JPS5826051A - アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成されたガラス体 - Google Patents
アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成されたガラス体Info
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- JPS5826051A JPS5826051A JP12242081A JP12242081A JPS5826051A JP S5826051 A JPS5826051 A JP S5826051A JP 12242081 A JP12242081 A JP 12242081A JP 12242081 A JP12242081 A JP 12242081A JP S5826051 A JPS5826051 A JP S5826051A
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- film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルカリ含有ガラスのガラス下地からアルカ
リイオン拡散するのを防ぐアルカリ拡散防止シリカ膜付
ガラス体の改良に関するものである。
リイオン拡散するのを防ぐアルカリ拡散防止シリカ膜付
ガラス体の改良に関するものである。
透明材料としてのガラス板は、化学的に安定で表面硬度
に優れ、かつｓｏｏ℃〜７００’ＣＩ！度までの高温に
耐え、更に電気絶縁性、化学的性質が優れているため、
建築用、車輌用、航空様用の窓ガラス材料としては勿論
のこと、先学部品、電気部品、電子部品等に用いられて
いる。
に優れ、かつｓｏｏ℃〜７００’ＣＩ！度までの高温に
耐え、更に電気絶縁性、化学的性質が優れているため、
建築用、車輌用、航空様用の窓ガラス材料としては勿論
のこと、先学部品、電気部品、電子部品等に用いられて
いる。
特に、最近ではガラス板面に電導性被膜を形成した電導
性ガラス板が、液晶素子、エレクトロクロミック素子、
電場発光素子などの表示素子やアモルファス太陽電池基
板等に用いられ【いる。これら電導性ガラス板のガラス
基板としては、最も汎用され、価格的にも安価なソーダ
ライムシリカガラス板が使用される傾向があるが、この
ソーダライムシリカガラス板は組成的に１０〜２・ｗｔ
ｓ程度のナトリウム、カリウム等のアルカリ成分を含ん
でいるため、長期間の使用によりガラス下地からの表面
へのアルカリイオンの拡散によるコーティングされた電
導膜の性能劣化を起すという欠点が生ずる。例えば、電
導性ガラス板の電導ｇに白濁が生じたり透明度が低下し
たり、あるいは電導膜の抵抗値が増大したり、化学的、
物理的耐久性が低下したりする。
性ガラス板が、液晶素子、エレクトロクロミック素子、
電場発光素子などの表示素子やアモルファス太陽電池基
板等に用いられ【いる。これら電導性ガラス板のガラス
基板としては、最も汎用され、価格的にも安価なソーダ
ライムシリカガラス板が使用される傾向があるが、この
ソーダライムシリカガラス板は組成的に１０〜２・ｗｔ
ｓ程度のナトリウム、カリウム等のアルカリ成分を含ん
でいるため、長期間の使用によりガラス下地からの表面
へのアルカリイオンの拡散によるコーティングされた電
導膜の性能劣化を起すという欠点が生ずる。例えば、電
導性ガラス板の電導ｇに白濁が生じたり透明度が低下し
たり、あるいは電導膜の抵抗値が増大したり、化学的、
物理的耐久性が低下したりする。
すなわち、液晶表示素子では、ガラスから拡散し【きた
アルカＩ９＃Ｃより表示電極表両で酸化還元反応が起り
透男電極材料である鹸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、ま
たは酸化錫膜（ネサ膜）を変質させ、更には液晶自体も
電気分解を起し様な理由で電極が損耗しエレクトｐクロ
之ツタ材料である酸化タングステンや酸化モリブデンの
電蝕や変質の原因となり素子を劣化させる。
アルカＩ９＃Ｃより表示電極表両で酸化還元反応が起り
透男電極材料である鹸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、ま
たは酸化錫膜（ネサ膜）を変質させ、更には液晶自体も
電気分解を起し様な理由で電極が損耗しエレクトｐクロ
之ツタ材料である酸化タングステンや酸化モリブデンの
電蝕や変質の原因となり素子を劣化させる。
また電場発光素子の場合にも拡散によつ【ガラス表両か
ら出てきたアルカリは電導膜を貫通して蛍光体材料に入
りこみ発光効率や発光色までも変化させる。更にアモル
ファス太陽電池の場合には、電極を貫通し【出てきたア
ルカリはアモルファスシリコン中に拡散して変換効率を
低下させる恐れがあるとされている。
ら出てきたアルカリは電導膜を貫通して蛍光体材料に入
りこみ発光効率や発光色までも変化させる。更にアモル
ファス太陽電池の場合には、電極を貫通し【出てきたア
ルカリはアモルファスシリコン中に拡散して変換効率を
低下させる恐れがあるとされている。
あるいは又、ソーダライムシリカガラスの様なアルカリ
含有ガラスは、高温処理時にアルカリイオンが移動しや
すくなる傾向があり、電導性ガラス、あるいは各種プー
トガラスの製造時の高温処理時のアルカリイオンの拡散
により電導膜あるいは各種コート膜の性能が低下すると
い５欠点も生じる。
含有ガラスは、高温処理時にアルカリイオンが移動しや
すくなる傾向があり、電導性ガラス、あるいは各種プー
トガラスの製造時の高温処理時のアルカリイオンの拡散
により電導膜あるいは各種コート膜の性能が低下すると
い５欠点も生じる。
普通板ガラスのこれらの欠点を補なうために従来３通り
の解決法が用意されている。ひとつはアルカリ拡散が問
題にならないような組成の板ガラス、例えばシリカガラ
ス、高シリカガラス（バイコール）、無アルカリのアル
よノシリケートガラス（ＣＧＷ＋７０５５’ など）、
低アルカリのボ繋シリケート（バイレックスなど）を用
いる方法である。しかしながらこれらのカラスは高価で
あり、また常に容易に入手し５るものでなく、また表面
平滑性の点でも劣るために表面を再研摩したりする必要
がある。実際極端な場合＃Ｃは薄い板ガラスの形で入手
することが国難なために数ミリ厚のガラスを削り、研摩
して１−の板ガラスを得るという事も行なわれている。
の解決法が用意されている。ひとつはアルカリ拡散が問
題にならないような組成の板ガラス、例えばシリカガラ
ス、高シリカガラス（バイコール）、無アルカリのアル
よノシリケートガラス（ＣＧＷ＋７０５５’ など）、
低アルカリのボ繋シリケート（バイレックスなど）を用
いる方法である。しかしながらこれらのカラスは高価で
あり、また常に容易に入手し５るものでなく、また表面
平滑性の点でも劣るために表面を再研摩したりする必要
がある。実際極端な場合＃Ｃは薄い板ガラスの形で入手
することが国難なために数ミリ厚のガラスを削り、研摩
して１−の板ガラスを得るという事も行なわれている。
これは材料資源及びエネルギーの節約の点から賊に好ま
しからざる事態である。
しからざる事態である。
２番目の解決法はソーダライムシリカガラス表面層から
アルカリ成分をあらかじめ除去ないし減少させる方法で
、高温で硫黄粉と接触させる方法や真空中で３００℃以
上の高温にし【直流電界をかけてＮａ＋イオンな工ＴＯ
（ネサ）コート面と反対側に掃き寄せる方法、ｊ！に塩
酸や硫黄などの酸中で煮る方法などが提鳴されている。
アルカリ成分をあらかじめ除去ないし減少させる方法で
、高温で硫黄粉と接触させる方法や真空中で３００℃以
上の高温にし【直流電界をかけてＮａ＋イオンな工ＴＯ
（ネサ）コート面と反対側に掃き寄せる方法、ｊ！に塩
酸や硫黄などの酸中で煮る方法などが提鳴されている。
この方法は時間がかかる事と再現性に充分でない点があ
ることである。
ることである。
５番目の解決法は通常のソーダライムシリカガラス表面
に何らかのアルカリ拡散を阻止する薄膜を形成する方法
であり、シリカ繞が一般罠用いられている。酸化ケイ素
膜（例えば８１０鵞膜）をアルカリ′拡散防止に用いる
理由は膜がアモルファスで、この上に別の薄膜たとえば
電導膜などを形成する場合、実質的にガラス上に形成し
たと同じ膜を形成できることと酸化ケイ素膜の屈折率が
ガラスよりも若干低いがガラスに近く、また通常板ガラ
スよりも広い範囲の光に対して透明であるためにガラス
の透明性が損われないことによる。以上にのべた酸化ケ
イ素膜は広義であり、詳しくは純粋な酸化ケイ素膜の場
合と適尚な不純物を混入した酸化ケイ素膜例えば硼素や
燐を軟量添加してアルカリイオンの拡散の阻止能力を高
めた酸化ケイ素膜がある。この様なアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜を形成する方法としては、膜を緻密化してア
ルカリ阻止能を高めることができる様にできるだけ高真
空下においてスパッター法、真空蒸着法あるいはイオノ
ブレーティング法叉はＣＶＤ法により純粋な８１０Ｋ
（０（ｘ≦２）等の酸化ケイ素膜を形成する方法、ゾル
／ゲル法により同上の純粋な酸化ケイ素膜を形成する方
法、あるいは、硼素や燐の添加物の混入が容易なゾル／
ゲル法により硼素含有酸化ケイ素膜や燐含有酸化ケイ素
膜を形成する方法などが代表的な方法として挙げられる
。
に何らかのアルカリ拡散を阻止する薄膜を形成する方法
であり、シリカ繞が一般罠用いられている。酸化ケイ素
膜（例えば８１０鵞膜）をアルカリ′拡散防止に用いる
理由は膜がアモルファスで、この上に別の薄膜たとえば
電導膜などを形成する場合、実質的にガラス上に形成し
たと同じ膜を形成できることと酸化ケイ素膜の屈折率が
ガラスよりも若干低いがガラスに近く、また通常板ガラ
スよりも広い範囲の光に対して透明であるためにガラス
の透明性が損われないことによる。以上にのべた酸化ケ
イ素膜は広義であり、詳しくは純粋な酸化ケイ素膜の場
合と適尚な不純物を混入した酸化ケイ素膜例えば硼素や
燐を軟量添加してアルカリイオンの拡散の阻止能力を高
めた酸化ケイ素膜がある。この様なアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜を形成する方法としては、膜を緻密化してア
ルカリ阻止能を高めることができる様にできるだけ高真
空下においてスパッター法、真空蒸着法あるいはイオノ
ブレーティング法叉はＣＶＤ法により純粋な８１０Ｋ
（０（ｘ≦２）等の酸化ケイ素膜を形成する方法、ゾル
／ゲル法により同上の純粋な酸化ケイ素膜を形成する方
法、あるいは、硼素や燐の添加物の混入が容易なゾル／
ゲル法により硼素含有酸化ケイ素膜や燐含有酸化ケイ素
膜を形成する方法などが代表的な方法として挙げられる
。
この様に各種方法により形成されるアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜は、それぞれ効果の１度の違いこそあれ、あ
る程度アルカリ拡散阻止効果があるが、いまだ充分では
なく、又製造方法、製造条件等により性能が大きく異な
るという欠点を有していた。
化ケイ素膜は、それぞれ効果の１度の違いこそあれ、あ
る程度アルカリ拡散阻止効果があるが、いまだ充分では
なく、又製造方法、製造条件等により性能が大きく異な
るという欠点を有していた。
本発明者らは、上記した様に従来のアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜における諸欠点、例えばアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜形成時の製造条件制御、組成制御、原料ａｍ
等の製造上の制約が厳しいという欠点がなく、かつ従来
のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜よりもアルカリ拡散防
止効果が高いアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜について検
討の結果、酸化クイ１Ａ膜中和シリコン（８１）と結合
したフッ素、又はこのフッ素とシリコンと結合した水素
とを組合わせて含有させることにより、即ち、酸化ケイ
素膜中の一〇−８１−〇−結合の一部に８１−Ｆ結合を
存在させるか又は８１−Ｆ結合と８１−Ｈ結合とを混在
させることにより、従来において優れたアルカリ拡散阻
止作用を有するものとして知られた燐やｉｊＡ素を含む
酸化ケイ素膜よりも更にガラス中のアルカリの拡散を抑
制できることを見出し、本発明として提案するに到った
ものである。
化ケイ素膜における諸欠点、例えばアルカリ拡散防止酸
化ケイ素膜形成時の製造条件制御、組成制御、原料ａｍ
等の製造上の制約が厳しいという欠点がなく、かつ従来
のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜よりもアルカリ拡散防
止効果が高いアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜について検
討の結果、酸化クイ１Ａ膜中和シリコン（８１）と結合
したフッ素、又はこのフッ素とシリコンと結合した水素
とを組合わせて含有させることにより、即ち、酸化ケイ
素膜中の一〇−８１−〇−結合の一部に８１−Ｆ結合を
存在させるか又は８１−Ｆ結合と８１−Ｈ結合とを混在
させることにより、従来において優れたアルカリ拡散阻
止作用を有するものとして知られた燐やｉｊＡ素を含む
酸化ケイ素膜よりも更にガラス中のアルカリの拡散を抑
制できることを見出し、本発明として提案するに到った
ものである。
即ち、本発明は、アルカリ含有のガラスの表面に、賦ガ
ラスからのアルカリ拡散を抑制するアルカ９拡散防止酸
化ケイ素膜を形成したガラスにおいて、上記アルカリ拡
散防止酸化ケイ素膜がシリコンと結合したフッ素又はシ
リコンと結合したフッ素とクリコンと結合した水素とを
含有することを特徴とするアルカリ拡散防止酸化ケイ素
膜付ガラス体Ｋ１１ｌするものである。
ラスからのアルカリ拡散を抑制するアルカ９拡散防止酸
化ケイ素膜を形成したガラスにおいて、上記アルカリ拡
散防止酸化ケイ素膜がシリコンと結合したフッ素又はシ
リコンと結合したフッ素とクリコンと結合した水素とを
含有することを特徴とするアルカリ拡散防止酸化ケイ素
膜付ガラス体Ｋ１１ｌするものである。
本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜によりガラスか
らのアルカリ拡散阻止能が増大する理由は明確ではない
が、酸化ケイ素膜中の一〇−５ｉ−ｏ−結合の−＠ｔｃ
−８ｉ−Ｆ結合又は−５１−Ｆ結合と−８１−Ｈ結合と
をもたせることにより酸化ケイ素膜の網目構造が緻密化
したり構造欠陥がなくなったりする効果、及び末端のＦ
又は？とＨが正に帯電し”ＣＮａ＋やに＋のアルカリイ
オンの移動を妨害する効果等により、ガラス内部からそ
の表面に被覆された被膜材料との間の湊度差あるいは電
気的な誘因によりアルカリイオンがガラス表ｍに浸出す
るのを防止するためと考えられる。
らのアルカリ拡散阻止能が増大する理由は明確ではない
が、酸化ケイ素膜中の一〇−５ｉ−ｏ−結合の−＠ｔｃ
−８ｉ−Ｆ結合又は−５１−Ｆ結合と−８１−Ｈ結合と
をもたせることにより酸化ケイ素膜の網目構造が緻密化
したり構造欠陥がなくなったりする効果、及び末端のＦ
又は？とＨが正に帯電し”ＣＮａ＋やに＋のアルカリイ
オンの移動を妨害する効果等により、ガラス内部からそ
の表面に被覆された被膜材料との間の湊度差あるいは電
気的な誘因によりアルカリイオンがガラス表ｍに浸出す
るのを防止するためと考えられる。
零発ＩｊｌＩにおいて、アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜
中のシリコンとの結合にあずかるフッ素又は７ツ素と水
素の含有量は、１０１〜２ａ−の範囲が好ましい、更に
好ましくは（Ｌ１チ〜１０チが最適である。かかる５ｉ
−Ｆ結合又は８１−Ｆ結合と５ｉ−ｉｆ結合の存在は、
例えば赤外分光法により確認できる。この検出法を利用
してアルカリ拡散量との関係を調べた結果、上記した様
に１０１−〜２０チのフッ素含有量又はフッ素及び水素
含有量で優れたアルカリ阻止能力があることが４１１１
明した。フッ素含有量又はフッ素及び水素含有量が２０
％を越えると、アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の硬度が
低下し、膜に傷が付きやすくなったりして好ましくない
。例えば、表示用素子の透明電極板にアルカリ拡散防止
酸化ケイ素膜を適用した場合には、膜の硬度の低下のた
め、製造工程での取扱いの容易さの点で問題となり好ま
しくない、又ｃＬ０１％より少ないと、アルカリ拡散防
止能力が弱まってくるので好ましくない。
中のシリコンとの結合にあずかるフッ素又は７ツ素と水
素の含有量は、１０１〜２ａ−の範囲が好ましい、更に
好ましくは（Ｌ１チ〜１０チが最適である。かかる５ｉ
−Ｆ結合又は８１−Ｆ結合と５ｉ−ｉｆ結合の存在は、
例えば赤外分光法により確認できる。この検出法を利用
してアルカリ拡散量との関係を調べた結果、上記した様
に１０１−〜２０チのフッ素含有量又はフッ素及び水素
含有量で優れたアルカリ阻止能力があることが４１１１
明した。フッ素含有量又はフッ素及び水素含有量が２０
％を越えると、アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の硬度が
低下し、膜に傷が付きやすくなったりして好ましくない
。例えば、表示用素子の透明電極板にアルカリ拡散防止
酸化ケイ素膜を適用した場合には、膜の硬度の低下のた
め、製造工程での取扱いの容易さの点で問題となり好ま
しくない、又ｃＬ０１％より少ないと、アルカリ拡散防
止能力が弱まってくるので好ましくない。
なお、酸化ケイ素膜中には、シリコンと結合したフッ素
又は水素の峰かＫ Ｆ、やＨ！の形で含まれるフッ素又
は水素が存在する場合もあるが、本発明の酸化ケイ素膜
中のフッ素含有率、水素含有率は、シリコンと結合した
フッ素、又は水素、即ち８１−Ｆ結合、又はｆａｉ−Ｈ
結合になっているフッ素又は水素の含有率を表わすもの
である。
又は水素の峰かＫ Ｆ、やＨ！の形で含まれるフッ素又
は水素が存在する場合もあるが、本発明の酸化ケイ素膜
中のフッ素含有率、水素含有率は、シリコンと結合した
フッ素、又は水素、即ち８１−Ｆ結合、又はｆａｉ−Ｈ
結合になっているフッ素又は水素の含有率を表わすもの
である。
本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の膜厚は、充分
なアルカリ拡散阻止能が発揮される様に、５０又以上と
するのが好ましい。中でも、ＩＧＩＯ又〜５ｏｏａ又の
範囲が最も実用的である。
なアルカリ拡散阻止能が発揮される様に、５０又以上と
するのが好ましい。中でも、ＩＧＩＯ又〜５ｏｏａ又の
範囲が最も実用的である。
又、本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜を適用でき
るガラスとし′Ｃは、最も汎用されているＮａやＫｔｔ
＜ Ｏ〜２０ｖｔ％含むソーダライムシリカガラスは勿
論、その他各種アルカリ含有ガラスが挙げられる。
るガラスとし′Ｃは、最も汎用されているＮａやＫｔｔ
＜ Ｏ〜２０ｖｔ％含むソーダライムシリカガラスは勿
論、その他各種アルカリ含有ガラスが挙げられる。
又、本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成方法
としては、真空蒸着法、スパッター法、イオンブレーテ
ィング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ゾ／
＆／／ゲル法のほか、各種被膜形成法が使用できる。な
お、ＰＶＤ法の場合には、蒸着源ターゲラ） ｉＣ８ｉ
０．を使って被着する方法の他１ｃ Ｓｉ又はｓｉｏを
蒸着源ターゲットに使って反応性蒸着又は反応性スパッ
ターして被着する方法などが採用される。フッ素又は水
素を酸化ケイ素被膜中に導入させる方法としては真空蒸
着法、スパッター法、イオンブレーティング法などのＰ
ＶＤ法においては真空槽の中にフッ素ガス、フッ素化合
物ガス、又は水素ガス、水素化合物ガスを導入して被膜
形成時に、８１−１！！結合又は８１−Ｆ結合と８１−
Ｈ結合ができる様にする方法、又、ＣＶＤ法においては
フッ素ガス、フッ素化合物ガス、又は塩ガス、水素化合
物ガスと酸化ケイ素を生成するケイ素化合物ガスとを接
触させて８１−Ｆ結合又は５ｉ−Ｆ結合と８１−Ｈ結合
ができる様にする方法が代表的な方法として挙げられる
が、これらのはかに１酸化ケイ素膜を形成後フッ素雰囲
気中又はフッ素及び水素雰囲気中で熱処理する方法とか
、酸化ケイ素膜を形成後、フッ素イオン又はフッ素イオ
ンと水素イオンをイオン打込みによって導入する方法な
どが挙げられる。
としては、真空蒸着法、スパッター法、イオンブレーテ
ィング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ゾ／
＆／／ゲル法のほか、各種被膜形成法が使用できる。な
お、ＰＶＤ法の場合には、蒸着源ターゲラ） ｉＣ８ｉ
０．を使って被着する方法の他１ｃ Ｓｉ又はｓｉｏを
蒸着源ターゲットに使って反応性蒸着又は反応性スパッ
ターして被着する方法などが採用される。フッ素又は水
素を酸化ケイ素被膜中に導入させる方法としては真空蒸
着法、スパッター法、イオンブレーティング法などのＰ
ＶＤ法においては真空槽の中にフッ素ガス、フッ素化合
物ガス、又は水素ガス、水素化合物ガスを導入して被膜
形成時に、８１−１！！結合又は８１−Ｆ結合と８１−
Ｈ結合ができる様にする方法、又、ＣＶＤ法においては
フッ素ガス、フッ素化合物ガス、又は塩ガス、水素化合
物ガスと酸化ケイ素を生成するケイ素化合物ガスとを接
触させて８１−Ｆ結合又は５ｉ−Ｆ結合と８１−Ｈ結合
ができる様にする方法が代表的な方法として挙げられる
が、これらのはかに１酸化ケイ素膜を形成後フッ素雰囲
気中又はフッ素及び水素雰囲気中で熱処理する方法とか
、酸化ケイ素膜を形成後、フッ素イオン又はフッ素イオ
ンと水素イオンをイオン打込みによって導入する方法な
どが挙げられる。
本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ３ｉＭは、従来の添
加物を添加したアルカリ拡１ｋｖＩ止酸化ケイ素膜の様
（添加物を固形成分の形で含んでいるのではなく、アモ
ルファス状態であり、かつその三次元網目構造の−Ｓに
８１−Ｆ結合、又は８１−Ｆ結合と８１−Ｈ結合を含ま
せである点において、従来のアルカリ拡散防止膜とは異
なる。
加物を添加したアルカリ拡１ｋｖＩ止酸化ケイ素膜の様
（添加物を固形成分の形で含んでいるのではなく、アモ
ルファス状態であり、かつその三次元網目構造の−Ｓに
８１−Ｆ結合、又は８１−Ｆ結合と８１−Ｈ結合を含ま
せである点において、従来のアルカリ拡散防止膜とは異
なる。
従って、本発明のアルカリ拡散酸化ケイ素膜は、固形の
添加物を含まないために、原料調整段階での作業が容易
であり、又、膜形成作業でも真空蒸着の場合＃Ｃ起り易
い分留や、スパッタリングでの添加成分の逸散などの心
配がなく、膜形成の作業が容易となる。
添加物を含まないために、原料調整段階での作業が容易
であり、又、膜形成作業でも真空蒸着の場合＃Ｃ起り易
い分留や、スパッタリングでの添加成分の逸散などの心
配がなく、膜形成の作業が容易となる。
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例１
１０ｍＸ１０ａｗＸ３ｍのアルカリ成分Ｒａ Ｏ（Ｒ：
ａａ、Ｋ）を１５−含む普通ガラス板（ソーダライ＾り
９カガラス板）を洗剤で充分に洗浄し、水洗乾燥した。
ａａ、Ｋ）を１５−含む普通ガラス板（ソーダライ＾り
９カガラス板）を洗剤で充分に洗浄し、水洗乾燥した。
このガラス板を真！１！蒸着装置の真空槽内に配置して
同槽内をＩ Ｘ ｉ Ｑ”ｔｏｒｒ まで排気したの
ち、１５４ｓの水素ガス及び５−のＣＦ４ガスを含むア
ルゴンガスな導入して ２×１０−’ ｔｏｒｒとし、
高周波電磁界（周波数１五５６ｍｇｇ）をかけて導入ガ
スをイオン化する一方、蒸着源（ｓｉｏ、粉末）を電子
ビーム加熱法により加熱し【約１ａＲ／妙の蒸着速度で
高周波イオンブレーティング法により約１ｏｏｏＸの８
１０゜膜を形成した。次いで、上記真空槽内に乾燥空気
をバリアプルリークバルブから導入して、３ Ｘ １
（１’ｔｏｒｒとした後、酸化アンチモンの添加された
酸化錫を蒸着源として普通の真空蒸着法により約２０
ｏＯＲの８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、８１０を膜
とＳｎ０ｇ膜の形成時の蒸着源とガラス基板間の距離は
４Ｇａｍとし、基板温度は室温とした。
同槽内をＩ Ｘ ｉ Ｑ”ｔｏｒｒ まで排気したの
ち、１５４ｓの水素ガス及び５−のＣＦ４ガスを含むア
ルゴンガスな導入して ２×１０−’ ｔｏｒｒとし、
高周波電磁界（周波数１五５６ｍｇｇ）をかけて導入ガ
スをイオン化する一方、蒸着源（ｓｉｏ、粉末）を電子
ビーム加熱法により加熱し【約１ａＲ／妙の蒸着速度で
高周波イオンブレーティング法により約１ｏｏｏＸの８
１０゜膜を形成した。次いで、上記真空槽内に乾燥空気
をバリアプルリークバルブから導入して、３ Ｘ １
（１’ｔｏｒｒとした後、酸化アンチモンの添加された
酸化錫を蒸着源として普通の真空蒸着法により約２０
ｏＯＲの８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、８１０を膜
とＳｎ０ｇ膜の形成時の蒸着源とガラス基板間の距離は
４Ｇａｍとし、基板温度は室温とした。
この様にして得られたサンプル１のフッ素含有率、水素
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例２
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター装鷺の真
空槽内に配置して同槽内を１×１０−％ｏｒｒまで排気
した後１５％の水素ガス及び５−のＣＦ４ガスを含むア
ルゴンガスな導入して５×１０−” ｔｏｒｒとし、熔
融石英ターゲットを用い”ＣＲＦ２極スパッター法で約
１ｏｏｏｆｆｉの８１０．膜を形成した。次Ｋ ８１０
．膜の形成されたガラス基板を真空蒸着装置に移し、こ
の真空槽内を３ Ｘ １０− ｔｏｒｒとした後酸化ア
ンチモンの添加された酸化錫を蒸着源として普通の真空
蒸着法により約２ｏｏｏＸの８ｎｏ、電導膜を形成した
。なお、スパッタリング時のガラス基板温度は約５００
℃とし、蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター装鷺の真
空槽内に配置して同槽内を１×１０−％ｏｒｒまで排気
した後１５％の水素ガス及び５−のＣＦ４ガスを含むア
ルゴンガスな導入して５×１０−” ｔｏｒｒとし、熔
融石英ターゲットを用い”ＣＲＦ２極スパッター法で約
１ｏｏｏｆｆｉの８１０．膜を形成した。次Ｋ ８１０
．膜の形成されたガラス基板を真空蒸着装置に移し、こ
の真空槽内を３ Ｘ １０− ｔｏｒｒとした後酸化ア
ンチモンの添加された酸化錫を蒸着源として普通の真空
蒸着法により約２ｏｏｏＸの８ｎｏ、電導膜を形成した
。なお、スパッタリング時のガラス基板温度は約５００
℃とし、蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
この様（シ【得られたサンプル２のフッ素含有率、水素
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例１
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をＲＦｆｆグ同槽内全槽内Ｘ
１０− ｔｏｒｒまで排気した後１５嘩の水素ガス及び
５チのＣＦ、ガスを含むアルゴンガスを導入して３ Ｘ
１０−ｔｏｒｒとし、熔融石英ターゲットを用いてＲ
Ｆマグネトロンスパッター法で約１ｏｏｏＸの８１０！
膜を形成した０次に８１０、膜の形成されたガラス基板
を真空蒸着装置に移し、この真空槽内を５ Ｘ １０−
４ｔｏｒｒとした後酸化アンチモンの添加された酸化錫
を蒸着源とし【普通の真空蒸着法により約２０００又の
８ｎＯ＠電導膜を形成した。なお、スパッタリング時の
ガラス基板温度は約３００℃とし、蒸着時のガラス基板
温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板をＲＦｆｆグ同槽内全槽内Ｘ
１０− ｔｏｒｒまで排気した後１５嘩の水素ガス及び
５チのＣＦ、ガスを含むアルゴンガスを導入して３ Ｘ
１０−ｔｏｒｒとし、熔融石英ターゲットを用いてＲ
Ｆマグネトロンスパッター法で約１ｏｏｏＸの８１０！
膜を形成した０次に８１０、膜の形成されたガラス基板
を真空蒸着装置に移し、この真空槽内を５ Ｘ １０−
４ｔｏｒｒとした後酸化アンチモンの添加された酸化錫
を蒸着源とし【普通の真空蒸着法により約２０００又の
８ｎＯ＠電導膜を形成した。なお、スパッタリング時の
ガラス基板温度は約３００℃とし、蒸着時のガラス基板
温度は室温とした。
この様和して得られたサンプル３のフッ素含有率、水素
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
含有率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例４
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板ｍＫＣＶＤ 法により５嘩の８
１Ｆ４と８１Ｈ４ガスと０！ガスを用いて約１ｏｏｏＸ
の８１０．膜を基板温度３００℃、４０Ｏ℃、４５０℃
、５５０℃で形成した。なお、０驚： （８１１１！４
＋ ８１Ｆ４）の比は約１０：１で行なった０次にこれ
ら５ｉｏｔｌｌの形成されたガラス基板を真空蒸着装置
の真空槽内に配し、この真空槽内を５ Ｘ Ｉ Ｑ’
ｔｏｒｒとしたｇｋｌｌ化アンチモンの添加された酸化
錫を蒸着源として通常の真空蒸着法により約２ｏｏｏＸ
の８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、蒸着時のガラス基
板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板ｍＫＣＶＤ 法により５嘩の８
１Ｆ４と８１Ｈ４ガスと０！ガスを用いて約１ｏｏｏＸ
の８１０．膜を基板温度３００℃、４０Ｏ℃、４５０℃
、５５０℃で形成した。なお、０驚： （８１１１！４
＋ ８１Ｆ４）の比は約１０：１で行なった０次にこれ
ら５ｉｏｔｌｌの形成されたガラス基板を真空蒸着装置
の真空槽内に配し、この真空槽内を５ Ｘ Ｉ Ｑ’
ｔｏｒｒとしたｇｋｌｌ化アンチモンの添加された酸化
錫を蒸着源として通常の真空蒸着法により約２ｏｏｏＸ
の８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、蒸着時のガラス基
板温度は室温とした。
これら４枚のサンプルのうち、基板温度を５００℃とし
Ｃ５ｔｏ＝膜を形成したものをサンプル４、基板温度を
４００℃としてｓ１０！膜を形成したものをサンプル器
、基板温度を４５０℃として８１０．膜を形成したもの
をサンプル６、基板温度を５５０℃としてｓｌｏ、膜を
形成したものをサンプル７とした。
Ｃ５ｔｏ＝膜を形成したものをサンプル４、基板温度を
４００℃としてｓ１０！膜を形成したものをサンプル器
、基板温度を４５０℃として８１０．膜を形成したもの
をサンプル６、基板温度を５５０℃としてｓｌｏ、膜を
形成したものをサンプル７とした。
これう４ｒサンプルについてのフッ素含有率、水素含有
率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
率及びアルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例５
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内な１×１０′４ｔｏｒｒ まで排気した
のち、８１Ｆ４ガスを導入して２ Ｘ １０−’ ｔｏ
ｒｒとするとともに真空槽を２０Ｑ℃に加熱した状態で
高周波電磁界（周波数１工５６ＭＨｚ）をかけて導入ガ
スをイオン化する一方、蒸着源（Ｓ１Ｏ，粉末）を電子
ビーム加熱法により加熱し【約１０ル秒の蒸着速度で高
周波イオンブレーティング法により約１ｏｏｏＸの８１
０１を形成した。次いで、上記真空槽内に乾燥空気をバ
リアプルリークバルブから導入して、３Ｘ１０−” ｔ
ｏｒｒとした後、醸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約ｚｏｏｏＪｊの
Ｓｎ０ｇ電導膜を形成した。なお、８１〜膜と８ｎ０１
膜の形成時の蒸着源とガラス基板間の距離は４０ｅｓと
し、基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内な１×１０′４ｔｏｒｒ まで排気した
のち、８１Ｆ４ガスを導入して２ Ｘ １０−’ ｔｏ
ｒｒとするとともに真空槽を２０Ｑ℃に加熱した状態で
高周波電磁界（周波数１工５６ＭＨｚ）をかけて導入ガ
スをイオン化する一方、蒸着源（Ｓ１Ｏ，粉末）を電子
ビーム加熱法により加熱し【約１０ル秒の蒸着速度で高
周波イオンブレーティング法により約１ｏｏｏＸの８１
０１を形成した。次いで、上記真空槽内に乾燥空気をバ
リアプルリークバルブから導入して、３Ｘ１０−” ｔ
ｏｒｒとした後、醸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約ｚｏｏｏＪｊの
Ｓｎ０ｇ電導膜を形成した。なお、８１〜膜と８ｎ０１
膜の形成時の蒸着源とガラス基板間の距離は４０ｅｓと
し、基板温度は室温とした。
この様にして得られたサングル♂のフッ素含有事及びア
ルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
ルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例６
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター懺置装真
空槽内に配電して同槽内をｌＸ１０−’ｔｏｒｒまで排
気した後８１ＦＫガスを導入し′Ｃ３ＸｉＯ４ｔｏｒｒ
とするとともに真空槽を２００１１：ＩＣ７１１１熱し
た状態で熔融石英ターゲットを用い？ＲＦ ２極スパツ
ター法で約ｔｏｏｏＮの８１〜膜を形成した０次に８１
へ膜の形成されたダラス基板を真空蒸着装置に移し、こ
の真空槽内をＳ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒとした後酸化
アンチモンの添加された酸化錫を蒸着源として普通の真
空蒸着法により約ｚｏｏｏＸの８ｎｏ、電導膜を形成し
た。なお、スパッタリング時のガラス基板温度は約ｓＯ
Ｏ℃とし、蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター懺置装真
空槽内に配電して同槽内をｌＸ１０−’ｔｏｒｒまで排
気した後８１ＦＫガスを導入し′Ｃ３ＸｉＯ４ｔｏｒｒ
とするとともに真空槽を２００１１：ＩＣ７１１１熱し
た状態で熔融石英ターゲットを用い？ＲＦ ２極スパツ
ター法で約ｔｏｏｏＮの８１〜膜を形成した０次に８１
へ膜の形成されたダラス基板を真空蒸着装置に移し、こ
の真空槽内をＳ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒとした後酸化
アンチモンの添加された酸化錫を蒸着源として普通の真
空蒸着法により約ｚｏｏｏＸの８ｎｏ、電導膜を形成し
た。なお、スパッタリング時のガラス基板温度は約ｓＯ
Ｏ℃とし、蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
この様にして得られたサンプル９のフッ素含有率及びア
ルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
ルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例７
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をＲＦ−ｆグネトロンスバツタ
ー装置の真空槽内に配置して同槽内をＩ Ｘ １０−’
ｔｏｒｒまで排気した後８１Ｆ４ガスを導入して５
Ｘ １０−ｓｔｏｒｒとするとともに真空槽を２００℃
に加熱した状態で熔融石英ターゲットを用いてＲ？マグ
ネトハ／スパッター法で約１ｏｏｏＸの８１０ｇ膜を形
成した。次＃Ｃ８１０１膜の形成されたガラス基板を真
空蒸着装置に移し、この真空槽内をＳ Ｘ １０−’
ｔｏｒｒとした後酸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約２０００又の８
ｎＯ１電導膜を形成した。なお、スパッタリング時のガ
ラス基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板をＲＦ−ｆグネトロンスバツタ
ー装置の真空槽内に配置して同槽内をＩ Ｘ １０−’
ｔｏｒｒまで排気した後８１Ｆ４ガスを導入して５
Ｘ １０−ｓｔｏｒｒとするとともに真空槽を２００℃
に加熱した状態で熔融石英ターゲットを用いてＲ？マグ
ネトハ／スパッター法で約１ｏｏｏＸの８１０ｇ膜を形
成した。次＃Ｃ８１０１膜の形成されたガラス基板を真
空蒸着装置に移し、この真空槽内をＳ Ｘ １０−’
ｔｏｒｒとした後酸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約２０００又の８
ｎＯ１電導膜を形成した。なお、スパッタリング時のガ
ラス基板温度は室温とした。
この様にし【得られたサンプル１０のフッ素含有率及び
アルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
アルカリ拡散阻止能を第１表に示す。
実施例８
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板面にＣＶＤ法により８１ｙ４ガ
スと０！ガス及び水蒸気を用いて約１００Ｑ又の８１へ
膜を基板温度３５０℃、４５０℃、５５０℃で形成した
。なお、へ＊ ８ｉＦ４ ：Ｈ，Ｏの比は１０：１：（
Ｌｌで行なった。次にこれら８１〜膜の形成されたガラ
ス基板を真空蒸着装置の真空槽内に配し、この真空槽内
をＳＸ１０ ” １ｏｒｒとした後酸化アンチモンの添
加された酸化錫を蒸着源として通常の真空蒸着法により
約ｚｏｅｏｆｆｉの８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、
蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板面にＣＶＤ法により８１ｙ４ガ
スと０！ガス及び水蒸気を用いて約１００Ｑ又の８１へ
膜を基板温度３５０℃、４５０℃、５５０℃で形成した
。なお、へ＊ ８ｉＦ４ ：Ｈ，Ｏの比は１０：１：（
Ｌｌで行なった。次にこれら８１〜膜の形成されたガラ
ス基板を真空蒸着装置の真空槽内に配し、この真空槽内
をＳＸ１０ ” １ｏｒｒとした後酸化アンチモンの添
加された酸化錫を蒸着源として通常の真空蒸着法により
約ｚｏｅｏｆｆｉの８ｎＯ１電導膜を形成した。なお、
蒸着時のガラス基板温度は室温とした。
これら５枚のサンプルのうち、基板温度を３５０℃とし
て８１０！膜を形成したものをサンプｋ １１ 、ｔｉ
板ＩＬ［ｉｋ ４ ｓ ｏ℃とり、 ”Ｃ８１ｏｔＪ［
を形成したものをサンプル１２、基板温度を５５０℃と
しｃ８１０．膜を形成したものをサンプル１′５とした
。
て８１０！膜を形成したものをサンプｋ １１ 、ｔｉ
板ＩＬ［ｉｋ ４ ｓ ｏ℃とり、 ”Ｃ８１ｏｔＪ［
を形成したものをサンプル１２、基板温度を５５０℃と
しｃ８１０．膜を形成したものをサンプル１′５とした
。
これら各サンプルについてのフッ素含有率及びアルカリ
拡散阻止能を第１表に示す。
拡散阻止能を第１表に示す。
比較例１
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内な５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ まで排気した
のち、蒸着源（ｓｉｏ、粉末）を電子ビーム加熱法によ
り加熱して約１０又、、”＄の蒸着速度で通常の真空蒸
着法により約１０００又の８１０！膜を形成した０次い
で、上記真空槽内に乾燥空気をバリアプルリークバルブ
から導入して、５Ｘ１０−ｔｏｒｒとした後、酸化アン
チモンの添加された酸化錫を蒸着源とし【普通の真空蒸
着法により約ｚｏｏｏＸの８ｎＯ□電導膜を形成した。
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内な５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ まで排気した
のち、蒸着源（ｓｉｏ、粉末）を電子ビーム加熱法によ
り加熱して約１０又、、”＄の蒸着速度で通常の真空蒸
着法により約１０００又の８１０！膜を形成した０次い
で、上記真空槽内に乾燥空気をバリアプルリークバルブ
から導入して、５Ｘ１０−ｔｏｒｒとした後、酸化アン
チモンの添加された酸化錫を蒸着源とし【普通の真空蒸
着法により約ｚｏｏｏＸの８ｎＯ□電導膜を形成した。
なお、８１０．膜とＩＢｎＯｇ膜の形成時の蒸着源とガ
ラス基板間の距離は４０ｇとし、基板温度は室温とした
。
ラス基板間の距離は４０ｇとし、基板温度は室温とした
。
この様にして得られたサンプル１４のアルカリ拡散阻止
能を第１表に示す。
能を第１表に示す。
比較例２
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター錬置装真
空槽内に配置して同槽内をＩ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒ
まで排気した後、アルゴンガスを導入して５ Ｘ ｆ
Ｏ−” ｔｏｒｒとし、熔融石英ターゲットを用いてＲ
？２極スパッター法で約１０００又の１１１０１膜を形
成した０次＃Ｃ８１０ｔ［の形成されたガラス基板を真
空蒸着装置に移し、この真空槽内をＳ Ｘ Ｉ Ｑ−４
ｔｏｒｒとした彼酸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約ｚｏｏｏＸの８
ｎＯ＊を導膜を形成した。なお、スパッタリング時のガ
ラス基板温度は約３００℃とし、蒸着時のガラス基板温
度は室温とした。
乾燥した。このガラス板をＲＦ２極スパッター錬置装真
空槽内に配置して同槽内をＩ Ｘ １０−’ ｔｏｒｒ
まで排気した後、アルゴンガスを導入して５ Ｘ ｆ
Ｏ−” ｔｏｒｒとし、熔融石英ターゲットを用いてＲ
？２極スパッター法で約１０００又の１１１０１膜を形
成した０次＃Ｃ８１０ｔ［の形成されたガラス基板を真
空蒸着装置に移し、この真空槽内をＳ Ｘ Ｉ Ｑ−４
ｔｏｒｒとした彼酸化アンチモンの添加された酸化錫を
蒸着源として普通の真空蒸着法により約ｚｏｏｏＸの８
ｎＯ＊を導膜を形成した。なお、スパッタリング時のガ
ラス基板温度は約３００℃とし、蒸着時のガラス基板温
度は室温とした。
この様にして得られたサンプル１５のアルカリ拡散阻止
能を第１表に示す。
能を第１表に示す。
比較例Ｓ
実施例１と同様のガラス板を洗剤で充分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内を５ Ｘ １０−”ｔｏｒｒ ｒ：排気
した後、酸化アンチモンの添加された酸化錫を蒸着源と
して電子ビーム加熱法により加熱しながら通常の真空蒸
着法により約ｚｏｏｏＸのｆａｎｃｙ電導膜を形成した
。なお、８ｎＯｎｌ［の形成時の蒸着源とガラス基板間
の距離は４０国とし、基板温度は室温とした。
乾燥した。このガラス板を真空蒸着装置の真空槽内に配
置して同槽内を５ Ｘ １０−”ｔｏｒｒ ｒ：排気
した後、酸化アンチモンの添加された酸化錫を蒸着源と
して電子ビーム加熱法により加熱しながら通常の真空蒸
着法により約ｚｏｏｏＸのｆａｎｃｙ電導膜を形成した
。なお、８ｎＯｎｌ［の形成時の蒸着源とガラス基板間
の距離は４０国とし、基板温度は室温とした。
この様にして得られたサンプル１６のアルカリ拡散阻止
能を第１表に示す。
能を第１表に示す。
第１表
上記表における８１０ｔＪｌＩ中の７．ツ素含有車（４
）及び水素含有率（至）は、赤外分光法により８１０．
膜中の８１−Ｆ結合になっているフッ素の含有率及び８
１−Ｈ結合になっている水素の含有率を求めたものであ
り、又アルカリ拡散阻止能は、８１０富膜を過し【のア
ルカリの浸出量で評価したものであり、その測定法は、
各サンプルを５５０ＣでＳＯ分間熱処理してガラスから
のアルカリ拡散を促進させ１次に表層のＢｎＯ，ｉｌｌ
を（ＨＣ１＋ｚｎ ＞のエツチング液で溶出し、このエ
ツチング液中に溶出されて含まれるナトリウムを原子吸
光法により測定したものである。
）及び水素含有率（至）は、赤外分光法により８１０．
膜中の８１−Ｆ結合になっているフッ素の含有率及び８
１−Ｈ結合になっている水素の含有率を求めたものであ
り、又アルカリ拡散阻止能は、８１０富膜を過し【のア
ルカリの浸出量で評価したものであり、その測定法は、
各サンプルを５５０ＣでＳＯ分間熱処理してガラスから
のアルカリ拡散を促進させ１次に表層のＢｎＯ，ｉｌｌ
を（ＨＣ１＋ｚｎ ＞のエツチング液で溶出し、このエ
ツチング液中に溶出されて含まれるナトリウムを原子吸
光法により測定したものである。
本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体は、
上記表から明らかなよ５ｅｃ、酸化ケイ素膜中にシリ；
ンと結合したフッ素又はフッ素と水素とを導入すること
罠より、かかるフッ素又はフッ素と水素とを導入しない
酸化ケイ素１１１１ｒＫ比ペアルカリの浸出を防止しう
ろことが認められる。しかも、従来において最もアルカ
リ拡散阻止能力が優れていると考えられたゾル／ゲル法
により形成される燐を含む８１０ｘｌＡと同等かあるい
はそれ以上の性能を有するものである。
上記表から明らかなよ５ｅｃ、酸化ケイ素膜中にシリ；
ンと結合したフッ素又はフッ素と水素とを導入すること
罠より、かかるフッ素又はフッ素と水素とを導入しない
酸化ケイ素１１１１ｒＫ比ペアルカリの浸出を防止しう
ろことが認められる。しかも、従来において最もアルカ
リ拡散阻止能力が優れていると考えられたゾル／ゲル法
により形成される燐を含む８１０ｘｌＡと同等かあるい
はそれ以上の性能を有するものである。
しかも、本発明のアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラ
ス体は、製造方法、製造条件等の制約が少なく、高いア
ルカリ拡散阻止能力を得ることができる。
ス体は、製造方法、製造条件等の制約が少なく、高いア
ルカリ拡散阻止能力を得ることができる。
更に、本発明のアルリカ拡散酸化ケイ素膜付ガラス体は
、ガラス体との硬度、付着性、光安定性、４００″ｃ１
！度までの熱安定性を有しており、種々の環境条件、処
理加工条件に対しても充分に安定である。
、ガラス体との硬度、付着性、光安定性、４００″ｃ１
！度までの熱安定性を有しており、種々の環境条件、処
理加工条件に対しても充分に安定である。
本発明のアルカリ拡散酸化ケイ素膜付ガラス体は、液晶
素子、エレクトロクロミック素子、電場発光素子などの
表示素子やアモルファス太陽電池基板等に用いられる電
導性ガラスのアルカリ拡散防止膜として特に最適であり
、かかる表示素子、太陽電池等の製造過程やその後の種
々の環境条件に対しても安定で劣化することがない。勿
論これらの他にも、自動車、航空機、鉄道車輌その他各
種交通車輌用、建築用、各種装置用、光学部品用、電気
部品用、電子部品用のガラス板に電導性被膜、熱線反射
被膜、無反射防止被膜、反射被膜、着色被膜、その他各
種機能を持った被膜を形成する際の下地コートに対し有
用に適用できるものである。
素子、エレクトロクロミック素子、電場発光素子などの
表示素子やアモルファス太陽電池基板等に用いられる電
導性ガラスのアルカリ拡散防止膜として特に最適であり
、かかる表示素子、太陽電池等の製造過程やその後の種
々の環境条件に対しても安定で劣化することがない。勿
論これらの他にも、自動車、航空機、鉄道車輌その他各
種交通車輌用、建築用、各種装置用、光学部品用、電気
部品用、電子部品用のガラス板に電導性被膜、熱線反射
被膜、無反射防止被膜、反射被膜、着色被膜、その他各
種機能を持った被膜を形成する際の下地コートに対し有
用に適用できるものである。
Claims (4)
- （１） アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラスから
のアルカリ拡散を抑制するアルカリ拡散防止酸化ケイ素
膜の形成されたガラスにおいて、上記アルカリ拡散防止
酸化ケイ素膜がシリコンと結合したフッ素を含有するこ
とを特徴とするアルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成さ
れたガラス体。 - （２）アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜がシリコンと結合
したフッ素及びシリコンと結合した水素を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアルカリ拡散
防止酸化ケイ素膜・ - （３） アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜中のシリコン
との結合にあずかるフッ素の含有量が、０Ｌ０１〜２０
チであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜。 - （４） アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜中のシリコン
との結合にあずかるフッ素と水嵩との和がα０１〜２０
％であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12242081A JPS5826051A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成されたガラス体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12242081A JPS5826051A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成されたガラス体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826051A true JPS5826051A (ja) | 1983-02-16 |
| JPS6230148B2 JPS6230148B2 (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=14835381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12242081A Granted JPS5826051A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜の形成されたガラス体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826051A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027624A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Toyota Motor Corp | 電磁遮蔽ウインドガラス |
| JPS6027623A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Toyota Motor Corp | 電磁遮蔽ウインドガラス |
| WO2009084442A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Asahi Glass Company, Limited | 熱線反射ガラス、および熱線反射ガラスの製造方法 |
| US7855106B2 (en) | 1991-08-26 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| JP2012240851A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Sustainable Titania Technology Inc | 基体表面におけるアルカリ金属の溶出防止又は低減方法 |
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1981
- 1981-08-06 JP JP12242081A patent/JPS5826051A/ja active Granted
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