KR101236470B1 - 기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자와의 열팽창 계수 차이를 상쇄할 수 있는 기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지에 관한 것으로서, 기판은 도전성을 갖는 베이스 기판과; 상기 베이스 기판 상부에 형성되며, 도전성을 갖는 열전도층과; 상기 열전도층 상부에 형성되는 솔더층; 및 상기 베이스 기판 및 열전도층 사이와, 상기 열전도층과 솔더층 사이에 형성된 접착층을 포함하고, 소자의 열팽창 계수와 거의 유사한 열팽창 계수를 구현하여 소자에서 발생하는 고열에 의해 변형 및 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지{Substrate and semiconductor device package using the same}
본 발명은 기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광소자와의 열팽창 계수 차이를 상쇄할 수 있는 기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emission Diode, 이하 LED라 함.)는 고 휘도, 고 수명, 고 신뢰성이 요구되고 있으며, 그 성능 및 특성은 색 온도 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등으로 결정된다. 1차적으로는 LED의 활성층과 전자 주입(N)층 및 전공 주입(P)층의 결정 성장 정도를 높여 광 추출 효율을 향상시키는 방법이 있다. 2차적으로는 방열구조, 배선 구조 및 본딩 구조 등의 LED 패키지 구조를 변경하는 방법이 있다.
그러나 광 추출 효율을 향상시키는 방법은 화합물 반도체의 재료 특성과 그 제조방법에 많은 영향을 받기 때문에, LED 패키지 구조를 변경하는 방법에 대한 연구가 활발히 진행 중이다.
이에 따라 LED는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면 실장소자(Surface Mount Device; SMD)형으로 만들어지고 있다.
통상적으로 LED 패키지는 플립칩(flip-chip) 형태로 제작된 LED 칩과, 상부에 LED 칩이 실장되는 서브마운트와, 서브마운트 하부에 구비되는 방열체와, 리드 프레임이 형성된 절연기판 및 LED 칩의 전극을 리드 프레임에 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하여 구성된다.
여기에서 서브마운트는 실리콘으로 형성되거나, 또는 AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재 등으로 형성된다. 이렇게 형성된 서브마운트는 LED 칩과 상당한 열팽창 계수의 차이를 갖는다. 이에 LED 칩이 동작하면서 발생하는 열에 의해 서브마운트에 상당한 응력이 발생되어 LED 칩이 서브마운트로부터 분리되는 문제가 발생하였다.
또한, 서브마운트에 발생된 응력에 의해 LED 칩과의 접합 계면이 손상된 경우에는, 접합 계면에 열이 정체되거나 LED 칩에서 발생된 열이 서브마운트로 원활하게 전달되지 않아 LED 칩이 열화되는 문제도 발생하였다.
게다가 서브마운트는 절연물질로 형성되어 있기 때문에, LED 칩과의 전기적 연결을 위해서는 그 표면에 별도의 전극 배선을 형성하거나, 서브마운트를 관통시켜 도전물질을 매립하는 등의 과정이 요구되는 번거로움도 있었다.
본 발명은 소자에서 발생하는 열에 의한 열팽창 및 열수축을 억제할 수 있는 기판 및 반도체소자 패키지를 제공한다.
본 발명은 소자에서 발생하는 열을 원활하게 전달할 수 있는 기판 및 반도체소자 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 소자 및 방열체와 전기적인 연결이 용이한 기판 및 반도체소자 패키지를 제공한다.
본 발명에 따른 기판은, 도전성을 갖는 베이스 기판과; 상기 베이스 기판 상부에 형성되며, 도전성을 갖는 열전도층과; 상기 열전도층 상부에 형성되는 솔더층; 및 상기 베이스 기판 및 열전도층 사이와, 상기 열전도층과 솔더층 사이에 형성된 접착층을 포함한다.
여기에서 상기 베이스 기판의 하부에는 열전도층과 솔더층 및 접착층이 더 형성되어, 상기 베이스 기판의 상부 구조와 대응하도록 형성될 수도 있다.
또한, 상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나일 수 있고, 상기 몰리브덴 합금 및 텅스텐 합금은 구리(Cu)를 포함할 수도 있다.
상기 열전도층은 구리(Cu)로 형성될 수도 있다.
여기에서 상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 가질 수 있다.
또한, 상기 접착층은 니켈(Ni)로 형성될 수 있으며, 상기 접착층의 두께는 0.5㎛ 내지 5㎛일 수도 있다.
특히, 상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나이고, 상기 열전도층은 구리이며, 상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 가질 수 있다.
또한, 상기 솔더층은 금(Au)으로 형성될 수도 있다.
여기에서 상기 기판의 열팽창 계수는 6 ×10-6 내지 11×10-6㎜/℃·㎜ 일 수 있으며, 상기 기판의 두께는 0.1 내지 1.5㎜로 형성될 수도 있다.
본 발명에 따른 반도체소자 패키지는, 도전성을 갖는 베이스 기판, 열전도층 및 솔더층을 구비하고, 상기 베이스 기판 및 열전도층 사이 및 상기 열전도층과 솔더층 사이에 접착층이 형성된 기판과; 하부전극 및 상부전극을 구비하고, 상기 하부전극을 통해 상기 기판 상부에 형성된 소자와; 상기 기판 하부에 구비되며, 상기 하부전극과 전기적으로 연결되는 방열체와; 상기 상부전극에 연결된 도전 배선;을 포함한다.
여기에서 상기 베이스 기판의 하부에는 열전도층과 솔더층 및 접착층이 더 형성되어, 상기 베이스 기판의 상부 구조와 대응하도록 형성될 수도 있다.
또한, 상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나이고, 상기 열전도층은 구리이며, 상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 가질 수도 있다.
상기 접착층은 0.5㎛ 내지 5㎛ 두께로 형성된 니켈(Ni)일 수 있고, 상기 솔더층은 금(Au)일 수도 있다.
또한, 상기 기판의 열팽창 계수는 6 ×10-6 내지 11×10-6㎜/℃·㎜ 일 수 있다.
상기 소자는 LED 칩 또는 레이저 다이오드일 수도 있으며, 상기 반도체소자 패키지는 상기 방열체에 전기적으로 연결되는 도전 배선이 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판은 기판에 실장되는 소자의 열팽창 계수와 거의 유사한 열팽창 계수를 구현하여 소자에서 발생하는 고열에 의해 변형 및 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판과 소자의 열팽창 계수 차이에 의해 응력이 발생하는 것을 억제하여 기판과 발광소자의 접합 부위가 분리되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따르면, 소자에서 발생하는 열이 기판으로 원활하게 전달되어, 열에 의한 소자의 열화를 억제할 수 있다. 이에 따라 소자의 수명 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따르면, 기판이 도전성을 갖기 때문에 소자와 방열체 간에 전기적인 연결이 용이하고, 이에 따라 전체적인 구조를 간단하게 할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 서브마운트의 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 LED 패키지를 인쇄회로기판 상에 장착한 상태를 보여주는 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 LED 패키지를 인쇄회로기판 상에 장착한 상태를 보여주는 단면도.
이하, 본 발명의 실시 예에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 이탈하지 않는 한 이하의 실시 예에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 기판은 LED 칩이나 레이저 다이오드(Laser Diode, LD) 등과 같이 동작 시 고열이 발생하는 소자를 장착하는데 적용될 수 있다. 이와 같은 기판은 소자의 전극에 전기적으로 연결될 수 있으며, 소자에서 발생하는 열을 외부 또는 방열체에 효과적으로 전달할 수도 있다.
이하에서 설명하는 본 발명의 실시 형태는 LED 칩을 장착하는데 사용되는 도전성 서브마운트에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 서브마운트의 단면도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 서브마운트(100)는, 기본적으로 도전성을 갖는 베이스 기판(102)과; 베이스 기판(102) 상부에 열전도층(120)과; 열전도층(120)의 상부에 구비되는 솔더층(140);을 포함한다. 또한, 베이스 기판(102)의 상부에는 열전도층(120)의 접합성을 좋게 하는 제1접착층(110)이 형성될 수 있으며, 열전도층(120) 상부에도 솔더층(140)의 접합성을 좋게 하는 제2접착층(130)이 형성될 수도 있다.
또한, 베이스 기판(102)의 하부에는 제1접착층(110), 열전도층(120), 제2접착층(130) 및 솔더층(140)이 베이스 기판(102)의 상부 구조와 대응하는 구조로 형성될 수도 있다. 이와 같이 서브마운트(100)를 구성하면, 열전도도가 더 향상될 수 있다. 또한, 서브마운트(100) 상부에 실장되는 LED 칩은 물론, 하부에 연결되는 방열체와의 접합성을 향상시킬 수 있다.
베이스 기판(102)은 LED 칩으로부터 전달되는 열에 의한 열팽창을 억제하는 기능을 갖는다. 이에 따라 베이스 기판(102)은 열팽창 계수가 낮은 물질이 사용되는 것이 좋다. 이와 같은 물질로는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)-구리(Cu) 합금 또는 텅스텐(W)-구리(Cu) 합금 등이 사용될 수 있다.
열전도층(120)은 LED 칩에서 발생된 열을 전달하는 역할을 한다. 따라서 열전도층(120)은 열전도율이 매우 높은 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같은 물질로는 구리(Cu)가 사용될 수 있으며, 도금, 스퍼터링, 열증착법 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
열전도층(120)은 베이스 기판(102)의 두께에 따라 열전도도와 열팽창 계수가 결정된다. 따라서 베이스 기판(102)과 열전도층(120)은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 갖도록 형성한다. 이때, 열전도층(120)은 상기에서 제시된 범위보다 지나치게 얇게 형성되면, 열전도율이 낮아져 LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 전달할 수 없다. 또한, 열전도층(120)을 형성하는 구리는 17×10-6㎜/℃·㎜ 정도의 높은 열팽창 계수를 갖는 물질로서, 상기 제시된 범위보다 지나치게 두껍게 형성하면 열팽창 및 열수축에 의해 박리될 수도 있다. 따라서 베이스 기판(102)과 열전도층(120)을 상기 제시된 범위 내의 비율로 적절하게 조절하여 형성함으로써 열전도도 원활하게 하면서, 과도한 열팽창 및 열수축에 의한 변형도 억제할 수 있다.
솔더층(140)은 와이어 본딩성 및 솔더 흐름성을 좋게 하는 역할을 한다. 솔더층(140)은 흐름성이 우수하고, 전기전도도 및 열전도율이 높은 물질이 사용될 수 있다. 이와 같은 물질은 금(Au)이나 은(Ag)일 수 있으며, 도금, 스퍼터링, 열증착법 등 다양한 방식으로 형성될 수 있다.
한편, 열전도층(120)과 솔더층(140)을 형성함에 있어서, 베이스 기판(102)과 열전도층(120) 사이에는 제1접착층(110)이, 열전도층(120)과 솔더층(140) 사이에는 제2접착층(130)이 형성될 수 있다. 제1접착층(110)과 제2접착층(130)은 흐름성이 높은 물질이 사용될 수 있다. 이러한 물질로는 니켈(Ni)이 사용될 수 있으며, 니켈은 도금, 스퍼터링, 열증착법 등 다양한 방식으로 형성될 수도 있다.
제1접착층(110) 및 제2접착층(130)은 0.5㎛ 내지 5㎛로 형성될 수 있다. 이때, 제1접착층(110) 및 제2접착층(130)은 상기 제시한 범위보다 얇게 형성되면, 베이스 기판(102)과 열전도층(120), 열전도층(120)과 솔더층(140) 간에 접합성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 제1접착층(110) 및 제2접착층(130)은 상기 제시한 범위보다 두껍게 형성되면, 열전도율이 저하되는 문제점이 발생한다. 따라서 제1접착층(110) 및 제2접착층(130)은 이러한 문제점들을 고려하여 상기 제시한 범위 내에서 적절하게 조절하여 형성하는 것이 좋다.
이렇게 형성된 서브마운트(100)는 6 ×10-6 내지 11×10-6㎜/℃·㎜의 열팽창 계수를 갖는다. 통상 사용되는 LED 칩의 열팽창 계수가 4 ×10-6 내지 6×10-6㎜/℃·㎜인 것을 감안할 때, 기판의 열팽창 계수가 LED 칩의 열팽창 계수와 매우 유사하게 구현된 것을 알 수 있다. 또한, 서브마운트(100)는 250W/mK 이상의 우수한 열전도도를 갖는다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 서브마운트(100)는 열팽창 계수 차이에 의해 발생하는 응력을 억제할 수 있고, 이에 따라 LED 칩과 서브마운트 간의 계면 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 서브마운트(100)는 높은 열전도도를 이용하여 LED 칩에서 발생된 열을 원활하게 전달함으로써 고열에 의한 LED 칩의 열화를 방지할 수도 있다.
서브마운트(100)는 0.1 내지 1.5㎜로 형성될 수 있다. 서브마운트(100)의 두께가 상기 제시된 범위보다 얇은 경우, 충격에 의해 파괴되기 쉽고, 지나치게 두꺼운 경우에는 열전도율이 저하될 수도 있다. 또한, 서브마운트(100)가 적용되는 패키지의 소형화 및 슬림화 등을 방해할 수도 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시 형태에 따른 서브마운트는, 실장되는 LED 칩과 열팽창 계수 차이가 매우 유사하여, 응력이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, LED 칩과 서브마운트의 접합 계면이 응력에 의해 손상되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 LED 칩이 서브마운트로부터 분리되는 것을 방지할 수 있고, LED 칩에서 발생하는 열이 서브마운트로 원활하게 전달되어 고열에 의한 LED 칩의 열화를 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 LED 패키지를 인쇄회로기판 상에 장착한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 LED 패키지는, 서브마운트(100)와; 하부전극(미도시) 및 상부전극(미도시)을 구비하고, 하부전극을 통해 서브마운트(100) 상부에 형성된 LED 칩(10)과; 서브마운트(100) 하부에 구비되며, 하부전극과 전기적으로 연결되는 방열체(200); 및 상부전극에 연결된 도전배선;을 포함한다. LED 패키지는 이 외에도 리드 프레임(400, 402)이 형성된 절연기판(300)과, LED 칩(10) 상부에 형성되는 렌즈(310)가 포함될 수도 있다. 여기에서 도전배선은 리드 프레임(400)과 상부전극과 리드 프레임(400)을 연결하는 와이어(410)일 수도 있다. 또한, 서브마운트(100)는 이미 앞서 설명한 서브마운트(100)가 적용된다.
이와 같이 형성된 LED 패키지는 LED 칩(10)의 하부전극이 도전성의 서브마운트(100)에 실장되고, 서브마운트(100)는 다시 도전성의 방열체(200)에 연결된다. 이때, 방열체(200)는 서브마운트(100)로부터 전달되는 열을 공기나 별도의 냉각수단으로 방출시키는 기능을 수행한다. 따라서 방열체(200)는 열전도도가 우수한 물질로 형성되는 것이 좋으며, 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al) 등이 사용될 수 있다. 방열체(200)는 다시 절연기판(300)에 형성된 리드 프레임(402)에 전기적으로 연결된다.
또한, LED 칩(10)의 상부전극은 절연기판(300)에 형성된 리드 프레임(400)에 와이어(410)를 통해 전기적으로 연결된다.
이와 같이 형성된 LED 패키지는 도 3에 도시된 바와 같이 인쇄회로기판(500) 상에 장착될 수 있다. 이때, 인쇄회로기판(500) 상에는 리드 프레임(400, 402)에 대응하는 부분에 전극배선(510)이 형성되어 있으며, 인쇄회로기판(500)은 원활한 방열을 위하여 금속재질로 형성될 수도 있고, 그 하부에는 방열체(600)가 추가로 구비될 수도 있다. 또한, 방열체(600)는 방열 성능을 향상시키기 위해 방열핀 등을 형성하여 표면적을 증가시킬 수도 있다.
LED 패키지는 솔더(520)를 이용하여 리드 프레임(400, 410)을 전극배선(510)에 부착된다. 이때, 방열체(200)를 인쇄회로기판(500)에 밀착시킴으로써 인쇄회로기판(500)으로 열이 원활하게 전달되도록 한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 LED 패키지의 단면도이고, 도 5는 도 4의 LED 패키지를 인쇄회로기판 상에 장착한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 4를 참조하면, LED 패키지는 도 2의 LED 패키지와 비교할 때 방열체(200)에 리드 프레임이 연결되지 않는 차이점이 있다.
즉, 방열체(200)가 리드 프레임을 대체한 것이다. 방열체(200)는 알루미늄 등과 같은 도전성 물질을 사용하기 때문에, 도 5에 도시된 바와 같이 인쇄회로기판(500) 상에 형성된 전극배선(510)과 직접 연결될 수 있다. 이와 같은 구성은 인쇄회로기판(500) 상에서 공간 활용도를 높일 수 있어, 소자의 집적도를 높일 수도 있다. 또한, 리드 프레임의 개수를 줄일 수 있어 제조비용을 절감할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
10 : LED 칩 100 : 서브마운트
102 : 베이스 기판 110 : 제1접착층
120 : 열전도층 130 : 제2접착층
140 : 솔더층 200, 600 : 방열체
300 : 패키지 310 : 렌즈
400, 402 : 전극패드 410 : 와이어
500 : 인쇄회로기판 510 : 전극배선
520 : 솔더

Claims (20)

  1. 도전성을 갖는 베이스 기판과;
    상기 베이스 기판 상부에 형성되며, 도전성을 갖는 열전도층과;
    상기 열전도층 상부에 형성되는 솔더층; 및
    상기 베이스 기판 및 열전도층 사이와, 상기 열전도층과 솔더층 사이에 각각 형성된 접착층을 포함하고,
    상기 베이스 기판의 하부에는 열전도층과 솔더층 및 접착층이 더 형성되어, 상기 베이스 기판의 상부 구조와 대응하도록 형성되는 기판.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나인 기판.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 몰리브덴 합금 및 텅스텐 합금은 구리(Cu)를 포함하는 기판.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 접착층은 니켈(Ni)인 기판.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 접착층의 두께는 0.5㎛ 내지 5㎛인 기판.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 열전도층은 구리(Cu)인 기판.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 갖는 기판.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나이고, 상기 열전도층은 구리이며,
    상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 갖는 기판.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 솔더층은 금(Au)인 기판.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수는 6 ×10-6 내지 11×10-6㎜/℃·㎜인 기판.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 두께는 0.1 내지 1.5㎜인 기판.
  13. 도전성을 갖는 베이스 기판, 열전도층 및 솔더층을 구비하고, 상기 베이스 기판 및 열전도층 사이 및 상기 열전도층과 솔더층 사이에 접착층이 형성된 기판과;
    하부전극 및 상부전극을 구비하고, 상기 하부전극을 통해 상기 기판 상부에 형성된 소자와;
    상기 기판 하부에 구비되며, 상기 하부전극과 전기적으로 연결되는 방열체와;
    상기 상부전극에 연결된 도전 배선;
    을 포함하는 반도체소자 패키지.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 베이스 기판의 하부에는 열전도층과 솔더층 및 접착층이 더 형성되어, 상기 베이스 기판의 상부 구조와 대응하도록 형성된 반도체소자 패키지.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 베이스 기판은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 텅스텐(W) 및 텅스텐 합금 중 어느 하나이고, 상기 열전도층은 구리이며,
    상기 베이스 기판과 상기 열전도층은 1 : 0.2 내지 3의 두께비를 갖는 반도체소자 패키지.
  16. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 접착층은 0.5㎛ 내지 5㎛ 두께로 형성된 니켈(Ni)인 반도체소자 패키지.
  17. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 솔더층은 금(Au)인 반도체소자 패키지.
  18. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수는 6 ×10-6 내지 11×10-6㎜/℃·㎜인 반도체소자 패키지.
  19. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 소자는 LED 칩 또는 레이저 다이오드인 반도체소자 패키지.
  20. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 반도체소자 패키지는 상기 방열체에 전기적으로 연결되는 도전 배선이 형성된 반도체소자 패키지.
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