JPS5828841A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5828841A JPS5828841A JP12681781A JP12681781A JPS5828841A JP S5828841 A JPS5828841 A JP S5828841A JP 12681781 A JP12681781 A JP 12681781A JP 12681781 A JP12681781 A JP 12681781A JP S5828841 A JPS5828841 A JP S5828841A
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- Japan
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- lead frame
- mold
- insertion groove
- resin
- tapes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14336—Coating a portion of the article, e.g. the edge of the article
- B29C45/14418—Sealing means between mould and article
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、樹脂封+1−2G!!半’rjQ体装置の
製造方法に関し、更に詳細には樹脂封止型半導体装置の
封11一方法に関するものである。
製造方法に関し、更に詳細には樹脂封止型半導体装置の
封11一方法に関するものである。
D I I)タイプパッケージ方式による樹脂封止型半
導体装置の製造工程に於ては、まずグイボンディング工
程で第1図及び第2図に示すようにリードフレーム枠体
1の中心部のベッド2上にICチップ3を固着した後、
ワイヤボンディング工程でボンディングワイヤ4をベッ
ド2の周囲のリードフレーム5とICチップ3とにワイ
ヤボンディングして半導体装置の未成品を作り、ついで
封止工」?11に於て第3図に示すようにICチップ6
とその周囲のリードフレーム5の中心部とを金型6,7
のキャビティ8内に収容して該キャビティ8内に樹脂を
注型して樹脂モールド部9を成形して完成する。
導体装置の製造工程に於ては、まずグイボンディング工
程で第1図及び第2図に示すようにリードフレーム枠体
1の中心部のベッド2上にICチップ3を固着した後、
ワイヤボンディング工程でボンディングワイヤ4をベッ
ド2の周囲のリードフレーム5とICチップ3とにワイ
ヤボンディングして半導体装置の未成品を作り、ついで
封止工」?11に於て第3図に示すようにICチップ6
とその周囲のリードフレーム5の中心部とを金型6,7
のキャビティ8内に収容して該キャビティ8内に樹脂を
注型して樹脂モールド部9を成形して完成する。
このような半導体装置の製造工程に於て、従来、1ff
J 脂%−ルド部9の外周部にリードフレーム5に沿っ
て°′バリ″′10が発生することが多く、この□“バ
リ″′により半導体装置完成品の外観が悪く々るという
問題があった。このパバIJ”10は第4図に示すよう
に上、斗の金型の型合せ面11 、12に形成されてい
るリードフレーム挿通溝16の断面形状とリードフレー
l、5の断面形状とが一致しないために生ずるものであ
って、樹脂モールF部9の成形時にリードフレーム挿通
溝16とリードフレーノ・5の外面との間の微小間隙を
通−1て金11リキ、2ビテイ8内から樹脂がギヤビテ
ィタ)へ漏洩するととに基因するものである。従って、
これを防止するためには、リードフレーム5の横断面形
状及び横断面寸法が金型のリードフレーム挿通溝16の
それに等しいことが望ましいのであるが、一般にり一ト
フレーム5の横断面寸法や形状N: !J −トフレー
ム5の加工方法に応じて変化するため、−5jシにする
ことは困難である。例えば、第5図(a)は両面工、ッ
チングによって成形したリードフレーム、の117+断
面形状を、第5しI(1))は片面エツチングによって
成形したリードフレームの横断面形状を、第51=:/
1(c)はプレス(打抜)加工によって成形し/こリー
ドフレームの横断面形状を、それぞれ示している。
J 脂%−ルド部9の外周部にリードフレーム5に沿っ
て°′バリ″′10が発生することが多く、この□“バ
リ″′により半導体装置完成品の外観が悪く々るという
問題があった。このパバIJ”10は第4図に示すよう
に上、斗の金型の型合せ面11 、12に形成されてい
るリードフレーム挿通溝16の断面形状とリードフレー
l、5の断面形状とが一致しないために生ずるものであ
って、樹脂モールF部9の成形時にリードフレーム挿通
溝16とリードフレーノ・5の外面との間の微小間隙を
通−1て金11リキ、2ビテイ8内から樹脂がギヤビテ
ィタ)へ漏洩するととに基因するものである。従って、
これを防止するためには、リードフレーム5の横断面形
状及び横断面寸法が金型のリードフレーム挿通溝16の
それに等しいことが望ましいのであるが、一般にり一ト
フレーム5の横断面寸法や形状N: !J −トフレー
ム5の加工方法に応じて変化するため、−5jシにする
ことは困難である。例えば、第5図(a)は両面工、ッ
チングによって成形したリードフレーム、の117+断
面形状を、第5しI(1))は片面エツチングによって
成形したリードフレームの横断面形状を、第51=:/
1(c)はプレス(打抜)加工によって成形し/こリー
ドフレームの横断面形状を、それぞれ示している。
一方、前記の如き“°バリ”の発生原因としては、3−
金バ1!のリードフレーム挿通溝16の(1へ断面形状
及び4、、l、li断面寸法とリードフレーノ、5の横
断面形状及び横断面寸法との相異ばかりでなく、金型の
型合せ面の経年摩耗による平坦度低下や型締め圧力の不
足なども考えられるが、本発明者の実験によれば、型締
め圧力の増加や金型の型合せ面の再研削等の手段は前記
“バリ″′の発生を完全に阻止しうるものではないこと
が判明している。
及び4、、l、li断面寸法とリードフレーノ、5の横
断面形状及び横断面寸法との相異ばかりでなく、金型の
型合せ面の経年摩耗による平坦度低下や型締め圧力の不
足なども考えられるが、本発明者の実験によれば、型締
め圧力の増加や金型の型合せ面の再研削等の手段は前記
“バリ″′の発生を完全に阻止しうるものではないこと
が判明している。
この発明は、前記の如き小情を考慮してなされたもので
、この発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の封」に工
程に於て樹脂モールド部周縁にIJ−ドフレームに沿っ
て生じる゛バリ″の発生を完全に防止することのできる
、樹脂封止型半導体装置の製迅方法を提供することにあ
る。
、この発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の封」に工
程に於て樹脂モールド部周縁にIJ−ドフレームに沿っ
て生じる゛バリ″の発生を完全に防止することのできる
、樹脂封止型半導体装置の製迅方法を提供することにあ
る。
この発明の方法は、要約すれば、次の通りである。即ち
、本発明の方法は、Jζ1止工程に於て金型ギャビティ
の周縁部に沿ってリードフレームと交差するように可圧
縮性の絶縁接着テープを配し、型締め時に該テープが金
型のリードフレーム挿通溝にリードフレームとともに押
し適寸れることに4− よって該テープで該リードフレーム挿通’(tr;をシ
ールし、その結果、該ギャビティ内から該リードフレー
ム挿通溝を通って外部へ漏洩ぜんとする樹脂を該ギャビ
ティ内に完全に密」」するととを71.+1′徴とする
。
、本発明の方法は、Jζ1止工程に於て金型ギャビティ
の周縁部に沿ってリードフレームと交差するように可圧
縮性の絶縁接着テープを配し、型締め時に該テープが金
型のリードフレーム挿通溝にリードフレームとともに押
し適寸れることに4− よって該テープで該リードフレーム挿通’(tr;をシ
ールし、その結果、該ギャビティ内から該リードフレー
ム挿通溝を通って外部へ漏洩ぜんとする樹脂を該ギャビ
ティ内に完全に密」」するととを71.+1′徴とする
。
次に第6図乃至第9図を参照してこの発明の実施例につ
いて説明するが、各図に於て第1図乃至第4図と同−符
−号で表示された部分は既に説明したものを表わずから
、これらの同一部分についての説明を省略する。
いて説明するが、各図に於て第1図乃至第4図と同−符
−号で表示された部分は既に説明したものを表わずから
、これらの同一部分についての説明を省略する。
本発明の方法は、封止工程に於て主として金71.lj
O型合せ面のリードフレーム挿通溝における樹脂漏洩を
防止するようにしたことを特徴とするもので、第6図乃
至第8図に示すように型締め前に型合せ面11.12の
リードフl/−〕、挿通溝16を横jJJってリードフ
レーム5の上下に可圧縮性絶縁テープ14 、15を配
し、型締め時に該テープ14.15をリードフレーム5
の外周に接着させると同時に金型のリードフレーム挿通
溝16内に該テープ14.15を圧入させて該リードフ
レーム挿通fM−13とり−トフレーノ、5との間の微
小間隙を完全にシールする。型締め時には、第9図に示
すように該テープ14 、15が型締め圧力によって圧
縮変形してどんな微小間隙にも該テープが入り込むので
、リードフレーム5の横断面形状が第5図(a)〜第5
図(C)に示すように金型のリードフレーム挿通溝16
の形状と一致しないものであっても該挿通溝13は完全
にシールされる。才だ、該テープ14 、15は可圧縮
性であるため、それに作用する外圧に応じて圧縮され、
従ってリードフレーム挿通溝13以外の型合せ面に於て
はそこに作用する型締め圧力に応じて変形して型合せ面
間の間隙をシールすることができる。
O型合せ面のリードフレーム挿通溝における樹脂漏洩を
防止するようにしたことを特徴とするもので、第6図乃
至第8図に示すように型締め前に型合せ面11.12の
リードフl/−〕、挿通溝16を横jJJってリードフ
レーム5の上下に可圧縮性絶縁テープ14 、15を配
し、型締め時に該テープ14.15をリードフレーム5
の外周に接着させると同時に金型のリードフレーム挿通
溝16内に該テープ14.15を圧入させて該リードフ
レーム挿通fM−13とり−トフレーノ、5との間の微
小間隙を完全にシールする。型締め時には、第9図に示
すように該テープ14 、15が型締め圧力によって圧
縮変形してどんな微小間隙にも該テープが入り込むので
、リードフレーム5の横断面形状が第5図(a)〜第5
図(C)に示すように金型のリードフレーム挿通溝16
の形状と一致しないものであっても該挿通溝13は完全
にシールされる。才だ、該テープ14 、15は可圧縮
性であるため、それに作用する外圧に応じて圧縮され、
従ってリードフレーム挿通溝13以外の型合せ面に於て
はそこに作用する型締め圧力に応じて変形して型合せ面
間の間隙をシールすることができる。
本発明方法の実施のために使用されるテープ14゜15
は例えばポリイミド樹脂製で厚さが0.05〜0.17
mmのものであり、弾性的な可圧縮性はあっても可塑性
のないことが望ましい。また、該テープの片面には、エ
ポキシ樹脂系接着剤かシリコーン系接着剤を塗布してお
き、該テープとリードフレーム5の外面とを強固に接着
させるとともにリードフレームの周囲からの樹脂漏洩を
防止する。
は例えばポリイミド樹脂製で厚さが0.05〜0.17
mmのものであり、弾性的な可圧縮性はあっても可塑性
のないことが望ましい。また、該テープの片面には、エ
ポキシ樹脂系接着剤かシリコーン系接着剤を塗布してお
き、該テープとリードフレーム5の外面とを強固に接着
させるとともにリードフレームの周囲からの樹脂漏洩を
防止する。
該テープ14.15の設置位置1qll5、八′)10
図に小すようにモールI・部9の周縁からやや夕1側に
f加17115位置であってもよいが、第11図に示す
」2うに−T:−ルド部9のり1周縁からやや内側に入
り込んだ0’を置であってもよい。
図に小すようにモールI・部9の周縁からやや夕1側に
f加17115位置であってもよいが、第11図に示す
」2うに−T:−ルド部9のり1周縁からやや内側に入
り込んだ0’を置であってもよい。
以トのように、本発明によりI:J: 、モールド部り
1周縁に″ハリ″′を生じさぜることのない゛l′i!
i体装置の製造力θ、か提供される。
1周縁に″ハリ″′を生じさぜることのない゛l′i!
i体装置の製造力θ、か提供される。
なお、実MIL例に於ては、I)1.1−’タイプの樹
脂モールド型半・1j体装置の製造力/)、のみについ
て説明されているが、本発明の方法0士プラスチ、クバ
、ケージのオip7体装置ならばI) I ]?タイプ
以夕1にも適Jrlできるとと杭1勿論である1、
脂モールド型半・1j体装置の製造力/)、のみについ
て説明されているが、本発明の方法0士プラスチ、クバ
、ケージのオip7体装置ならばI) I ]?タイプ
以夕1にも適Jrlできるとと杭1勿論である1、
第1図Q丁]公知の樹脂封1.’1JQI、l半ノ、r
)休↓・し置のlt、1市前の)[z面図、第2図は第
11’Xl (1) It−II 矢rLl!断面M、
第6図は第1図の半1.■η体装置の旧市I: 4’、
’に、13・Uる縦断面[ツ1、第4図は第6図のIV
−IV矢祝断面図、第5図1l−1,神々の加ユ「法
によって成形さね/l ’J −l・フレーノ、の横断
面形状の[イ・11を小し/(1図、、;、(−6図は
この発明の方法を実施する際のテープの設置位置と封止
用金型の関係を示すイ面図、第7図は第6図]■l −
■l矢祝断面図、第8[”211、第7 図)■11−
1’l11矢祝断面図、第9図は型締め時における型合
せ面の横断面図、第10図及び第11図はテープ設置位
置の例を示す説明図である。 1・・・リードフレーl、枠体、2・・・ベッド、6・
・・ICチップ、4・・・ボンティングワイヤ、5・・
・リードフレーム、6,7・・・金型、8・・・キャビ
ティ、9・・・樹脂モールド部、10・・・パリ、11
,12・・・型合ぜ面、13・・・リードフレーム挿通
溝、14.15・・・絶縁テープ。 特W「出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士 諸田莢二 第1図 第2図 第3図 / 8 ゛ 第4図 3 第5図 第8図 7’ !D Ij第10
口 第11図 ^
)休↓・し置のlt、1市前の)[z面図、第2図は第
11’Xl (1) It−II 矢rLl!断面M、
第6図は第1図の半1.■η体装置の旧市I: 4’、
’に、13・Uる縦断面[ツ1、第4図は第6図のIV
−IV矢祝断面図、第5図1l−1,神々の加ユ「法
によって成形さね/l ’J −l・フレーノ、の横断
面形状の[イ・11を小し/(1図、、;、(−6図は
この発明の方法を実施する際のテープの設置位置と封止
用金型の関係を示すイ面図、第7図は第6図]■l −
■l矢祝断面図、第8[”211、第7 図)■11−
1’l11矢祝断面図、第9図は型締め時における型合
せ面の横断面図、第10図及び第11図はテープ設置位
置の例を示す説明図である。 1・・・リードフレーl、枠体、2・・・ベッド、6・
・・ICチップ、4・・・ボンティングワイヤ、5・・
・リードフレーム、6,7・・・金型、8・・・キャビ
ティ、9・・・樹脂モールド部、10・・・パリ、11
,12・・・型合ぜ面、13・・・リードフレーム挿通
溝、14.15・・・絶縁テープ。 特W「出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士 諸田莢二 第1図 第2図 第3図 / 8 ゛ 第4図 3 第5図 第8図 7’ !D Ij第10
口 第11図 ^
Claims (1)
- 1 リードフレームを有する樹脂」1市型半うリ′体装
置の製造方法であって、前記゛1′導体装置の封止工程
に於て金型の型合ぜ面に形成されているリードフレーム
挿通(11I′を横断して前記金型のキャヒティ周縁部
に沿って1丁圧縮性の絶縁テープを配し、前記金型のJ
1i14締め時に前記テープを前記リードフレームの外
周に接着させると同時に前記テープを前M12’Jl・
〕〕1/−ム挿通に押込むことにより前記リードフレー
ムと前記リードフレーム挿通溝との間の微小間隙を前記
テープによって完全に密封して前記半導体装置の樹脂モ
=ルト部周縁における“バリ°″の発生を防11シたこ
とをt11i徴とする、樹脂」N止壁\1′導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12681781A JPS5828841A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12681781A JPS5828841A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5828841A true JPS5828841A (ja) | 1983-02-19 |
Family
ID=14944682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12681781A Pending JPS5828841A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5828841A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5098863A (en) * | 1990-11-29 | 1992-03-24 | Intel Corporation | Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages |
US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
US5229329A (en) * | 1991-02-28 | 1993-07-20 | Texas Instruments, Incorporated | Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits |
US5258331A (en) * | 1989-10-20 | 1993-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars |
EP0657922A1 (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-14 | Hitachi, Ltd. | A packaged semiconductor device and method of its manufacture |
EP0683518A2 (en) | 1994-05-16 | 1995-11-22 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
EP0685875A3 (en) * | 1994-06-02 | 1996-11-20 | At & T Corp | Sealing form. |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP12681781A patent/JPS5828841A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
US5258331A (en) * | 1989-10-20 | 1993-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars |
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US5637914A (en) * | 1994-05-16 | 1997-06-10 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin |
EP0685875A3 (en) * | 1994-06-02 | 1996-11-20 | At & T Corp | Sealing form. |
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