KR101935028B1 - Led 웨이퍼 기판 제조 방법 - Google Patents
Led 웨이퍼 기판 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101935028B1 KR101935028B1 KR1020160003409A KR20160003409A KR101935028B1 KR 101935028 B1 KR101935028 B1 KR 101935028B1 KR 1020160003409 A KR1020160003409 A KR 1020160003409A KR 20160003409 A KR20160003409 A KR 20160003409A KR 101935028 B1 KR101935028 B1 KR 101935028B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plating
- nickel
- molybdenum
- copper coating
- coating layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 37
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N borane;n,n-dimethylmethanamine Chemical compound B.CN(C)C WVMHLYQJPRXKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 3
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 3
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- -1 tetryl amine Chemical class 0.000 claims description 3
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 235000011331 Brassica Nutrition 0.000 description 2
- 241000219198 Brassica Species 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H01L33/0079—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
본 발명은 LED 웨이퍼 기판 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리 스퍼트링을 통한 나노 입자 크기의 균일한 표면처리 및 우수한 밀착성을 확보하고, Mo, Mo 합금, W, W 합금 및 Cu 표면 연마를 통한 표면 조도 향상시킨 후 Ni, Ni 합금도금, Au 도금을 통한 LED 반사각을 향상시키는 LED 웨이퍼 기판 제조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, 몰리브덴 단일 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 소재를 와이어 컷팅으로 절단하는 제1 단계; 절단된 상기 몰리브덴 소재를 연마하는 제2 단계; 연마된 상기 몰리브덴 소재를 균일한 에칭을 통해 몰리브덴 산화층을 제거하여 전처리하는 제3 단계; 전처리된 상기 몰리브덴 소재 상에 구리 소재를 코팅하되, 밀착성 및 균일성을 증가시키기 위하여 나노입자 크기로 스퍼트링하는 제4 단계; 상기 구리 코팅층을 표면조도 Ra 0.03um 이하로 연마하는 제5 단계; 상기 구리 코팅층과 도금관의 밀착성 및 조도를 증가시키기 위해 전처리하는 제6 단계; 상기 구리 코팅층 상에 니켈 스트라이크 도금하는 제7 단계; 니켈 스트라이크된 상기 구리 코팅층 상에 전해 니켈 도금 및 무전해 니켈 도금하는 제8 단계; 및 상기 니켈 도금층 상에 금 도금을 실시하는 제9 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, 몰리브덴 단일 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 소재를 와이어 컷팅으로 절단하는 제1 단계; 절단된 상기 몰리브덴 소재를 연마하는 제2 단계; 연마된 상기 몰리브덴 소재를 균일한 에칭을 통해 몰리브덴 산화층을 제거하여 전처리하는 제3 단계; 전처리된 상기 몰리브덴 소재 상에 구리 소재를 코팅하되, 밀착성 및 균일성을 증가시키기 위하여 나노입자 크기로 스퍼트링하는 제4 단계; 상기 구리 코팅층을 표면조도 Ra 0.03um 이하로 연마하는 제5 단계; 상기 구리 코팅층과 도금관의 밀착성 및 조도를 증가시키기 위해 전처리하는 제6 단계; 상기 구리 코팅층 상에 니켈 스트라이크 도금하는 제7 단계; 니켈 스트라이크된 상기 구리 코팅층 상에 전해 니켈 도금 및 무전해 니켈 도금하는 제8 단계; 및 상기 니켈 도금층 상에 금 도금을 실시하는 제9 단계;를 포함한다.
Description
본 발명은 LED 웨이퍼 기판 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리 스퍼트링을 통한 나노 입자 크기의 균일한 표면처리 및 우수한 밀착성을 확보하고, Mo, Mo 합금, W, W 합금 및 Cu 표면 연마를 통한 표면 조도 향상시킨 후 Ni, Ni 합금도금, Au 도금을 통한 LED 반사각을 향상시키는 LED 웨이퍼 기판 제조에 관한 것이다.
최근, LED 웨이퍼 기판 표면 발색기술은, LED 표면 의장 산업에서 고부가가치 창출이 기대되는 기술임에도 불구하고, 국내의 습식 및 건식기술은 모두 활성화되지 못하고 있는 실정이다.
구체적으로, 국내 표면코팅 의장산업은 대부분의 기술 및 설비를 수입에 의존하고 있으며 특히 고급사양을 필요로 하는 건축공사에서는 제품의 20% ~ 30%를 수입하고 있으며, 국내의 표면코팅과 관련된 업체의 수는 매우 한정되어 있으며 영세하며, 표면코팅 기술은 어느 정도 보유하고 있으나, 거의 습식과 이온 스파터링 기법에 의존하고 있고, 칼라의 불일치성이 가장 큰 문제점으로 나타나고 있다.
또한, 습식코팅 기법의 경우 탱크내의 수분, 활성시의 온도 등의 여러 가지 제약으로 인해 숙련된 기술공의 기술에 의존하고 있고 약 25%의 불량률이 발생하고 있으며 재처리 과정의 비용이 증대하고 있는 문제점이 있다. 이는, 이온 스파터링 기법으로 칼라의 일치성은 다소 향상되었으나 공정상 생산성의 저하를 초래하고 있다. 즉, 작업공정 순서의 조정 및 변화를 통하여 피막의 균일성과 칼라의 일치성을 시도하였으나 칼라의 불일치성에 대한 근본적인 문제해결 방법은 없는 실정이다.
이와 같이, 종래의 LED 웨이퍼 기판의 발색 기술 중 화학습식 방법이 가장 현실성이 있으나 현장 경험에 의존한 방법으로 이루어지고 있으므로, 높은 불량률과 낮은 생산성을 보이고 있는 문제점이 있다.
또한, 종래의 LED 웨이퍼 기판의 표면 발색기술은 화학습식 방법을 사용함으로써 크롬을 비롯한 환경 유해물질을 다량 사용하는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 환경 친화적이며 폐수처리 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 표면 발색 기법 개발의 필요성이 절실히 요구되고 있다.
또한, 소비자의 취향이 다양화됨에 따라 종래의 경험에 의존하는 발색 기술로는 다면칼라 및 다양한 고급 제품 개발에 한계가 있어, 이에 능동적으로 대처할 수 있는 정량적이고 표준화된 혁신적인 신기술의 개발 및 적용이 필요한 실정이다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 구리 스퍼트링을 통한 나노 입자 크기의 균일한 표면처리 및 우수한 밀착성을 확보하고, Mo, Mo 합금, W, W 합금 및 Cu 표면 연마를 통한 표면 조도 향상시킨 후 Ni, Ni 합금도금, Au 도금을 통한 LED 반사각을 향상시킬 수 있는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 정량화된 공정제어를 통해 고효율적이며 친환경적인 LED 웨이퍼 기판 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 여기에 언급되지 않은 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, 몰리브덴 단일 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 소재를 와이어 컷팅으로 절단하는 제1 단계; 절단된 상기 몰리브덴 소재를 연마하는 제2 단계; 연마된 상기 몰리브덴 소재를 균일한 에칭을 통해 몰리브덴 산화층을 제거하여 전처리하는 제3 단계; 전처리된 상기 몰리브덴 소재 상에 구리 소재를 코팅하되, 밀착성 및 균일성을 증가시키기 위하여 나노입자 크기로 스퍼트링하는 제4 단계; 상기 구리 코팅층을 표면조도 Ra 0.03um 이하로 연마하는 제5 단계; 상기 구리 코팅층과 도금관의 밀착성 및 조도를 증가시키기 위해 전처리하는 제6 단계; 상기 구리 코팅층 상에 니켈 스트라이크 도금하는 제7 단계; 니켈 스트라이크된 상기 구리 코팅층 상에 전해 니켈 도금 및 무전해 니켈 도금하는 제8 단계; 및 상기 니켈 도금층 상에 금 도금을 실시하는 제9 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 상기 제4 단계에서, 구리 코팅층의 재질은, Cu-Ag, Cu-B 또는 Cu-Co-B 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 구리 코팅층을 형성하기 위한 구리 코팅액에는 C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 탄소 공급원이 0.001M 이상 0.1M 이하 농도로 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 코팅액은, 니켈 설파메이트 또는 황산니켈의 1.0M 내지 1.9 M의 니켈 공급원과, DMAB(dimethyl amine borane complex), TMAB(trimethyl amine borane complex), DEAB(diethyl amine borame complex) 또는 TEAB(tetryl amine borame complex) 중 적어도 어느 하나의 0.002M 내지 0.019M의 보론 공급원과, C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 0.001M 내지 0.1M의 탄소 공급원과, 염화니켈 0.03M 내지 0.20M의 양극용해제와, 붕산 0.3M 내지 0.8M의 완충제와, 라우릴 황산 소다 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 피트방지제와, 헥사메틸렌디아민(1,6-diammonium hexane) 또는 시카린 나트륨(C7H4NNaO3S)의 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 광택제를 포함하며, 전류밀도 1A/dm2 내지 30A/dm2, 온도 30℃ 내지 60℃, pH 3 내지 5에서 전해 도금하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 제6 단계에서는, 알칼리 침지 탈지액에 온도 50도 처리 시간 10분이상 침지하여 표면 이물질을 제거한 후, 가성소다 50~200g/L, 상온에서 전류 밀도 5~20A/dm2, 10~200초간 전해 탈지 후 1~10% 황산, 또는 염산에서 표면 활성화 처리하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 제8 단계에서, Nickel Sulfate 0.05~0.20mol/L, Sodium Hypophoshite 0.05~0.2mol/L, Sodium Acetate 0.01~0.10mol/L를 투입 후 나머지 증류수로 1L 제조하되, 온도 90℃ 상승시킨후 pH 측정후 10% H2SO4로 pH 5까지 보정 후, 10~15분 무전해 도금 실시하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제의 해결 수단에 의해, 본 발명의 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, Cu 스퍼트링을 통한 나노 입자 크기의 균일한 코팅 및 소재와의 우수한 밀착성을 확보할 수 있는 효과와, 소재 및 Cu 연마를 통한 우수한 표면조도 확보를 통한 우수한 LED의 반사각을 확보할 수 있는 효과와, 니켈 합금 도금을 통한 우수한 금속 접합성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명에 대한 해결하고자 하는 과제, 과제의 해결 수단, 발명의 효과를 포함한 구체적인 사항들은 다음에 기재할 실시예 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, 몰리브덴 단일 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 소재를 와이어 컷팅으로 절단하는 제1 단계; 절단된 상기 몰리브덴 소재를 연마하는 제2 단계; 연마된 상기 몰리브덴 소재를 균일한 에칭을 통해 몰리브덴 산화층을 제거하여 전처리하는 제3 단계; 전처리된 상기 몰리브덴 소재 상에 구리 소재를 코팅하되, 밀착성 및 균일성을 증가시키기 위하여 나노입자 크기로 스퍼트링하는 제4 단계; 상기 구리 코팅층을 표면조도 Ra 0.03um 이하로 연마하는 제5 단계; 상기 구리 코팅층과 도금관의 밀착성 및 조도를 증가시키기 위해 전처리하는 제6 단계; 상기 구리 코팅층 상에 니켈 스트라이크 도금하는 제7 단계; 니켈 스트라이크된 상기 구리 코팅층 상에 전해 니켈 도금 및 무전해 니켈 도금하는 제8 단계; 및 상기 니켈 도금층 상에 금 도금을 실시하는 제9 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 상기 제4 단계에서, 구리 코팅층의 재질은, Cu-Ag, Cu-B 또는 Cu-Co-B 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 구리 코팅층을 형성하기 위한 구리 코팅액에는 C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 탄소 공급원이 0.001M 이상 0.1M 이하 농도로 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 코팅액은, 니켈 설파메이트 또는 황산니켈의 1.0M 내지 1.9 M의 니켈 공급원과, DMAB(dimethyl amine borane complex), TMAB(trimethyl amine borane complex), DEAB(diethyl amine borame complex) 또는 TEAB(tetryl amine borame complex) 중 적어도 어느 하나의 0.002M 내지 0.019M의 보론 공급원과, C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 0.001M 내지 0.1M의 탄소 공급원과, 염화니켈 0.03M 내지 0.20M의 양극용해제와, 붕산 0.3M 내지 0.8M의 완충제와, 라우릴 황산 소다 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 피트방지제와, 헥사메틸렌디아민(1,6-diammonium hexane) 또는 시카린 나트륨(C7H4NNaO3S)의 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 광택제를 포함하며, 전류밀도 1A/dm2 내지 30A/dm2, 온도 30℃ 내지 60℃, pH 3 내지 5에서 전해 도금하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 제6 단계에서는, 알칼리 침지 탈지액에 온도 50도 처리 시간 10분이상 침지하여 표면 이물질을 제거한 후, 가성소다 50~200g/L, 상온에서 전류 밀도 5~20A/dm2, 10~200초간 전해 탈지 후 1~10% 황산, 또는 염산에서 표면 활성화 처리하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 제8 단계에서, Nickel Sulfate 0.05~0.20mol/L, Sodium Hypophoshite 0.05~0.2mol/L, Sodium Acetate 0.01~0.10mol/L를 투입 후 나머지 증류수로 1L 제조하되, 온도 90℃ 상승시킨후 pH 측정후 10% H2SO4로 pH 5까지 보정 후, 10~15분 무전해 도금 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 LED 웨이퍼 기판 제조 방법은, Cu 스퍼트링을 통한 나노 입자 크기의 균일한 코팅 및 소재와의 우수한 밀착성을 확보할 수 있는 효과와, 소재 및 Cu 연마를 통한 우수한 표면조도 확보를 통한 우수한 LED의 반사각을 확보할 수 있는 효과와, 니켈 합금 도금을 통한 우수한 금속 접합성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (6)
- 몰리브덴 단일 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 소재를 와이어 컷팅으로 절단하는 제1 단계;
절단된 상기 몰리브덴 소재를 연마하는 제2 단계;
연마된 상기 몰리브덴 소재를 균일한 에칭을 통해 몰리브덴 산화층을 제거하여 전처리하는 제3 단계;
전처리된 상기 몰리브덴 소재 상에 구리 소재를 코팅하되, 밀착성 및 균일성을 증가시키기 위하여 나노입자 크기로 스퍼트링하는 제4 단계;
상기 구리 코팅층을 표면조도 Ra 0.03um 이하로 연마하는 제5 단계;
상기 구리 코팅층과 도금관의 밀착성 및 조도를 증가시키기 위해 전처리하는 제6 단계;
상기 구리 코팅층 상에 니켈 스트라이크 도금하는 제7 단계;
니켈 스트라이크된 상기 구리 코팅층 상에 전해 니켈 도금 및 무전해 니켈 도금하는 제8 단계; 및
상기 니켈 도금층 상에 금 도금을 실시하는 제9 단계;를 포함하며,
상기 제4 단계에서, 구리 코팅층의 재질은, Cu-Ag, Cu-B 또는 Cu-Co-B 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 구리 코팅층을 형성하기 위한 구리 코팅액에는 C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 탄소 공급원이 0.001M 이상 0.1M 이하 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 구리 코팅액은,
니켈 설파메이트 또는 황산니켈의 1.0M 내지 1.9 M의 니켈 공급원과,
DMAB(dimethyl amine borane complex), TMAB(trimethyl amine borane complex), DEAB(diethyl amine borame complex) 또는 TEAB(tetryl amine borame complex) 중 적어도 어느 하나의 0.002M 내지 0.019M의 보론 공급원과,
C, C4H8O2 또는 C4H6O2 중 적어도 어느 하나의 0.001M 내지 0.1M의 탄소 공급원과,
염화니켈 0.03M 내지 0.20M의 양극용해제와,
붕산 0.3M 내지 0.8M의 완충제와,
라우릴 황산 소다 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 피트방지제와,
헥사메틸렌디아민(1,6-diammonium hexane) 또는 시카린 나트륨(C7H4NNaO3S)의 0.1g/L 내지 1.5g/L 농도의 광택제를 포함하며,
전류밀도 1A/dm2 내지 30A/dm2, 온도 30℃ 내지 60℃, pH 3 내지 5에서 전해 도금하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제6 단계에서는,
알칼리 침지 탈지액에 온도 50도 처리 시간 10분이상 침지하여 표면 이물질을 제거한 후, 가성소다 50~200g/L, 상온에서 전류 밀도 5~20A/dm2, 10~200초간 전해 탈지 후 1~10% 황산, 또는 염산에서 표면 활성화 처리하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제8 단계에서,
Nickel Sulfate 0.05~0.20mol/L, Sodium Hypophoshite 0.05~0.2mol/L, Sodium Acetate 0.01~0.10mol/L를 투입 후 나머지 증류수로 1L 제조하되, 온도 90℃ 상승시킨후 pH 측정후 10% H2SO4로 pH 5까지 보정 후, 10~15분 무전해 도금 실시하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼 기판 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160003409A KR101935028B1 (ko) | 2016-01-11 | 2016-01-11 | Led 웨이퍼 기판 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160003409A KR101935028B1 (ko) | 2016-01-11 | 2016-01-11 | Led 웨이퍼 기판 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170084422A KR20170084422A (ko) | 2017-07-20 |
| KR101935028B1 true KR101935028B1 (ko) | 2019-01-04 |
Family
ID=59443312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160003409A KR101935028B1 (ko) | 2016-01-11 | 2016-01-11 | Led 웨이퍼 기판 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101935028B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323372A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-11-11 | 歌尔股份有限公司 | 金属基材镀镍方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101470020B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2014-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이 |
| KR101236470B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2013-02-22 | 주식회사 코스텍시스 | 기판 및 이를 이용한 반도체소자 패키지 |
| CN103797598A (zh) * | 2011-09-13 | 2014-05-14 | 电气化学工业株式会社 | Led发光元件保持基板用包覆材料及其制造方法 |
| KR20140086373A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 타카마츠메키 | Ｌｅｄ용 웨이퍼 및 그 제조방법 |
-
2016
- 2016-01-11 KR KR1020160003409A patent/KR101935028B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170084422A (ko) | 2017-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6611380B2 (ja) | Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁性体の表面に形成する複合めっき層及び当該複合めっき層を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁性体の製造方法 | |
| US8147671B2 (en) | Electroplating method and electroplated product | |
| KR101493658B1 (ko) | 플라스틱 기재의 전기 도금 방법 | |
| CN107109652B (zh) | 用于对光学物品进行反射镜涂覆的方法 | |
| JP6444860B2 (ja) | 金属コーティングを作製するための方法 | |
| CN103556194A (zh) | 铝合金表面处理工艺 | |
| CN101280444A (zh) | 用于钕铁硼磁钢防腐的电镀方法 | |
| KR101854195B1 (ko) | 알루미늄합금의 전기아연도금 처리방법 | |
| CN103361688A (zh) | 卫浴产品表面处理方法 | |
| CN103866358A (zh) | 不锈钢镀铜的方法 | |
| TW201032997A (en) | Noble metal-containing layer sequence for decorative articles | |
| CN102108533B (zh) | 一种无氰电镀铜-锡合金层为表层的用于造币的多层电镀工艺 | |
| CN104152972A (zh) | 一种金刚石线锯的制造方法 | |
| KR101935028B1 (ko) | Led 웨이퍼 기판 제조 방법 | |
| KR20140020829A (ko) | 고 알칼리성 도금 욕을 이용하는 금속의 무전해 증착 방법 | |
| JP2011137206A (ja) | アルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
| JP2009149965A (ja) | 銀めっき方法 | |
| CN105483787A (zh) | 一种手机外壳的电镀方法 | |
| CN103993344A (zh) | 一种电镀金刚石磨轮的制作方法 | |
| CN107829115B (zh) | 一种背涂模具珍珠镍的电镀工艺与用途 | |
| CN110484921A (zh) | 退镀液及使用该退镀液退除含钛膜层的方法 | |
| CN108004556B (zh) | 一种硅铝复合材料涂镀表面去灰处理方法 | |
| CN114016100A (zh) | Mems探针表面超硬耐磨电镀涂层的制备方法 | |
| KR101847439B1 (ko) | 알루미늄 또는 알루미늄 합금 소재에 대한 아연의 직접 도금 방법 | |
| CN109267115A (zh) | 一种铜质零部件镀镍方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |