WO2009084442A1

WO2009084442A1 - 熱線反射ガラス、および熱線反射ガラスの製造方法

Info

Publication number: WO2009084442A1
Application number: PCT/JP2008/073013
Authority: WO
Inventors: Kazuya Yaoita; Yoshihito Katayama
Original assignee: Asahi Glass Company, Limited
Priority date: 2007-12-27
Filing date: 2008-12-17
Publication date: 2009-07-09
Also published as: KR20100097115A; SG187398A1; EP2226305A1; JP2009155169A; US20100255294A1; CN101910083A; EP2226305A4

Abstract

　可視光透過率Ｔｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔｅ／可視光透過率Ｔｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない、少なくとも窒化クロム膜が設けられた熱線反射ガラスを提供する。　ガラス基板の表面に、窒化シリコンからなる酸素遮断下地膜を設け、この酸素遮断下地膜の上層に熱線反射用の窒化クロム膜を設け、さらに、窒化クロム膜の上層に窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜を設ける。この熱線反射用の窒化クロムの、クロム原子に対する窒素原子数の割合を２０％～６０％とする。

Description

熱線反射ガラス、および熱線反射ガラスの製造方法

　本発明は、ガラス基板に窒化クロム膜が少なくとも設けられてなる熱線反射ガラスに関し、特に、日射熱の遮蔽を主目的として、ガラス基板の表面に薄膜を形成してなる熱線反射ガラス、および熱線反射ガラスの製造方法に関する。

　現在、日射熱の遮蔽を主目的とした薄膜が、ガラス基板の表面に形成されてなる熱線反射ガラスが、ビルなどの建築物の窓や車のリアガラスなどに用いられている。これらの熱線反射ガラスは光の透過性でみると、透過率の低い熱線反射ガラスの使用も増えて来ている。ビルなどの建築物の窓にガラスを用いる場合、ガラスの設置場所によっては、強化処理が必要であり、あるいは、強化処理ガラスを設置することが好ましいことがある。また、車のリアガラスは、表面が平面状の板形状ではなく、表面が湾曲した板形状となっており、曲げ加工が施された状態の熱線反射ガラスが用いられる。

　強化処理または曲げ加工処理が施されている熱線反射ガラスを得るためには、強化処理または曲げ加工処理が施されたガラス基板に、熱線反射性の薄膜を形成する方法がある。しかし、例えば、曲げ加工処理を施したガラス基板の表面、すなわち、曲率を有するガラス基板表面に、膜厚および組成の面内分布が良好になるよう、熱線反射性薄膜を精度良く形成するのは困難である。曲率を有するガラス基板表面に、膜厚および組成の面内分布が良好になるよう熱線反射性薄膜を形成するには、例えば、ガラス基板表面の曲率に合わせて、薄膜形成工程や薄膜形成条件を調整する必要があり、余分なコストがかかってしまう。

　一方、予め熱線反射性薄膜を形成したガラス基板を曲げ加工するには、例えば、ガラス基板を５００～７００（℃）程度の高温にまで加熱する必要がある。従来の熱線反射ガラスでは、この高温によって、熱線反射用薄膜が例えば酸化してしまい、熱線反射性能が加熱前後で変化してしまうといった問題点があった。このため、従来の熱線反射ガラスでは、熱線反射性薄膜が予め形成されたガラスを購入したガラス加工業者自身が、曲げ加工を行なうことは困難であった。例えば、ガラス加工業者自身で曲げ加工を行なう場合、加熱前後での熱線反射性能の変化を防止するために、業者自身が、曲げ加工時の雰囲気を非酸化性雰囲気に保ち、上記保護されるべき膜の酸化を防ぎつつ曲げ加工を行なう必要がある。この場合、特別な装置や手間が必要であり、負担するコストも大きい。このため、曲げ加工時の雰囲気を非酸化性雰囲気に保つ機能を有する特別な装置や余分な手間をかけることなく、強化処理や曲げ加工処理を、ガラス加工業者自身によって行うことが可能な、平板状の熱線反射ガラスの希望は少なくない。

　これに対して、下記特許文献１には、熱処理熱線反射ガラス（熱線反射ガラス）の製造方法が記載されている。特許文献１に記載される製造方法では、ガラス基板上に、熱線遮断膜または導電膜を形成し、次いで可視光領域において透明な第１の保護膜を形成して、少なくとも２層からなる多層膜を有する熱線反射ガラスを製造し、その後、かかる熱線反射ガラスに熱処理を施している。この熱線反射ガラスの製造方法は、第１の保護膜を、ケイ素またはホウ素の窒化物、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、およびジルコニウム、スズのうちの少なくとも２種以上の窒化物、を主成分とする膜とすることを特徴としている。特許文献１記載の熱線反射ガラスでは、第１の保護膜が、熱処理時に大気中から入ってくる酸素を十分に吸収して酸素バリアの働きをするため、熱線遮断膜がほとんど変化しない、と特許文献１には記載されている。すなわち、特許文献１記載の熱線反射ガラスの製造方法で作製された熱線反射ガラスは、一般に行なわれている平易な手法で（雰囲気を制御することなく、大気中で）曲げ加工または強化加工を行なっても、保護されるべき被覆層の光学特性などの変化がほとんどない、ことが特許文献１には記載されている。

特許第２５１８１２９号公報

　ところで、ビルなどの建築物に用いる熱線反射ガラスでは、価格が低いことに加え、光学的性質と熱的性質のバランスが適当であることが求められている。本発明では光学的性質と熱的性質を合せて光学特性と呼ぶ。光学的性質とは、例えば、ビルなどの室内に居る人物が感じる眩しさに関する性質や、外から中が見え無いプライバシー性であり、太陽光のうちの、主に可視光領域の波長成分の透過量の程度に関する性質である。この性質は、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）にて定義されている可視光透過率によって表すことができる。また、熱的性質とは、太陽光によってビルなどの室内に流入する熱量に関する性質であり、太陽光のうちの主に近赤外領域の波長成分の透過量の程度に関する性質である。この性質は、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）にて定義されている日射透過率によって代表して表すことができる。

　特に、上記定義による可視光透過率および日射透過率について、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない熱線反射ガラスが、実用的に優れており、市場からも要求されている。

　特許文献１記載の実施例では、可視光透過率に対する日射透過率の割合が、従来に比べて十分低くはならないことが、本発明者によって確認されている。特許文献１記載の製造方法によって作製される熱線反射ガラスは、近年における市場の要求をすべて満たすことはできない。特に東南アジア地域や赤道直下の日射が多く、また昼間の日差しが眩しく感じる地域では、可視光透過率が低い状態で、日射透過率も低いものが特に求められている。

　本発明は、かかる課題を解決することを目的とする。すなわち、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない、熱線反射ガラスを提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明は、ガラス基板に、酸素遮断下地膜、窒化クロム膜及び酸素遮断保護膜がこの順に設けられ、
　前記窒化クロム膜における、クロムに対する窒素の原子数の割合（窒素原子数／クロム原子数）が、２０％～６０％であることを特徴とする熱線反射ガラスを提供する。

　なお、前記酸素遮断下地膜および前記酸素遮断保護膜が、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびスズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、であることが好ましい。

　また、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）で定義される可視光透過率が３５％以下であり、かつ該可視光透過率に対する、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）で定義される日射透過率の比（日射透過率／可視光透過率）が１．０未満であることが好ましい。その際、５００℃以上に加熱する処理が施されていることが好ましい。
　さらに、前記酸素遮断下地膜の膜厚が５～２０ｎｍであることが好ましく、前記酸素遮断保護膜の膜厚が１０～３０ｎｍであることが好ましい。
　また、前記ガラス基板と酸素遮断下地膜との間に、該ガラス基板に含まれる不純物の移動を阻止する不純物遮断下地膜を有することが好ましい。

　さらに、本発明は、ガラス基板に、酸素遮断下地膜、窒化クロム膜及び酸素遮断保護膜がこの順に設けられた熱線反射ガラスを製造する方法であって、
　ガラス基板を成膜チャンバ内に導入し、前記チャンバ内を窒素含有雰囲気としてクロムターゲットをスパッタリングすることで、前記ガラス基板に、窒化クロム膜を設ける工程と、
　前記スパッタリングの最中、前記チャンバ内に、窒素ガスを流入させるとともに、前記窒素ガス以外の不活性ガスを流入させ、前記不活性ガスの流入量の比を、（不活性ガス：窒素ガス）＝（７０：３０）～（９０：１０）の範囲に調整する工程と、
を有することを特徴とする熱線反射ガラスの製造方法を提供する。

　さらに、前記スパッタリングに先がけて、前記ガラス基板に、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、スズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、である酸素遮断下地膜を設ける工程と、
　前記スパッタリングの後、前記窒化クロム膜の表面に、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、スズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、である酸素遮断保護膜を設ける工程と、を有することが好ましい。

　また、前記酸素遮断下地膜、前記窒化クロム膜、および前記酸素遮断保護膜を設けた後、５００℃以上に熱処理することが好ましい。

　本発明によれば、例えば、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない熱線反射ガラスを提供することができる。
　いいかえると、可視透過率Ｔ_ｖが低く、ビルなどの室内に居る人物が感じる眩しさや、外から中が見え無いというプライバシー性が十分であり、かつ、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満と低く、室内への熱の流入を防ぐという性能を同時に見たす、熱処理可能な熱線反射ガラスを提供することができる。

（ａ）および（ｂ）は、本発明の熱線反射ガラスの異なる実施形態について説明する概略断面図である。ガラス基板上に、それぞれ異なる成膜条件で形成した窒化クロム膜単膜の分光透過率のスペクトルを示す図である。横軸は波長（ＷＬ）であり、縦軸は分光透過率（ＳＴ）である。ガラス基板上に、酸素遮断下地膜／それぞれ異なる成膜条件で形成した窒化クロム膜／酸素遮断保護膜を積層したサンプルの分光透過率のスペクトルを示す図である。横軸は波長（ＷＬ）であり、縦軸は分光透過率（ＳＴ）である。窒化クロム膜におけるクロム原子に対するＮ原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）と日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖとの関係を示す図である。図中、ＣｒＮｘ：２０ｎｍＦｉｘとは、ＣｒＮｘを２０ｎｍに固定した場合であり、ＣｒＮｘ：Ｆｌｕとは、ＣｒＮｘを変動（計算値）させた場合である。図５の場合も同じである。不活性ガス（Ａｒガス）流量／Ｎ_２ガス流量と日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖとの関係を示す図である。ガラス基板上に、酸素遮断下地膜／膜厚を変更した窒化クロム膜／酸素遮断保護膜を積層したサンプルの分光透過率のスペクトルを示す図である。横軸は波長（ＷＬ）であり、縦軸は分光透過率（ＳＰ）である。

符号の説明

　１０、２０　熱線反射ガラス
　１２　ガラス基板
　１４　窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜
　１６　酸素遮断下地膜
　１７　不純物遮断下地膜
　１８　酸素遮断保護膜

　以下、本発明の熱線反射ガラスおよび熱線反射ガラスの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。

　まず、図１（ａ）および（ｂ）を参照し、本発明の熱線反射ガラスについて概略の構成を説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の熱線反射ガラスについて説明する概略断面図であり、（ａ）と（ｂ）とで、それぞれ異なる実施形態について示している。図１（ａ）および（ｂ）では、それぞれ同様な構成の薄膜層については、同一符号で示している。図１（ａ）および（ｂ）は、いずれも、近年要望が増えている、例えば、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない、熱線反射膜が窒化クロムからなる熱線反射ガラスの例である。図１（ａ）に示す熱線反射ガラス１０、および図１（ｂ）に示す熱線反射ガラス２０は、いずれも、強化や曲げ加工のための熱処理が加えられていない状態を示すものとする。

　まず、図１（ａ）に示す実施形態について説明する。図１（ａ）に示す熱線反射ガラス１０は、ガラス基板１２の表面に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ：ｘは数字を表す。詳細は後述する）からなる酸素遮断下地膜１６が設けられており、この酸素遮断下地膜１６の上層に、熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ：ｘは数字を表す。詳細は後述する）膜１４が設けられている。さらに、熱線反射ガラス１０では、熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４の上層に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断保護膜１８が設けられている。

　図１（ａ）に示す熱線反射ガラス１０のガラス基板１２は、例えば公知のフロート板ガラスであるソーダライムガラス（ソーダライムシリケートガラスとも言う）で、６ｍｍの厚さのガラス（以下、ＦＬ６という）である。なお、本発明において、ガラス基板１２の種類は特に限定されず、ソーダライムガラス板、熱線吸収ガラス板など、各種のガラス板が使用でき、厚さも限定されない。

　熱線反射ガラス１０の、酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８は、主に、熱線反射用の窒化クロム膜１４に酸素が進入することを防止するために設けられている。例えば、ガラス基板１２の表面に窒化クロム膜１４が直接形成されて、酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８がない状態では、曲げ加工時の雰囲気を非酸化性雰囲気に保つことなく、強化や曲げ加工のための熱処理（例えば５００℃～７００℃の加熱処理）を加えた場合、熱線反射用の窒化クロム膜１４の光学的性質と熱的性質のバランスが崩れてしまう（太陽光の波長領域全体にわたって、透過率が高まってしまう傾向になる）。これは、酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８がない状態では、特に熱処理を加えた場合、熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４に酸素が進入するからである。酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８は、強化や曲げ加工時の雰囲気を非酸化性雰囲気に保つことなく熱処理を加えた場合でも、大気中の酸素が、熱線反射用の窒化クロム膜１４へ進入することを防ぎ、進入した酸素により窒化クロム膜１４の酸化、ひいては、光学的性質と熱的性質のバランスが崩れることを防止することができる。

　酸素遮断下地膜１６が窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる場合、この酸素遮断下地膜１６は、例えば、スパッタ装置の真空チャンバ内に、清浄な表面のガラス基板１２を配置し、多結晶Ｓｉターゲットをスパッタターゲットとしてスパッタリングを行なうことで、ガラス基板１２の表面に形成されている。酸素遮断下地膜１６を形成する際、真空チャンバ内を、まず例えば１．３×１０^－３Ｐａになるまで排気し、窒素ガスを例えばガス流量１００ｓｃｃｍで真空チャンバ内に供給し、真空チャンバ内の圧力を、例えば６．０×１０^－１Ｐａとする。この状態で、ＤＣパルス電源を用いて例えば電力２．００ｋＷを投入して、反応性スパッタリングを行ない、ガラス基板へ膜を形成すればよい。

　酸素遮断保護膜１８が窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる場合、この酸素遮断保護膜１８も、例えば、スパッタ装置の真空チャンバ内に、酸素遮断下地膜１６と後述する窒化クロム膜１４とが設けられた状態のガラス基板１２を配置し、酸素遮断下地膜１６と同様の条件で反応性スパッタリングを行なうことで形成できる。本発明において、酸素遮断下地膜や酸素遮断保護膜の形成方法については特に限定されず、酸素遮断下地膜や酸素遮断保護膜に求められる光学性能や酸素遮断性能に応じて、例えばスパッタリングにおける各種条件を、逐次設定すればよい。また、酸素遮断下地膜や酸素遮断保護膜を形成するための薄膜形成方法は、反応性スパッタリングに特に限定されず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法など、公知である各種方法を用いればよい。

　酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８は、熱処理を加えた際の、窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４への酸素の進入を十分に防止することができる程度の膜厚に設定されていればよい。例えば、酸素遮断下地膜１６の厚さは５～２０ｎｍが好ましく、特に７～１５ｎｍが好ましい。酸素遮断保護膜１８の厚さは１０～３０ｎｍが好ましく、特に１５～２５ｎｍが好ましい。ＳｉＮｘは、ガラス基板と比べて屈折率が比較的高く、ＳｉＮｘからなる酸素遮断下地膜１６や酸素遮断保護膜１８では、必要以上に厚ければ、熱線反射ガラス１０の外観に大きな影響を及ぼす。酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８は、それぞれ、酸素を遮断するために膜厚はなるべく厚い方が好ましく、外観の関係からは、なるべく薄い方が好ましいといえる。

　本実施形態では、酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜は、ＳｉＮｘからなる膜として説明しているが、本発明において、酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜は、それぞれＳｉＮｘに限定されない。本発明において、酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜は、可視光領域で透明な、非酸化物膜または完全には酸化されていない膜であって、かつ酸化されても可視光領域で透明な膜であることが必須である。酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜は、熱処理時に加熱された際に、酸素が窒化クロム膜へ進入するのを防ぎ、また、酸素遮断下地膜自身または酸素遮断保護膜自身が酸素を含んでいても、その酸素を窒化クロム膜へ放出することがない膜である。かかる酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜は、酸化されても屈折率が変化するだけで、吸収が生じず、透明である。このため、熱処理後の光学特性に大きな影響を与えない材料が好ましい。

　酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜の例としては、窒化物、ホウ窒化物、炭窒化物、ケイ窒化物のうち少なくとも一種を主成分とする膜が好ましい例として挙げられる。特に好ましい例として、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜；あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびスズからなる群から選ばれる２種以上の窒化物を主成分とする膜（代表的な例としてケイ窒化ジルコニウム膜、ケイ窒化スズ膜など）；が挙げられる。あるいは、上述の窒化物、ホウ窒化物、炭窒化物、ケイ窒化物等の部分酸化物を主成分とする膜でもよい。以上のうちで、窒化ケイ素、又はケイ窒化ジルコニウムを主成分とする膜は、特に酸素バリア性能が良好であり、最も好ましい。ここで酸素バリア性とは、基板側から酸素遮断下地膜と通過してもしくは大気側から酸素遮断保護膜を通過して窒化クロム膜へ酸素が進入するのを防ぐ性能のことである。

　以上で述べた酸素遮断下地膜および酸素遮断保護膜としての窒化物膜等においては、窒化シリコンをＳｉＮｘとして表現し、その際、ｘは数字として表現した。これは窒化物が化学量論的に最も一般的な割合で結合していなくても、可視光領域で透明であればよいことを意味する。例えば、窒化ケイ素の場合、Ｓｉ_３Ｎ_４が一般的であるが、可視光領域で透明であるために、Ｓｉに対するＮの比（前記のｘに相当）が１．２５以上であることが好ましく、特に、１．２８以上であることが好ましい。

　熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ、ｘは数値で０＜ｘ＜１である）膜１４は、窒化クロム膜中、クロム原子数に対する窒素原子数の割合が２０％～６０％であることを特徴としている。より好ましくは４０％～６０％である。ここでクロム原子数に対する窒素原子数の割合とは、（窒素原子数／クロム原子数）×１００％のことであり、（窒素原子数／クロム原子数）＝ｘであることを用いると、クロム原子数に対する窒素原子数の割合は、ｘ×１００％とも表現できる。本実施形態の熱線反射ガラス１０では、熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４について、膜中のクロム原子数に対する窒素原子数の割合を２０％～６０％とすることで、可視光透過率が３５％以下であり、かつ、可視光透過率に対する日射透過率の比が１．０未満である熱線反射ガラスを実現している。

　ここで、可視光透過率とは、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）にて定義される値をいう。また、日射透過率とはＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）にて定義される値をいう。具体的に述べると、可視光透過率とは、対象物の分光透過率の値に、ＣＩＥ昼光Ｄ_６５のスペクトルとＣＩＥ明順応の比視感度の波長分布から得られる重価係数（波長範囲３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲にわたって設定された係数）を乗じて加重平均することで求めることができる。また、日射透過率は、対象物の分光透過率、分光反射率の測定値及びそれから導かれる分光吸収率の値に、日射の標準スペクトル分布を示す重価係数（波長範囲３００ｎｍ～２１００ｎｍの範囲にわたって設定された係数）を乗じて加重平均することで求めることができる。なお、日射透過率の算出に用いる、日射の標準スペクトル分布を示す重価係数は、波長範囲約１０００ｎｍ～１３００ｎｍにおいて、他の波長範囲と比較して特に大きな値が設定されている。日射透過率とは、太陽光のうちの特に１０００ｎｍ～１３００ｎｍの波長範囲、すなわち、いわゆる近赤外領域における熱線の透過率の程度を、よく表しているといえる。

　本実施形態の熱線反射ガラス１０の熱線反射用の窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４は、以下に述べる方法によって作製することができる。例えば、スパッタ装置の真空チャンバ内に、酸素遮断下地膜１６が設けられているガラス基板１２を配置し、真空チャンバ内を、まず例えば１．３×１０^－３Ｐａになるまで排気する。次いで、窒素ガス（以下、窒素をＮ_２とも記載する）を例えばガス流量２０ｓｃｃｍで、アルゴンガス（以下、アルゴンをＡｒとも記載する）を例えばガス流量８０ｓｃｃｍで、真空チャンバ内に供給しつつ、真空チャンバ内の圧力を例えば６．０×１０^－１Ｐａに制御する。この制御状態で、ＤＣパルス電源を用いて例えば電力２．００ｋＷを投入して、反応容器内にプラズマを生成し、クロムターゲットをスパッタターゲットとして、反応性スパッタリングを行なうことで形成される。
　ここでは、不活性ガスとしてＡｒガス１種類を例にとったが、Ａｒガス以外の不活性ガスでも良く、また、複数の種類の不活性ガスの組合せでもよい。

　なお、Ｎ_２ガスおよびＡｒガスそれぞれの流量（単位時間あたりの流入量）は、チャンバと接続した、各ガスそれぞれのガス供給管に設けられたマスフローコントローラーによって調整される。各ガスの流量は、所定時間内にチャンバ内に流入する、各ガスそれぞれの規格化された体積（１ａｔｍ［大気圧１，０１３ｈＰａ］、０℃で規格化された体積）で表され、例えば、ｓｃｃｍ（standard cc／min）単位を用いて表すことができる。Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量は、チャンバ内におけるＡｒガス分圧／Ｎ_２ガス分圧に相当し、チャンバ内におけるＡｒガス原子数／Ｎ_２ガス分子数に対応している。ここでは、ガス比の表示は、Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量、もしくは、（Ａｒガス：Ｎ_２ガス）と表すこととした。

　従来、反応性スパッタリングで窒化クロム膜を形成する際は、Ｎ_２ガスを１００％とし、クロムターゲットを用いて反応性スパッタリングを行うことが一般的であった。この理由は、窒化クロムにおいて膜の光学定数（屈折率、消衰係数）を安定させることが望まれるが、Ｎ_２ガス比率（例えば、ＡｒガスとＮ_２ガスを混合する際のＮ_２ガスの比率）を同じにしても、装置の影響（排気ポンプの位置、混合ガスの導入位置）、スパッタリング時の印加する電力等によって、窒化クロムの窒化度合い（ｘの値）が変化することがあり、その調整が必要であった。この調整を避けるために、Ｎ_２１００％のガスでスパッタリングすることが一般的であった。

　本実施形態では、反応性スパッタリングによって窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４を作製する際、反応容器（真空チャンバ）内に流入させるＮ_２ガスとＡｒガスとの流量（単位時間あたりの流入量）の比を、（Ａｒガス：Ｎ_２ガス）＝（７０：３０）～（９０：１０）とすることで、窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４中の、クロム原子数に対する窒素原子数の割合を２０％～６０％としている。ＡｒガスとＮ_２ガスとの流量の比を（Ａｒガス：Ｎ_２ガス）＝（７０：３０）～（８０：２０）とすることがより好ましい。その時膜内のクロム原子数に対する窒素原子数の割合は約４０％～約６０％となる。

　上述のように、酸素遮断下地膜１６および酸素遮断保護膜１８は、熱処理を加えた際に窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４に進入する酸素を十分に防止することができる程度の膜厚に設定されている。このため、熱線反射ガラス１０に、ガラスの強化処理や曲げ加工処理で加えられる一般的な熱処理（例えば、５００℃～７００℃に加熱する処理）を与えても、熱線反射ガラス１０は光学特性が殆ど変化しない。また、窒化クロム膜１４を熱線反射膜として構成された熱線反射ガラスは、外観も良好である。本発明の一実施形態である、図１（ａ）に示す熱線反射ガラス１０は、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満、好ましくは０．９以下であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性（可視光透過率Ｔ_v、日射透過率Ｔ_e、透過色調（分光曲線の形））が殆ど変化しない、外観も良好な熱線反射ガラスである。

　図１（ｂ）に示す熱線反射ガラス２０は、本発明の熱線反射ガラスの他の実施形態であり、図１（ａ）のもつ外観を必要以上に損ねることなく、酸素または他の不純物が、熱線反射用の窒化クロム膜１４に進入することを防止するものである。図１（ｂ）に示す熱線反射ガラス２０は、図１（ａ）に示す熱線反射ガラスと比較して、酸素遮断下地膜１６とガラス基板１２との間に、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる不純物遮断下地膜１７が設けられていることを特徴とする。不純物遮断下地膜１７は、例えば強化や曲げ加工のための熱処理を加えた際に、ガラス基板１２から窒化クロム膜１４に向かって進入してくる、ガラス基板１２に含まれる各種不純物を遮断する。不純物遮断下地膜１７の成膜方法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法など、公知である各種方法が挙げられ、特に限定されない。

　フロート板ガラスであるガラス基板１２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分としているが、各種不純物も比較的多く含有している。ガラス基板１２に含まれる不純物は、特に加熱処理を施した際に大きく移動するが、図１（ｂ）に示す熱線反射ガラス基板２０では、加熱処理を施した際も、不純物遮断下地膜１７が例えばナトリウム（Ｎａ）などの不純物の移動を阻止し、不純物が窒化クロム膜１４に到達することを防止する。不純物遮断下地膜１７は、ガラス基板１２の主成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）と同じ成分からなる薄膜であり、屈折率等の光学特性がガラス基板１２とほぼ同等で、熱線反射膜２０の外観には特に影響を及ぼさない。なお、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）は酸素原子を比較的多く含んでいるが、この酸素原子の移動は、酸素遮断下地膜１６によって阻止されるため、不純物遮断下地膜１７の酸素原子が窒化クロム膜１４に到達することもない。図１（ｂ）に示す熱線反射ガラス２０も、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満であり、かつ、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化しない、外観も良好な熱線反射ガラスである。

　熱線反射ガラスの外観を必要以上に損ねることなく、ガラス基板１２の不純物が窒化クロム膜１４に到達することを防止するには、図１（ｂ）の形態で熱線反射ガラスを構成することが好ましい。ガラス基板１２に含まれる不純物について、特に考慮する必要がない場合など（ガラス基板１２には、不純物がほとんど含まれていない場合など）、図１（ａ）に示す形態で熱線反射ガラスを構成するだけでも、強化や曲げ加工のための熱処理を加えた際に、窒化クロム（ＣｒＮｘ）膜１４の光学的性質と熱的性質のバランスは、崩れることがない。

　以下、本発明の熱線反射ガラスの一例である熱反ガラスについて、実施例および実験例に基いて説明する。

　実施例１として、図１（ａ）に示す第１の実施形態に対応する熱線反射ガラスを作製した。具体的には、実施例１では、反応性スパッタリングによってガラス基板（ＦＬ６）に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断下地膜を形成し、酸素遮断下地膜の表面に積層して、反応性スパッタリングによって窒化クロム膜を形成した。さらに、窒化クロム膜の表面に積層して、窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜を形成した。

　窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断下地膜、および酸素遮断保護膜を形成する際の条件は以下のとおりとした。
　・スパッタターゲット；１３０ｍｍ×４３０ｍｍの大きさの多結晶Ｓｉターゲット、
　・スパッタリング中のＮ_２ガス流量；１００ｓｃｃｍ、
　・スパッタリング中のチャンバ内圧力；５．１×１０^－１Ｐａ、
　・プラズマ生成電力；ＤＣパルス電源からの投入電力で２．００ｋＷ、
　なお、ここで、ＳｉＮｘとは、通常はＳｉ_３Ｎ_４であり、Ｓｉ，Ｎの比が多少ずれた組成の材料まで含めて表すものとする。

　また、窒化クロム膜を形成する際の条件は以下のとおりとした。
　・スパッタターゲット；１３０ｍｍ×４３０ｍｍの大きさのクロムターゲット、
　・スパッタリング中のＡｒガス流量；８０ｓｃｃｍ、
　・スパッタリング中のＮ_２ガス流量；２０ｓｃｃｍ、
　・スパッタリング中のチャンバ内圧力；６．０×１０^－１Ｐａ、
　・プラズマ生成電力；ＤＣパルス電源からの投入電力で２．００ｋＷ

　実施例１の熱線反射ガラスは、窒化クロム膜を反応性スパッタリングによって作製する際、反応容器（真空チャンバ）内に流入させる、上述のＡｒガス流量／Ｎ_２ガス流量を４．０としている。かかる条件で成膜した窒化クロム膜１４は、クロム原子数に対する窒素原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）は、約４１％となっていた。

　なお、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）は、成膜した窒化クロム膜をＸＰＳ（X－ray Photoelectron Spectroscopy）を用いて求めた。実施例１では、ＸＰＳ装置として、ＰＨＩ（Physical Electronics Inc）社製、Quantera　SXM装置を用いた。この装置を用い、以下の測定条件で、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）を測定した。
　・Ｘ線源（X－ray source）；　Al　monochromated、Ｋα、１４８６．７（ｅＶ）、２５Ｗ、
　・Detect angle；　４５（ｄｅｇ）、
　・Pass energy；　２２４．０（ｅＶ）、
　・eV／step；　０．４（ｅＶ）、
　・Sputtering　condition；　Ar gas、２（ｋＶ）、３×３（ｍｍ^２）、３（ｍｉｎ）、
　なお、上記Sputtering　conditionは、表面の汚染層を取り除くために行う。

　実施例１の、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）は、かかる測定で得られた放出光電子のスペクトルから、このＸＰＳ装置付属のソフトウェアを用い、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）を求めた値である。具体的には、Ｃｒ原子の２ｐピークに対応する５６５－６００（ｅＶ）範囲のスペクトル量がＣｒ量に対応し、窒素原子の１ｓピークに対応する３９２－４０７（ｅＶ）の範囲のスペクトル量がＮ量に対応するとみなし、Ｎ／Ｃｒを計算した。
　なお、ＸＰＳ装置付属のソフトウェアの計算に際し、相対感度係数としてＣｒ原子の２ｐピーク：０．８６０、窒素原子の１ｓピーク：０．４９９の係数を用い、ＸＰＳ装置での測定値からクロム原子、窒素原子の量を求めた。

　なお、実施例１では、窒化クロム膜の膜厚は２１ｎｍとし、また、酸素遮断下地膜は１０ｎｍ、酸素遮断保護膜は２０ｎｍとした。各層の膜厚は、事前に触針型の膜厚測定器を用いて膜厚と成膜時間から成膜レートを求めておき、この成膜レートと成膜時間から推定した値である。この窒化クロム膜の膜厚（２１ｎｍ）は、酸素遮断下地膜を１０ｎｍ、酸素遮断保護膜を２０ｎｍとした状態で、可視光透過率Ｔ_ｖが約１４．０％となるよう、予め設定された膜厚である。

　表１には、実施例１の熱線反射ガラスについて、それぞれ上記ＪＩＳ規格に規定される測定条件で、日射透過率Ｔ_ｅおよび可視光透過率Ｔ_ｖを計測した値と、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖとをまとめた表である。表１には、実施例１の熱線反射ガラスに熱処理を加えた後の状態における、上記可視光透過率Ｔｖ’および日射透過率Ｔｅ’の計測値と、日射透過率Ｔｅ’／可視光透過率Ｔｖ’についても、併せて示している。なお、熱処理の条件としては、ガラスの強化処理や曲げ加工処理で加えられる一般的な熱条件（５００℃～７００℃）に併せ、６５０℃（炉内の雰囲気温度）１５分間とした。

　表１に示すように、実施例１の熱線反射ガラスは、強化や曲げ加工のための熱処理を加えても光学特性が殆ど変化していない。実施例１の熱線反射ガラスは、熱処理を加える前であっても熱処理を加えた後であっても、近年需要が拡大している熱線反射ガラスに要求される特性、例えば、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満の特性を満足する。

　まず、窒化クロム膜（ＣｒＮｘ）単膜の光学性能を参考例として調べた。
　図２は、本発明者が行なった実験結果の一例であり、ガラス基板上にそれぞれ異なる成膜条件で窒化クロム膜（ＣｒＮｘ）単膜を作製して構成した、複数のサンプルＡ_１～Ａ_５それぞれの分光透過率のスペクトルを示している。複数のサンプルＡ_１～Ａ_５は、いずれも、清浄なガラス基板（ＦＬ６）の表面に、反応性スパッタリング法によって窒化クロム膜を作製したサンプルである。

　窒化クロム膜（ＣｒＮｘ）単膜のサンプルＡ_１～Ａ_５は、それぞれ、反応容器（真空チャンバ）内にガラス基板を配置し、真空チャンバ内をＮ_２ガス含有雰囲気に制御しつつ、クロム（Ｃｒ）ターゲットをスパッタターゲットとしてスパッタリングを行うことで、ガラス基板の表面に熱線反射用の窒化クロム膜を形成したサンプルである。各サンプルＡ_１～Ａ_５は、反応性スパッタリングの際に真空チャンバ内に供給されるＮ_２ガスの流量に対するＡｒガスの流量の比Ａr／Ｎ_２を変更したものである。図２のみならず、以降で説明する図３および図５においても、Ｎ_２ガスの流量に対するＡｒガスの流量の比をＡr／Ｎ_２で表している。

　複数のサンプルＡ_１～Ａ_５の作製において窒化クロム膜を形成する際、Ｎ_２ガスの流量に対するＡｒガスの流量の比以外の条件は、以下のとおりとした。
　・スパッタターゲット；１３０ｍｍ×４３０ｍｍの大きさのクロムターゲット、
　・スパッタリング中のガス総流量（Ａｒガス流量＋Ｎ_２ガス流量）；１００ｓｃｃｍ、　・スパッタリング中のチャンバ内圧力；６．０×１０^－１Ｐａ、
　・プラズマ生成電力；ＤＣパルス電源からの投入電力で２．００ｋＷ
　なお、各サンプルＡ_１～Ａ_５の窒化クロム膜の膜厚は、事前に求めた成膜レートと成膜時間で各サンプルＡ_１～Ａ_５の窒化クロム膜の膜厚を、いずれも約２０ｎｍになるように設定した。

　各サンプルＡ_１～Ａ_５をそれぞれ形成する際、Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量は、図２に示すグラフ中に記される各値とした。サンプルＡ_１およびサンプルＡ_２は、従来例、すなわち、ガス比（Ａｒガス：Ｎ_２ガス）＝（０：１００）、（６０：４０）として、反応性スパッタリングを行なって作製したサンプルである（以降、ガス比を（Ａｒ：Ｎ_２）とも表す）。

　表２は、サンプルＡ_１～Ａ_５それぞれに対応する、窒化クロム成膜時のガス比と、クロム原子に対する窒素原子の原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）についてまとめた表である。なお、表２および図２には、サンプルＡ_１～Ａ_５に加えて、新たなサンプルＡ_６についても示している。サンプルＡ_６は、Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量を（Ａｒ：Ｎ_２）＝（１００：０）、すなわち、Ｎ_２ガスを一切流さずに窒化クロム膜（ただし（Ｎ／Ｃｒ）＝０）を形成したサンプルである。表２、および表３に示すクロム原子に対する窒素原子の原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）は、上記実施例１において説明した、ＸＰＳ装置を用いた測定方法および条件と、同様の測定方法および条件を用いて求めた値である。

　図２に示すように、窒化クロム単膜の分光透過率のスペクトルは、各サンプルＡ_２～Ａ_６でそれぞれで異なっている。分光透過率のスペクトルの傾向を具体的に見てみると、窒化クロム膜における、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）が小さくなるにつれ、サンプルＡ_１～Ａ_５の順に、波長領域全体（具体的には、３００ｎｍ～２１００ｎｍ）にわたって分光透過率は低くなっている。

　次に実施例として、上記窒化クロム膜を窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で挟みこんだ構成、つまり、反応性スパッタリングによってガラス基板（ＦＬ６）に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断下地膜（１０ｎｍ）を形成し、酸素遮断下地膜の表面に積層して、反応性スパッタリングによってスパッタガス中のＡｒガス流量／Ｎ_２ガス流量を変化させた窒化クロム膜（２０ｎｍ）を形成した。さらに、窒化クロム膜の表面に積層して、窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜（２０ｎｍ）を形成した。
　窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断下地膜、および酸素遮断保護膜を形成する際の条件は以下のとおりとした。
　・スパッタターゲット；１３０ｍｍ×４３０ｍｍの大きさの多結晶Ｓｉターゲット、
　・スパッタリング中のＮ_２ガス流量；１００ｓｃｃｍ、
　・スパッタリング中のチャンバ内圧力；５．１×１０^－１Ｐａ、
　・プラズマ生成電力；ＤＣパルス電源からの投入電力で２．００ｋＷ、

　Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量を変化させた窒化クロム膜を窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で挟みこんだ構成（サンプルＢ_１～Ｂ_６）の分光透過率を図３に示す。また、物性値を表３に示す。
　比較例であるサンプルＢ_１およびＢ_２では、可視光領域における分光透過率に比べて、可視光領域よりも長波側における分光透過率が、全体的に大きくなっている。サンプルＢ_１およびＢ_２に対し、本発明にかかるサンプルＢ_３～Ｂ_５では、可視光領域における分光透過率と、可視光領域よりも長波側分光透過率とが、全体的に見れば略同等の透過率となっている。ただし、長波長側の波長領域のうち特に近赤外領域（波長範囲約１０００ｎｍ～１３００ｎｍ）に注目すると、特にサンプルＢ_３およびＢ_４では、可視光領域における分光透過率に比べて、近赤外領域における分光透過率が顕著に低い。比較例であるＢ_６では可視光領域における透過率が、近赤外領域部分より低くなっている。
　なお、これらのサンプルＢ_３～Ｂ_５は、加熱処理後の光学特性の確認は行っていないが、Ｂ_４サンプルはほぼ実施例１のサンプルと等しいために、Ｂ_３～Ｂ_５の加熱処理後の光学特性は実施例１と同様に光学特性（Ｔ_ｅ／Ｔ_ｖ）の変化がないと考えている。

　上述したとおり、上記ＪＩＳ規格で定義される可視光透過率Ｔ_ｖは、可視光領域（波長範囲３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）における分光透過率の程度をよく反映し、同じくＪＩＳ規格で定義される日射透過率は、特に近赤外領域（波長範囲１０００ｎｍ～１３００ｎｍ）における分光透過率の程度をよく反映しているといえる。日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖを求めた場合、比較例であるサンプルＢ_１およびＢ_２に対し、サンプルＢ_３～Ｂ_５の日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖは比較的小さい値を示し、特に、サンプルＢ_３およびサンプルＢ_４において０．９以下になる。

　可視光透過率Ｔ_ｖが一定（１４％）になるような条件で、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖについてもとめたシミュレーションによる計算値を表４に示す。可視光透過率Ｔ_ｖを一定（１４％）にするためには窒化クロム膜の膜厚を変え、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる酸素遮断下地膜（１０ｎｍ）、窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜（２０ｎｍ）の膜厚は固定した。

　表４に示すサンプルＣ₁～Ｃ₆は、図１（ａ）に示す熱線反射ガラス１０と同様の構成の熱線反射ガラスを想定し、図２に示す分光透過率の実測値と、公知であるＳｉＮｘ膜（酸素遮断下地膜と酸素遮断保護膜）の分光透過率と、公知であるガラス基板の分光透過率と、を用いて、上記ＪＩＳ規格で規定される日射透過率Ｔ_ｅおよび可視光透過率Ｔ_ｖをそれぞれ計算したときの値を示す。なお、サンプルＣ_４の計算値は、上記実施例１の実測した熱線反射ガラスと同じ膜厚、ガス比の条件のときのシミュレーション（計算）により求めた値である。サンプルＣ_３～Ｃ_５は、本発明の実施例である。

　表３、表４の結果を図４、図５に示す。図４では窒化クロム膜中の、クロム原子数に対する窒素原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）が２０％～６０％（グラフ上の表示では、０．２～０．６）である場合、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖは０．９５以下になっている。またこの範囲では日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖの変動は少なく、クロム原子数に対する窒素原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）の変動に対して日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが安定であることがわかった。

　また図５では、窒化クロム膜を反応性スパッタリングによって作製する際、Ｎ_２ガスとＡｒガスとの流量（単位時間あたりの流入量）の比が、（Ａｒ：Ｎ_２）＝（７０：３０）～（９０：１０）のとき、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖは０．９５以下になっている。またこの範囲では日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖの変動は少なく、Ｎ_２ガスとＡｒガスとの流量の変動に対して日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが安定であることがわかった。

　これらより、本発明でクロム原子数に対する窒素原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）が２０％～６０％にすることにより、または、窒化クロム膜を（Ａｒ：Ｎ_２）＝（７０：３０）～（９０：１０）で反応性スパッタリングすることにより、可視光透過率Ｔ_ｖが３５％以下、かつ日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが１．０未満の性能をもつ熱線反射ガラスを得ることができ、また窒化クロム膜の成膜の条件の変動に対して、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖの変動が少なくできることがわかった。

　なお、図６には、ガス流量条件（Ａｒ：Ｎ_２）＝（８０：２０）で窒化クロム膜（ＣｒＮｘ）の膜厚を変化させて成膜した、複数のサンプルＤ_１～Ｄ_５のそれぞれの、分光透過率のスペクトルを示している。サンプルＤ_１～Ｄ_５の各サンプルは、サンプルＣ_４の成膜条件と、それぞれ窒化クロム膜（ＣｒＮｘ）の膜厚のみが異なっている。すなわち、図６に示す各サンプルＤ_１～Ｄ_５は、いずれも、Ａｒガス流量／Ｎ_２ガス流量を（Ａｒ：Ｎ_２）＝（８０：２０）に設定して作製され、窒化クロム膜における原子数の割合（Ｎ／Ｃｒ）がいずれも０．４１である。なお、図６のグラフに示す膜厚は、事前に調べた成膜レートを用いて計測した値から事前に計算した成膜時間でおこなった。

　図６に示すように、窒化クロム膜における、クロム原子に対する窒素原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）がいずれもほぼ同等の場合、窒化クロム膜の膜厚が変わっても、分光透過率の大まかな傾向は特に変化しない。窒化クロム膜において、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖは、窒化クロム膜におけるクロム原子に対するＮ_２原子の割合（Ｎ／Ｃｒ）、ひいては、反応性スパッタリングにおけるＡｒガス流量／Ｎ_２ガス流量、によって決定づけられており、膜厚は寄与していない。逆にいえば、窒化クロム膜の膜厚を変化させるだけでも、分光透過率のスペクトルを全体的に低下させることができ、可視光透過率の絶対値や日射透過率の絶対値を低減させることができるが、窒化クロム膜の膜厚を変化させるだけでは、可視光透過率に対する日射透過率の比を調整することはできない。本発明者は、このような知見を初めて見出し、本発明に至っている。

　表５は、図６に示す分光透過率の値から求めた物性値を示す。日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖは、窒化クロム膜の膜厚が変化しても同じである。サンプルＤ_１～Ｄ_５では、可視透過率Ｔ_ｖが約１０％～約２０％の範囲で、ビルなどの室内に居る人物が感じる眩しさや、外から中が見え無いプライバシー性が十分であり、かつ、日射透過率Ｔ_ｅ／可視光透過率Ｔ_ｖが０．８７と低く、室内への熱の流入を防ぐという効果がある。

　本発明の熱線反射ガラスでは、ガラス基板に形成する層の構成は、上述の各実施形態に限定されるものではない。例えば、熱線反射用の窒化クロム膜に進入する酸素を、より高精度に防ぐために、図１に示す実施形態の最上層である酸素遮断保護膜の上層に、さらに第２の保護膜を設けてもよい。第２の保護膜としては、例えば、金属酸化物からなり、可視光領域において透明な膜であり、酸素バリア性の高いものが好ましい。具体的には、酸化スズ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。かかる第２の保護膜の厚さは、熱線反射ガラスが有すべき酸素遮断性能や光学特性などを考慮して決定すればよい。また、この第２の保護膜以外の層も、必要に応じて設けていても構わない。

　以上、本発明の熱線反射ガラス及び熱線反射ガラスの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態や実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

　本発明の熱線反射ガラスは、日射熱の遮蔽性能に優れている上に強化処理や曲げ加工を施しても光学性能がほとんど変化しないため、建築物や車のガラス窓に好適に使用可能であり、航空機、列車などの車以外の移動手段などにおいても広く利用可能である。
　なお、２００７年１２月２７日に出願された日本特許出願２００７－３３６１３３号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims

　ガラス基板に、酸素遮断下地膜、窒化クロム膜及び酸素遮断保護膜がこの順に設けられ、
　前記窒化クロム膜における、クロムに対する窒素の原子数の割合（窒素原子数／クロム原子数）が、２０％～６０％であることを特徴とする熱線反射ガラス。
　前記酸素遮断下地膜および前記酸素遮断保護膜が、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびスズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、であることを特徴とする請求項１記載の熱線反射ガラス。
　ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）で定義される可視光透過率が３５％以下であり、かつ該可視光透過率に対する、ＪＩＳ　Ｒ　３１０６（１９９８年）で定義される日射透過率の比（日射透過率／可視光透過率）が１．０未満であることを特徴とする請求項１または２記載の熱線反射ガラス。
　５００℃以上に加熱する処理が施されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項記載の熱線反射ガラス。
　前記酸素遮断下地膜の膜厚が５～２０ｎｍである請求項１～４のいずれか１項記載の熱線反射ガラス。
　前記酸素遮断保護膜の膜厚が１０～３０ｎｍである請求項１～５のいずれか１項記載の熱線反射ガラス。
　前記ガラス基板と酸素遮断下地膜との間に、該ガラス基板に含まれる不純物の移動を阻止する不純物遮断下地膜を有する請求項１～６のいずれか１項記載の熱線反射ガラス。
　ガラス基板に、酸素遮断下地膜、窒化クロム膜及び酸素遮断保護膜がこの順に設けられた熱線反射ガラスを製造する方法であって、
　ガラス基板を成膜チャンバ内に導入し、前記チャンバ内を窒素含有雰囲気としてクロムターゲットをスパッタリングすることで、前記ガラス基板に、窒化クロム膜を設ける工程と、
　前記スパッタリングの最中、前記チャンバ内に、窒素ガスを流入させるとともに、前記窒素ガス以外の不活性ガスを流入させ、前記不活性ガスの流入量の比を、（不活性ガス：窒素ガス）＝（７０：３０）～（９０：１０）の範囲に調整する工程と、
を有することを特徴とする熱線反射ガラスの製造方法。
　前記スパッタリングに先がけて、前記ガラス基板に、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびスズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、である酸素遮断下地膜を設ける工程と、
　前記スパッタリングの後、前記窒化クロム膜の表面に、ケイ素またはホウ素の窒化物を主成分とする膜、あるいは、ケイ素、ホウ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびスズからなる群から選ばれる２種以上の元素の窒化物を主成分とする膜、である酸素遮断保護膜を設ける工程と、
を有することを特徴とする請求項８記載の熱線反射ガラスの製造方法。
　前記酸素遮断下地膜、前記窒化クロム膜、および前記酸素遮断保護膜を設けた後、
　５００℃以上に熱処理することを特徴とする請求項８または９記載の熱線反射ガラスの製造方法。