JPS60193366A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60193366A JPS60193366A JP4981584A JP4981584A JPS60193366A JP S60193366 A JPS60193366 A JP S60193366A JP 4981584 A JP4981584 A JP 4981584A JP 4981584 A JP4981584 A JP 4981584A JP S60193366 A JPS60193366 A JP S60193366A
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- JP
- Japan
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- parts
- pellet
- lead
- lead frame
- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ・産業上の利用分野
本発明は、外部接続が極めて容易な７アスト／熾子を外
部端子として用いた半導体装置に関する０口、従来技術 ファストン端子絶縁型半導体装置の１例として、第１図
のような本のがあり、ダイオード、トランジスタサイリ
スタ等の半導体ペレットが外装体内部に収容されている
。このようなファストン端子型の外部接続方法は、第１
図において、外部ソケット２１をファストン端子１１．
１２に差し込み、電気的接続が取られ、外部接続が非常
に容易である。また、この端子は、半田付けを行うこと
も可能であり、端子接続の自由度が大きい。また、この
ファストン端子絶縁型半導体装置は、電極端子と外装パ
ッケージおよび金属ペースは電気的に絶縁されており、
プリント回路基板などへの実装本容易でるる。第１図の
１４は、金ｍあるいは樹脂にて形成された外装パッケー
ジのケースでるり、７は、ペレッ）、ｍ子、ボンディン
グワイヤを保護・保持し、端子間の電気的絶縁を保つた
めの樹脂でるる。８は、金属ペースでるり、実装装着用
あるいは放熱板として用いられる。
部端子として用いた半導体装置に関する０口、従来技術 ファストン端子絶縁型半導体装置の１例として、第１図
のような本のがあり、ダイオード、トランジスタサイリ
スタ等の半導体ペレットが外装体内部に収容されている
。このようなファストン端子型の外部接続方法は、第１
図において、外部ソケット２１をファストン端子１１．
１２に差し込み、電気的接続が取られ、外部接続が非常
に容易である。また、この端子は、半田付けを行うこと
も可能であり、端子接続の自由度が大きい。また、この
ファストン端子絶縁型半導体装置は、電極端子と外装パ
ッケージおよび金属ペースは電気的に絶縁されており、
プリント回路基板などへの実装本容易でるる。第１図の
１４は、金ｍあるいは樹脂にて形成された外装パッケー
ジのケースでるり、７は、ペレッ）、ｍ子、ボンディン
グワイヤを保護・保持し、端子間の電気的絶縁を保つた
めの樹脂でるる。８は、金属ペースでるり、実装装着用
あるいは放熱板として用いられる。
第２図は、第１図における外装パッケージを形成する前
の状態を示している。１３はセラミックあるいはポリイ
ミド等の絶縁部材であり、端子１１．１２およびベレッ
ト５と、金属ベース８が絶縁されている。１５は、ベレ
ットおよび７アストン端子が半田付は等で接続され、か
つ絶縁板１３上に固定された金属板である。１６は、金
属板１５と同様の金属板である。５はダイオード、トラ
ンジスタ、サイリスタ等の半導体ベレットである。
の状態を示している。１３はセラミックあるいはポリイ
ミド等の絶縁部材であり、端子１１．１２およびベレッ
ト５と、金属ベース８が絶縁されている。１５は、ベレ
ットおよび７アストン端子が半田付は等で接続され、か
つ絶縁板１３上に固定された金属板である。１６は、金
属板１５と同様の金属板である。５はダイオード、トラ
ンジスタ、サイリスタ等の半導体ベレットである。
６は電気的接続を取る金属線である。
このような従来のファストン端子絶縁型半導体装置を製
造するためには、上述のように部品点数が非常に多く、
このため、組立アセンブリ工程が複雑であり、歩留をあ
る一定レベル以上に上げることはむずかしく、また、原
価低減も容易ではないＯ ハ０発明の目的 本発明の目的は、部品点数が少なく、組立アセンブリが
容易であり、安定した高歩留が得られ、原価低減効果の
大きいファストン端子絶縁型半導体装置を提供すること
にある。
造するためには、上述のように部品点数が非常に多く、
このため、組立アセンブリ工程が複雑であり、歩留をあ
る一定レベル以上に上げることはむずかしく、また、原
価低減も容易ではないＯ ハ０発明の目的 本発明の目的は、部品点数が少なく、組立アセンブリが
容易であり、安定した高歩留が得られ、原価低減効果の
大きいファストン端子絶縁型半導体装置を提供すること
にある。
二０発明の構成
本発明によれば、金属板のリードフレームの半導体ベレ
ット搭載部に固着された半導体ペレットと、前記半導体
ペレット搭載部に直接取付けられた第１のファストン端
子と、前記半導体ペレットの電極と金属細線を介して電
気接続がされる前記リードフレームのリード部に取付け
られた少くとも１個の第２のファストン端子とを有し、
前記第１および第２のファストン端子の外部接続部を除
いた下端側および、前記リードフレームのペレット搭載
部とリード部および半導体ペレット、金属細線か共に外
装樹脂により包覆され、かつ、前記リードフレームの半
導体素子搭載部の下面側に前記外装樹脂を介して実装取
付面を形成している半導体装置が得られる。
ット搭載部に固着された半導体ペレットと、前記半導体
ペレット搭載部に直接取付けられた第１のファストン端
子と、前記半導体ペレットの電極と金属細線を介して電
気接続がされる前記リードフレームのリード部に取付け
られた少くとも１個の第２のファストン端子とを有し、
前記第１および第２のファストン端子の外部接続部を除
いた下端側および、前記リードフレームのペレット搭載
部とリード部および半導体ペレット、金属細線か共に外
装樹脂により包覆され、かつ、前記リードフレームの半
導体素子搭載部の下面側に前記外装樹脂を介して実装取
付面を形成している半導体装置が得られる。
ホ、実施例
つぎに本発明を実施例により説明する。
第３図は本発明の一実施例の牛ｑ）体装置の製造に用い
るリードフレームの平面図である。第１図において、半
導体ベレット搭載部の金属板１と、２個のリード部２．
２とを一組とし、このような組が、タイバー３と、外枠
４とにより連結されて多数組一体に形成されている。
るリードフレームの平面図である。第１図において、半
導体ベレット搭載部の金属板１と、２個のリード部２．
２とを一組とし、このような組が、タイバー３と、外枠
４とにより連結されて多数組一体に形成されている。
このようなリードフレームのペレット搭載部１゜リード
部２．２には、第４図のようにそれぞれ第１のファスト
ン端子１１．第２の７アストン端子１２が取付けられ、
かつ、ペレット搭載部１の上面に半導体ペレット５を搭
載し、ベレット５の電極とリード部２．２との間を金属
細線６で接続し、つぎに第５図の斜視図に示すように、
金属ベース８と組合せ、この金属ベース８とリードフレ
ームとの間は絶縁層として介在する外装樹脂７によって
、ファストン端子１１と１２の主唱の外部接続部を除い
た下端側およびリードフレームのペレット搭載部１．搭
載半導体ベレット５．リードフレームのリード部２．接
続金属細線とを共に包覆している。
部２．２には、第４図のようにそれぞれ第１のファスト
ン端子１１．第２の７アストン端子１２が取付けられ、
かつ、ペレット搭載部１の上面に半導体ペレット５を搭
載し、ベレット５の電極とリード部２．２との間を金属
細線６で接続し、つぎに第５図の斜視図に示すように、
金属ベース８と組合せ、この金属ベース８とリードフレ
ームとの間は絶縁層として介在する外装樹脂７によって
、ファストン端子１１と１２の主唱の外部接続部を除い
た下端側およびリードフレームのペレット搭載部１．搭
載半導体ベレット５．リードフレームのリード部２．接
続金属細線とを共に包覆している。
それから、第６図のように、ペレット搭載部ｌとリード
部２の支持条片ｌ′、２′を切り離し、本発明の半導体
装置が完成する。
部２の支持条片ｌ′、２′を切り離し、本発明の半導体
装置が完成する。
へ０発明の効果
上述のとおり、本発明による半導体装置では、第２図に
示した金属ベース８およびセラミック等の絶縁板１３．
第１図の外装パッケージケース１４、さらには、第２図
では蔭となるため示してはいないが、絶縁板１３と金属
ベース８を接続するための半田片および金属板が不要と
なる。このように、部品点数が少なくなることは、組立
アセンブリが容易となり、安定して高歩留の達成および
大きな原価低減の達成につながる。
示した金属ベース８およびセラミック等の絶縁板１３．
第１図の外装パッケージケース１４、さらには、第２図
では蔭となるため示してはいないが、絶縁板１３と金属
ベース８を接続するための半田片および金属板が不要と
なる。このように、部品点数が少なくなることは、組立
アセンブリが容易となり、安定して高歩留の達成および
大きな原価低減の達成につながる。
第７図は、第５図の状態の製品を外装パッケージ部のみ
トランスファモールド成形したものでるり、特に製品上
、放熱が必要な場合は、金属ペース８に、前記モールド
成形部を点線部に接着させることにより、従来品とはほ
ぼ同等の特性の製品を得ることも可能でめる。
トランスファモールド成形したものでるり、特に製品上
、放熱が必要な場合は、金属ペース８に、前記モールド
成形部を点線部に接着させることにより、従来品とはほ
ぼ同等の特性の製品を得ることも可能でめる。
第１図は従来の放熱板付きファストン端子絶縁型半導体
装置の斜視図、第２図は第１図装置の外装体を除いて示
した斜視図、第３図は本発明の一実施例に係るリードフ
レームの平面図、第４図は第３図のリードフレームに７
アストン端子を取付けた状態の斜視図、＠５図は第４図
の状態から金属ベースに組合せ、樹脂モールドした状態
の斜視図、第６図は完成品の斜視図、第７図は第６図の
装置の樹脂モールド部と金屑ベースとを別々にした状態
を示す斜視図である。 ｌ・・・・・・リードフレーム半導体素子搭載部、２・
・・・・・リードフレーム部、３・・・・・・タイバー
、４・・・・・・外枠、５・・・・・・半導体ペレット
、６・・・・・・金属細線、７・・・・・・外装樹脂、
８・・・・・・金属ベース、１１・・・・・・第１フア
ストン端子、１２°゛°・・・第２フアストン端子。 心３Ｖ も４圀
装置の斜視図、第２図は第１図装置の外装体を除いて示
した斜視図、第３図は本発明の一実施例に係るリードフ
レームの平面図、第４図は第３図のリードフレームに７
アストン端子を取付けた状態の斜視図、＠５図は第４図
の状態から金属ベースに組合せ、樹脂モールドした状態
の斜視図、第６図は完成品の斜視図、第７図は第６図の
装置の樹脂モールド部と金屑ベースとを別々にした状態
を示す斜視図である。 ｌ・・・・・・リードフレーム半導体素子搭載部、２・
・・・・・リードフレーム部、３・・・・・・タイバー
、４・・・・・・外枠、５・・・・・・半導体ペレット
、６・・・・・・金属細線、７・・・・・・外装樹脂、
８・・・・・・金属ベース、１１・・・・・・第１フア
ストン端子、１２°゛°・・・第２フアストン端子。 心３Ｖ も４圀
Claims (1)
- 金属板の上面に半田付けされた半導体ペレットと、前記
金属板に直接取付けられた第１の７アストン熾子と、前
記半導体ペレットの電極と金楓細線で電気的に接続され
た少くとも１個の第２の７アストン端子とを有し、かつ
、繭記第１および第２のファストン端子の外部接続部を
除いた下端側および前記の金属板、半導体ペレット、接
続金属細線が外装樹脂で包覆され、さらに、前記金属板
の下面側が前記外装樹脂層を介して実装取付面を形成す
るものであることｔ−％徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4981584A JPS60193366A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4981584A JPS60193366A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193366A true JPS60193366A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12841613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4981584A Pending JPS60193366A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193366A (ja) |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP4981584A patent/JPS60193366A/ja active Pending
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