JPS63195149A

JPS63195149A - 透明電導膜

Info

Publication number: JPS63195149A
Application number: JP62027368A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Mizuhashi; 水橋　衞; Masashi Tada; 昌史多田; Takeshi Matsui; 雄志松井
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1987-02-10
Filing date: 1987-02-10
Publication date: 1988-08-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、耐食性のある透明電導膜、特に太陽電池用基
板として最適な透明電導膜に関するものである。

［従来の技術］一般に、可視光領域において透明で、かつ導電性を有す
る透明電導膜は、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ
など新しいディスプレイ方式における透明電極や、アモ
ルファスシリコン太陽電池における透明電極として使用
され、又フォトマスク、その他各種用途の帯電防止のた
めに透明ガラス基板上に成膜して使用されている。これ
らの透明電導膜の材料としては、主に酸化インジウムや
酸化錫が用いられている。

特に酸化インジウムの方は、より低抵抗化が可ｆ＠で、
酸化錫を添加含有させることにより、現在のところ約１
Ｏ−４Ω−ｃ１程度のものが得られている。

［発明の解決しようとする問題点］この様に、透明電導膜、特に酸化インジウムｌりは、電
導性では、優れた特性を持っているが、ＩＷ１酸性や耐
還元性を検討するときわめて弱い膜である。例えば１０
０％濃度の塩酸中にガラス板上に５００〜１０００人の
膜Ｈの酸化インジウムを蒸着して形成した膜を浸漬する
と、１〜３秒で溶去してしまい全く使いものにならない
という場合もある。又酸化インジウムは酸素欠乏型の透
明電導膜であり、ドナー型の導電性を有する。この膜に
あっては、インジウムと酸素との結合が弱いため、水素
を含む高温雰囲気またはプラズマ中でのイオン衝撃を行
なうと酸素が遊離して金属インジウムが析出して失透し
てしまう、この事は、この酸化インジウム膜を太陽電池
用半導体膜として使用する際、大きな問題となる。とい
うのは、現在、太陽電池用半導体膜として使用されてい
るアモルファスシリコン膜は水素プラズマを用いたプラ
ズマＣＶＤ法によって作成する事が主流だからである。

かかる問題点の解決法として、酸化インジウム膜の上に
ブロッキング層として別の層を形成することが考えられ
る。

酸化ｔＩＡ膜をこのブロッキング層として用いる事が提
案されているが（特開昭５８−２１８７０４号）。

耐プラズマ反応性という点では充分ではない。

［問題点を解決するための手段］本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、酸化インジウム、又は酸化錫を主成分とする透明電
導膜の表面に炭化チタン、又は水素がドープされた炭化
チタンからなる保護膜を形成したことを特徴とする耐食
性の改善された透明電導膜を提供するものである。

以下、本発明を更に詳細に説明する。

第１．２図は、本発明に係る透明電導膜の実施態様を示
した図面であり、■は基体、２は酸化インジウム、又は
酸化錫を主成分とする透明電導膜、３は炭化チタン、又
は水素がドープされた炭化チタンからなる保護膜、４は
アルカリバリヤー）模を示す。

本発明における酸化インジウムを主成分とする透明電導
膜としては、錫が酸化インジウムに対し０．５〜３０重
量％、好ましくは５〜ｌＯ重量％程度含有され、電導性
が付与された錫ドープ酸化インジウム電導膜であり、又
酸化錫を主成分とする透明電導膜としては、フッ素が酸
化錫に対しＱ、１〜５重量％、好ましくは０，３〜２重
量重量％台有され、電導性が付与されたフッ素ドープ酸
化錫電導膜、あるいはアンチモンが酸化錫に対し、０，
１〜３０重量％、好ましくは０．３〜５重量重量％台有
され、電導性が付与されたアンチモン・ドープ酸化錫電
導膜である。

かかる錫ドープ酸化インジウム電導膜は、スパッタリン
グ法、真空蒸着法などによって製造することができ、又
フッ素ドープ酸化錫電導膜は、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ
リング法、真空蒸着法、溶液スプレー法などによって製
造することができ、又アンチモン・ドープ酸化錫電導膜
は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、溶液ス
プレー法などによって製造することができる。かかる透
明電導膜は、得ようとする抵抗値、光学的特性などによ
って、その膜厚が決定されるが、通常は５００人〜２μ
ｍ程度の範囲である。

上記した透明電導膜２を形成する基体ｌとしては、透明
性、光学的特性、耐久性、電気的特性等の点から、ソー
ダライムシリケートガラス板、アルミノシリケートガラ
ス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムアルミノシリケート
ガラス板などのアルカリ含有ガラス板、低アルカリ含有
ガラス板、あるいは無アルカリガラス板、石英ガラス板
などが好ましいが、場合によっては透明性プラスチック
板、あるいは透明性プラスチックフィルムを使用するこ
ともできる。なお、ソーダライム・シリケートガラス板
などのアルカリ含有ガラス板、あるいは低アルカリ含有
ガラス板においては、その表面のアルカリ成分が溶出し
て、その上に形成された透明主導膜にヘイズ（曇り）が
発生する場合があるので、これを防止するためにＥ記ガ
ラス板の透明電導膜形成面側に、５ｉ０２　、　Ａｌ２
Ｏ３、ＺｒＯ２などの酸化物を主体とするアルカリバリ
ヤー膜４を形成しておくのが好ましい。

本発明においては、酸化インジウム、又は酸化錫を主成
分とする透明電導膜の耐食性、特に耐プラズマ性を向と
するために炭化チタンからなる保護膜が形成される。特
に好ましくは、水素がドープされた炭化チタンからなる
保護膜が使用される。かかる水素がドープされた炭化チ
タン膜としては、水素を原子比で５０％以下含む炭化チ
タンからなる膜、特に好ましくは水素含有の効果が充分
に発揮される様に原子比で１〜３０％水素を含ませた炭
化チタン膜が最適である。

炭化チタンは食塩と同じ形の単位格子を有する化合物で
あり、チタン原子が塩素イオンの位置に、炭素原子がナ
トリウムイオンの位置をしめている。金属なみの電導性
、金属光沢を有し、不透明であり１合金の特性を有して
いる。

金属状態の特徴である外殻電子の非局在化は炭素原子が
チタンの格子間に侵入することによって失われることが
ない。又、炭素の侵入によってチタンの格子がより安定
な状態となっていることが融点と硬度の上昇かられかる
。炭化チタンの硬度はモース硬さで８〜１０であり、ダ
イヤモンドに近く、化学的に安定であることが知られて
いる。

化学的に安定である特性は、チタンの格子間にある炭素
が反応し解離するのに大きな力学的エネルギーを必要と
することから由来すると考えられる。

プラズマに対する耐性については、非酸化物であるため
、還元性プラズマに対して変化しにくいという事が考え
られ、この事は、太陽電池用のアモルファスシリコンを
成膜する際、炭化チタンをオーバーコートとして透明電
導膜のＬに使用した場合、優れた性能を示すことを意味
する。

又、前述のように炭化チタンは非局在化した外殻電子を
持っており、これが伝導電子として働き、バルク値とし
て１Ｏ−４〜１０−５Ω・ｃｍ台の比抵抗を示す、かか
る事実は、炭化チタン膜を透明電導膜の上にオーバーコ
ートしても、太陽電池用基板としてその面積抵抗の値に
何らの支障もケえることがない。この事実は全く電導性
を有しない醸化物などをオーバーコートする場合に比べ
て有利な事である。つまり炭化チタンのオーバーコート
は耐プラズマ反応性という面でも、抵抗値の面でも優れ
た特性を持っている。

しかしながら、炭化チタンは可視域に吸収をもつ。膜の
厚みは、下地となる透明電導膜の耐プラズマ反応性を向
上させるという点だけを考えれば、バルクに近い特性を
持つ膜ができる程度の膜厚でよく、それ程厚くする必要
はないが、炭化チタンの膜は吸収性があるため、膜厚を
極端に薄くすることがなければオーバーコートした透明
型導膜全体の可視光透過率を太陽電池用基板として要求
される７５％以北にすることは困難である。

しかし、膜厚が薄くなるにしたがい、その分布に不均一
が生じやすく、耐プラズマ反応性の面で特性が劣る傾向
が生じる。従って、本発明における保護膜の厚みは１０
〜１００人、好ましくは２０〜５０人の範囲が適当であ
る。

上記した様に窒化チタン膜は、耐プラズマ性及び抵抗値
の上昇をきたさないという利点がある一方、吸収性のた
め７０％以」二の可視光透過率がなかなか得られないと
いう不都合がある。かかる点から、高可視光透過率と電
導性と耐プラズマ特性とを同時に満足する様に炭化チタ
ンに水素をドープし、炭化チタン膜に水素を含有させ、
電導性及び耐プラズマ反応性を残したまま可視光透過率
を向Ｈさせた膜が有効である。

特に、かかる水素は炭化チタンに対し原子比で５０％以
下、更に好ましくは１〜３０％炭化チタン膜に含ませる
ことにより、電導性、高透過率及び耐プラズマ反応を同
時に向トさせることができる。なお、炭化チタン膜中に
水素を原子比で６０％より多く含ませると絶縁性が高く
なり、透明電導膜の上に保護膜として形成した場合、太
陽電池としてその面積抵抗を上昇させ、その性能に支障
をきたすこととなり好ましくない。炭化チタンに水素を
導入した場合の保護膜においては、この場合の特性、即
ち電導性、耐プラズマ性を残したまま、可視光透過率を
向Ｈさせるという特性が充分発揮される様に水素の導入
割合は原子比で１〜３０％が最適である。

かかる水素を導入した炭化チタン膜の場合においても、
その膜厚は１０〜５０人が最適である。

本発明における炭化チタン、又は水素を含む炭化チタン
からなる保護膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などの特定の手段に限る必要はないが、上
記に示した様な膜厚で有効な耐プラズマ反応性を出させ
るためには、なるべくバルクの特性に近い膜を作製する
必要があり、そのためには、スパッタリング法やイオン
プレーテング法、プラズマＣＶＤ法など、プラズマ助！
＆膜作製法を利用することが望ましい、又、バルクに近
い緻密な膜であると有効な拡散バリアーの役目もすると
考えられる。又、下地の透明電導膜もＣＶＤ法で作製し
１本発明の膜もプラズマＣＶＤ法で作製するならば、ア
モルファスシリコンまでのオンライン生産が可能である
。

例えば、スパッタリング法によって成膜する場合には、
スパッタリング装置の真空室内にチタンターゲット、又
は炭化チタンターゲットをセットし、この真空室内にア
ルゴンガス、又はアルゴンガス及びメタンガスを導入し
、かかる雰囲気中で一上記ターゲットにＲＦ主電圧印加
してスパッターを行なうことで透明電導膜りに炭化チタ
ンからなる保護膜が形成される。又、水素を含む炭化チ
タンからなる保護膜を形成するためには、真空室内にチ
タンターゲット、又は炭化チタンターゲットをセットし
、この真空室内にアルゴンガス、メタンガス及び水素ガ
スを導入し、Ｌ記した様にかかるターゲットにＲＦ主電
圧印加してスパッタを行なうことで形成する。チタンタ
ーゲットを使用してアルゴンガス、メタンガス及び水素
ガスを含む雰囲気中でスパッタリングする場合には、メ
タンガス１０〜５０マｏ１％、水素ガス５〜２０マｏ１
％、残りをアルゴンガスとした雰囲気で行なうのが最適
であり、又炭化チタンターゲットを使用する場合には、
メタンガス５〜６０マｏ１％、水素ガス０〜２０マｏ１
％、残りをアルゴンガスとするのが最適である。

本発明の透明電導膜は、耐プラズマ反応性が高いので、
かかる透明電導性膜上にプラズマＣＶＤ法により各種膜
を形成することができる。従って、かかる透明電導膜は
アモルファス太陽電池用の透明電極として最適である。

アモルファス太陽電池を製造するに当っては、例えばガ
ラス基板上に形成された本発明の透明電導膜上にプラズ
マＣＶＤ法により、ｐ型アモルファスＳ＋％、ｉ５アモ
ルファス５ｉｌＱ、Ｂ　ｙ２アモルファスＳｉ膜を順次
形成して製造される。

［実施例］以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１スパッター装置の真空室内の陰極上に１０ａｔ％（原子
比％）の錫を含む金属インジウムのターゲットと炭化チ
タンのスパッタリング用ターゲットをそれぞれセットす
る。セリア研磨及び水洗により表面を洗節した１、１ｍ
ｍｍｍ−ダライムシリケートガラス基板を真空室内に入
れ、油拡散ポンプで５．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下ま
で排気する。又基板温度は３７０°Ｃ程度に上げておく
。

次に真空室内をＡｒ：０２−８２：３８の混合ガスで満
たし、真空度を２．２Ｘ　１Ｏ−３Ｔａｒｒにセットし
、錫−インジウム合金ターゲットに５００ＶのＤＣ電圧
を印加し、１０分間プレスパツタを行なう。プレスパツ
タ後、シャッターを開いて５分間スパッタしたところ、
　ＩＥ！厚４２００人の透明な錫を１０ａｔ％含むＩ　
ｎ７０３電導膜が得られた０次に真空を破らずに真空室
中の雰囲気をＡｒ：ＣＨａ　＝　　７：３の混合ガスに
完全に置換し、真空度を２Ｘ　１Ｏ−４ＴｏｒｒにｊＪ
Ｊｆｒｉ後、炭化チタンのターゲットに５００ｖのＤＣ
電圧を印加して２分間スパッタを行った。

オーバーコートされた水素がドープされた炭化チタンの
保護膜の膜厚は約８０人であった。

このようにして得られた透明電導膜は、水素のドープの
−１，１合が原子比で１５％であり、その比抵抗２．５
Ｘ　ｔｏ−４Ω・Ｃ厖、可視光透過率８０％で。

オーバーコートしなかったものとほとんど変化なかった
。

これらの透明電導膜基板上に通常のアモルファスシリコ
ン製造用プラズマＣＶＤ装置を使用し、同装置のチャン
バー内を、油拡散ポンプによって　ＬＸ　１Ｏ−５Ｔｏ
ｒｒ程度にまで排気した後ＳｉＨ４ガスと１１０００ｐ
ｐに水素で希釈された８２　Ｈ６ガスを体積比１：１０
でチャンバー内へ導入し、ＲＦ出力５Ｗ、基板温度２５
０℃でＰ型アモルファスシリコンＩＩＱを形成した後、
ヒドラジン−水和物を使用して同アモルファスシリコン
膜をエツチングして透明電導膜の比抵抗、透過率を測定
した。その結果、何もオーバーコートしない膜では比抵
抗が１．６倍に、透過率が０．９倍に変化していたのに
対し、本実施例の水素がドープされた炭化チタンの保護
膜をオーバーコートした膜では比抵抗、透過率ともに全
く変化していなかった。

実施例２スパッター装置の真空室内の陰極上に１０ａｔ％の錫を
含む金属インジウムのターゲ−／　）と純粋な金属チタ
ンのスパッタリング用ターゲットをそれぞれセットする
。セリア研磨及び水洗により表面を洗浄したシリカアル
カリバイヤー膜付ソーダライムシリケートガラス基板（
板厚；１、ｌａｍ）を真空室内に入れ、油拡散ポンプで
５．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下まで排気する。又基板
温度は３７０℃程度に上げておく０次に真空室内をＡｒ
：Ｃｈ・１３２：３８の混合ガスで満たし、真空度を２
．２　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒにセットし、錫−インジウ
ム合金ターゲットに５００ｖのＤＣ電圧を印加し、１０
分間プレスパツタを行なう、プレスパツタ後。

シャッターを開いて５分間スパッタしたところ、膜厚４
２００人の透明な錫を１０ａｔ％含むＩｎ？０３′心導
膜が得られた０次に真空を破らずに真空室中の雰囲気を
Ａｒ：ＣＨａ　＝　　１：１の混合ガスに完全に置換し
、真空度を２Ｘ　１０＝Ｔｏｒｒに調節後、金１４チタ
ンのターゲットに５００ｖのＤＣ１ｒｔ圧を印加して１
分間プレスパツタ後、２分間スパッタを行った。オーバ
ーコートされた水素がドープされた炭化チタンの保護膜
の膜厚は約８０人であった。

このようにして得られた透明電導膜は、水素のドープの
割合が原子比で１０％であり、その比抵抗２．５Ｘ　１
０−４Ω−ａｒｍ　、光透過率８０％で、オーバーコー
トしなかったものとほとんど変化なかった。

これらの透明電導膜基板上に通常のアモルファスシリコ
ン製造用プラズマＣＶＤ装置を使用し、同装置のチャン
バー内を、油拡散ポンプによって　ＩＸ　１Ｏ−５Ｔｏ
ｒｒ程度にまで排気した後、Ｓ　ｉＨａガスとｌｏｏｏ
ｐｐｍに水素で希釈されたＢ２　Ｈ６ガスを体積比１：
１０でチャンバー内へ導入し。

ＲＦ出力５Ｗ、基板温度２５０℃でＰ型アモルファスシ
リコン膜を形成した後、ヒドラジン−水和物を使用して
同アモルファスシリコン膜をエツチングして透明電導膜
の比抵抗、透過率を測定した。その結果、何もオーバー
コートしない膜では比抵抗が１．６倍に、透過率が０．
８倍に変化していたのに対し、本実施例の水素がドープ
された炭化チタンの保護膜をオーｌく−コートした膜で
は比抵抗、透過率ともに全く変化していなかった。

実施例３アルカリバリヤー膜としてＣＶＤ法により形成されたＳ
　ｉ０７膜（膜厚８００人）を表面に持つシリカ・アル
カリバリヤー膜付ソーダ・ライム・シリケートガラス基
板（板厚２．０ｍｍ）を充分に洗浄し、次いでこのガラ
ス基板をＣＶＤ装置に入れた。ガラス基板を５００℃に
加熱した後、このガラス基板表面に四塩化錫ｔ　Ｘ　１
Ｏ−２Ｑ／分を１として蒸気（１，ｌＸ　ｌｏ１ｍｏｌ
／分）と水蒸気３０、メチルアルコールｌおよびフッ酸
１を含む窒素ガスを吹き付け、約５０００人／分で１．
０ｗｔ％（７）７ツ素のドーピングされた酸化錫からな
る透明電導膜（膜厚４０００人）を形成した。

次いで、炭化チタンのスパッタリング用ターゲットがセ
ットされたスパッタ装置の真空室内に」二記透明電導膜
付ガラス基板を入れ、該真空室内を　１．ＯＸ　１Ｏ−
５Ｔａｒｒまで排気した後、Ａｒ：ＣＨａ＝７：３の混
合ガスを入れ、真空度を５×１０−’Ｔａｒｒに′ｉＡ
ｆ！Ｊシた後、炭化チタンのターゲットに２．０ＫＶの
ＲＦ主電圧印加して１分間プレスパツタ後、１分間スパ
ッタを行なった。オーバーコートされた水素がドープさ
れた炭化チタンの膜厚は約５０人であった。このように
して得られた透明電導膜は、水素のドープ割合が原子比
で１０％であり、その比抵抗３．ＯＸ　１０−４Ω・Ｃ
厖、透過率８０％で、オーバーコートしなかったものと
ほとんど変化なかった。

これらの透明電導膜基板上に通常のアモルファスシリコ
ン製造用プラズマＣＶＤ装置を使用し、同装置のチャン
バー内を油拡散ポンプによって　ＩＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ程度にまで排気した後、Ｓ　ｉＨｎガスと１１０００
ｐｐに水素で希釈された８７　Ｈｒ、ガスを体積比ｌ：
１０でチャンバー内へ導入し、ＲＦ出力５Ｗ、基板温度
２５０℃でＰ型アモルファ、スシリコン膜を形成した後
、ヒドラジン−水和物を使用して同アモルファスシリコ
ン膜をエツチングして透明電導膜の比抵抗、透過率を′
Ａｌ１１定、した。その結果、何もオーバーコートしな
い１１２では比抵抗がり、８倍に、透過率０．９倍に変
化していたのに対し、本実施例の水素がドープされた炭
化チタンのｐ？Ｊｉ膜をオーバーコートした膜では比抵
抗、透過率ともに全く変化していなかった。

実施例４スパッター装置の真空室内の陰極上に１Ｏａｔ％（原子
比％）の錫を含む全屈インジウムのターゲットと炭化チ
タンのスパッタリング川ターゲットをそれぞれセットす
る。セリア研磨及び水洗により表面を洗炸した１、１ｍ
ｍｍｍ−ダライムシリケートガラス基板を真空室内に入
れ、油拡散ポンプで５．ＯＸ　ＩＱ−５Ｔａｙｒ以下ま
で排気する。又基板温度は３７０９Ｃ程度にトげておく
。

次に真空室内をＡｒ：０２＝８２：３Ｂの混合ガスで満
たし、真空度を２．２　Ｘ　１０１Ｔｏｒｒにセットし
、錫−インジウム合金ターゲットに５００ＶのＤＣ電圧
を印加し、１０分間プレスパツタを行なう。プレスパツ
タ後、シャッターを開いて５分間スパッタしたところ、
膜厚４２００人の透明な錫を１０ａｔ％含むＩｎ２Ｏ３
電導膜が得られた。次に真空を破らずに真空室中の雰囲
気をＡｒガスに完全に置換し、真空度を２Ｘ　１０１Ｔ
ｏｒｒに調節後、炭化チタンのターゲットに５００Ｖの
ＤＣ電圧を印加して２分間スパッタを行った。オーバー
コートされた炭化チタンの保護膜の膜厚は約８０人であ
った。

このようにして得られた炭化チタンからなる透明電導膜
は、比抵抗２ＸｌＯ−４Ω・Ｃ１１、可視光透過率７８
％で、オーバーコートしなかったものとほとんど変化な
かった。

これらの透明°ｉｔ導膜基板上に通常のアモルファスシ
リコン製造用プラズマＣＶＤ装置を使用し、同装置のチ
ャンバー内を油拡散ポンプによって　ＩＸ　１０１Ｔｏ
ｒｒ程度にまで排気した後、５ｉＨａガスとｌｏｏｏｐ
ｐｍに水素で希釈されたＢ２Ｈ６ガスを体積比　１：１
０でチャンバー内へ導入し、ＲＦ出力５Ｗ、基板温度２
５０℃でＰ型アモルファスシリコン膜を形成した後、ヒ
ドラジン−水和物を使用して同アモルファスシリコン膜
をエツチングして透明電導膜の比抵抗、透過率を７１１
１定した。その結果、何もオーバーコートしない膜では
比抵抗が、１．７倍に、透過率が０．８倍に変化してい
たのに対し、本実施例の炭化チタンの保護膜をオーバー
コートした膜では比抵抗、透過率ともに全く変化してい
なかった。

［発明の効果］以」―のように本発明によれば、透明主導膜。

特に酸化インジウム膜又は酸化錫膜の還元性雰囲気中に
おける耐プラズマ反応性を著しく向、Ｈさせることがで
きる。このことは、アモルファスシリコンを基板とした
太陽電池用基板として、この膜構成物を使用することに
非常に有利である。

又、本発明による炭化チタン膜、又は水素がドープされ
た炭化チタン膜は非常に硬質な膜であるから、これらの
膜をいわゆる太陽電池用の凹凸構造膜に使用することに
よって、その保護層の（動きをさせることができる。

【図面の簡単な説明】

第１，２図は本発明に係る透明電導膜を説明するための
横断面図を示す。に基体、　　　２：透明電導膜、３：保護膜、　４：アルカリバリャー膜第１図第　２ｔ￥ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）酸化インジウム、又は酸化錫を主成分とする透明
電導膜の表面に、炭化チタン、又は水素がドープされた
炭化チタンからなる保護膜を形成したことを特徴とする
耐食性の改善された透明電導膜。
（２）水素を原子比で５０％以下含む炭化チタンからな
る保護膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の透明電導膜。
（３）保護膜の厚みが１０〜１００Åであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の透明電導膜。