Ｈ，Ｉｎ）実施
例４ ト）−３−（２−ヒドロキシエチｆｉ／）−１゜１．４
，４．６−ペンタメチμｍ１．２，３゜４？テトラヒド
ロナフタレンを用いて実施例３と同様に行ない（ＩＬ）
−３−（２−クロロエチ／’）＊−１＊１．４．４．
６−ペンタメチル−１，２，３，４−テトラヒト付ナフ
タレンを得た。
ｂｐ 、ＮＭＲスペクトルは実施例３のものと同じであ
った。
った。
（”］、、 十３３．１’ （Ｃ＝−” １．１、工
ｐ、ｐ−／ｌ／）実施例５ 水素化リチウムアルミニウム６．５ Ｆ （０，１７１
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００−に懸濁させ、（
＄ｌ−３−（２−りａｏｘチｆｖ）−ｔ、１゜４．４，
６−ベンタメチ／’−１，１３，４のテトラヒドロフラ
ン溶液を滴下した。
ｐ、ｐ−／ｌ／）実施例５ 水素化リチウムアルミニウム６．５ Ｆ （０，１７１
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００−に懸濁させ、（
＄ｌ−３−（２−りａｏｘチｆｖ）−ｔ、１゜４．４，
６−ベンタメチ／’−１，１３，４のテトラヒドロフラ
ン溶液を滴下した。
１２時間加熱還流後冷却し、希塩酸で処理後ｍ−ヘキサ
ンで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、芒硝で乾
燥し、濃縮蒸留して３７、ＯＦ （０，１６１ｍｏｌ
、 ９４ ％ ）の（’）−３−エチル−１，１，４，
４，６−ペンタメチル−１，２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレンを得た。
ンで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、芒硝で乾
燥し、濃縮蒸留して３７、ＯＦ （０，１６１ｍｏｌ
、 ９４ ％ ）の（’）−３−エチル−１，１，４，
４，６−ペンタメチル−１，２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレンを得た。
ｂ Ｏ，ｔに ＝＋＋＋ ｖ ９〜８０℃［α］
、−２，２＠（Ｃ＝０．９５ 、エタノ−り！Ｌ
＋乙 ＮＭＲスペクトｉｖ （ＣＣＪ、 ） δ （ＰＰＩ
ｎ） −１，００（３ｉｉ、ｔ）、１．０２（３Ｈ，ｉ
）、１．１９ （３Ｈ。
、−２，２＠（Ｃ＝０．９５ 、エタノ−り！Ｌ
＋乙 ＮＭＲスペクトｉｖ （ＣＣＪ、 ） δ （ＰＰＩ
ｎ） −１，００（３ｉｉ、ｔ）、１．０２（３Ｈ，ｉ
）、１．１９ （３Ｈ。
Ｓ）、１．２７（６Ｈ，ｌ）、１．４３〜１．８０（５
Ｈ，ｍ）、２．２３（３Ｈ，ｌ）、６．６０〜７．０８
（３Ｈ、ｍ ） 実施例６ ト）−３−（２−クロロエチル）−１、１。
Ｈ，ｍ）、２．２３（３Ｈ，ｌ）、６．６０〜７．０８
（３Ｈ、ｍ ） 実施例６ ト）−３−（２−クロロエチル）−１、１。
４．４．６−ベ７タメチ１ｖ−１．２，３．４−テトラ
ヒドロナフタレンを用い実施例５と同様番ζ行ない（５
１−３−エチｗ−１，１，４ｔ４．６−ペンタメチ／Ｉ
／−１＊２ａ９ｍ４−テトラヒドロナフタレンを得た。
ヒドロナフタレンを用い実施例５と同様番ζ行ない（５
１−３−エチｗ−１，１，４ｔ４．６−ペンタメチ／Ｉ
／−１＊２ａ９ｍ４−テトラヒドロナフタレンを得た。
ｂｐ、ＮＭＲスペクトルは実施例５のものと同じであっ
た。
た。
〔α〕−２，０’（Ｃ＝１．１．エタノ−／Ｌ／）４６
参考例１
１．２−ジクロルエタン１００−に四−３−エチ／’−
１．１，４，４．６−ペンタメチｐ−１，２，３，４−
テトラヒドロナフタレン（０，１７４ｍｏｌ ）を溶解
させ、２０℃で無水塩化アルミニウム２５．３ Ｆ （
０，１９０ｍｏｌ ）を加え、１時間反応させた。水冷
下希塩酸で処理した後、有機層を希塩酸、飽和炭酸ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。芒硝で乾燥後、
濃縮蒸留し４１．５ Ｆ （０，１５３ｍｏｌ 、 ９
６％） ノド）−７−アセチル−３−エチｙｖ−１，Ｌ
４ｔ４．６−ペンタメチ／Ｌ／−１，２，３，４−テト
ラヒドロナフタレンを得た。
１．１，４，４．６−ペンタメチｐ−１，２，３，４−
テトラヒドロナフタレン（０，１７４ｍｏｌ ）を溶解
させ、２０℃で無水塩化アルミニウム２５．３ Ｆ （
０，１９０ｍｏｌ ）を加え、１時間反応させた。水冷
下希塩酸で処理した後、有機層を希塩酸、飽和炭酸ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。芒硝で乾燥後、
濃縮蒸留し４１．５ Ｆ （０，１５３ｍｏｌ 、 ９
６％） ノド）−７−アセチル−３−エチｙｖ−１，Ｌ
４ｔ４．６−ペンタメチ／Ｌ／−１，２，３，４−テト
ラヒドロナフタレンを得た。
ｂＰｏ、ｌ ＝ １２０℃
［α］ −４６，１°（Ｃ悶０．９７ 、エタノー
ル）３乙Ｖ ＮＭＲＸ ヘク） ｉｖ （ＣＣＪ４）δ （ｐｐｍ）
＝ ｔ、ｏｔ（３Ｈ１ｔ）、１．０４（３Ｈ，ｌ）、
１．２３（３Ｈ。
ル）３乙Ｖ ＮＭＲＸ ヘク） ｉｖ （ＣＣＪ４）δ （ｐｐｍ）
＝ ｔ、ｏｔ（３Ｈ１ｔ）、１．０４（３Ｈ，ｌ）、
１．２３（３Ｈ。
−）、１．３１（６Ｈ，＠）、１．４６〜１−１−９３
（５Ｈ１，２，４１（３Ｈ，ｌ）、２．４４（３Ｈ，Ｉ
）、７．０３（ＩＨ，Ｓ）、７．５３ （ｌＨ、ｓ ）
、参考例２ （８１−３−エチ／Ｉ／−１．１，４，４．６−ペンタ
メチ／ｌ’−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン
（〔α］ −１，２°（Ｃ−１，１，エリｑＡ タノー／ｌ／））を用いて参考例１と同様に行ない（Ｓ
ｌ−７−アセチ／ｌ／−３−エチル−１，１゜４．４．
６−ベンタメチ／Ｌ／−１．２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレンを得た。
（５Ｈ１，２，４１（３Ｈ，ｌ）、２．４４（３Ｈ，Ｉ
）、７．０３（ＩＨ，Ｓ）、７．５３ （ｌＨ、ｓ ）
、参考例２ （８１−３−エチ／Ｉ／−１．１，４，４．６−ペンタ
メチ／ｌ’−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン
（〔α］ −１，２°（Ｃ−１，１，エリｑＡ タノー／ｌ／））を用いて参考例１と同様に行ない（Ｓ
ｌ−７−アセチ／ｌ／−３−エチル−１，１゜４．４．
６−ベンタメチ／Ｌ／−１．２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレンを得た。
ｂｐ、ＮＭＲスペクトルは参考例１のものと同じであっ
た。
た。
［α］ ＋４５．４°（Ｃ圏１、エタノ−ｆｉ／）
′３６（ 特許出願人 住友化学工業株式会社
′３６（ 特許出願人 住友化学工業株式会社
Claims (2)
- （１）式（Ｉｌで示される光学活性またはラセミのテト
ラヒドロナフタレン誘導体。 （式中 Ｒ１は水素または低級アルキル基を表わし Ｒ
２はメチ〜、ヒドロキシメチル、ハリメチル基を表わす
。） - （２） 式叫で示される光学活性またはラセミのテト
ラヒドロナフチル酢酸誘導体を還元する仁とを特徴とす
る式（Ｉ５で示される光学活性またはラセミのテトラヒ
ドロナフタレン誘導体の製造方法。 （式中、ｋは水素または低級アルキル基を表わす。） （式中、Ｋは水素または低級アルキル基を表わす。）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12722481A JPS5829721A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 |
| EP82105071A EP0071006B1 (en) | 1981-06-11 | 1982-06-09 | Tetrahydronaphthalene derivatives and their production |
| DE8282105071T DE3266350D1 (en) | 1981-06-11 | 1982-06-09 | Tetrahydronaphthalene derivatives and their production |
| US06/902,063 US4767882A (en) | 1981-06-11 | 1986-08-26 | Tetrahydronaphthalene derivatives and their production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12722481A JPS5829721A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829721A true JPS5829721A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6316365B2 JPS6316365B2 (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=14954795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12722481A Granted JPS5829721A (ja) | 1981-06-11 | 1981-08-12 | テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829721A (ja) |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12722481A patent/JPS5829721A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316365B2 (ja) | 1988-04-08 |
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