KR20090001849A - 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의제조방법 - Google Patents

열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의제조방법 Download PDF

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KR20090001849A
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Abstract

본 발명은 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로 빛을 방출하는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드가 결합되는 배선기판에 구비되어, 상기 발광 다이오드로부터 발생되는 열을 방출하기 위해 비아홀 내벽에 비아홀 크기의 50% 이상으로 두꺼운 구리 벽을 형성하거나, 구리 벽 이외의 공간에 열 전도성 금속 또는 충진제로 충진하여 구성된 하나 이상의 비아홀을 포함한다. 본 발명에 의하면, 유기 및 무기 재료의 기판의 낮은 열 전도도를 유효 개수의 비아홀을 형성함으로써, 열 방출의 유효면적에 대한 높은 열 전도도를 제공하며 기존 패키지에 비하여 낮은 열 저항 및 높은 열 전달 효율을 제공함은 물론 가격 대비 높은 성능의 패키지를 제공할 수 있다.
발광 다이오드, 비아홀, 구리, 충진제

Description

열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법{light emitting diode package for Thermal Via and its method}
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 2a, 도 2b 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 단면도.
도 3 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 충진 비율(Fill Ratio)을 나타내는 도면.
도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 발광 다이오드가 실장 된 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 5 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수평형 발광 다이오드가 실장 된 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 6 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 간격을 나타낸 도면.
도 7 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드가 실장 되는 금속 패드의 크기를 나타낸 도면.
도 8 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비아홀 개수에 따른 열 저항을 나타낸 그래프.
도 9 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비아홀의 도금 두께 비율에 따른 열전도도 및 열 저항을 나타낸 그래프.
도 10 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 열 저항을 나타낸 그래프.
도 11 은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 하나 이상의 발광 다이오드 패키지의 연결을 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 610, 710 : 발광 다이오드 110, 410, 620 : 비아홀
120 : 배선기판의 상층 패드 130 : 배선기판
140 : 봉지제 및 형광체 150 : 반사컵
160, 460 : 방열판 170 : 접합제
180, 450 : 배선 기판의 절연층 200 : 열 전도성 금속
210 : 충진제 400 : 수직형 발광다이오드
420 : 배선패드 430 : 솔더
440, 700 : 실장패드 500 : 수평형 발광다이오드
600 : 전극패드 1100 : 폴리이미드
1110 : 구리배선 1120 : 보호필름
본 발명은 발광다이오드로부터 발생되는 열을 전도하는 비아홀 내벽에 일정 이상의 두께로 열전도벽을 형성하고, 그 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제를 일정한 비율로 충진하여 열전달을 효율적으로 증진시키는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 한 예로 발광 다이오드 패키지 내에 Cavity가 형성된 기판에 SiOB를 이용한 발광 다이오드를 실장하는 방법으로, SiOB를 금속 기판에 실장하거나 패키징하여 방열판에 바로 부착하였다.
그러나, 상기의 방법은 SiOB 제작비용이 소요되며, 방열판 부착에 공정성이 난해한 단점이 있다.
또한, 상기 SiOB에 비아홀을 형성하여 방열판을 부착하더라도, 상기 SiOB 제작 및 비아홀 제작에 필요한 비용이 증가하며 열전달 효율이 감소하는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 불편함을 해결하기 위하여 일정크기 이하의 비아홀을 열 전도율이 놓은 구리를 내벽에 두껍게 도금하고 그 내부에 열 전도성 금속 및 충진제를 일정 비율로 충진하여, 발광 다이오드의 하면 부의 일정 영역 내에 비아홀을 형성함으로써 열 전달 효율을 증진시키는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 있어서 비아홀 내부에 열 전도성 금속 및 충진제를 사용하여 열전도 효율을 증진시킨다.
본 발명에서 빛을 방출하며 수직형 또는 수평형으로 구비되는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드가 결합되는 배선기판에 구비되어, 상기 발광 다이오드로부터 발생되는 열을 전달하고, 열 전도성 금속 또는 충진제로 구성된 하나 이상의 비아홀을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 비아홀의 열 전도성 금속은 구리(Cu)인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 비아홀의 열 전도성 금속의 구성비율은 비아홀 크기의 50% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 비아홀의 충진제의 충진 비율은 0 내지 50%인 것이 바람직하다. 단, 충진 비율은 하기의 수식을 참조한다.
Figure 112007038918684-PAT00001
( D : 비아홀의 너비, A : 충진제가 충진되는 홀의 너비)
본 발명에서 상기 충진제는 에폭시 또는 실리콘에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 세라믹(AIN, SiC)을 50% 이상 함침시키는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 충진제의 상부에 금속 패드가 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 금속 패드의 크기는 발광 다이오드 1.2배 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 비아홀을 구비한 배선기판의 상면 부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드를 포함하는 봉지제 및 형광체를 패키징하는 반사컵을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 비아홀의 하면 부에 형성되며, 열을 방출하는 방열판을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 방열판은 열전도도가 2W/m-K이상인 비전도성 접합제로 상기 배선기판에 접합 되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 접합제는 열전도율이 50W/m-K이상의 세라믹 비드가 50% 이상 함침되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 배선기판에 하나 이상의 비아홀을 형성하는 제 1 단계를 포함하고, 상기 비아홀의 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제로 충진하는 제 2 단계를 포함하며, 상기 비아홀의 상부에 발광 다이오드를 형성하는 제 3 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 제 2 단계에서는 상기 비아홀 상면부에 금속 패드가 형성되는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 발광 다이오드 패키지는, 상기 배선기판의 절연층이 폴리이미드로 형성되어, 하나 이상의 발광 다이오드가 연결되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1 을 참조하면, 발광 다이오드(100), 비아홀(110), 배선기판의 상층패드(120), 배선기판(130), 봉지제 및 형광체(140), 반사컵(150), 방열판(160), 접합제(170) 및 배선기판의 절연층(180)을 포함한다.
상기 발광 다이오드(100)는 빛을 방출한다.
상기 비아홀(110)은 상기 배선기판의 절연층(130)에 구비되며 상기 발광다이오드 하부에 형성되어 상기 발광다이오드에서 발생하는 상기 방열판(160)으로 전달한다.
그리고, 상기 비아홀(110)의 내부에는 도금을 하여 빈 공간이 없도록 구리로 완전 충진을 하거나, 상기 비아홀(110) 내벽에 일정 두께로 도금을 한 후에 은 또는 구리 비드가 에폭시에 함침된 충진제를 사용하여 충진하여 열전달의 효율을 증가시킨다.
상기 비아홀(110)에 관한 자세한 내용은 하기의 도 2a, 도2b 및 도 3 을 참 조한다.
상기 배선기판의 상층 패드(120)는 상기 배선기판(130)의 상부면에 위치하면 상기 발광 다이오드(100)와 금속 선을 사용하여 연결된다.
상기 배선기판(130)은 상기 방열판(160)의 상부에 상기 배선기판의 절연층(180)의 상측면에 형성되며, 상기 배선기판의 상층패드(120) 하부에 형성된다. 또한, 내부에 상기 비아홀(110)을 포함한다.
상기 봉지제 및 형광체(140)는 상기 비아홀(110)의 상부면과 상기 배선기판의 상층 패드(120)의 상부면에 위치하며, 내부에 상기 발광다이오드(100)를 포함한다.
상기 반사컵(150)은 상기 접합제(170)를 사용하여 상기 배선기판의 상층 패드(120)의 상부면에 형성되며 상기 봉지제 및 형광체(140)를 패키징한다.
상기 방열판(160)은 상기 배선기판의 절연층(180)과 상기 비아홀(110)의 하부에 형성된다.
도 1 을 참조하면, 상기 배선기판(120, 130)에 하나 이상의 비아홀(110)이 형성되며, 상기 비아홀(110)의 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제로 충진한다.
상기 열 전도성 금속 중 본 발명에서는 구리를 사용하며, 상기 충진제는 공기 또는 열전도성 금속을 사용한다. 그리고, 상기 비아홀(110)의 내부가 충진되면, 상기 비아홀(110)의 상면부에 금속 패드를 도금하여 형성한다.
상기 금속 패드는 구리를 이용한 전해 도금을 통하여 형성하며, 그 위에 발광 다이오드의 접합을 위하여 니켈 0.7㎛와 금으로 0.35㎛ 이상을 도금한다.
상기 비아홀(110)의 상면부 또는 상기 비아홀(110)의 상면부에 형성된 패드의 상부에 상기 발광 다이오드(100)가 형성된다.
도 2a, 도 2b 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 단면도이다.
도 2a 는 금속 패드를 형성하지 않은 상태에서 발광 다이오드를 접착하기 위한 단면도로서 열전도도가 높은 은 또는 구리를 에폭시에 함침시킨 접합제를 이용하여 발광다이오드를 실장하기 위한 형태이며, 도 2b 는 발광 다이오드를 유연 및 무연 솔더를 이용하여 접합하기 위하여 충진제 위에 금속 패드를 도금한 형태이다.
상기 비아홀은 열 전도성 금속(200)과 충진제(210)가 일정한 비율로 충진된다.
도 2a 를 참조하면, 상기 비아홀의 내부를 일정한 비율로 열 전도성 금속(200)으로 도금하고, 도금된 사이 공간을 상기 충진제(210)를 사용하여 충진한다.
도 2b 를 참조하면, 방열판의 상면부에 접합제를 사용하여 상기 비아홀이 형성된다. 이때, 상기 비아홀의 내부를 열 전도성 금속(200)으로 도금하고 하부에 패드를 형성함으로 상기 방열판과 상기 패드가 접합된다.
그리고, 상기 패드와 열 전도성 금속(200)으로 형성된 홀에 공기 및 Pa의 충진제(210)를 충진한다.
상기 열 전도성 금속(200)과 충진제(210)로 충진된 상기 비아홀의 상면부에 패드를 구비한 후 발광다이오드를 형성한다.
도 3 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 충진 비율(Fill Ratio)을 나타내는 도면이다.
도 3 을 참조하면, 비아홀의 충진 비율은 비아홀의 너비에 대한 충진제가 충진되는 홀의 너비의 비로 나타난다.
상기 충진제가 충진되는 홀은 상기 비아홀의 너비에서 열 전도성 금속(200)이 도급된 두께를 제외한 비아홀의 너비를 의미한다.
Figure 112007038918684-PAT00002
( D : 비아홀의 너비, A : 충진제가 충진되는 홀의 너비)
그리고, 하기의 표 1 을 참조하면, 상기 비아홀의 충진제의 충진비율은 50% 이하이며, 상기 열 전도성 금속(200)의 도금비율은 50% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
하기의 표 1 은 비아홀에 대한 도금된 벽의 두께와 충진제 및 충진 되지 않은 상태에서 공기가 비아홀 내부에 있는 경우로서, FF(D-A=0)은 비아홀이 구리로 완전 매워지게 도금된 상태이며, PAF(D-A=0.05)는 0.1mm의 비아홀 두께에서 0.05mm가 도금된 상태에서 나머지는 아무것도 채워지지 않은 상태이고, PAF(D-A=0.085)는 0.1mm의 비아홀 두께에서 0.015mm가 도금된 상태에서 나머지는 아무것도 채워지지 않은 상태이다.
그리고, PAF(D-A=0.09)는 0.1mm의 비아홀 두께에서 0.01mm가 도금된 상태에서 나머지는 아무것도 채워지지 않은 상태이고, PPF(D-A=0.16)은 비아홀의 크기가 0.2mm에서 0.04mm는 도금된 벽의 두께이다.
또한, 나머지는 열 전도도가 17 W/m-K인 함침 된 에폭시로서 비아홀이 작고 50% 이상 도금이 된 경우에 등가 열 전도도가 높으며, 충진제로 충진하는 경우 비아홀이 커져야 하는 단점이 있으나 도금 두께가 두꺼우면서 충진제로 충진하는 경우 열 전도도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Figure 112007038918684-PAT00003
도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수직형 발광 다이오드가 실장 된 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4 를 참조하면, 상기 비아홀(110)에서 접합제(170)은 도 1과 같으며, 수직형 발광 다이오드(400)는 상층의 와이어 본딩이 되는 부위와 상기 비아홀이 형성되어 있는 패드와 접합하는 부위가 양극과 음극으로 전류가 흐르는 특성이 있다.
그리고, 와이어 본딩이 되는 배선 기판의 상층 패드(120) 배면의 배선 패드(420)와의 전기적인 도통을 위하여 비아홀(410)이 형성되고, 모듈 배선 기판의 실장 패드(440)와 접합을 위하여 솔더(430)를 이용한 접합을 함으로서 전기적인 도통이 된다.
열은 상기 비아홀(110)을 통하여 접합 솔더(430)와 상기 배선 기판의 실장 패드(440)와 상기 배선 기판의 절연층(450) 통해 방열판(460)으로 방출된다.
상기 방열판(460)은 열 전도도가 좋은 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 적용하며, 절연층(450)은 2 W/m-K 이상의 열 전도율을 가지는 유기 재료이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 수평형 발광 다이오드가 실장 된 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 5 를 참조하면, 상기 비아홀(110)에서 접합제(170)은 도 1과 같으며, 수평형 발광 다이오드(500)는 상층에서 양극과 음극 패드가 형성되어 있어 와이어 본딩이 되는 패키지 상면의 패드와 하면의 패드가 연결되도록 비아홀(410)이 양쪽 패드에 형성이 된다.
도 6 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 간격을 나타낸 도면이다.
도 6 을 참조하면, 발광 다이오드 하측 면에 형성되는 전극 패드(600)에 발광 다이오드(610)가 실장 될 경우 상기 전극 패드(600) 아래에 형성되는 비아홀(620)의 간격을 나타낸 것으로서, D는 상기 비아홀의 크기이며, S는 상기 비아홀간의 간격이다. 최소 1.2mm 전극 패드에서 직경이 0.1mm의 비아홀을 형성하였을 경우 최고 36개까지 형성이 가능하며, 상기 비아홀의 크기와 간격은 1:1로 하여야 한다.
도 7 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드가 실장 되는 금속 패드의 크기를 나타낸 도면으로서 발광다이오드가 실장 되는 패드(700)와 상기 발광 다이오드(710)의 비율은 a : b = 1 : 1.2 이어야 한다.
도 8 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비아홀 개수에 따른 열 저항을 나타낸 그래프이다.
도 8 을 참조하면, 비아홀의 개수가 증가할 수 록 열 저항은 낮아지며, 이는 일정 크기의 비아홀에 간격이 넓어질수록 비아홀의 개수가 감소하므로 상기의 도 6에서와 같이 비아홀의 간격과 크기는 최소 1:1을 유지하여야 한다.
도 9 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 비아홀의 도금 두께 비율에 따른 열전도도 및 열 저항을 나타낸 그래프이다.
도 9 를 참조하면, 상기 비아홀은 100% 모두 구리로 도금한 경우 FF(D-A=0)가 상기의 표 1에서와 같이 고 열전도도의 특성에 따라 가장 낮은 열 저항을 가지는 것을 알 수 있다.
그리고, MCPCB에서 2 W/m-K의 열 전도도를 가진 고가의 절연 재료보다, 비아홀을 충진 또는 도금으로 매립하면서 저가의 낮은 열 전도도(0.3 W/m-K)의 특성이 있는 절연재료를 적용하는 것이 경제적이면서 높은 성능을 얻을 수 있다.
하기의 표 2 는 기존 플립칩 본딩 방식의 LED 소자를 적용하는 SiOB와 본 기술의 수평 및 수직형 LED 소자를 적용한 패키지와 열 저항의 크기를 도 10 결과를 응용하여 계산한 결과로서 수직형 LED를 적용한 본 발명 기술이 우수함을 알 수 있다.
Figure 112007038918684-PAT00004
도 10 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비아홀의 열 저항을 나타낸 그래프이다.
도 10 을 참조하면, T3Ster 측정 장비에서 1.9 K/W의 결과를 얻었으며, 기존 배선 기판의 경우 35 ∼ 50 K/W의 결과 대비 20배 이상의 성능이 개선이 되었다.
도 11 은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 하나 이상의 발광 다이오드 패키지의 연결을 나타낸 도면이다.
도 11 을 참조하면, 패키지와 패키지는 구리 배선(1110)으로 전기적인 도통이 이루어지며, 구리 배선은 보호 필름(1120)에 의하여 전기적인 단락과 먼지에 대한 보호가 되며, 비아홀이 형성되는 폴리이미드(1100)는 패키지의 방열판 위에 접착이 되면서 구리 배선의 아래에 위치함으로써 패키지와 패키지가 기계적으로 연결되도록 하며, 구부림 자유로운 모듈을 제작할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 비아홀 내부에 열 전도성 금속 및 충진제를 일정 비율로 충진하여 열 전달 효율을 증진시키는 효과가 있다.
또한, 비아홀이 방열판의 상부에 형성되어 공정이 단순화됨으로 비용이 절감되는 효과가 있다.
그리고, 발광 다이오드의 종류에 관계없이 적용 가능하며, 폴리이미드의 절 연체를 적용하였을 경우 특정 모듈에 접합하지 않고도 멀티 어레이 패키지와 같은 기능의 모듈을 대체할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 빛을 방출하며 수직형 또는 수평형으로 구비되는 발광 다이오드; 및
    상기 발광 다이오드가 결합되는 배선기판에 구비되어, 상기 발광 다이오드로부터 발생되는 열을 전달하고, 열 전도성 금속 또는 충진제로 구성된 하나 이상의 비아홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 열 전도성 금속은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 열 전도성 금속의 구성비율은 비아홀 크기의 50% 이상인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 충진제의 충진 비율은 0 내지 50%인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
    단, 충진 비율은 하기의 수식을 참조한다.
    Figure 112007038918684-PAT00005
    ( D : 비아홀의 너비, A : 충진제가 충진되는 홀의 너비)
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 충진제는 에폭시 또는 실리콘에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 세라믹(AIN, SiC)을 50% 이상 함침시키는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 충진제의 상부에 금속 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 패드의 크기는 발광 다이오드 1.2배 이상인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 비아홀을 구비한 배선기판의 상면 부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드를 포함하는 봉지제 및 형광체를 패키징하는 반사컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 하면 부에 형성되며, 열을 방출하는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 방열판은 열전도도가 2W/m-K이상인 비전도성 접합제로 상기 배선기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 접합제는 열전도율이 50W/m-K이상의 세라믹 비드가 50% 이상 함침되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
  12. 배선기판에 하나 이상의 비아홀을 형성하는 제 1 단계;
    상기 비아홀의 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제로 충진하는 제 2 단계; 및
    상기 비아홀의 상부에 발광 다이오드를 형성하는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 제 2 단계에서는 상기 비아홀 상면부에 금속 패드가 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  14. 상기 발광 다이오드 패키지는,
    상기 배선기판의 절연층이 폴리이미드로 형성되어, 하나 이상의 발광 다이오 드가 연결되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지.
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