JPS5828841A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS5828841A
JPS5828841A JP12681781A JP12681781A JPS5828841A JP S5828841 A JPS5828841 A JP S5828841A JP 12681781 A JP12681781 A JP 12681781A JP 12681781 A JP12681781 A JP 12681781A JP S5828841 A JPS5828841 A JP S5828841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
mold
insertion groove
resin
tapes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12681781A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimasa Kudo
工藤 好正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12681781A priority Critical patent/JPS5828841A/ja
Publication of JPS5828841A publication Critical patent/JPS5828841A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14336Coating a portion of the article, e.g. the edge of the article
    • B29C45/14418Sealing means between mould and article

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、樹脂封+1−2G!!半’rjQ体装置の
製造方法に関し、更に詳細には樹脂封止型半導体装置の
封11一方法に関するものである。
D I I)タイプパッケージ方式による樹脂封止型半
導体装置の製造工程に於ては、まずグイボンディング工
程で第1図及び第2図に示すようにリードフレーム枠体
1の中心部のベッド2上にICチップ3を固着した後、
ワイヤボンディング工程でボンディングワイヤ4をベッ
ド2の周囲のリードフレーム5とICチップ3とにワイ
ヤボンディングして半導体装置の未成品を作り、ついで
封止工」?11に於て第3図に示すようにICチップ6
とその周囲のリードフレーム5の中心部とを金型6,7
のキャビティ8内に収容して該キャビティ8内に樹脂を
注型して樹脂モールド部9を成形して完成する。
このような半導体装置の製造工程に於て、従来、1ff
J 脂%−ルド部9の外周部にリードフレーム5に沿っ
て°′バリ″′10が発生することが多く、この□“バ
リ″′により半導体装置完成品の外観が悪く々るという
問題があった。このパバIJ”10は第4図に示すよう
に上、斗の金型の型合せ面11 、12に形成されてい
るリードフレーム挿通溝16の断面形状とリードフレー
l、5の断面形状とが一致しないために生ずるものであ
って、樹脂モールF部9の成形時にリードフレーム挿通
溝16とリードフレーノ・5の外面との間の微小間隙を
通−1て金11リキ、2ビテイ8内から樹脂がギヤビテ
ィタ)へ漏洩するととに基因するものである。従って、
これを防止するためには、リードフレーム5の横断面形
状及び横断面寸法が金型のリードフレーム挿通溝16の
それに等しいことが望ましいのであるが、一般にり一ト
フレーム5の横断面寸法や形状N: !J −トフレー
ム5の加工方法に応じて変化するため、−5jシにする
ことは困難である。例えば、第5図(a)は両面工、ッ
チングによって成形したリードフレーム、の117+断
面形状を、第5しI(1))は片面エツチングによって
成形したリードフレームの横断面形状を、第51=:/
1(c)はプレス(打抜)加工によって成形し/こリー
ドフレームの横断面形状を、それぞれ示している。
一方、前記の如き“°バリ”の発生原因としては、3− 金バ1!のリードフレーム挿通溝16の(1へ断面形状
及び4、、l、li断面寸法とリードフレーノ、5の横
断面形状及び横断面寸法との相異ばかりでなく、金型の
型合せ面の経年摩耗による平坦度低下や型締め圧力の不
足なども考えられるが、本発明者の実験によれば、型締
め圧力の増加や金型の型合せ面の再研削等の手段は前記
“バリ″′の発生を完全に阻止しうるものではないこと
が判明している。
この発明は、前記の如き小情を考慮してなされたもので
、この発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の封」に工
程に於て樹脂モールド部周縁にIJ−ドフレームに沿っ
て生じる゛バリ″の発生を完全に防止することのできる
、樹脂封止型半導体装置の製迅方法を提供することにあ
る。
この発明の方法は、要約すれば、次の通りである。即ち
、本発明の方法は、Jζ1止工程に於て金型ギャビティ
の周縁部に沿ってリードフレームと交差するように可圧
縮性の絶縁接着テープを配し、型締め時に該テープが金
型のリードフレーム挿通溝にリードフレームとともに押
し適寸れることに4− よって該テープで該リードフレーム挿通’(tr;をシ
ールし、その結果、該ギャビティ内から該リードフレー
ム挿通溝を通って外部へ漏洩ぜんとする樹脂を該ギャビ
ティ内に完全に密」」するととを71.+1′徴とする
次に第6図乃至第9図を参照してこの発明の実施例につ
いて説明するが、各図に於て第1図乃至第4図と同−符
−号で表示された部分は既に説明したものを表わずから
、これらの同一部分についての説明を省略する。
本発明の方法は、封止工程に於て主として金71.lj
O型合せ面のリードフレーム挿通溝における樹脂漏洩を
防止するようにしたことを特徴とするもので、第6図乃
至第8図に示すように型締め前に型合せ面11.12の
リードフl/−〕、挿通溝16を横jJJってリードフ
レーム5の上下に可圧縮性絶縁テープ14 、15を配
し、型締め時に該テープ14.15をリードフレーム5
の外周に接着させると同時に金型のリードフレーム挿通
溝16内に該テープ14.15を圧入させて該リードフ
レーム挿通fM−13とり−トフレーノ、5との間の微
小間隙を完全にシールする。型締め時には、第9図に示
すように該テープ14 、15が型締め圧力によって圧
縮変形してどんな微小間隙にも該テープが入り込むので
、リードフレーム5の横断面形状が第5図(a)〜第5
図(C)に示すように金型のリードフレーム挿通溝16
の形状と一致しないものであっても該挿通溝13は完全
にシールされる。才だ、該テープ14 、15は可圧縮
性であるため、それに作用する外圧に応じて圧縮され、
従ってリードフレーム挿通溝13以外の型合せ面に於て
はそこに作用する型締め圧力に応じて変形して型合せ面
間の間隙をシールすることができる。
本発明方法の実施のために使用されるテープ14゜15
は例えばポリイミド樹脂製で厚さが0.05〜0.17
mmのものであり、弾性的な可圧縮性はあっても可塑性
のないことが望ましい。また、該テープの片面には、エ
ポキシ樹脂系接着剤かシリコーン系接着剤を塗布してお
き、該テープとリードフレーム5の外面とを強固に接着
させるとともにリードフレームの周囲からの樹脂漏洩を
防止する。
該テープ14.15の設置位置1qll5、八′)10
図に小すようにモールI・部9の周縁からやや夕1側に
f加17115位置であってもよいが、第11図に示す
」2うに−T:−ルド部9のり1周縁からやや内側に入
り込んだ0’を置であってもよい。
以トのように、本発明によりI:J: 、モールド部り
1周縁に″ハリ″′を生じさぜることのない゛l′i!
i体装置の製造力θ、か提供される。
なお、実MIL例に於ては、I)1.1−’タイプの樹
脂モールド型半・1j体装置の製造力/)、のみについ
て説明されているが、本発明の方法0士プラスチ、クバ
、ケージのオip7体装置ならばI) I ]?タイプ
以夕1にも適Jrlできるとと杭1勿論である1、
【図面の簡単な説明】
第1図Q丁]公知の樹脂封1.’1JQI、l半ノ、r
)休↓・し置のlt、1市前の)[z面図、第2図は第
11’Xl (1) It−II 矢rLl!断面M、
第6図は第1図の半1.■η体装置の旧市I: 4’、
’に、13・Uる縦断面[ツ1、第4図は第6図のIV
 −IV矢祝断面図、第5図1l−1,神々の加ユ「法
によって成形さね/l ’J −l・フレーノ、の横断
面形状の[イ・11を小し/(1図、、;、(−6図は
この発明の方法を実施する際のテープの設置位置と封止
用金型の関係を示すイ面図、第7図は第6図]■l −
■l矢祝断面図、第8[”211、第7 図)■11−
1’l11矢祝断面図、第9図は型締め時における型合
せ面の横断面図、第10図及び第11図はテープ設置位
置の例を示す説明図である。 1・・・リードフレーl、枠体、2・・・ベッド、6・
・・ICチップ、4・・・ボンティングワイヤ、5・・
・リードフレーム、6,7・・・金型、8・・・キャビ
ティ、9・・・樹脂モールド部、10・・・パリ、11
,12・・・型合ぜ面、13・・・リードフレーム挿通
溝、14.15・・・絶縁テープ。 特W「出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人   弁理士 諸田莢二 第1図 第2図 第3図 / 8   ゛ 第4図 3 第5図 第8図 7’           !D     Ij第10
口 第11図 ^

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 リードフレームを有する樹脂」1市型半うリ′体装
    置の製造方法であって、前記゛1′導体装置の封止工程
    に於て金型の型合ぜ面に形成されているリードフレーム
    挿通(11I′を横断して前記金型のキャヒティ周縁部
    に沿って1丁圧縮性の絶縁テープを配し、前記金型のJ
    1i14締め時に前記テープを前記リードフレームの外
    周に接着させると同時に前記テープを前M12’Jl・
    〕〕1/−ム挿通に押込むことにより前記リードフレー
    ムと前記リードフレーム挿通溝との間の微小間隙を前記
    テープによって完全に密封して前記半導体装置の樹脂モ
    =ルト部周縁における“バリ°″の発生を防11シたこ
    とをt11i徴とする、樹脂」N止壁\1′導体装置の
    製造方法。
JP12681781A 1981-08-14 1981-08-14 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS5828841A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12681781A JPS5828841A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12681781A JPS5828841A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5828841A true JPS5828841A (ja) 1983-02-19

Family

ID=14944682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12681781A Pending JPS5828841A (ja) 1981-08-14 1981-08-14 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5828841A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5098863A (en) * 1990-11-29 1992-03-24 Intel Corporation Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages
US5106784A (en) * 1987-04-16 1992-04-21 Texas Instruments Incorporated Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit
US5229329A (en) * 1991-02-28 1993-07-20 Texas Instruments, Incorporated Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits
US5258331A (en) * 1989-10-20 1993-11-02 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars
EP0657922A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Hitachi, Ltd. A packaged semiconductor device and method of its manufacture
EP0683518A2 (en) 1994-05-16 1995-11-22 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device
EP0685875A3 (en) * 1994-06-02 1996-11-20 At & T Corp Sealing form.

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106784A (en) * 1987-04-16 1992-04-21 Texas Instruments Incorporated Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit
US5258331A (en) * 1989-10-20 1993-11-02 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars
US5098863A (en) * 1990-11-29 1992-03-24 Intel Corporation Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages
US5229329A (en) * 1991-02-28 1993-07-20 Texas Instruments, Incorporated Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits
EP0657922A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Hitachi, Ltd. A packaged semiconductor device and method of its manufacture
EP0683518A2 (en) 1994-05-16 1995-11-22 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device
US5637914A (en) * 1994-05-16 1997-06-10 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin
EP0685875A3 (en) * 1994-06-02 1996-11-20 At & T Corp Sealing form.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100198685B1 (ko) 반도체 장치 제조방법 및 그 몰드 어셈블리
JPH065746A (ja) 集積回路装置用のヒートシンクを有するプラスチックモールドパッケージ
JPS5828841A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4489791B2 (ja) Qfnパッケージ
KR890004819B1 (ko) 수지봉합형 반도체장치의 제조방법
JPS637029B2 (ja)
JP3422936B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
TW587002B (en) Mold
JP2008258541A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2010118712A (ja) Qfnパッケージの製造方法
JPS639140A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS62165348A (ja) 半導体装置
JPH0214555A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US7998794B2 (en) Resin molded semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3250277B2 (ja) 半導体装置
JPS5812736B2 (ja) ジユシフウシガタハンドウタイソウチ
JPS5929443A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2006310537A (ja) 半導体装置
JPH0318046A (ja) 半導体装置
JP2616685B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH04106963A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0745663A (ja) 放熱体付半導体装置及びその製造方法
JPH1022407A (ja) 半導体装置のリードフレーム、箱型中空樹脂成形金型及びこれらを用いた半導体装置の製造方法
JPS635912B2 (ja)
JPS61150247A (ja) 樹脂封止型半導体装置