JPS5826675B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents
ハンドウタイソウチInfo
- Publication number
- JPS5826675B2 JPS5826675B2 JP50073202A JP7320275A JPS5826675B2 JP S5826675 B2 JPS5826675 B2 JP S5826675B2 JP 50073202 A JP50073202 A JP 50073202A JP 7320275 A JP7320275 A JP 7320275A JP S5826675 B2 JPS5826675 B2 JP S5826675B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mount
- sub
- semiconductor
- wiring pattern
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の組立に関係し、例えば特に高出力
即ち高入力の放射ダイオード（Ｌｉｇｈｔ −Ｅｍｉｔ
ｔｉｎｇ−Ｄｉｏｄｅ ）チップ等の半導体構造体を含
む半導体装置のための熱伝導性があり、電気的に絶縁さ
れたヒートシンク副マウントに関するものである。
即ち高入力の放射ダイオード（Ｌｉｇｈｔ −Ｅｍｉｔ
ｔｉｎｇ−Ｄｉｏｄｅ ）チップ等の半導体構造体を含
む半導体装置のための熱伝導性があり、電気的に絶縁さ
れたヒートシンク副マウントに関するものである。
本発明の目的は固体レーザー励起用、あるいは光通信用
等の光源としてのＬＥＤ、半導体レーザー等（以下ＬＥ
Ｄ等と言う。
等の光源としてのＬＥＤ、半導体レーザー等（以下ＬＥ
Ｄ等と言う。
）の半導体装置において、放熱を犠牲にせずヒートシン
ク部材から電気的に絶縁されたヒートシンク副マウント
を提供することにある。
ク部材から電気的に絶縁されたヒートシンク副マウント
を提供することにある。
本発明は、有効なヒートシンク副マウントからは電気的
に絶縁され、熱的には、それに結合された半導体構造体
を有する半導体アッセンブリとして実施される。
に絶縁され、熱的には、それに結合された半導体構造体
を有する半導体アッセンブリとして実施される。
このアッセンブリはヒートシンクに固着し、熱的には伝
導性があり、電気的には非伝導性である。
導性があり、電気的には非伝導性である。
このアッセンブリの一部を構成するヒートシンク副マウ
ントのヒートシンクに固着された面の反対側の面には、
配線のための金属化面を有する。
ントのヒートシンクに固着された面の反対側の面には、
配線のための金属化面を有する。
半導体構造体は副マウント部材の金属化面に該金属化面
が半導体構造体の周囲の外側にも延在していて外部とオ
ーム接続が可能な位置で副マウントの金属化面に熱的、
電気的に固着している。
が半導体構造体の周囲の外側にも延在していて外部とオ
ーム接続が可能な位置で副マウントの金属化面に熱的、
電気的に固着している。
以下本発明を実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。
。
実施例
第１図はプレナー構造ドーム型ＬＥＤの構造体を本発明
に基づく副マウントに実装した半導体装置の例を断面図
で示したものであり、第２図はプレナー構造ドーム型Ｌ
ＥＤチップの電極に対応する副マウント上のオーム接触
の金または金合金パターンを平面図で示したものである
。
に基づく副マウントに実装した半導体装置の例を断面図
で示したものであり、第２図はプレナー構造ドーム型Ｌ
ＥＤチップの電極に対応する副マウント上のオーム接触
の金または金合金パターンを平面図で示したものである
。
図中１１はｐ型、またはｎ型Ｓｉ基板である。
Ｓｉを基板として用いるのは比較的熱漬導度が犬きく、
（１〜２Ｗ／ｃｒ／′Ｌｄｅｇ）、しかも加工性にすぐ
れ、かつ良質のものが比較的容易に得られる等の特徴を
有するためである。
（１〜２Ｗ／ｃｒ／′Ｌｄｅｇ）、しかも加工性にすぐ
れ、かつ良質のものが比較的容易に得られる等の特徴を
有するためである。
図中１２は銅、■ａダイヤモンド、銀等の熱良導体で構
成されたヒートシンクまたはステム２５に固着するため
の半田であり、接着性と熱伝導性の良好な材料を用いる
ことが好ましく、例えば金７５％、５Ｈ２Ｏ％から成る
半田を用いた。
成されたヒートシンクまたはステム２５に固着するため
の半田であり、接着性と熱伝導性の良好な材料を用いる
ことが好ましく、例えば金７５％、５Ｈ２Ｏ％から成る
半田を用いた。
２４はＳｉ副マウント基板１１と、Ｓｉ副マウント基板
上の電極１３，１４とを絶縁するための薄い絶縁膜であ
る。
上の電極１３，１４とを絶縁するための薄い絶縁膜であ
る。
この２者の組合せたものを副マウント本体という。
この絶縁膜２４は熱伝導性に直接影響するために、熱的
良導体で、かつ電気的に非常に高抵抗であるところの多
結晶シリコンを低温または高温気相成長、あるいは真空
蒸着法により２〜５μｍ被着した。
良導体で、かつ電気的に非常に高抵抗であるところの多
結晶シリコンを低温または高温気相成長、あるいは真空
蒸着法により２〜５μｍ被着した。
１３，１４はＬＥＤ等の半導体構造体の電極に対応する
金または金合金およびその他の耐蝕性がある電気伝導性
の良好な金属から成る配線パターンである。
金または金合金およびその他の耐蝕性がある電気伝導性
の良好な金属から成る配線パターンである。
該パターン上にマウントされたドーム型ＬＥＤ等の半導
体構造体の電極１７、および１８は半田接続１５，１６
を通して電気的、熱的に配線金属１３，１４と接続され
る。
体構造体の電極１７、および１８は半田接続１５，１６
を通して電気的、熱的に配線金属１３，１４と接続され
る。
外部との電気的接続を可能にするために１３，１４の１
部はＬＥＤ等の半導体構造体の外側にも延在した構造と
なっている。
部はＬＥＤ等の半導体構造体の外側にも延在した構造と
なっている。
１９はドーム型ＬＥＤチップのｐｎ接合であり、２０は
ドーム構造のＬＥＤチップである。
ドーム構造のＬＥＤチップである。
ドーム型ＬＥＤチップ等の半導体構造体がマウントされ
たヒートシンク副マウントは、ヒートシンクまたは実装
ステムに副マウントの他面に半田１２を用いて熱的、機
械的に結合される。
たヒートシンク副マウントは、ヒートシンクまたは実装
ステムに副マウントの他面に半田１２を用いて熱的、機
械的に結合される。
外部との電気的接続は、副マウント上に形成されたオー
ム配線パターンがドーム構造ＬＥＤ等の半導体構造体の
外側に延在している部分に導線２１．２２を接続するこ
とによって得た。
ム配線パターンがドーム構造ＬＥＤ等の半導体構造体の
外側に延在している部分に導線２１．２２を接続するこ
とによって得た。
以上実施例で説明した如く、本発明の半導体装置に用い
たヒートシンク副マウントは、該副マウント基材と、半
導体構造体を固着する配線パターンの間の絶縁膜に高抵
抗多結晶シリコンを用いることを特徴とする。
たヒートシンク副マウントは、該副マウント基材と、半
導体構造体を固着する配線パターンの間の絶縁膜に高抵
抗多結晶シリコンを用いることを特徴とする。
本発明にかかるところの副マウントは、一個の副マウン
トに多数個のＬＥＤ等の半導体構造体を実装するハイブ
リッド形の配列では有利となる。
トに多数個のＬＥＤ等の半導体構造体を実装するハイブ
リッド形の配列では有利となる。
即ち誘電体絶縁膜を配線パターンと副マウント基材の間
の絶縁に用いる場合、その厚さはクラック等の問題であ
まり厚くできない。
の絶縁に用いる場合、その厚さはクラック等の問題であ
まり厚くできない。
その結果絶縁膜中のピンホールの発生を完全に除き得な
い。
い。
このためピンホールを通して配線パターンと副マウント
基材との間に導通が生じＬＥＤ等の半導体構造体のハイ
ブリッド配置用副マウントの収得率が非常に低下する。
基材との間に導通が生じＬＥＤ等の半導体構造体のハイ
ブリッド配置用副マウントの収得率が非常に低下する。
これに対し多結晶シリコンで絶縁した場合、その厚さを
誘電体絶縁膜を用いる場合に比較して充分に厚くでき、
ピンホール等の発生を防止でき、その結果ハイブリッド
形半導体装置のヒートシンク副マウントとして収得率を
従来の誘電体絶縁膜を用いたものに比較してほぼ２倍に
することができた。
誘電体絶縁膜を用いる場合に比較して充分に厚くでき、
ピンホール等の発生を防止でき、その結果ハイブリッド
形半導体装置のヒートシンク副マウントとして収得率を
従来の誘電体絶縁膜を用いたものに比較してほぼ２倍に
することができた。
本発明の半導体装置に用いる副マウントの基材の材質に
は特に制限がなく、熱的良導体で、多結晶シリコンと、
半導体構造体の半田付程度の低温度で合金化が生ぜず、
多結晶シリコンとの機械的接着強度を有するものであれ
ばよい。
は特に制限がなく、熱的良導体で、多結晶シリコンと、
半導体構造体の半田付程度の低温度で合金化が生ぜず、
多結晶シリコンとの機械的接着強度を有するものであれ
ばよい。
なお、本実施例ではドーム型ＬＥＤについて述べたが、
その他の半導体装置、例えばシリコーン、ゲルマニウム
、あるいは２種以上の金属から成る半導体装置も本発明
の中に含まれる。
その他の半導体装置、例えばシリコーン、ゲルマニウム
、あるいは２種以上の金属から成る半導体装置も本発明
の中に含まれる。
第１図は本発明に基づく副マウントをプレナー型ドーム
構造ＬＥＤチップに適用した半導体装置の断面図、第２
図は第１図の副マウントのＬＥＤチップの電極に対応す
るオーム接触の配線パターンを示す平面図。
構造ＬＥＤチップに適用した半導体装置の断面図、第２
図は第１図の副マウントのＬＥＤチップの電極に対応す
るオーム接触の配線パターンを示す平面図。
Claims (1)
- １ 副マウント基板の表面上に形成された多結晶シリコ
ン膜と、該多結晶シリコン膜上に形成された配線パター
ンと、該配線パターンに対向して配置され該配線パター
ンと電気的および機械的に接続された放射ダイオードも
しくは半導体レーザーをそなえたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50073202A JPS5826675B2 (ja) | 1975-06-18 | 1975-06-18 | ハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50073202A JPS5826675B2 (ja) | 1975-06-18 | 1975-06-18 | ハンドウタイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51150275A JPS51150275A (en) | 1976-12-23 |
| JPS5826675B2 true JPS5826675B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=13511313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50073202A Expired JPS5826675B2 (ja) | 1975-06-18 | 1975-06-18 | ハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826675B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209387A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Nishimu Denshi Kogyo Kk | 故障電流検出センサ及びそのセンサを用いた送電線の故障区間検出方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516448A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-05 | Hitachi Ltd | Diode |
| JPS5599783A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Photodiode |
| JPS55140280A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-01 | Hitachi Ltd | Light emitting diode |
| JPH0680841B2 (ja) * | 1986-04-07 | 1994-10-12 | 株式会社小糸製作所 | 照明装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493027A (ja) * | 1972-05-02 | 1974-01-11 |
-
1975
- 1975-06-18 JP JP50073202A patent/JPS5826675B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493027A (ja) * | 1972-05-02 | 1974-01-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209387A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Nishimu Denshi Kogyo Kk | 故障電流検出センサ及びそのセンサを用いた送電線の故障区間検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51150275A (en) | 1976-12-23 |
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