JPS5823469A - 複合パワ−トランジスタ - Google Patents
複合パワ−トランジスタInfo
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- JPS5823469A JPS5823469A JP56122094A JP12209481A JPS5823469A JP S5823469 A JPS5823469 A JP S5823469A JP 56122094 A JP56122094 A JP 56122094A JP 12209481 A JP12209481 A JP 12209481A JP S5823469 A JPS5823469 A JP S5823469A
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- JP
- Japan
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- electrode
- transistor
- insulating substrate
- external
- substrate
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数個のトランジスタ素子を含む樹脂封止形の
複合パワートランジスタに関するものである。
複合パワートランジスタに関するものである。
近年、パワー素子を組合せて一つのパッケージ内に組み
込んだ半導体装置がさかんに開発されるようになってき
た。このような半導体装置では、ケース内で素子間の配
線を行なうため、ユーザー側では配線の手間が省けたり
、あるいはパッケージが単一であるために取り付けの簡
略化ができる等の利点がある。特にその最も大きな利点
は素子の集積化ができ、かつ外形寸法を小さくできるこ
とである。すなわち、電極、ケース、フィン取付はネジ
等を共用することができるため、従前の単一素子を組み
込んだ半導体装置を複数個使用する場合に比べてより小
さな寸法で構成することができ、さらには付属部品であ
る抵抗、コンデンサ等も半導体装置内に組み込めば、単
に一つの素子ではなく、一つの機能をもった半導体装置
を作ることが可能になる。
込んだ半導体装置がさかんに開発されるようになってき
た。このような半導体装置では、ケース内で素子間の配
線を行なうため、ユーザー側では配線の手間が省けたり
、あるいはパッケージが単一であるために取り付けの簡
略化ができる等の利点がある。特にその最も大きな利点
は素子の集積化ができ、かつ外形寸法を小さくできるこ
とである。すなわち、電極、ケース、フィン取付はネジ
等を共用することができるため、従前の単一素子を組み
込んだ半導体装置を複数個使用する場合に比べてより小
さな寸法で構成することができ、さらには付属部品であ
る抵抗、コンデンサ等も半導体装置内に組み込めば、単
に一つの素子ではなく、一つの機能をもった半導体装置
を作ることが可能になる。
第１図は従来の複合パワートランジスタの構造を示す平
面図であり、第２図に示すように、２個のトランジスタ
素子をダーリントン接続する場合について示している。
面図であり、第２図に示すように、２個のトランジスタ
素子をダーリントン接続する場合について示している。
この複合パワートランジスタは、第１図に示すように、
まず外部コレクタ電極（３）の上に前段、後段のトラン
ジスタ素子（４ｍ）。
まず外部コレクタ電極（３）の上に前段、後段のトラン
ジスタ素子（４ｍ）。
（４ｂ）を融着する。次にＣｕ板（厚さｔ：３ｍｍ）か
らなる共通基板（７）上にム１２０３などの絶縁基板（
８）を配置し、さらにその上に外部エミッタ電極（１）
。
らなる共通基板（７）上にム１２０３などの絶縁基板（
８）を配置し、さらにその上に外部エミッタ電極（１）
。
外部ペース電極ｅ）、中継電極（６）および前記コレク
タ電極（３）を互いに絶縁して配置し、これらを同時に
融着する。その後、トランジスタ素子（４ｍ）。
タ電極（３）を互いに絶縁して配置し、これらを同時に
融着する。その後、トランジスタ素子（４ｍ）。
（４ｂ）と前記各エミッタ電極（１）、ベース電極０）
および中継電極（６）の配線をリード（５）を用いて例
えばワイヤボンドで行なう方法がとられている。
および中継電極（６）の配線をリード（５）を用いて例
えばワイヤボンドで行なう方法がとられている。
しかし、このような従来の組立て方式では、共通基板（
７）上に絶縁基板（８）を介して各電極を取り付ける際
、その取り付は部品が多いうえに各エミッタ電極（１）
、ペース電極Ｃ２）、コレクタ電極（３）および中継電
極（６）を互に絶縁して配置する必要があるため、一定
のスペース（例えば２ｍｍ程度）をあけて位置決めを行
なわなければならず、その作業が非常に困難になってい
る。また、トランジスタ素子（４１）、（４ｂ）の面積
以外に各電極のスペースおよび互いの電極を絶縁するた
めの面積が必要となるため、外形寸法が大きくなって高
集積化が損なわれるという欠点があった 本発明は以上の点に鑑み、このような従来の欠点を除去
するためになされたもので、組立て工程を簡略化し、か
つコンパクトなパワーモジュール老化を可能にした複合
パワートランジスタを提供しようとするものである。
７）上に絶縁基板（８）を介して各電極を取り付ける際
、その取り付は部品が多いうえに各エミッタ電極（１）
、ペース電極Ｃ２）、コレクタ電極（３）および中継電
極（６）を互に絶縁して配置する必要があるため、一定
のスペース（例えば２ｍｍ程度）をあけて位置決めを行
なわなければならず、その作業が非常に困難になってい
る。また、トランジスタ素子（４１）、（４ｂ）の面積
以外に各電極のスペースおよび互いの電極を絶縁するた
めの面積が必要となるため、外形寸法が大きくなって高
集積化が損なわれるという欠点があった 本発明は以上の点に鑑み、このような従来の欠点を除去
するためになされたもので、組立て工程を簡略化し、か
つコンパクトなパワーモジュール老化を可能にした複合
パワートランジスタを提供しようとするものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図（、）および（ｂ）は本発明の一実施例を示す複
合パワートランジスタの側面図およびその平面図である
。図において第１図と同一符号のものは同一または相当
す・るものを示し、外部コレクタ電極（３）は図示する
ように両端が上方に折曲げられており、まずこのコレク
タ電極（３）上に２個のトランジスタ素子（４ｍ）、（
４ｂ）を融瑞する。次にプリント基板からなる絶縁基板
（９）上に前記各トランジスタ素子（４ｍ）、（４ｂ）
に対応する外部エミッタ電極（１）、外部ベース電極（
２）および中継電極（６）をそれぞれ融着する。しかる
彼、共通基板（７）上にＡｄ２ｅｓなどの絶縁基板（８
）を配置し、さらにその上に前記コレクタ電極（３）を
配置してこれらを同時に融着する。そして、前記コレク
タ電極Ｏ）の上方よりエミッタ電極（１）、ベース電極
（２）および中継電極（６）が取り付けられた絶縁基板
（９）を固定する。最後、前記各トランジスタ素子（４
ｍ）、（４ｂ）と、エミッタ電極（１）、ベース電極（
２）および中継電極（６）を相互に接続し、配線を完了
する。
合パワートランジスタの側面図およびその平面図である
。図において第１図と同一符号のものは同一または相当
す・るものを示し、外部コレクタ電極（３）は図示する
ように両端が上方に折曲げられており、まずこのコレク
タ電極（３）上に２個のトランジスタ素子（４ｍ）、（
４ｂ）を融瑞する。次にプリント基板からなる絶縁基板
（９）上に前記各トランジスタ素子（４ｍ）、（４ｂ）
に対応する外部エミッタ電極（１）、外部ベース電極（
２）および中継電極（６）をそれぞれ融着する。しかる
彼、共通基板（７）上にＡｄ２ｅｓなどの絶縁基板（８
）を配置し、さらにその上に前記コレクタ電極（３）を
配置してこれらを同時に融着する。そして、前記コレク
タ電極Ｏ）の上方よりエミッタ電極（１）、ベース電極
（２）および中継電極（６）が取り付けられた絶縁基板
（９）を固定する。最後、前記各トランジスタ素子（４
ｍ）、（４ｂ）と、エミッタ電極（１）、ベース電極（
２）および中継電極（６）を相互に接続し、配線を完了
する。
このような組立によると、絶縁基板（９）と各エミッタ
電極（１）、ペース電極（２）および中継電極（６）の
接続は、絶縁基板（８）、コレクタ電極（３）と共通基
板（ηの接続とは別に独立して行なえるので、比較的容
易に作業することができる。なお、絶縁基板（９）はコ
レクタ電極（３）の両端を第２図（、）に示すように、
上方に折曲げてその部分に支持させるか、あるいはケー
スにリプを設けて支持させるかすることにより、容易に
固定することができ、絶縁基板（９）上の各電極とトラ
ンジスタ素子（４ｍ）、（４ｂ）の接続も比較的簡単に
できる。さらに、各エミッタ電極（１）、ペース電極（
２）および中継電極（６）はトランジスタ素子（４ｍ）
、（４ｂ）の上方に設置するため、配線を立体的にする
ことができ°、外形寸法を小さくすることができる。す
なわち、従来のものでは、例えばトランジスタ素子（４
ｍ）、（４ｂ）が１５０／ｍｍであるとすると、これら
素子を２個使用すれば一素子面積は４５０ ｍｒｒＬ“
となる。一方、エミッタ、ペースおよび中継の各電極は
１個当り約２０ ｍｍ”となる。さらにこれらの電極を
互いに絶縁分離するのに約２ｍｍの間隔をとるとすれば
、１２０ｍｍの面積が必要となる。したがって、合計ｘ
２ｏ ｍｆＦＬ”＋ ２０ ｘ ３”ｒ＝＝１８０ ｍ
ｍ１の面積が必要と々る。よって、合計の面積は４５０
ｍビ＋１８０ｍｍ’＝６３０ｍ？ＦＬ’となり、素子面
積の１．４倍（６３０／４５０＝１．４）、つまり４０
％増の面積となる。
電極（１）、ペース電極（２）および中継電極（６）の
接続は、絶縁基板（８）、コレクタ電極（３）と共通基
板（ηの接続とは別に独立して行なえるので、比較的容
易に作業することができる。なお、絶縁基板（９）はコ
レクタ電極（３）の両端を第２図（、）に示すように、
上方に折曲げてその部分に支持させるか、あるいはケー
スにリプを設けて支持させるかすることにより、容易に
固定することができ、絶縁基板（９）上の各電極とトラ
ンジスタ素子（４ｍ）、（４ｂ）の接続も比較的簡単に
できる。さらに、各エミッタ電極（１）、ペース電極（
２）および中継電極（６）はトランジスタ素子（４ｍ）
、（４ｂ）の上方に設置するため、配線を立体的にする
ことができ°、外形寸法を小さくすることができる。す
なわち、従来のものでは、例えばトランジスタ素子（４
ｍ）、（４ｂ）が１５０／ｍｍであるとすると、これら
素子を２個使用すれば一素子面積は４５０ ｍｒｒＬ“
となる。一方、エミッタ、ペースおよび中継の各電極は
１個当り約２０ ｍｍ”となる。さらにこれらの電極を
互いに絶縁分離するのに約２ｍｍの間隔をとるとすれば
、１２０ｍｍの面積が必要となる。したがって、合計ｘ
２ｏ ｍｆＦＬ”＋ ２０ ｘ ３”ｒ＝＝１８０ ｍ
ｍ１の面積が必要と々る。よって、合計の面積は４５０
ｍビ＋１８０ｍｍ’＝６３０ｍ？ＦＬ’となり、素子面
積の１．４倍（６３０／４５０＝１．４）、つまり４０
％増の面積となる。
これに対し、本発明のものでは、エミッタ、ベースおよ
び中継の各電極は各トランジスタ素子の上方に取付けら
れそいるため、それら電極の占める面積は零と々す、半
導体装置としての外形寸法を小さくすることができる。
び中継の各電極は各トランジスタ素子の上方に取付けら
れそいるため、それら電極の占める面積は零と々す、半
導体装置としての外形寸法を小さくすることができる。
このことは寸法を小さくした分だけ共通基板、絶蒜基板
、ケースおよびモールド樹脂等のコスシを下げることが
可能と門る。さらに、品質面においては、絶縁基板の寸
法を小さくできるため、共通基板、絶縁基板間の半田面
積が小さくなるため、温度変化により生ずるこの部分の
歪も小さくなり、半田疲労を軽減できる。また、樹脂封
止を行なう際にその樹脂の収縮により生じる共通基板の
そりも小さく々る。
、ケースおよびモールド樹脂等のコスシを下げることが
可能と門る。さらに、品質面においては、絶縁基板の寸
法を小さくできるため、共通基板、絶縁基板間の半田面
積が小さくなるため、温度変化により生ずるこの部分の
歪も小さくなり、半田疲労を軽減できる。また、樹脂封
止を行なう際にその樹脂の収縮により生じる共通基板の
そりも小さく々る。
なお、上述の実施例では２個のトランジスタ素子をダー
リントン接続した場合について示したが、その他の接続
をもつ複数の素子からなる半導体装置にも同様に適用で
きることはいうまでもない以上説明したように本発明に
よれば、組立て工程が簡単になるとともに、外形寸法を
小さくできるため、従来のものに比べて、安価にかつ高
品質の半導体装置を実現することができる効果がある。
リントン接続した場合について示したが、その他の接続
をもつ複数の素子からなる半導体装置にも同様に適用で
きることはいうまでもない以上説明したように本発明に
よれば、組立て工程が簡単になるとともに、外形寸法を
小さくできるため、従来のものに比べて、安価にかつ高
品質の半導体装置を実現することができる効果がある。
第１図は従来の複合パワートランジスタの一例を示す平
面図、第２図はその等価回路図、ｔ／ｇ３図（、）およ
び（ｂ）は本発明の一実施例を示す複合パワートランジ
スタの側面図およびその平面図である（１）・・・・外
部エミッタ電極、（２）・・・・外部ベース電極、（３
）・・・・外部コレクタ電極、（４ａ）、（４ｂ）・−
・ｏトランジスタ素子、（５）・・・・リード、（６）
・・・・中継電極、（７）・・・・共通基板、（８）・
・・・絶縁基板、（９）・・・・絶縁基板１、
面図、第２図はその等価回路図、ｔ／ｇ３図（、）およ
び（ｂ）は本発明の一実施例を示す複合パワートランジ
スタの側面図およびその平面図である（１）・・・・外
部エミッタ電極、（２）・・・・外部ベース電極、（３
）・・・・外部コレクタ電極、（４ａ）、（４ｂ）・−
・ｏトランジスタ素子、（５）・・・・リード、（６）
・・・・中継電極、（７）・・・・共通基板、（８）・
・・・絶縁基板、（９）・・・・絶縁基板１、
Claims (1)
- 複数個のトランジスタ素子を含む樹脂封止形の複合パワ
ートランジスタにおいて、前記各トランジスタ素子が同
一平面上に配置された共通の外部コレクタ電極と、これ
ら各トランジスタ素子の上方に、該各トランジスタ素子
に対応する外部エミッタ電極、外部ペース電極および中
継電極が同一平面上に配置されて固定された絶縁基板と
を備え、前糾各トランジスタ素子と前記各エミッタ、ベ
ースおよび中継電極を接続してなる構造の複合パワート
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122094A JPS5823469A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 複合パワ−トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122094A JPS5823469A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 複合パワ−トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823469A true JPS5823469A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14827497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56122094A Pending JPS5823469A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 複合パワ−トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153155A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-08-12 | シーメンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 電力用半導体装置 |
| JPH02170984A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Nishiyama Stainless Chem Kk | チタンまたはチタン合金の表面処理方法及びチタン材またはチタン合金材 |
| US6800934B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332673A (en) * | 1976-09-04 | 1978-03-28 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor constituting units |
| JPS5610953A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Nec Corp | Composite semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP56122094A patent/JPS5823469A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332673A (en) * | 1976-09-04 | 1978-03-28 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor constituting units |
| JPS5610953A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Nec Corp | Composite semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153155A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-08-12 | シーメンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 電力用半導体装置 |
| JPH0345902B2 (ja) * | 1983-12-14 | 1991-07-12 | Siemens Ag | |
| JPH02170984A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Nishiyama Stainless Chem Kk | チタンまたはチタン合金の表面処理方法及びチタン材またはチタン合金材 |
| JPH052740B2 (ja) * | 1988-12-22 | 1993-01-13 | Nishama Stainless Chem Kk | |
| US6800934B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power module |
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