JPS63102108A - 透明電導膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、耐食性のある透明電導膜、特に太陽電池用基
板として最適な透明電導膜に関するものである。

［従来の技術］ 一般に、可視光領域において透明で、かつ導電性を有す
る透明電導膜は、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ
など新しいディスプレイ方式における透明電極や、アモ
ルファスシリコン太陽電池における透明電極として使用
され、又フォトマスク帯電防止のための透明ガラス基板
上に成膜して使用されている。これらの透明電導膜の材
料としては、主に錫をドーパントとして含む酸化インジ
ウムやアンチモンやフッ素をドーパントとして含む酸化
錫が用いられている。特に酸化インジウムの方は、より
低抵抗化が可能で、製造条件の選択、コントロールや酸
化錫の添加割合の調整により、現在のところ約１０−４
Ω、Ｃ鳳程度のものが得られている。

［発明の解決しようとする問題点］ この様に、透明電導膜、特に醇化インジウム膜は、電導
性では、優れた特性を持っているが、耐酸性、又は耐還
元性を検討するときわめて弱い膜である０例えば１００
％濃度の塩酸にガラス板りに５ｆ）０〜１０００人の膜
厚の酸化インジウムを蒸着して形成した膜を浸漬すると
、１〜３秒で溶去してしまい全く使いものにならないと
いう場合もある。又酸化インジウムは酸素欠乏型の透明
電導膜であり、ドナー型の導電性を有する。この膜にお
いては、インジウムと酸素との結合が弱いため、水素を
含む高温雰囲気またはプラズマ中でのイオン衝撃を行な
うと酸素がｉｉ離して金属インジウムが析出して失透し
てしまうという現象が起こる。これは、この酸化インジ
ウム膜を太陽電池用半導体膜として使用する際、大きな
問題となる。なぜならば、現在、太陽電池用半導体膜と
して使用されているアモルファスシリコン膜は水素プラ
ズマを用いたプラズマＣＶＤ法によって作成する事が主
流だからである。かかる問題点を改善する方法として、
酸化インジウム膜の上にブロッキング層としてＴｉＯ２
やＳ　ｉ０２などの様な酸化物の層を形成することが考
えらているが、電導性に支障をきたしたり、耐プラズマ
性が充分でないという欠点があった。又、酸化錫を主体
とする透明電導膜も耐プラズマ反応性という点で不充分
であった。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、酸化インジウム、又は酸化錫を主成分とする透明電
導膜の表面に窒化チタン、又は酸素を含む窒化チタンか
らなる保護膜を形成したことを特徴とする耐食性の改善
された透明電導膜を提供するものである。

以下、本発明を更に詳細に説明する。

第１．２図は、本発明に係る透明電導膜の実施態様を示
した図面であり、ｌは基体、２は酸化インジウム、又は
酸化錫を主成分とする透明電導膜、３は窒化チタン、又
は酸素を含む窒化チタンからなる保２Ｉ膜、４はアルカ
リバリヤー膜を示す。

本発明における酸化インジウムを主成分とする透明電導
膜としては、錫が酸化インジウムに対し０．５〜３０重
量％、好ましくは５〜１０重量％重量％力され、電導性
が付与された錫ドープ酸化インジウム電導膜であり、又
酸化錫を主成分とする透明電導膜としては、フッ素が酸
化錫に対し０．１〜５重量％、好ましくは０．３〜２重
量重量％台有され、電導性が付与されたフッ素ドープ酸
化錫電導膜、あるいはアンチモンが酸化錫に対し、０．
１〜３０重量％、好ましくは０．３〜５重量重量％台有
され、電導性が付与されたアンチモン・ドープ酸化錫電
導膜である。

かかる錫ドープ酸化インジウム電導膜は、スパッタリン
グ法、真空蒸着法などによって製造することができ、又
フッ素ドープ酸化錫電導膜は、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ
リング法、真空蒸着法、溶液スプレー法などによって製
造することができ、又アンチモン拳ドープ酸化錫電導膜
は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、溶液ス
プレー法などによって製造することができる。かかる透
明主導膜は、得ようとする抵抗値、光学的特性などによ
って、そのＩ１２原が決定されるが、通常は５００人〜
２μ■程度の範囲である。

上記した透明電導膜２を形成する基体ｌとしては、透明
性、光学的特性、耐久性、電気的特性等の点から、ソー
ダライムシリケートガラス板、アルミノシリケートガラ
ス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムアルミノシリケート
ガラス板などのアルカリ含有ガラス板、低アルカリ含有
ガラス板、あるいは無アルカリガラス板、石英ガラス板
などが好ましいが、場合によっては透明性プラスチック
板、あるいは透明性プラスチックフィルムを使用するこ
ともできる。なお、ソーダライム・シリケートガラス板
などのアルカリ含有ガラス板、あるいは低アルカリ含有
ガラス板においては、その表面のアルカリ成分が溶出し
て、その上に形成された透明電導膜にヘイズ（曇り）が
発生しない様に、上記ガラス板の透明電導膜形成面側に
、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３。

Ｚ　ｒａ２などの酸化物を主体とするアルカリバリヤー
１！１４を形成しておくのが好ましい。

本発明においては、酸化インジウム、又は酸化錫を主成
分とする透明電導膜の耐食性、特に耐プラズマ性を向上
するために窒化チタン、又は酸素を含む窒化チタンから
なる保護膜が透明主導膜の表面に形成される。特に好ま
しくは、酸素を含む窒化チタン膜からなる保護膜が使用
される。

かかる酸素を含む窒化チタン膜としては、酸素を原子比
で２７％以下含む窒化チタンからなる膜が最適である。

本発明の保護膜における窒化チタンは金属状態の特徴で
ある外殻電子の非局在化及び少なくとも部分的に共有結
合を同時に呈する状態にある。そして後者の働きによっ
て、酸化物と同等又はそれ以上の耐摩耗性を有する。

さらに窒化チタン生成熱が大きいために耐化学反応性も
酸化物以上に優れていると考えられる。特に、耐プラズ
マ反応性については、窒化チタンが酸素を含有していな
いためＨ２などを含む還元性プラズマに対して変化しに
くいという事が考えられ、この事は、太陽電池用のアモ
ルファスシリコンを作製する際、窒化チタンがオーバー
コートとして透明電導膜の上に使用した場合、酸化物を
オーバーコートした時よりも優れた性能を示すことを意
味する。又、窒化チタンは前述のように非局在化した外
殻電子を持っており、これが伝導電子として働き、バル
ク値として１０−４〜１０−５Ω・ｃｍ台の比抵抗を持
つ、よって、かかる事実は、窒化チタン膜を透明電導膜
の上にオーバーコートしても、太陽電池用基板としてそ
の面積抵抗の値に何らの支障も与えることがない、この
事実は全く主導性を有しない酸化物などをオーバーコー
トする場合に比べて有利な事である。つまり窒化チタン
のオーバーコートは耐プラズマ反応性という面でも、抵
抗値の面でも優れた特性を持っている。

膜の厚みは、下地となる透明電導膜の耐プラズマ反応性
を向上させるという点だけを考えれば、バルクに近い特
性を持つ膜ができるならば、それ程厚くする必要はない
が、窒化チタンの膜は可視域の吸収性があるため、膜厚
を薄くしなければオーバーコートした透明型導膜全体の
可視光透過率を太陽電池用基板として要求される７０％
以上にすることは困難である。

しかし、膜厚が薄くなるにしたがい、その分布に不均一
が生じやすく、耐プラズマ反応性の面で特性が劣る傾向
が生じる。従って、本発明における保護膜の厚みは１０
〜１００人、好ましくは２０〜５０人の範囲が適当であ
る。

上記した様に窒化チタン膜は、耐プラズマ性及び抵抗値
の上昇をきたさないという利点がある一方、吸収性のた
め７０％以上の可視光透過率がなかなか得られないとい
う不都合がある、かかる点から、窒化チタン膜に酸素を
導入し、窒化チタンを酸化させ、より可視光透過率を高
めることが有効である。特に酸素を原子比で５〜２７％
窒化チタン膜に含ませることにより、電導性、高透過率
及び耐プラズマ反応を同時に向上させることができる。

なお、窒化チタン膜中に酸素を原子比で２７％より多く
含ませると酸化の性質に近くなり、Ｈ？などを含む還元
性プラズマに対する耐プラズマ反応性が低下し、又絶縁
性が高くなり、透明電導膜の上に保護膜として形成した
場合、太陽電池としてその面積抵抗を上昇させ、その性
能に支障をきたすこととなり好ましくない、窒化チタン
に酸素を導入した場合の保護膜においては、この場合の
特性、即ち電導性、耐プラズマ性を残したまま、可視光
透過率を向上させるという特性が充分発揮される様に酸
素の導入割合は原子比で５〜２７ｑ６が最適である。

かかる酸素を導入した窒化チタン膜の場合においても、
その膜厚は１０〜５０人が最適である。

本発明における窒化チタン、又は酸素を含む窒化チタン
からなる保護膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などの特定の手段に限る必要はないが、上
記に示した様な膜厚で有効な耐プラズマ反応性を出させ
るためには、なるべくバルクの特性に近い膜を作製する
必要があり、そのためには、スパッタリング法やイオン
プレーテング法、プラズマＣＶＤ法など、プラズマ助成
膜作製法を利用することが望ましい、又、バルクに近い
緻密な膜であると有効な拡散バリアーの役目もすると考
えられる。又、下地の透明電導膜もＣＶＤ法で作製し、
本発明の膜もプラズマＣＶＤ法で作製するならば、アモ
ルファスシリコンまでのオンライン生産が肩山である。

例えば、スパッタリング法によってＪ＆膜する場合には
、スパッタリング装置の真空室内にチタンターゲット、
又は窒化チタンターゲットをセットし、この真空室内に
アルゴンガス、又はアルゴンガス及び窒素ガスを導入し
、かかる雰囲気中で上記ターゲットにＲＦ主電圧印加し
てスパッターを行なうことで透明電導膜上に窒化チタン
からなる保護膜が形成される。又、酸素を含む窒化チタ
ンからなる保護膜を形成するためには、真空室内にチタ
ンターゲット、又は窒化チタンターゲットをセットし、
この真空室内にアルゴンガス、窒化ガス及び酸素ガスを
導入し、上記した様にかかるターゲットにＦＲ電圧を印
加してスパッタを行なうことで形成する。チタンターゲ
ットを使用してアルゴンガス、窒化ガス及び酸素ガスを
含む雰囲気中でスパッタリングする場合には、窒化ガス
１０〜２０マ０１％、酸素ガス１０〜３０マＯ１％、残
りをアルゴンガスとした雰囲気で行なうのが最適であり
、又窒化チタンターゲットを使用する場合には、窒化ガ
ス５〜２０マＯ１％、酸素ガス５〜３０マｏ１％、残り
をアルゴンガスとするのが最適である。

本発明の透明電導膜は、耐プラズマ反応性が高いので、
かかる透明電導性膜上にプラズマＣＶＤ法により各種膜
を形成することができる。従って、かかる透明電導膜は
アモルファス太陽電池用の透明電極として最適である。

アモルファス太陽電池を製造するに当っては、例えばガ
ラス基板上に形成された本発明の透明電導膜上にプラズ
マＣＶＤ法により−１ｐ型アモルファスＳｉ膜、Ｉ型ア
モルファスＳｉ膜、ｎ型アモルファスＳｉＭを順次形成
して製造される。

［実施例］ 以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１ アルカリバリヤー膜としてＣＶＤ法により形成されたＳ
　ｉ（ｈ膜（膜厚８００人）を表面に持つソーダ争ライ
ム・シリケートガラス基板をＣＶＤ装置に入れた。ガラ
ス基板を５００℃に加熱した後、このガラス基板表面に
テトラメチル錫蒸気（１，Ｉ　Ｘ　１０−４ｍｏｌ／分
）と酸素Ｃ０，５Ｑ／分）およびブロモトリフロロメタ
ン（０，１２７分）を含む窒素ガス（２Ｑ／分）を吹き
付け、約３０００人／分で１．０　ｖｔ％のフッ素のド
ーピングされた酸化錫からなる透明電導膜（膜厚２３０
０人）を形成した０次いで、窒化チタンのスパッタリン
グ用ターゲットが七−２トされたスパッタ装置の真空室
内に上記透明電導膜付ガラス基板を入れ、該真空室内を
　１．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した後、Ａｒ　
：　Ｎ２　＝　８２．５　：　１７．５の混合ガスを入
れ、真空度を２．５　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒに調節した
後５００〜ｔｏｏｏｖの電圧を印加してガラス基板表面
にイオン衝撃を加え、続いて窒化チタンのターゲットに
２．ＯＫＶのＲＦ主電圧印加して５分間プレスパツタ後
、４秒間スパッタを行なった。オーバーコートされた窒
化チタンの膜厚は約５０人であった。このようにして得
られた透明電導膜は比抵抗２．５Ｘ　１０−４Ω・０層
、透過率８０％で、オーバーコートしなかったものとほ
とんど変化なかった。

この様にして窒化チタン膜がオーバーコートされた透明
電導膜付ガラス基板を耐プラズマ反応性の試験のため、
プラズマＣＶＤ装置により下記条件でＨ２プラズマ曝露
を行なった。

基板温度　：３００℃ プラズマ出カニ　　０．ＩＷ／ｃｍ２ Ｈ２分圧　　：　０．７Ｔｏｒｒ 曝露時間　：５分間 かかるサンプルのＨ２プラズマ曝露前の可視光透過率が
８０％であるのに対し、Ｈ？プラズマ＠霧後の同透過率
は５０％であり、又Ｈ２プラズマ＠霧前後の表面抵抗変
化率は約２００％であったが導電性は失われていなかっ
た。一方、上記実施例１に従って得られたＳｎＯ２から
なる透明電導膜付きガラス基板（保護膜なし）について
同上のＨ２プラズマ曝露を行なったところ、ＳｎＯ２が
還元され、白いパウダー状となってガラス基板より剥離
して基板は全く電導性を示さなくなった。これより、実
際のアモルファス・シリコンａ層時にはありえない苛烈
な水素プラズマに対してすら本発明の保！Ｉ膜が有効で
あることがわかる。

実施例２ アルカリバリヤー膜としてＣＶＤ法により形成された５
ｉ０２膜（膜厚８００人）を表面に持つソーダ・ライム
争シリケートガラス基板をＣＶＤ装置に入れた。ガラス
基板を５００　”Ｃ！に加熱した後、このガラス基板表
面にテトラメチル錫蒸気（１，Ｉ　Ｘ　１０−’ｍｏｌ
／分）と酸素（０，５Ｑ／分）およびブロモトリフロロ
メタン（０，ｌＱ／分）を含む窒素ガス（２Ｑ／分）を
吹き付け、約３０〜０人／分で１．Ｏｗｔ％のフッ素の
ドーピングされた酸化錫からなる透明゛屯導膜（膜厚２
３００人）を形成した０次いで、窒化チタンのスパッタ
リング用ターゲットがセットされたスパッタ装置の真空
室内に上記透明電導膜付ガラス基板を入れ、該真空室内
を　１．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した後、　Ａ
ｒ　：　Ｎ２　：　０２＝　７８．８　：　１ＢＪ　：
　４．８の混合ガスを入れ、真空度を２．５Ｘ　ｔｏ−
３Ｔｏｒｒに調節した後５００〜１００ＯＶの電圧を印
加してガラス基板表面にイオン衝撃を加え、続いて窒化
チタンのターゲットに２．ＯＫＶのＲＦ主電圧印加して
５分間プレスパツタ後、４秒間スパッタを行なった。こ
の様に形成された保護膜は、酸素を１０．５ｗｔ％含む
窒化チタンの膜であり、その膜厚は約５０人であった。

このようにして得られた透明電導膜は比抵抗２．５Ｘ　
１０−４Ω・Ｃ■、透過率８０％で、オーバーコートし
なかったものとほとんど変化なかった。

この様に酸素を含む窒化チタン膜がオーバーコートされ
た透明電導膜付ガラス基板を実施例１と同様なＨ２プラ
ズマ曝露を行なった。

かかるサンプルのＨ２プラズマ曝露前の可視光透過率が
８０％であるのに対し、Ｈ２プラズマ曝露後の同透過率
は５０％であり、又Ｈ２２プラズマ曝露後の表面抵抗変
化率は約２００％であった。一方、上記実施例１に従っ
て得られたＳｎＯ２からなる透明電導膜付きガラス基板
（保護膜なし）について同上のＨ２プラズマ曝露を行な
ったところ、５ｎ０２が還元され、白いパウダー状とな
ってガラス基板より剥離して基板は全く電導性を示さな
くなった。これより、実際のアモルファス−シリコン積
層プロセス上ではありえない苛烈な水素プラズマに対し
てすら本発明の保！１１１１が有効であることがわかる
。

実施例３ スパッター装置の真空室内の陰極上に１０ａｔ％（原子
比％）の７ンチモンを含む金属錫のターゲットと窒化チ
タンのターゲットをそれぞれセットする。セリア研磨及
び水洗により表面を洗浄した１、１ｍｍ厚シリカ・アル
カリバリヤー膜付のソーダライムシリケートガラス基板
を真空槽内に入れ、油拡散ポンプで５．ＯＸ　１Ｏ−５
Ｔｏｒｒ以下まで排気する。又基板温度は２５０〜４０
０℃、好ましくは３７０℃程度に上げておく０次に真空
室内なＡｒ：０２−５５：４５の混合ガスで満たし、真
空度を８．ＯＸ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒにセットし、アンチ
モン−錫合金ターゲットに５００ＶのＤＣ電圧を印加し
、１０分間プレスパツタを行なう、プレスパツタ後、シ
ャッターを開いて５分間スパッタしたところ、膜厚２７
００人の透明なアンチモンを１０ａｔ％含むＩｎ２Ｏ３
電導膜が得られた０次に真空を破らずに真空槽内の雰囲
気を純アルゴンガスに完全に置換し、しかるのち、窒素
ガス及び酸素ガスを導入してＡｒ　：　Ｎ２　：　０２
　＝　７８．８ｖｏ１％：　１８．８マｏ１％＝４．８
マＯ１％：の割合に調整し、次いで窒化チタンのターゲ
ットに２にＶのＲＦ主電圧印加して４秒間スパッタを行
なった。これによってオーバーコートされた保護膜は酸
素を１０．５ａｔ％含む窒化チタン膜であり、その膜厚
は約３０〜４０人であった。このようにして得られた透
明電導膜は、比抵抗ｆ１．ｌＸ　１０−３Ω−ｃｍ　、
透過率７０〜７５％であった。この透明電導膜に通常の
プラズマＣＶＤの装置を用いてアモルファスシリコンの
製膜を行なったところ、０．５〜ＩＷ程度でほとんど変
化なく１．５〜２Ｗ印加しても失透の程度が何もオーバ
ーコートしない場合よりも小さかった。

実施例４ スパッター装着の真空室内の陰極上に１Ｏａｔ％（原子
比％）の錫を含む金属インジウムのターゲットと純粋な
窒化チタンのスパッタリング用ターゲットをそれぞれセ
ットする。セリア研磨及び水洗により表面を洗浄した１
、１脂膳厚のソーダライムシリケートガラス基板を真空
槽内に入れ、油拡散ポンプで５．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ以下まで排気する。又基板温度は２５０〜４００℃、
好ましくは３７０℃程度に上げておく０次に真空室内を
Ａｔ；０２−８２：３８の混合ガスで満たし、真空度を
２．２　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒにセットし、錫−インジ
ウム合金ターゲットに５００■のＤＣ電圧を印加し、１
０分間プレスパツタを行なう、プレスパツタ後、シャッ
ターを開いて５分間スパッタしたところ、膜厚３８００
人の透明な錫を１０ａｔ％含むＩｎ？０３電導膜が得ら
れた１次に真空を破らずに真空槽内の雰囲気を純アルゴ
ンガスに完全に置換し、しかるのち窒素ガスを導入し１
次いで窒化チタンのターゲットに２．ＯＫＶのＲＦ定電
圧印加して４分間スパッタを行なった。これによってオ
ーバーコートされた窒化チタン（Ｔｉｅ）の保護膜の膜
厚は約３０〜４０人であった。このようにして得られた
透明電導膜は、比抵抗２．６×１０１０−４Ｏ−、透過
率７０〜７５％であった。この透明電導膜基板上に通常
のプラズマＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコンの
製膜ヲ行なったところ、０．５〜ＩＷ程度でほとんど変
化なく、１．５〜２Ｗ印加しても失透の程度が何もオー
バーコートしない場合よりも小さかった。

実施例５ スパッター装置の真空室内の陰極上に１０ａｔ％（原子
比％）の錫を含む金属インジウムのターゲットと窒化チ
タンのスパッタリング用ターゲットをそれぞれセットす
る。セリア研磨及び水洗により表面を洗浄した１、１ｍ
ｍ厚のソーダライムシリケートガラス基板を真空槽内に
入れ、油拡散ポンプで５．ＯＸ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下
まで排気する。又基板温度は３７０℃程度に上げておく
０次に真空室内をＡｒ：０２−８２：３Ｂの混合ガスで
満たし、真空度を２．２　Ｘ　１Ｏ−３７ｏτｒにセッ
トし、錫−インジウム合金ターゲットに５００ｖのＤＣ
電圧を印加し、１０分間プレスパツタを行なう、プレス
パツタ後、シャッターを開いて５分間スパッタしたとこ
ろ、膜厚３７００人の透明な錫を１ｏａｔ％含むＩｎ２
Ｏ３電導膜が得られた０次に真空を破らずに真空槽内の
雰囲気を純アルゴンガスに完全に置換し、しかるのち窒
素ガスと酸素ガスを導入しテＡｒ　：　Ｎ２　：　０２
　＝　７９．３ｖｏ１％：　１Ｂ、８ｖｏ１％：３．９
ｖｏ１％：に調整し、真空度４．ＯＸ　ｔｏ−３Ｔｏｒ
ｒに調節後、窒化チタンのターゲットに２ＫＶのＲＦ定
電圧印加して１０秒間スパッタを行なった。これによっ
てオーバーコートされた酸素を１５．３ａｔ％含む窒化
チタン（Ｔｉｅ）からなる保護膜の膜厚は約４０〜７０
人であった。このようにして得られた透明電導膜は、比
抵抗２．８Ｘ　１０−４Ω・ｃｍ　、透過率が６５〜７
０％であった。この透明電導膜基板上に通常のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコンの製膜を行な
ったところ、０．５〜ＩＷ程度でほとんど変化なく、１
．５〜２Ｗ印加しても失透の程度が伺もオーバーコート
しない場合よりも小さかった。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、透明電導膜、特に酸化イ
ンジウム膜及び酸化錫の透明性、導電性を損なうことな
く還元性プラズマに対する耐久性を著しく向上させるこ
とができる。このことは、アモルファスシリコンを基板
とする太陽電池用基板として、この膜構成物を使用する
ことに非常に有利である。

又、本発明による保護膜は非常にカバー性の良い膜であ
るから、これらの膜をいわゆる太陽電池用の凹凸構造膜
に使用することによって、その保護層の（動きをさせる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１．２図は本発明に係る透明主導膜を説明するための
横断面図を示す。 ｌ：基体、　　　２：透明電導膜、 ３：保護膜、　　４：アルカリバリャー膜療１図 第　２　固

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸化インジウム、又は酸化錫を主成分とする透明
   電導膜の表面に、窒化チタン、又は酸素を含む窒化チタ
   ンからなる保護膜を形成したことを特徴とする耐食性の
   改善された透明電導膜。
2. （２）酸素を原子比で２７％以下含む窒化チタンからな
   る保護膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の透明電導膜。
3. （３）保護膜の厚みが１０〜１００Åであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の透明電導膜。