JPS582522B2 - 電気車制御装置 - Google Patents
電気車制御装置Info
- Publication number
- JPS582522B2 JPS582522B2 JP53038686A JP3868678A JPS582522B2 JP S582522 B2 JPS582522 B2 JP S582522B2 JP 53038686 A JP53038686 A JP 53038686A JP 3868678 A JP3868678 A JP 3868678A JP S582522 B2 JPS582522 B2 JP S582522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- base member
- electric vehicle
- control device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/125—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M3/135—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
- Y02T10/72—Electric energy management in electromobility
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気自動車、バッテリーフォークリフト等の
直流電動機をチョツピング制御するチョツパを有する電
気屯の制御装置に関する。
直流電動機をチョツピング制御するチョツパを有する電
気屯の制御装置に関する。
従来、チョツパ回路において、ダイオードまたはサイリ
スタをブリッジ状に組込むことが行なわれてお虱このよ
うな回路を使用する装置において小型化、軽量化低価格
化を達成することが要望されていた。
スタをブリッジ状に組込むことが行なわれてお虱このよ
うな回路を使用する装置において小型化、軽量化低価格
化を達成することが要望されていた。
そして、この問題点に鑑みてヒートシンク上に該ヒート
シンクを共通電極として複数個の半導体整流素子の各片
面を固着し、更に、これらの素子を絶縁物よりなるカバ
ーで覆い、かつ、前記素子の各他面に複数個の引出し電
極を互いに独立してカバーの絶縁物を貫通させたものが
実開昭４７−２３６１２号公報および実開昭４７−２４
０５８号公報に開示されている。
シンクを共通電極として複数個の半導体整流素子の各片
面を固着し、更に、これらの素子を絶縁物よりなるカバ
ーで覆い、かつ、前記素子の各他面に複数個の引出し電
極を互いに独立してカバーの絶縁物を貫通させたものが
実開昭４７−２３６１２号公報および実開昭４７−２４
０５８号公報に開示されている。
そして、バツテリフォークリフトの直流電動機を制御す
るために使用されるサイリスタチョツパ装置についても
上述したように小型化、軽量化、低価格化が要望されて
いる。
るために使用されるサイリスタチョツパ装置についても
上述したように小型化、軽量化、低価格化が要望されて
いる。
ところが、前述の実開昭４７−２３６１２号公報は三相
交流の全波整流ブリッジ形結線されたダイオード又はサ
イリスタに上述の如き技術を適用しているため、この実
開昭４７−２３６１２号公報に開示された技術をそのま
ま適用することはできない。
交流の全波整流ブリッジ形結線されたダイオード又はサ
イリスタに上述の如き技術を適用しているため、この実
開昭４７−２３６１２号公報に開示された技術をそのま
ま適用することはできない。
又、実開昭４７−２４０５８号公報には電気自動車のチ
ョツパ回路が示されているが、ここに示された回路には
同期電動機が使用されており、チョツパ回路も単純な三
相交流全波整流ブリッジ形に結線されたものであるため
、前述と同様に直流電動機を駆動するサイリスタチョッ
パにはそのまま応用できなかった。
ョツパ回路が示されているが、ここに示された回路には
同期電動機が使用されており、チョツパ回路も単純な三
相交流全波整流ブリッジ形に結線されたものであるため
、前述と同様に直流電動機を駆動するサイリスタチョッ
パにはそのまま応用できなかった。
すなわち、従来のこの種の直流電動機のサイリスタチョ
ツパ回路には主サイリスタと転流用ダイオードとフライ
ホイールダイオード等が使用されているが、これらのダ
イオードやサイリスタのヒートシンクは各々別個に製作
され組付けられており、これを直ちに一個のつまり共通
のヒートシンク上に実装することは次の理由によって困
難であって、上述の実開昭４７−２３６１２号公報や実
開昭４７−２４０５８号公報の考え方を容易に適用する
ことができなかったのである。
ツパ回路には主サイリスタと転流用ダイオードとフライ
ホイールダイオード等が使用されているが、これらのダ
イオードやサイリスタのヒートシンクは各々別個に製作
され組付けられており、これを直ちに一個のつまり共通
のヒートシンク上に実装することは次の理由によって困
難であって、上述の実開昭４７−２３６１２号公報や実
開昭４７−２４０５８号公報の考え方を容易に適用する
ことができなかったのである。
その理由はダイオードにはそのスタツド部が電気的に陽
極のものと陰極のものと両方があるが、サイリスタのス
タツド部は陽極のものしかなく、かつ、従来普通に採用
されているチョツパ回路の結線では特公昭４４−９５３
６号に開示されているように主サイリスタの陽極と転流
用サイリスタの陽極との間に転流用コンデンサが接続さ
れているため、主サイリスタの陽極と転流用サイリスタ
の陽極とを同一のヒートシンク上に同一の電位で実装す
ることが不可能であったためである。
極のものと陰極のものと両方があるが、サイリスタのス
タツド部は陽極のものしかなく、かつ、従来普通に採用
されているチョツパ回路の結線では特公昭４４−９５３
６号に開示されているように主サイリスタの陽極と転流
用サイリスタの陽極との間に転流用コンデンサが接続さ
れているため、主サイリスタの陽極と転流用サイリスタ
の陽極とを同一のヒートシンク上に同一の電位で実装す
ることが不可能であったためである。
そして、発明者は本発明を案出する過程において次のよ
うな事実を見い出したのである。
うな事実を見い出したのである。
すなわち、主サイリスタと転流用ダイオードと転流用コ
ンデンサとの結線関係を工夫して１つのヒートシンク上
に、これらの素子を実装することは出願人が先に提案し
たところの 実開昭４７−３３９１０号公報（実願昭４６−３８９３
６号）に開示された回路（第１図の如き回路）を採用す
れば可能であることを見い出した。
ンデンサとの結線関係を工夫して１つのヒートシンク上
に、これらの素子を実装することは出願人が先に提案し
たところの 実開昭４７−３３９１０号公報（実願昭４６−３８９３
６号）に開示された回路（第１図の如き回路）を採用す
れば可能であることを見い出した。
又、主サイリスタとフライホイールダイオードとの通電
期間がお互いに全く相反する関係にあり、どのようなパ
ータンで例えばバツテリフォークリフトが運転されても
、上記主サイリスタの経時的な発熱量とフライホイール
ダイオードの経時的な発熱量とがお互いに相助け合うよ
うな関係、すなわちある期間内における一方の発熱量が
少ないときは他方の発熱量が多くなる関係にあることを
見い出し（以下この関係を相補的関係ともいう）、これ
によって１つの共通のヒートシンク上に主サイリスタと
フライホイールダイオードとを並設すれば、その１つの
ヒートシンクの放熱機能を常に充分に発揮さすことがで
きるため、単に１つのヒートシンクによりコンパクトに
するという技術思想からは予想できぬ程、小さな体積の
ヒートシンクを採用できることを見い出した。
期間がお互いに全く相反する関係にあり、どのようなパ
ータンで例えばバツテリフォークリフトが運転されても
、上記主サイリスタの経時的な発熱量とフライホイール
ダイオードの経時的な発熱量とがお互いに相助け合うよ
うな関係、すなわちある期間内における一方の発熱量が
少ないときは他方の発熱量が多くなる関係にあることを
見い出し（以下この関係を相補的関係ともいう）、これ
によって１つの共通のヒートシンク上に主サイリスタと
フライホイールダイオードとを並設すれば、その１つの
ヒートシンクの放熱機能を常に充分に発揮さすことがで
きるため、単に１つのヒートシンクによりコンパクトに
するという技術思想からは予想できぬ程、小さな体積の
ヒートシンクを採用できることを見い出した。
そして、本発明はこのような考え方を基礎とするもので
ある。
ある。
そして、この場合、１つのヒートシンク上に各半導体素
子をベレットの状態ですなわち裸の状態で各素子を実装
することにより、主サイリスタとフライホイールダイオ
ードとから発生した熱をす早く共通のヒートシンクに合
流させ、熱伝導の悪さによるベレット近辺部材の局部加
熱を防止し、前述の主サイリスタとフライホイールダイ
オードの発熱の相補的関係をうまく利用し、きわめて小
さなヒートシンクを有し、しかもベレットの温度を低く
保つことのできる全体としてきわめて小型で軽量化ちれ
、それによって安価となる電気車制御装置が提供可能と
なったのである。
子をベレットの状態ですなわち裸の状態で各素子を実装
することにより、主サイリスタとフライホイールダイオ
ードとから発生した熱をす早く共通のヒートシンクに合
流させ、熱伝導の悪さによるベレット近辺部材の局部加
熱を防止し、前述の主サイリスタとフライホイールダイ
オードの発熱の相補的関係をうまく利用し、きわめて小
さなヒートシンクを有し、しかもベレットの温度を低く
保つことのできる全体としてきわめて小型で軽量化ちれ
、それによって安価となる電気車制御装置が提供可能と
なったのである。
本発明の目的は、共通のヒートシンクに相補的に熱が伝
達嘆れ放熱されること、および、このヒートシンクに伝
達される熱がす早くスムーズに流れるようにすることに
よりダイオードやサイリスタ等のべレツトの温度を低く
抑え小さなヒートシンク上にコンパクトに実装されたパ
ワーモジュールを有する電気車制御装置を提供すること
である。
達嘆れ放熱されること、および、このヒートシンクに伝
達される熱がす早くスムーズに流れるようにすることに
よりダイオードやサイリスタ等のべレツトの温度を低く
抑え小さなヒートシンク上にコンパクトに実装されたパ
ワーモジュールを有する電気車制御装置を提供すること
である。
又、第２の目的は、前記パワーモジュールの機械的強度
が充分であり、かつ、ヒートシンク上の各素子の配置を
工夫することにより放熱作用が良く、小型で経済的な電
気車制御装置を提供することである。
が充分であり、かつ、ヒートシンク上の各素子の配置を
工夫することにより放熱作用が良く、小型で経済的な電
気車制御装置を提供することである。
更に、第３の目的は小型で高さ寸法が小さくなったパワ
ーモジュールの特長を利用して、このパワーモジュール
上に他の電気部品を設けることを可能とし、全体として
小型な電気車制御装置を提供することである。
ーモジュールの特長を利用して、このパワーモジュール
上に他の電気部品を設けることを可能とし、全体として
小型な電気車制御装置を提供することである。
以下本発明装置の実施例を図面について説明する。
第１実施例を示す第１図ないし第５図において、１は電
気車の走行用直流電動機の電機子、２は該電動機の界磁
コイル、３，４は電磁開閉器、５は車載電源となるバツ
テリ、６は主半導体素子となる特に主サイリスタでその
電流容量は２００〔Ａ〕程度である。
気車の走行用直流電動機の電機子、２は該電動機の界磁
コイル、３，４は電磁開閉器、５は車載電源となるバツ
テリ、６は主半導体素子となる特に主サイリスタでその
電流容量は２００〔Ａ〕程度である。
７はフライホイールダイオード、８はプラッギングダイ
オードでありこれらで大容量半導体素子６，７．８を形
成しており、該半導体素子６，７．８はいずれも主とし
てペレット本体のみから構成され直接的に共通電極とな
る金属板９（以下、ヒートシンクともいう）に圧接ある
いはロー付け、又は半田付けで取付けられている。
オードでありこれらで大容量半導体素子６，７．８を形
成しており、該半導体素子６，７．８はいずれも主とし
てペレット本体のみから構成され直接的に共通電極とな
る金属板９（以下、ヒートシンクともいう）に圧接ある
いはロー付け、又は半田付けで取付けられている。
６ｂは金属製のスペーサである。
なお、ヒートシンク９はペレツト６ａ、７ａ、８ａから
の熱を吸収する冷却体ともなシ銅又はアルミニュームか
ら製作されている。
の熱を吸収する冷却体ともなシ銅又はアルミニュームか
ら製作されている。
なお、主サイリスタ６とフライホイールダイオード７と
の間の寸法よりもフライホイールダイオード７とプラン
キングダイオード８との間の寸法の方が小さくなってい
る。
の間の寸法よりもフライホイールダイオード７とプラン
キングダイオード８との間の寸法の方が小さくなってい
る。
１０，１１．１２は接続ターミナルとなる特に銅バーで
あり、大容量半導体素子６，７．８の各ペレツト６ａ，
７ａ．８ａに一端が接続され他端はＬ字形に折り曲げら
れてカバ一手段１３の外部に取り出されている。
あり、大容量半導体素子６，７．８の各ペレツト６ａ，
７ａ．８ａに一端が接続され他端はＬ字形に折り曲げら
れてカバ一手段１３の外部に取り出されている。
カバ一手段１３は特に鉄板等よりなりペレット６ａ，７
ａ，８ａを保護するためのものであり各ペレツト６ａ，
７ａ，８ａを覆っている。
ａ，８ａを保護するためのものであり各ペレツト６ａ，
７ａ，８ａを覆っている。
そして、該カバ一手段１３とヒートシング９との間の空
間はモールド部材となる合成樹脂１４でモールドしてあ
り、該モールド部材１４によシペレット６ａ，７ａ，８
ａを機械的に保護している。
間はモールド部材となる合成樹脂１４でモールドしてあ
り、該モールド部材１４によシペレット６ａ，７ａ，８
ａを機械的に保護している。
１５．１６はコンデンサ取付ねじでカバ一手段１３上に
設けてある。
設けてある。
１７は転流用サイリスタで、その電流容量は３０〔Ａ〕
程度である。
程度である。
１８は反転用ダイオードでありこれらで小容量半導体素
子１７．１８を構成している。
子１７．１８を構成している。
該小容量半導体素子１７．１８は市販されている形態、
すなわち、ペレット上にセミラック等の気密ケース１９
をかぶせてあり、該ケース１９の下にはスタツドポルト
２０が結合されているものである。
すなわち、ペレット上にセミラック等の気密ケース１９
をかぶせてあり、該ケース１９の下にはスタツドポルト
２０が結合されているものである。
そして、この小容量半導体素子１７．１８のヒートシン
ク９上への取り付けはスタッドボルト２０をヒートシン
ク９上に設けたねじ孔にねじ込むことにより行なわれる
。
ク９上への取り付けはスタッドボルト２０をヒートシン
ク９上に設けたねじ孔にねじ込むことにより行なわれる
。
以上述べた半導体素子の集合体、すなわちパワーモジュ
ール２５（第２図第３図のもの）はチョツパ装置の全体
構造を示す第４図および第５図において次のように取付
けられている。
ール２５（第２図第３図のもの）はチョツパ装置の全体
構造を示す第４図および第５図において次のように取付
けられている。
すなわち、２６はベース部材でありチョツパ装置のベー
スとなり熱放散の良いアルミニューム又は銅の板より構
成されている。
スとなり熱放散の良いアルミニューム又は銅の板より構
成されている。
２７はマイ力薄板、セラミック板あるいは接着剤等の絶
縁性薄板であり、該薄板２７はベース部材２６とヒート
シンク９とを電気的には絶縁すると共にヒートシンク９
からベース部材２６への熱伝達を阻害しないように薄く
構成されている。
縁性薄板であり、該薄板２７はベース部材２６とヒート
シンク９とを電気的には絶縁すると共にヒートシンク９
からベース部材２６への熱伝達を阻害しないように薄く
構成されている。
２８は転流用リアクトル、２９は転流用コンデンサ、３
０は反転用変流器、３１．３２は電極となる銅バーであ
る。
０は反転用変流器、３１．３２は電極となる銅バーであ
る。
上記構成において、チョツパ装置全体の作動は周知であ
るため詳細は省略するが、主サイリスタ６は電気車の走
行用直流電動機の電機子１、界磁コイル２および直流電
源５と直列に接続されて主回路を構成しており、前記電
動機の電流を断続制御する。
るため詳細は省略するが、主サイリスタ６は電気車の走
行用直流電動機の電機子１、界磁コイル２および直流電
源５と直列に接続されて主回路を構成しており、前記電
動機の電流を断続制御する。
又、フライホイールダイオード７は前記電動機に並列接
続されて主サイリスタ６の遮断期間中に前記電動機に平
滑された電流を流すものである。
続されて主サイリスタ６の遮断期間中に前記電動機に平
滑された電流を流すものである。
更に、プラツギングダイオード８は前記電機子１に並列
接続烙れ車両のプラツギング制動（逆転制動）期間中前
記電機子１を短絡するものである。
接続烙れ車両のプラツギング制動（逆転制動）期間中前
記電機子１を短絡するものである。
更に、上記一実施例においては、大容量半導体素子６，
７．８を主としてペレットのみとして金属板９上に取り
付けているため、大容量半導体素子６，７．８の高さ方
向寸法を小さくすることができる。
７．８を主としてペレットのみとして金属板９上に取り
付けているため、大容量半導体素子６，７．８の高さ方
向寸法を小さくすることができる。
又、大容量半導体素子６，７．８の横方向の寸法も小さ
くなるため、個々の大容景半導体素子６，７．８の相互
間隙を小さくすることができ、全体として半導体素子の
集合体２５０体格をきわめて小さくできるものである。
くなるため、個々の大容景半導体素子６，７．８の相互
間隙を小さくすることができ、全体として半導体素子の
集合体２５０体格をきわめて小さくできるものである。
又、大容量半導体素子６，７．８にはスタツドボルトや
ケース等の付属物が取付けられず主としてペレットのみ
の状態であるため省資源となる。
ケース等の付属物が取付けられず主としてペレットのみ
の状態であるため省資源となる。
更に、大容量半導体素子６，７．８を上から覆うカバ一
手段１３の上平面１３ａを平担にすることにより、この
上平面１３ａに転流用コンデンサ２９等の補助電気装置
を取り付けることができる。
手段１３の上平面１３ａを平担にすることにより、この
上平面１３ａに転流用コンデンサ２９等の補助電気装置
を取り付けることができる。
又、小容量半導体素子１７．１８は大容量半導体素子６
，７．８のようにペレットのみとはせずケース１９やス
タッドボルト２０を装着した市販状態のものを組付けて
いるが、これは小容量半導体素子１７，１８の電流容量
が大容量半導体素子６７，８に比べてきわめて小さいた
め、ペレットのみとしてヒートシンク９上に直接取り付
けるメリットが少ないためである。
，７．８のようにペレットのみとはせずケース１９やス
タッドボルト２０を装着した市販状態のものを組付けて
いるが、これは小容量半導体素子１７，１８の電流容量
が大容量半導体素子６７，８に比べてきわめて小さいた
め、ペレットのみとしてヒートシンク９上に直接取り付
けるメリットが少ないためである。
次に、各半導体素子６，７，８，１７，１８の熱放散に
ついて述べると、大容量半導体素子６，７．８のペレッ
ト６ａ，７ａ，８ａからの熱は直接ヒートシンク９へ伝
達され該ヒートシンク９から絶縁性薄板２７を介してベ
ース部材２６に放熱される。
ついて述べると、大容量半導体素子６，７．８のペレッ
ト６ａ，７ａ，８ａからの熱は直接ヒートシンク９へ伝
達され該ヒートシンク９から絶縁性薄板２７を介してベ
ース部材２６に放熱される。
一方、小容量半導体素子１７、１８にはケース１９やス
タッドボルト２０が備えられているため大容量半導体素
子６，７．８よりも熱放散は悪くなり、前記ケース１９
やスタッドボルト２０を介してヒートシンク９に熱が伝
達されるが、電流容量が小さいため何らきしつかえない
。
タッドボルト２０が備えられているため大容量半導体素
子６，７．８よりも熱放散は悪くなり、前記ケース１９
やスタッドボルト２０を介してヒートシンク９に熱が伝
達されるが、電流容量が小さいため何らきしつかえない
。
また、上記一実施例の電気回路図は第１図に示したとお
りであり、大容量半導体素子６，７．８のアノードを共
通の電極となる一枚のヒートシンク９（斜線部分）に接
続したため、各半導体素子６，７．８ごとに独立したヒ
ートシンクを設ける場合と比較すれば構造が簡単となり
放熱面積も大となる。
りであり、大容量半導体素子６，７．８のアノードを共
通の電極となる一枚のヒートシンク９（斜線部分）に接
続したため、各半導体素子６，７．８ごとに独立したヒ
ートシンクを設ける場合と比較すれば構造が簡単となり
放熱面積も大となる。
なお、上記第１実施例においては平担なカバ一手段１３
の上に転流用コンデンサ２９を載置したが、該コンデン
サ２９０代わりに他の補助電気装置となる例えば反転用
変流器３０、転流用リアクトル２８、ゲート制御装置の
いずれかを載置しても良い。
の上に転流用コンデンサ２９を載置したが、該コンデン
サ２９０代わりに他の補助電気装置となる例えば反転用
変流器３０、転流用リアクトル２８、ゲート制御装置の
いずれかを載置しても良い。
次に、上記実施例におけるヒートシンク９の放熱効果お
よび各ペレツト６ａ，７ａ、８ａの発熱態様について説
明する。
よび各ペレツト６ａ，７ａ、８ａの発熱態様について説
明する。
電気車の走行用直流電動機１のサイリスタチョツパにお
いては、負荷が誘導性であることから、主サイリスタ６
とフライホイールダイオード７に流れる電流は夫々第８
図ｂおよび第８図ｃのようになる。
いては、負荷が誘導性であることから、主サイリスタ６
とフライホイールダイオード７に流れる電流は夫々第８
図ｂおよび第８図ｃのようになる。
この場合の負荷電流、すなわち第１図の電機子１を流れ
る電流■は第８図ａの如く変化している。
る電流■は第８図ａの如く変化している。
そして、主サイリスタ６とフライホイールダイオード７
に流れる電流による発熱の経時的変化は略その素子６，
７に流れる電流の経時的変化に等しい。
に流れる電流による発熱の経時的変化は略その素子６，
７に流れる電流の経時的変化に等しい。
よって主サイリスタ６とフライホイールダイオード７と
が発生する熱の経時的変化は第８図ｂと第８図ｃと実質
的に同一である。
が発生する熱の経時的変化は第８図ｂと第８図ｃと実質
的に同一である。
そして負荷電流■の変化は車両の重量、路面の状態（下
り坂等）や運転車のアクセル操作等によってひんぱんに
変化する。
り坂等）や運転車のアクセル操作等によってひんぱんに
変化する。
第９図ａ、ｂ、ｃは前述とは異なる経時的変化を示す負
荷電流■が直流電動機１に流れた場合を示すものであり
、この時の主サイリスタ６の発熱パターンは第９図ｂの
ようになり、フライホイールダイオードの発熱パターン
は第９図ｃのようになる。
荷電流■が直流電動機１に流れた場合を示すものであり
、この時の主サイリスタ６の発熱パターンは第９図ｂの
ようになり、フライホイールダイオードの発熱パターン
は第９図ｃのようになる。
これらのことから、負荷電流■がどのように変化しても
、主サイリスタ６の発熱量が多い時（第９図ｂの時）に
はフライホイールダイオード７の発熱量が小であり、逆
に、フライホイールダイオード７の発熱量が大の時（第
８図ｃ）は主サイリスタ６の発熱量が小となり、両者の
発熱は相補的関係にある。
、主サイリスタ６の発熱量が多い時（第９図ｂの時）に
はフライホイールダイオード７の発熱量が小であり、逆
に、フライホイールダイオード７の発熱量が大の時（第
８図ｃ）は主サイリスタ６の発熱量が小となり、両者の
発熱は相補的関係にある。
次に、上記実施例においては主サイリスタ６とフライホ
イールダイオード７とがペレット６ａ，７ａの状態でヒ
ートシンク９上に載置されており、従来のようにケース
やスタツドボルトを介してペレツト６ａ、７ａがヒート
シンク９上に載置されていないため、主サイリスタ６の
ペレット６ａからヒートシンク９に至る熱伝導経路のサ
ーマルインピーダンスとフライホイールダイオード７の
ペレット７ａから前記ヒートシンク９に至る熱伝導経路
のサーマルインピーダンスとは略等しくなる。
イールダイオード７とがペレット６ａ，７ａの状態でヒ
ートシンク９上に載置されており、従来のようにケース
やスタツドボルトを介してペレツト６ａ、７ａがヒート
シンク９上に載置されていないため、主サイリスタ６の
ペレット６ａからヒートシンク９に至る熱伝導経路のサ
ーマルインピーダンスとフライホイールダイオード７の
ペレット７ａから前記ヒートシンク９に至る熱伝導経路
のサーマルインピーダンスとは略等しくなる。
又、ペレット６ａ，７ａとヒートシンク９の間には前述
のケースやスタツドボルト等の余分な介在物が存在しな
いため前記サーマルインピーダンスは双方ともきわめて
小さい。
のケースやスタツドボルト等の余分な介在物が存在しな
いため前記サーマルインピーダンスは双方ともきわめて
小さい。
よって、各ペレット５ａ，７ａ内で相補的関係で発生し
た熱は、す早くヒートシンク９に流れて合流し、しかも
、双方のサーマルインピーダンスが略等しいため、ヒー
トシンク９に導入される熱量およびヒートシンク９を介
して放熱される熱量は共に相補的関係となり、例えば主
サイリスタ６よりの熱を多量にヒートシンク９が蓄積し
放熱しているような直流電動機１の運転状態にあっては
フライホイールダイオード７よりの熱は少量である。
た熱は、す早くヒートシンク９に流れて合流し、しかも
、双方のサーマルインピーダンスが略等しいため、ヒー
トシンク９に導入される熱量およびヒートシンク９を介
して放熱される熱量は共に相補的関係となり、例えば主
サイリスタ６よりの熱を多量にヒートシンク９が蓄積し
放熱しているような直流電動機１の運転状態にあっては
フライホイールダイオード７よりの熱は少量である。
従って、小さい体積のヒートシンク９でも主サイリスタ
６とフライホイールダイオード７との各ペレツト６ａ、
７ａを比較的低い温度に保つことが可能となる。
６とフライホイールダイオード７との各ペレツト６ａ、
７ａを比較的低い温度に保つことが可能となる。
仮に、従来一般的にこの種チョツパに使用されていたよ
うなスタツドボルト付の主サイリスタやフライホイール
ダイオードを共通のヒートシンクにねじ込んだ場合には
、主サイリスタとフライホイールダイオードの定格電流
の違いから、これらのスタツドボルトの大きさの相異、
および、スタッドボルト上にあってベレットを収納する
ケースの寸法等の相異によって、前述のサーマルインピ
ーダンスは双方共同じ値にはならず、かなりアンバラン
スなものとなる。
うなスタツドボルト付の主サイリスタやフライホイール
ダイオードを共通のヒートシンクにねじ込んだ場合には
、主サイリスタとフライホイールダイオードの定格電流
の違いから、これらのスタツドボルトの大きさの相異、
および、スタッドボルト上にあってベレットを収納する
ケースの寸法等の相異によって、前述のサーマルインピ
ーダンスは双方共同じ値にはならず、かなりアンバラン
スなものとなる。
かつ、このサーマルインピーダンスは比較的大きなもの
になってしまう。
になってしまう。
従って、せっかく主サイリスタとフライホイールダイオ
ードでの発熱が相補的関係にあっても、共通のシートシ
ンクに流れ込む熱量および放熱量は理想的な相補的関係
にはなり得ず、かつ、主サイリスタやフライホイールダ
イオードのケース等に局部的に蓄熱し、これによってペ
レットのピーク温度が比較的高くなってしまう。
ードでの発熱が相補的関係にあっても、共通のシートシ
ンクに流れ込む熱量および放熱量は理想的な相補的関係
にはなり得ず、かつ、主サイリスタやフライホイールダ
イオードのケース等に局部的に蓄熱し、これによってペ
レットのピーク温度が比較的高くなってしまう。
このことからも、ヒートシンク９上にフライホイールダ
イオード７と主サイリスタ６とをペレツト６ａ，７ａの
みの状態で、つまり、スタツドボルトや各々単独のコー
スを取り去った裸の状態で実装することおよび第１図図
示回路を採用することが、ヒートシンク９の体積を小さ
くしたり、ペレット６ａ，７ａのピーク温度を低くする
ことに寄与することが明白である。
イオード７と主サイリスタ６とをペレツト６ａ，７ａの
みの状態で、つまり、スタツドボルトや各々単独のコー
スを取り去った裸の状態で実装することおよび第１図図
示回路を採用することが、ヒートシンク９の体積を小さ
くしたり、ペレット６ａ，７ａのピーク温度を低くする
ことに寄与することが明白である。
次に、第２実施例について説明する。
第６図および第７図において、１３は押圧板となる特に
鉄板であり、該押圧板１３とヒートシンク９の間に大容
量半導体素子６．７．８がベレットの状態でスプリング
部材と共に挾持されている。
鉄板であり、該押圧板１３とヒートシンク９の間に大容
量半導体素子６．７．８がベレットの状態でスプリング
部材と共に挾持されている。
押圧板１３とヒートシンク９との間にねじ３５が複数個
設けられており、このねじ３５を締めつけることにより
押圧板１３がヒートシンク９方向に移動し大容量半導体
素子６，７．８を圧接するようになっている。
設けられており、このねじ３５を締めつけることにより
押圧板１３がヒートシンク９方向に移動し大容量半導体
素子６，７．８を圧接するようになっている。
３６はサージ吸収回路で特に抵抗器とコンデンサで構成
されており、前記押圧板１３とヒートシンク９間に配設
されている。
されており、前記押圧板１３とヒートシンク９間に配設
されている。
上記構成になる第２実施例においては、ヒートシンク９
上において大容量半導体素子６，７．８相互間にサージ
吸収回路３６を設けたためサージ吸収回路３６と半導体
素子６，７，８，１７，１８との間の配線が短かくな９
配線中のインダクタンスが減少するためサージ吸収作用
を良好にすることができる。
上において大容量半導体素子６，７．８相互間にサージ
吸収回路３６を設けたためサージ吸収回路３６と半導体
素子６，７，８，１７，１８との間の配線が短かくな９
配線中のインダクタンスが減少するためサージ吸収作用
を良好にすることができる。
なお、該第２実施例においては補助電気部品がサージ吸
収回路３ｂの場合を説明したが、この他に補助電気部品
として過熱保護用温度検出素子を設けても良く、この場
合は正確に半導体素子６，７．８周辺の温度を検出する
ことができる。
収回路３ｂの場合を説明したが、この他に補助電気部品
として過熱保護用温度検出素子を設けても良く、この場
合は正確に半導体素子６，７．８周辺の温度を検出する
ことができる。
又、サージ吸収同路３６の代わりにサイリスタのゲート
とカソード間に接続される雑音防止回路を設けても同様
にインダクタンスによる障害を除去することかできる。
とカソード間に接続される雑音防止回路を設けても同様
にインダクタンスによる障害を除去することかできる。
更に、ホール素子磁気抵抗素子等の感磁性素子を使用し
た電流検出回路を補助電気部品としても良い。
た電流検出回路を補助電気部品としても良い。
なお、上記第１，第２実施例において大容量半導体素子
６，７．８の中にプラツギングダイオード８を設けたが
、電気車によってはこのプラツギングダイオード８のな
いものもあり、この場合は残りの例えば大容量半導体素
子６，７で本案の装置を完成できるものである。
６，７．８の中にプラツギングダイオード８を設けたが
、電気車によってはこのプラツギングダイオード８のな
いものもあり、この場合は残りの例えば大容量半導体素
子６，７で本案の装置を完成できるものである。
又、第１、第２実施例共に、カバ一手段又は押圧板１３
は金属性のものとしたが合成樹脂でも良い。
は金属性のものとしたが合成樹脂でも良い。
又、該合成樹脂により大容量半導体素子６，７．８を構
成するペレット６ａ，７ａ，８ａと接続ターミナル１０
，１１、１２の一部をモールド（埋込む）しても良く、
この場合はモールド部材となる合成樹脂がカバ一手段を
兼ねる。
成するペレット６ａ，７ａ，８ａと接続ターミナル１０
，１１、１２の一部をモールド（埋込む）しても良く、
この場合はモールド部材となる合成樹脂がカバ一手段を
兼ねる。
又、接続ターミナル１０，１１．１２としては銅のブス
バーを使用したが、電線や、可とう性のある網目導線あ
るいは薄い銅板を多数積層したものを使用し、熱変形に
よりペレツト６ａ，７ａ、８ａに有害な応力が作用しな
いようにしても良い。
バーを使用したが、電線や、可とう性のある網目導線あ
るいは薄い銅板を多数積層したものを使用し、熱変形に
よりペレツト６ａ，７ａ、８ａに有害な応力が作用しな
いようにしても良い。
又、カバ一手段１３を大きくして小容量半導体素子１７
．１８をも覆っても良いことは勿論である。
．１８をも覆っても良いことは勿論である。
又、補助電気装置のうち反転用変流器３０、転流用リア
クトル２８は電気車の種類によってはなくても良いもの
である。
クトル２８は電気車の種類によってはなくても良いもの
である。
又、上記第１、第２実施例において小容量半導体素子１
７，１８はケース１９およびスタツドボルト２０を備え
た市販されている形態のものを使用し、ペレットを主体
として組付ける大容量半導体素子６，７．８とは組付け
構造を異ならせたが、こうすることにより、小容量半導
体素子１７，１８の定格容量を変更するような回路変更
が製品相互間にあっても、単に脱着の容易なスタツドボ
ルト付き小容量半導体素子を差し替えるのみで対応する
ことができ、多種類のチョツパ装置を製造する場合に都
合が良い。
７，１８はケース１９およびスタツドボルト２０を備え
た市販されている形態のものを使用し、ペレットを主体
として組付ける大容量半導体素子６，７．８とは組付け
構造を異ならせたが、こうすることにより、小容量半導
体素子１７，１８の定格容量を変更するような回路変更
が製品相互間にあっても、単に脱着の容易なスタツドボ
ルト付き小容量半導体素子を差し替えるのみで対応する
ことができ、多種類のチョツパ装置を製造する場合に都
合が良い。
なお、本案におけるペレットとはシリコン等の半導体ウ
エハー（ペレット本体）そのもののみでなく熱応力から
半導体ウエハーを保護するだめのモリブデンやタングス
テン等の付属板をも含むものである。
エハー（ペレット本体）そのもののみでなく熱応力から
半導体ウエハーを保護するだめのモリブデンやタングス
テン等の付属板をも含むものである。
又、主半導体素子としてサイリスタ以外にもトランジス
タやゲートターンオフサイリスタを使用することができ
、この場合には小容量半導体素子および転流用リアクト
ル、転流用コンデンサ、反転用変流器はかならずしも必
安ではなく、代りに主半導体素子制御装置（ベースある
いはゲートへの信号供給用）が補助電気装置と１７で必
要である。
タやゲートターンオフサイリスタを使用することができ
、この場合には小容量半導体素子および転流用リアクト
ル、転流用コンデンサ、反転用変流器はかならずしも必
安ではなく、代りに主半導体素子制御装置（ベースある
いはゲートへの信号供給用）が補助電気装置と１７で必
要である。
また、半導体素子のケースとは市販のスタツド型サイリ
スタ等における銅ベースおよび該銅べース上のペレット
を囲んで気密封じを行なうセラミック絶縁物等よりなる
容器と同一もしくは均等物をいう。
スタ等における銅ベースおよび該銅べース上のペレット
を囲んで気密封じを行なうセラミック絶縁物等よりなる
容器と同一もしくは均等物をいう。
以上述べたように本発明の第１番目の発明においでは、
ヒートシンクを絶縁性薄板を介してべース部材上に載置
することにより、ヒートシンクの熱をベース部材に吸収
させるとともにヒートシンクをベース部材とは絶縁され
た電極として利用することができ、この電極としてのヒ
ートシンク上に圧接又は導電性接着手段により実質的に
裸の少なくとも２個のペレットを設けたから、ベレツト
から発生する熱はすみやかにヒートシンクに吸収ちれ、
該ヒートシンクから大気中又はベース部材に放熱される
。
ヒートシンクを絶縁性薄板を介してべース部材上に載置
することにより、ヒートシンクの熱をベース部材に吸収
させるとともにヒートシンクをベース部材とは絶縁され
た電極として利用することができ、この電極としてのヒ
ートシンク上に圧接又は導電性接着手段により実質的に
裸の少なくとも２個のペレットを設けたから、ベレツト
から発生する熱はすみやかにヒートシンクに吸収ちれ、
該ヒートシンクから大気中又はベース部材に放熱される
。
又、チョツパとなる主半導体素子とフライホイールダイ
オードとは熱の発生が一方が大の時他方は小の如く相補
的であるから、これを１つのヒートシンクに実装し、し
かも実質的に裸として実装し、すみやかにペレットの熱
がヒートシンク中で合流し得るようにすることにより、
ペレットのピーク温度を低減することができ、ペレット
に比較的大きな電流を流しても、高温度による故障を防
止することができ，比較的大容量の電動機をチョツピン
グ制御することができるわりには小型の電気車制御装置
を提供することができるという優れた効果がある。
オードとは熱の発生が一方が大の時他方は小の如く相補
的であるから、これを１つのヒートシンクに実装し、し
かも実質的に裸として実装し、すみやかにペレットの熱
がヒートシンク中で合流し得るようにすることにより、
ペレットのピーク温度を低減することができ、ペレット
に比較的大きな電流を流しても、高温度による故障を防
止することができ，比較的大容量の電動機をチョツピン
グ制御することができるわりには小型の電気車制御装置
を提供することができるという優れた効果がある。
又、ペレットは実質的に裸であり、軽量化と小型化がこ
れによって達成でき、又省資源にもなり安価になるとい
う効果もある。
れによって達成でき、又省資源にもなり安価になるとい
う効果もある。
次に、第２番目の発明においでは、第１番目の発明の効
果に加え、次のような効果がある。
果に加え、次のような効果がある。
従来チョツピング用のサイリスタとフライホイールダイ
オードのヒートシンクは各々別個に製作されていたが、
これに対し、第２番目の発明においては、出願人が先に
提案した公知となっている一種類のチョツパ制御技術を
採用し、同一ヒートシンク上に互いに熱的に相補関係に
あるサイリスタとフライホイールダイオードを裸のペレ
ット状態で実装したから、過電流に強く、又、耐熱性に
優れたサイリスタの特性を最大限に発揮し、極めて小型
のサイリスタチョツパを有する電気車制御装置を提供で
きるという効果が大である。
オードのヒートシンクは各々別個に製作されていたが、
これに対し、第２番目の発明においては、出願人が先に
提案した公知となっている一種類のチョツパ制御技術を
採用し、同一ヒートシンク上に互いに熱的に相補関係に
あるサイリスタとフライホイールダイオードを裸のペレ
ット状態で実装したから、過電流に強く、又、耐熱性に
優れたサイリスタの特性を最大限に発揮し、極めて小型
のサイリスタチョツパを有する電気車制御装置を提供で
きるという効果が大である。
次に第３番目の発明においては、上述の効果に加え、押
圧板により２つのペレットをヒートシンクに押圧して固
定しているから、安価に製造することができ、又、ペレ
ットからの発熱が効率良く大気中にも放散されるという
効果がある。
圧板により２つのペレットをヒートシンクに押圧して固
定しているから、安価に製造することができ、又、ペレ
ットからの発熱が効率良く大気中にも放散されるという
効果がある。
３次に第４番目の発明においては、上述の効果に加え、
略正方形のヒートシンク上に主半導体素子とフライホイ
ールダイオードとプラツギングダイオードとの３つの大
型ペレットを角部に寄せて取付け、ヒートシンク上で互
いに極力離れて位置させているから、ヒートシンクの最
大温度が低減でき、又、残る１つの角部に小容量の半導
体素子を実装できるという優れた効果があり、１つのヒ
ートシンク上に極めて小型のパワーモジュールを構成で
きるという効果が大である。
略正方形のヒートシンク上に主半導体素子とフライホイ
ールダイオードとプラツギングダイオードとの３つの大
型ペレットを角部に寄せて取付け、ヒートシンク上で互
いに極力離れて位置させているから、ヒートシンクの最
大温度が低減でき、又、残る１つの角部に小容量の半導
体素子を実装できるという優れた効果があり、１つのヒ
ートシンク上に極めて小型のパワーモジュールを構成で
きるという効果が大である。
次に第５番目の発明においては、上記効果に加え、モー
ルド部材又は押圧板上を平和にして、この上に、すなわ
ち従来に比べ背の低くなったパワーモジュール上に補助
電気装置を搭載した２段積み構造としたから、ベース部
材を小さくでき据付けスペースを取らない電気車制御装
置を提供できるという効果が大である。
ルド部材又は押圧板上を平和にして、この上に、すなわ
ち従来に比べ背の低くなったパワーモジュール上に補助
電気装置を搭載した２段積み構造としたから、ベース部
材を小さくでき据付けスペースを取らない電気車制御装
置を提供できるという効果が大である。
第１図は本発明装置の電気回路の一実施例を示す電気回
路図、第２図および第３図は本発明装置の第１実施例に
使用する半導体素子の集合体の平面図および立面図、第
４図および第５図は本発明装置の第１実施例を示す立面
図および平面図、第６図および第７図は本発明装置の第
２実施例に使用する半導体素子の集合体の平面図および
立面図、第８図ａ、ｂ、ｃおよび第９図ａ、ｂ、ｃは第
１図図示回路における各部の電流波形図である。 １，２・・・直流電動機、６・・・主半導体素子、７・
・・フライホイールダイオード、２６・・・ペース部材
、２７・・・絶縁性薄板、９・・・ヒートシンク、６ａ
，７ａ，８ａ・・・ペレット、１０，１１，１２・・・
接続ターミナル、２８，２９．３０・・・補助電気装置
、６・・・サイリスタ、１４・・・モールド部材、１３
・・・押圧板ともなるカバ一手段、８・・・プラツギン
グダイオード、２９・・・転流用コンデンサ。
路図、第２図および第３図は本発明装置の第１実施例に
使用する半導体素子の集合体の平面図および立面図、第
４図および第５図は本発明装置の第１実施例を示す立面
図および平面図、第６図および第７図は本発明装置の第
２実施例に使用する半導体素子の集合体の平面図および
立面図、第８図ａ、ｂ、ｃおよび第９図ａ、ｂ、ｃは第
１図図示回路における各部の電流波形図である。 １，２・・・直流電動機、６・・・主半導体素子、７・
・・フライホイールダイオード、２６・・・ペース部材
、２７・・・絶縁性薄板、９・・・ヒートシンク、６ａ
，７ａ，８ａ・・・ペレット、１０，１１，１２・・・
接続ターミナル、２８，２９．３０・・・補助電気装置
、６・・・サイリスタ、１４・・・モールド部材、１３
・・・押圧板ともなるカバ一手段、８・・・プラツギン
グダイオード、２９・・・転流用コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気車駆動用の直流電動機に流れる電流をチョツピ
ングする主半導体素子と前記直流電動機に対して並列に
接続され前記主半導体素子がオフの時にフライホイール
電流が流れる経路を形成するフライホイールダイオード
とを少なくとも有し、車体上に固設される電気車制御装
置であって以下のものより成る。 前記車体上に固定された該電気車制御装置のベース部材
、 該ベース部材の一部に絶縁性薄板を介して固設され金属
板よりなるヒートシンク、 該シートシンク上に圧接又は導電性接着手段によって直
接的に取付けられ前記主半導体素子とフライホイールダ
イオードとを構成する少なくとも２個の実質的に裸のべ
レツト、 前記各ベレットの上方に夫々設けられた接続ターミナル
、および 前記ベース部材上に固定された補助電気装置。 ２ 電気車駆動用の直流電動機に流れる電流をチョツビ
ングするサイリスタと前記直流電動機に対して並列に接
続され前記サイリスタがオフの時にフライホイール電流
が流れる経路を形成するフライホイールダイオードとを
少なくとも有し、車体上に固設される電気車制御装置で
あって以下のものより成る。 前記車体上に固定された該電気車制御装置のベース部材
、 該ベース部材の一部に絶縁性薄板を介して固設され金属
板よりなるヒートミンク、 該ヒートミンク上に圧接又は導電性接着手段によって直
接的に取付けられ前記サイリスタとフライホイールダイ
オードを構成する少なくとも２個の実質的に裸のベレッ
ト、 前記各ベレットの上方に夫々設けられた接続ターミナル
、 前記シートシンク上に設けられ前記ベレットと前記接続
ターミナルの一部とをモールドする合成樹脂材料よりな
るモールド部材、および 前記ベース部材上に固定された補助電気装置。 ３ 前記接続ターミナルは略Ｌ字形状の金属帯材よりな
り前記モールド部材の側面から突出し一部が前記モール
ド部材の外部に露出していることを特徴とする特許請求
の範囲第２項に記載の電気車制御装置。 ４ 電気車駆動用の直流電動機に流れる電流をチョツピ
ングするサイリスタと前記直流電動機に対して並列に接
続逼れ前記サイリスタがオフの時にフライホイール電流
が流れる経路を形成するフライホイールダイオードとを
少なくとも有し、車体上に固設される電気車制御装置で
あって以下のものより成る。 前記車体上に固定された該電気屯制御装置のベース部材
、 該ベース部材の一部に絶縁性薄板を介して固設され金属
板よりなるヒートシンク、 該ヒートシンク上に直接的に取付けられ前記サイリスタ
とフライホイールダイオードを構成する少なくとも２個
の実質的に裸のベレツト、前記各ベレットの上方に夫々
設けられた接続ターミナル、 前記ベレットと前記接続ターミナルの一部との上方に配
置沁れ前記ベレットを前記ヒートシンクに対して押圧し
て挾持する押圧板、および前記ベース部材上に固定逼れ
た補助電気装置。 ５ 前記接続ターミナルは略Ｌ字形状の金属帯材よりな
り前記押圧板の下から側方に突出し先端部が前記押圧板
より高く突出していることを特徴とする特許請求の範囲
第４項に記載の電気車制御装置。 ６ 電気車駆動用の直流電動機に流れる電流をチョツピ
ングする主半導体素子と前記直流電動機に対して並列に
接続され前記主半導体素子がオフの時にフライホイール
電流が流れる経路を形成するフライホイールダイオード
と、前記直流電動機の電機子に対して並列に接続されプ
ランキング電流を流すプランキングダイオードとを少な
くとも有し、車体上に固設される電気車制御装置であっ
て以下のものより成る。 前記車体上に固定された該電気車制御装置のベース部材
、 該ベース部材の一部に絶縁性薄板を介して固設され略正
方形の金属板よりなるヒートシンク、該ヒートシンク上
に圧接又は導電性接着手段によって直接的に取付けられ
前記主半導体素子とフライホイールダイオードとプラン
キングダイオードとを構成し、前記ヒートシンクの４つ
の角部のうち３つの角部に近接して設けられている３つ
の実質的に裸のべレツト、 前記ヒートシンクの角部のうち前記ベレットが設けられ
ていない残りの角部に近接して設けられた小容量の半導
体素子、 前記３つのベレットの上方に夫々設けられた接続ターミ
ナル、および 前記ベース部材上に固定された補助電気装置。 ７ 電気車駆動用の直流電動機に流れる電流をチョツピ
ングする主半導体素子と前記直流電動機に対して並列に
接続され前記主半導体素子がオフの時にフライホイール
電流が流れる経路を形成するフライホイールダイオード
とを少なくとも有し、車体上に固設される電気車制御装
置であって以下のものより成る。 前記車体上に固定された該電気車制御装置のべース部材
、 該ベース部材の一部に絶縁性薄板を介して固設烙れ金属
板よりなるヒートシンク、 該ヒートシンク上に圧接又は導電性接着手段によって直
接的に取付けられ前記主半導体素子とフライホイールダ
イオードを構成する少なくとも２個の実質的に裸のベレ
ット、 前記各ベレットの上方に夫々設けられた接続ターミナル
、 前記ヒートシンク上に設けられ前記ベレットと前記接続
ターミナルの一部とを覆い自身の上部が略平担に形成さ
れたモールド部材又は押圧板、および前記ベース部材上
および前記モールド部材又は押圧板上に固定された補助
電気装置。 ８ 前記主半導体素子はサイリスタよりなり、前記モー
ルド部材上に設けられた補助電気装置は転流用コンデン
サよりなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記
載の電気車制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53038686A JPS582522B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 電気車制御装置 |
| US06/024,367 US4288728A (en) | 1978-03-31 | 1979-03-27 | Electric vehicle control apparatus |
| GB7910832A GB2018058B (en) | 1978-03-31 | 1979-03-28 | Electric vehicle control apparatus |
| DE2912863A DE2912863C2 (de) | 1978-03-31 | 1979-03-30 | Steuereinrichtung für ein Elektrofahrzeug |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53038686A JPS582522B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 電気車制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54131207A JPS54131207A (en) | 1979-10-12 |
| JPS582522B2 true JPS582522B2 (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=12532167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53038686A Expired JPS582522B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 電気車制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4288728A (ja) |
| JP (1) | JPS582522B2 (ja) |
| DE (1) | DE2912863C2 (ja) |
| GB (1) | GB2018058B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3048999A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-07-15 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltungsanordnung zur energierueckgewinnung bei choppergesteuerten reihenschlussmaschinen |
| DE3205650C2 (de) * | 1982-02-17 | 1986-04-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungsgleichrichteranordnung |
| EP0197436B1 (de) * | 1985-04-01 | 1992-07-29 | BSG-Schalttechnik GmbH & Co. KG | Schalteranordnung |
| US5204804A (en) * | 1992-01-15 | 1993-04-20 | General Electric Company | GTO module with piggyback bypass diode |
| US5563479A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-08 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Power supply apparatus for electric vehicle |
| US20030218057A1 (en) * | 2000-11-07 | 2003-11-27 | Craig Joseph | Electrical bus with associated porous metal heat sink and method of manufacturing same |
| JP3784011B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2006-06-07 | 本田技研工業株式会社 | 電気車両用パワーコントロールユニット |
| CN113589016B (zh) * | 2021-06-10 | 2024-09-20 | 中检质检检验检测科学研究院有限公司 | 一种剩余电流检测用的检测设备及其使用方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1088375A (en) * | 1964-02-21 | 1967-10-25 | Lucas Industries Ltd | Alternators |
| DE1539671A1 (de) * | 1965-12-30 | 1969-12-18 | Asea Ab | Thyristorventil |
| US3428871A (en) * | 1966-04-14 | 1969-02-18 | Int Rectifier Corp | Semiconductor housing structure having flat strap with re-entrant bends for one terminal |
| CH480206A (de) * | 1967-10-04 | 1969-10-31 | Sig Schweiz Industrieges | Anordnung von Schaltungselementen an einem Elektrofahrzeug |
| US3476981A (en) * | 1967-10-10 | 1969-11-04 | Gen Motors Corp | Miniature power circuit assembly |
| US3538362A (en) * | 1968-12-13 | 1970-11-03 | Gen Motors Corp | Diode-rectified alternating current generator having a built-in transistor voltage regulator |
| JPS5222942Y2 (ja) * | 1971-07-30 | 1977-05-25 | ||
| DE2139607A1 (de) * | 1971-08-06 | 1973-02-15 | Siemens Ag | Gleichrichterbruecke |
| US3729664A (en) * | 1971-10-06 | 1973-04-24 | Square D Co | Heat sink mounting for the power semiconductor in a solid state d.c. motor control circuit |
| US3778650A (en) * | 1972-10-10 | 1973-12-11 | Briggs & Stratton Corp | Battery charging regulator-rectifier module |
| DE2448186A1 (de) * | 1973-10-10 | 1975-04-17 | Siemens Ag | Kuehleranordnung fuer zwei oder mehrere halbleiterventile |
| DE2624226A1 (de) * | 1976-05-29 | 1977-12-15 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleitergleichrichteranordnung |
| DE2641032C2 (de) * | 1976-09-11 | 1982-09-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Stromrichtermodul |
| US4161016A (en) * | 1977-12-12 | 1979-07-10 | General Electric Company | Semiconductor and heat sink assembly |
-
1978
- 1978-03-31 JP JP53038686A patent/JPS582522B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-03-27 US US06/024,367 patent/US4288728A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-28 GB GB7910832A patent/GB2018058B/en not_active Expired
- 1979-03-30 DE DE2912863A patent/DE2912863C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2912863A1 (de) | 1979-10-04 |
| GB2018058A (en) | 1979-10-10 |
| GB2018058B (en) | 1982-06-23 |
| US4288728A (en) | 1981-09-08 |
| JPS54131207A (en) | 1979-10-12 |
| DE2912863C2 (de) | 1986-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8519561B2 (en) | Power module and vehicle-mounted inverter using the same | |
| KR101522089B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| CN101960706B (zh) | 半导体装置及使用半导体装置的电力变换装置 | |
| JP6870531B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
| CN102867794B (zh) | 半导体模块 | |
| JP4038899B2 (ja) | 電源平滑用コンデンサ搭載型インバータ装置 | |
| JP2002095268A (ja) | 電力変換装置 | |
| US20060273592A1 (en) | Power unit | |
| JP4538474B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JP3552549B2 (ja) | 半導体モジュールの電極端子接続構造 | |
| JPS582522B2 (ja) | 電気車制御装置 | |
| CN210016424U (zh) | 一种变频器的内部结构 | |
| JP4055643B2 (ja) | インバータ装置 | |
| CN212113470U (zh) | 一种采用外置母排的金属外壳薄膜电容器 | |
| JP2007037211A (ja) | 配電部品および電気装置 | |
| JP3263316B2 (ja) | 電気車用制御装置 | |
| JPH077924A (ja) | スナバユニット | |
| JP4120134B2 (ja) | 降圧型電力用ｄｃ−ｄｃコンバータ及び電子回路装置 | |
| US11784105B2 (en) | Semiconductor device and power converter | |
| JP3819838B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
| CN113826315A (zh) | 电力转换装置 | |
| US5204804A (en) | GTO module with piggyback bypass diode | |
| CN216700845U (zh) | 一种电机控制器散热结构 | |
| JP7224513B1 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPS5915255Y2 (ja) | 電力制御装置 |