JPH0345902B2 - - Google Patents
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- JPH0345902B2 JPH0345902B2 JP26434284A JP26434284A JPH0345902B2 JP H0345902 B2 JPH0345902 B2 JP H0345902B2 JP 26434284 A JP26434284 A JP 26434284A JP 26434284 A JP26434284 A JP 26434284A JP H0345902 B2 JPH0345902 B2 JP H0345902B2
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- power semiconductor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、良熱伝導性の絶縁基板になじみ良
く結合された少なくとも一つの半導体素体と、こ
の絶縁基板が良熱伝導的に搭載される金属製の底
板と、この底板に固定される枠と、この枠の上部
の所定位置に配置される少なくとも二つの接続端
子のそれぞれと半導体素体とを接続する少なくと
も二つの負荷電流を導くための接続導体と、この
接続導体と半導体素体とを少なくとも部分的に被
覆する注型樹脂とを備える電力用半導体装置にか
かわる。
く結合された少なくとも一つの半導体素体と、こ
の絶縁基板が良熱伝導的に搭載される金属製の底
板と、この底板に固定される枠と、この枠の上部
の所定位置に配置される少なくとも二つの接続端
子のそれぞれと半導体素体とを接続する少なくと
も二つの負荷電流を導くための接続導体と、この
接続導体と半導体素体とを少なくとも部分的に被
覆する注型樹脂とを備える電力用半導体装置にか
かわる。
かかる電力用半導体装置は例えば特開昭52−
129378号公報により知られている。第５図はこの
装置を示しており、底板５１、壁部５２蓋５３か
らなるケースを備える。底板５１は、アルミニウ
ムや銅のような熱良導性の材料から作られ、他方
壁部５２と蓋５３は絶縁材料からなる。壁部５２
は底板５１に接着されている。蓋は、例えばねじ
込み固定される。
129378号公報により知られている。第５図はこの
装置を示しており、底板５１、壁部５２蓋５３か
らなるケースを備える。底板５１は、アルミニウ
ムや銅のような熱良導性の材料から作られ、他方
壁部５２と蓋５３は絶縁材料からなる。壁部５２
は底板５１に接着されている。蓋は、例えばねじ
込み固定される。
ケース内部に空所５４，５５が存在する。両空
所の底部は、良導性金属からなる接続片５６によ
り結合されている。接続片５６は熱良導性で電気
絶縁性の材料、例えば酸化ベリリウムからなる層
５７を介して底板５１と結合している。接続片５
６はケース内に簡単に取付けられる。そのために
は、壁部５２と底板５１の組立て前に取付けを行
うのがよい。
所の底部は、良導性金属からなる接続片５６によ
り結合されている。接続片５６は熱良導性で電気
絶縁性の材料、例えば酸化ベリリウムからなる層
５７を介して底板５１と結合している。接続片５
６はケース内に簡単に取付けられる。そのために
は、壁部５２と底板５１の組立て前に取付けを行
うのがよい。
空所５４，５５内に半導体素体５８，５９が収
容され、この際素体５８はカソードを上にそして
素体５９はカソードを下に向けて配置される。半
導体素体がサイリスタである場合、そのカソード
側にはサイリスタの制御電極に対応して孔を有す
る押圧片６０，６１が設けられる。さらにこれら
押圧片６０，６１は図示しない側方の開口を有
し、これを通して制御リードが導かれる。押圧片
６０上にないしダイオードの場合であれば素体５
８のカソード上に、接続電極６２が配置される。
これに対応して、半導体素体５９のアノード側に
は接続電極６４が配置される。半導体素体がダイ
オードであれば、押圧片は省略することができ
る。しかし、この場合、押圧片を用いるのが望ま
しい。というのは、接続電極の構造を簡単化する
ことができるからである。両接続電極は絶縁片６
３，６５で覆われ、他方その面には、２枚の板バ
ネ６６の端部が接する。バネ６６の中央部は絶縁
材料からなるこま６７上に乗つている。このこま
は、ケース壁部５２の一部であつてもよいし、単
にこれに取付けられたものであつてもよい。こま
６７は、底板５１に対して垂直に延びる孔を有
し、ここにねじ６８がねじ込まれている。ねじ６
８とナツトによりバネ６６がたわめられる。この
際こま６７はストツパとして働き、この結果既知
のバネ特性およびたわみ量に従つて、半導体素体
５８，５９、接続電極６２，６４、絶縁片６３，
６５および接続片６６上に所定の圧力が加えられ
る。
容され、この際素体５８はカソードを上にそして
素体５９はカソードを下に向けて配置される。半
導体素体がサイリスタである場合、そのカソード
側にはサイリスタの制御電極に対応して孔を有す
る押圧片６０，６１が設けられる。さらにこれら
押圧片６０，６１は図示しない側方の開口を有
し、これを通して制御リードが導かれる。押圧片
６０上にないしダイオードの場合であれば素体５
８のカソード上に、接続電極６２が配置される。
これに対応して、半導体素体５９のアノード側に
は接続電極６４が配置される。半導体素体がダイ
オードであれば、押圧片は省略することができ
る。しかし、この場合、押圧片を用いるのが望ま
しい。というのは、接続電極の構造を簡単化する
ことができるからである。両接続電極は絶縁片６
３，６５で覆われ、他方その面には、２枚の板バ
ネ６６の端部が接する。バネ６６の中央部は絶縁
材料からなるこま６７上に乗つている。このこま
は、ケース壁部５２の一部であつてもよいし、単
にこれに取付けられたものであつてもよい。こま
６７は、底板５１に対して垂直に延びる孔を有
し、ここにねじ６８がねじ込まれている。ねじ６
８とナツトによりバネ６６がたわめられる。この
際こま６７はストツパとして働き、この結果既知
のバネ特性およびたわみ量に従つて、半導体素体
５８，５９、接続電極６２，６４、絶縁片６３，
６５および接続片６６上に所定の圧力が加えられ
る。
接続片５６と接続電極６２，６４にリード７
２，７３，７４が接続され、ケースの蓋５３を通
つて外方に引き出されている。これらリードは、
蓋の上側に、ねじ６９，７０，７１により固定さ
れている。ねじ６９，７０，７１は、半導体素体
の外部端子を形成する。
２，７３，７４が接続され、ケースの蓋５３を通
つて外方に引き出されている。これらリードは、
蓋の上側に、ねじ６９，７０，７１により固定さ
れている。ねじ６９，７０，７１は、半導体素体
の外部端子を形成する。
この装置は、整流ブリツジの一分枝を形成す
る。この装置を２個用いることで単相整流ブリツ
ジがそして３個用いることで三相整流ブリツジが
組み立てられる。そのため、この装置は、図示し
ない孔を利用して共通の冷却体上にねじ止めされ
る。この半導体装置のリード７４に交流電圧が印
加されると、このリード７２には正の、そしてリ
ード７３には負の電位が生じる。ねじ６９，７０
は例えば、平板状をなす簡単な電流母線により結
合される。
る。この装置を２個用いることで単相整流ブリツ
ジがそして３個用いることで三相整流ブリツジが
組み立てられる。そのため、この装置は、図示し
ない孔を利用して共通の冷却体上にねじ止めされ
る。この半導体装置のリード７４に交流電圧が印
加されると、このリード７２には正の、そしてリ
ード７３には負の電位が生じる。ねじ６９，７０
は例えば、平板状をなす簡単な電流母線により結
合される。
半導体素体を所望の極性で収容しそして残りの
導電部品をケース内に取り付けた後、蓋がかぶせ
られ、この際リード７２，７３，７４の端部は、
蓋にあけられた孔を通して導出される。この状態
を、図中に一点鎖線で示してある。ついでリード
が90゜だけねじ６９，７０，７１の方向に折り曲
げられる。これに伴い、同時に蓋５３がケース壁
部５２に押し付けられる。というのは、リードが
バネ６６とねじ６８を介して支持されており、こ
れに伴い支持体が形成されるからである。この場
合、６９，７０，７１は、外部端子の作用のみを
示す。ケースを閉じるに先立つて、ケースをバネ
の高さまで絶縁物質７５で注型し、外部雰囲気に
より半導体素子が悪影響を受けるのを避ける。か
かる装置では一般にケースの寸法、接続端子の相
互間隔及びそのケース上での位置が例えば規格に
より規定されている。かかる半導体装置において
は接続端子は帯状の接続導体を経て半導体と結合
されている。この接続導体は大電流を流すために
頑丈に作られている。そのために、接続導体又は
接続端子に作用する力は少なくとも部分的に半導
体に伝達されてしまう。従来は接続導体を固定す
る堅い注型樹脂によりこの問題を防止してきた
が、かかる注型樹脂は、しばしば半導体に好まし
くない電気的な作用を及ぼすので、注型樹脂に付
加的に特別な保護層を設けなければならなかつ
た。さらにほぼ剛な導体のために半導体はケース
の中で完全に定められた位置にしか置くことがで
きない。ケースの中の半導体素体がこの位置から
ずれたり別の方法で接続するときは、この目的の
ために特別に合わせた接続導体を用いなければな
らない。
導電部品をケース内に取り付けた後、蓋がかぶせ
られ、この際リード７２，７３，７４の端部は、
蓋にあけられた孔を通して導出される。この状態
を、図中に一点鎖線で示してある。ついでリード
が90゜だけねじ６９，７０，７１の方向に折り曲
げられる。これに伴い、同時に蓋５３がケース壁
部５２に押し付けられる。というのは、リードが
バネ６６とねじ６８を介して支持されており、こ
れに伴い支持体が形成されるからである。この場
合、６９，７０，７１は、外部端子の作用のみを
示す。ケースを閉じるに先立つて、ケースをバネ
の高さまで絶縁物質７５で注型し、外部雰囲気に
より半導体素子が悪影響を受けるのを避ける。か
かる装置では一般にケースの寸法、接続端子の相
互間隔及びそのケース上での位置が例えば規格に
より規定されている。かかる半導体装置において
は接続端子は帯状の接続導体を経て半導体と結合
されている。この接続導体は大電流を流すために
頑丈に作られている。そのために、接続導体又は
接続端子に作用する力は少なくとも部分的に半導
体に伝達されてしまう。従来は接続導体を固定す
る堅い注型樹脂によりこの問題を防止してきた
が、かかる注型樹脂は、しばしば半導体に好まし
くない電気的な作用を及ぼすので、注型樹脂に付
加的に特別な保護層を設けなければならなかつ
た。さらにほぼ剛な導体のために半導体はケース
の中で完全に定められた位置にしか置くことがで
きない。ケースの中の半導体素体がこの位置から
ずれたり別の方法で接続するときは、この目的の
ために特別に合わせた接続導体を用いなければな
らない。
この発明は頭記の種類の電力用半導体装置を、
ケースの中の半導体素体の位置が接続端子の位置
に関係なく自由に選べるように、改良することを
目的とする。この際堅い注型材の充填もやめるよ
うにしようとするものである。
ケースの中の半導体素体の位置が接続端子の位置
に関係なく自由に選べるように、改良することを
目的とする。この際堅い注型材の充填もやめるよ
うにしようとするものである。
この目的はこの発明にもとづき、各接続導体を
少なくとも二つの部分から構成し、その第１の部
分を枠に固定される剛体として構成し、その第２
の部分を可撓に構成してその一端を第１の部分に
他端を半導体素体ないしは半導体素体を基板に結
合する導電層にそれぞれ電気的に接続するように
することにより達成される。
少なくとも二つの部分から構成し、その第１の部
分を枠に固定される剛体として構成し、その第２
の部分を可撓に構成してその一端を第１の部分に
他端を半導体素体ないしは半導体素体を基板に結
合する導電層にそれぞれ電気的に接続するように
することにより達成される。
つぎにこの発明の二つの実施例を図面を参照し
ながら詳細に説明する。
ながら詳細に説明する。
第１図に示す電力用半導体装置は支持部材とし
て金属製の底板１を有している。底板は例えばニ
ツケルめつきした銅又はアルミニウムから成り、
その上面ははんだ付け可能な層を備えている。底
板１の上面には、電気的には絶縁性で熱伝導性の
よい基板２が取付けられている。この基板は例え
ばベリリア磁器又はアルミナ磁器から成る。基板
の上には、メタライズ層３，５を介して基板とは
んだ付けされた二つの半導体素体６，７がマウン
トされている。なお、４は接続の仲介用支持点と
してのメタライズ層あるいは基板にマウントされ
た導電板である。
て金属製の底板１を有している。底板は例えばニ
ツケルめつきした銅又はアルミニウムから成り、
その上面ははんだ付け可能な層を備えている。底
板１の上面には、電気的には絶縁性で熱伝導性の
よい基板２が取付けられている。この基板は例え
ばベリリア磁器又はアルミナ磁器から成る。基板
の上には、メタライズ層３，５を介して基板とは
んだ付けされた二つの半導体素体６，７がマウン
トされている。なお、４は接続の仲介用支持点と
してのメタライズ層あるいは基板にマウントされ
た導電板である。
底板１の上には絶縁枠８がかぶせられ、底板と
例えば接着されている。枠はその長壁と相互に結
合された桟９，１０，１１を備えている。この桟
は枠の上縁に設けてもよく、またこの上縁より下
がつた位置に設けてもよい。桟の上には第１の接
続導体部分１３，１４，１５が固定されている。
第１の接続導体部分は例えば板から成り、ほぼ剛
であるが、ばね弾性を有するように構成されるの
がよい。第１の接続導体部分を固定するためにプ
ラスチツクのだぼ１２が用いられ、このだぼは第
１の接続導体部分の水平の脚部に係合する。だぼ
は脚部の厚さよりやや高い。第１の接続導体部分
は例えば接着材によりだぼと結合できる。枠８が
熱可塑性樹脂から成るときは、だぼ１２を加熱し
プレスすることにより第１の接続導体部分を固定
できる。こうして第１の接続導体部分は枠８の桟
に固定される。
例えば接着されている。枠はその長壁と相互に結
合された桟９，１０，１１を備えている。この桟
は枠の上縁に設けてもよく、またこの上縁より下
がつた位置に設けてもよい。桟の上には第１の接
続導体部分１３，１４，１５が固定されている。
第１の接続導体部分は例えば板から成り、ほぼ剛
であるが、ばね弾性を有するように構成されるの
がよい。第１の接続導体部分を固定するためにプ
ラスチツクのだぼ１２が用いられ、このだぼは第
１の接続導体部分の水平の脚部に係合する。だぼ
は脚部の厚さよりやや高い。第１の接続導体部分
は例えば接着材によりだぼと結合できる。枠８が
熱可塑性樹脂から成るときは、だぼ１２を加熱し
プレスすることにより第１の接続導体部分を固定
できる。こうして第１の接続導体部分は枠８の桟
に固定される。
第１図及び第２図には第１の接続導体部分１
３，１４，１５と一体に作られた三種の接続端子
２０，１９，１８が示されている。左側の接続端
子２０はボルト結合用に構成されている。中央の
接続端子１９はプラグ用である。また右側の接続
端子はスリツトを備えており、このスリツトの中
に単線３８を挿入してはんだ付けできる。実際に
は半導体装置は図示の接続端子の内の１種類だけ
を備えている。
３，１４，１５と一体に作られた三種の接続端子
２０，１９，１８が示されている。左側の接続端
子２０はボルト結合用に構成されている。中央の
接続端子１９はプラグ用である。また右側の接続
端子はスリツトを備えており、このスリツトの中
に単線３８を挿入してはんだ付けできる。実際に
は半導体装置は図示の接続端子の内の１種類だけ
を備えている。
接続導体部分１３，１４，１５は、それぞれ半
導体素体６，７又は絶縁基板２を所属の接続端子
２０，１９，１８に結合する上記導体の第１の部
分を構成する。接続導体の第２の部分１６は可撓
な撚り線又は単線から成る。可撓な撚り線は、一
端が接続導体部分１３，１４，１５の貫通孔に挿
入固定され、他端が半導体素体に接続されてい
る。半導体素体６，７と可撓な撚り線１６との間
の接触は直接にされてもよく、また導電性の中間
層３，５を介してあるいは金属層から成り基板２
と例えばはんだ付けされた支持点４を介して行な
つてもよい。支持点４と半導体素体との間また半
導体素体間はボンデイングワイヤにより電気的に
結合でき、ボンデイングワイヤの内の２本が図示
され２１，２２の符号が付けられている。
導体素体６，７又は絶縁基板２を所属の接続端子
２０，１９，１８に結合する上記導体の第１の部
分を構成する。接続導体の第２の部分１６は可撓
な撚り線又は単線から成る。可撓な撚り線は、一
端が接続導体部分１３，１４，１５の貫通孔に挿
入固定され、他端が半導体素体に接続されてい
る。半導体素体６，７と可撓な撚り線１６との間
の接触は直接にされてもよく、また導電性の中間
層３，５を介してあるいは金属層から成り基板２
と例えばはんだ付けされた支持点４を介して行な
つてもよい。支持点４と半導体素体との間また半
導体素体間はボンデイングワイヤにより電気的に
結合でき、ボンデイングワイヤの内の２本が図示
され２１，２２の符号が付けられている。
可撓な単線又は撚り線１６は桟の間にある開口
２５，２６又は桟に設けられた孔を経て導かれ
る。この孔は第２図において各桟上に二つずつ図
示されており、桟９上の孔は符号２７，２８が付
けられている。接続導体の可撓な部分が枠のどこ
から引き出されるかは、枠の中の半導体素体の位
置により決まる。この位置は第２の接続導体１６
が可撓性であるため、底板１の面上で自由に選択
できる。したがつて、特に多数の半導体素体から
成り場合によつては種々の機能を有する複雑な回
路を一種類のかかる電力用半導体装置に統合でき
る。もう一つの長所は、ボンデイングに際して剛
な接続導体がじやまになることなく、半導体間の
ボンデイングが可能なことである。そのときは、
可撓な導体１６はボンデイング後に取付けるのが
合理的である。
２５，２６又は桟に設けられた孔を経て導かれ
る。この孔は第２図において各桟上に二つずつ図
示されており、桟９上の孔は符号２７，２８が付
けられている。接続導体の可撓な部分が枠のどこ
から引き出されるかは、枠の中の半導体素体の位
置により決まる。この位置は第２の接続導体１６
が可撓性であるため、底板１の面上で自由に選択
できる。したがつて、特に多数の半導体素体から
成り場合によつては種々の機能を有する複雑な回
路を一種類のかかる電力用半導体装置に統合でき
る。もう一つの長所は、ボンデイングに際して剛
な接続導体がじやまになることなく、半導体間の
ボンデイングが可能なことである。そのときは、
可撓な導体１６はボンデイング後に取付けるのが
合理的である。
プリント配線板システムの中に組み込むとき
は、接続導体１３，１４，１５又は接続端子２
０，１９，１８の中心間隔ａを同じ大きさとしか
つプリント配線板の格子寸法に構成することが推
奨される。半導体素体を保護するために枠は注型
樹脂３３により充填される。この注型樹脂は接続
導体を固定するという役目を持つていないので、
軟かく又はゼラチン状とすることができ、例えば
シリコーンゴムとすることができる。接続の際及
び運転時に接続導体に加えられる力は、もつぱら
桟により従つて枠により受け止められる。
は、接続導体１３，１４，１５又は接続端子２
０，１９，１８の中心間隔ａを同じ大きさとしか
つプリント配線板の格子寸法に構成することが推
奨される。半導体素体を保護するために枠は注型
樹脂３３により充填される。この注型樹脂は接続
導体を固定するという役目を持つていないので、
軟かく又はゼラチン状とすることができ、例えば
シリコーンゴムとすることができる。接続の際及
び運転時に接続導体に加えられる力は、もつぱら
桟により従つて枠により受け止められる。
枠８の上には第３図に示す絶縁ふた２９がかぶ
せられる。このふたはスリツト状の孔３０，３１
を備え、この孔を接続端子２０，１９が貫通す
る。接続端子のための穴３０，３１の位置は図面
では点線で示されている。接続端子として接続端
子２０の形式が用いられるならば、ふた２９の上
面にはスリツト３０と並べて金属製の例えばナツ
ト３２を端子として鋳込むことができ、このナツ
トに接続端子と接続導体や外部導線とをねじ止め
できる。
せられる。このふたはスリツト状の孔３０，３１
を備え、この孔を接続端子２０，１９が貫通す
る。接続端子のための穴３０，３１の位置は図面
では点線で示されている。接続端子として接続端
子２０の形式が用いられるならば、ふた２９の上
面にはスリツト３０と並べて金属製の例えばナツ
ト３２を端子として鋳込むことができ、このナツ
トに接続端子と接続導体や外部導線とをねじ止め
できる。
第４図には、接続導体の枠への別の種類の固定
法を用いたもう一つの実施例を示す。枠８の側壁
は案内レール３４，３５を備え、このレールの中
にＺ字形の帯状導体３６の継手板が挿入される。
導体３６は接続導体の第１の部分を形成する。接
続導体の第２の部分は再び可撓な単線又は撚り線
３７により形成され、撚り線は第１の導体３６の
孔に挿入されそこにはんだ付けされる。撚り線３
７の他端は絶縁基板上のメタライズ層４０に結合
され、このメタライズ層４０の上に半導体素体３
９がマウントされている。この際部分３６と３７
との相互結合部は枠８の中に充填される注型樹脂
３３の外であつてもよく中であつてもよい。
法を用いたもう一つの実施例を示す。枠８の側壁
は案内レール３４，３５を備え、このレールの中
にＺ字形の帯状導体３６の継手板が挿入される。
導体３６は接続導体の第１の部分を形成する。接
続導体の第２の部分は再び可撓な単線又は撚り線
３７により形成され、撚り線は第１の導体３６の
孔に挿入されそこにはんだ付けされる。撚り線３
７の他端は絶縁基板上のメタライズ層４０に結合
され、このメタライズ層４０の上に半導体素体３
９がマウントされている。この際部分３６と３７
との相互結合部は枠８の中に充填される注型樹脂
３３の外であつてもよく中であつてもよい。
１本の撚り線では電流を導くのに不十分なとき
は、第１の接続導体１５を第２図に示すように形
成し、複数の接続電線１６，１７を並列に用いる
ことができる。このために付加した電線はここで
は１７で示されている。
は、第１の接続導体１５を第２図に示すように形
成し、複数の接続電線１６，１７を並列に用いる
ことができる。このために付加した電線はここで
は１７で示されている。
半導体素体又は絶縁基板を接続端子に結合する
接続導体は、この発明にもとづき、枠に固定され
た剛体として構成した第１の部分と、この部分と
半導体素体又は絶縁基板とを結合する可撓な撚り
線又は単線から成る第２の部分とに分けられる。
接続導体は、この発明にもとづき、枠に固定され
た剛体として構成した第１の部分と、この部分と
半導体素体又は絶縁基板とを結合する可撓な撚り
線又は単線から成る第２の部分とに分けられる。
こうすることにより、半導体素体は接続端子と
は無関係に底板上の取付け位置を自由に選択する
ことができ、複数の半導体素体を備えて異なる機
能を有する種々の電力用半導体装置を一種類の外
部接続端子構造に統一することが可能となる。
は無関係に底板上の取付け位置を自由に選択する
ことができ、複数の半導体素体を備えて異なる機
能を有する種々の電力用半導体装置を一種類の外
部接続端子構造に統一することが可能となる。
また接続端子に加えられる力は直接枠により受
け止められるので、枠の中に充填される注型樹脂
は電気的に半導体素体に悪影響を与える恐れのあ
る堅いものを用いる必要はなく、軟かい例えばシ
リコーンゴムを用いることができる。
け止められるので、枠の中に充填される注型樹脂
は電気的に半導体素体に悪影響を与える恐れのあ
る堅いものを用いる必要はなく、軟かい例えばシ
リコーンゴムを用いることができる。
また半導体素体ないしは導電層間のボンデイン
グは可撓な第２の部分の取付け前に実施すること
により、接続導体にじやまされずに行なうことが
できる。
グは可撓な第２の部分の取付け前に実施すること
により、接続導体にじやまされずに行なうことが
できる。
第１図はこの発明による半導体装置の実施例の
長手方向断面図、第２図は第１図に示す装置の平
面図、第３図は第１図に示す装置にかぶせるふた
を一部断面図で示す側面図、第４図は異なる実施
例の部分平面図、第５図は、公知の装置の長手方
向断面図である。 図面において、１は底板、２は絶縁基板、３，
４，５，４０は導電層、６，７，３９は半導体素
体、８は枠、９，１０，１１は桟、１２は固定箇
所、１３，１４，１５，３６は接続導体の第１の
部分、１６，１７，３７は接続導体の第２の部
分、１８，１９，２０は接続端子、２９はふた、
３０，３１はスリツト孔、３３は注型樹脂であ
る。
長手方向断面図、第２図は第１図に示す装置の平
面図、第３図は第１図に示す装置にかぶせるふた
を一部断面図で示す側面図、第４図は異なる実施
例の部分平面図、第５図は、公知の装置の長手方
向断面図である。 図面において、１は底板、２は絶縁基板、３，
４，５，４０は導電層、６，７，３９は半導体素
体、８は枠、９，１０，１１は桟、１２は固定箇
所、１３，１４，１５，３６は接続導体の第１の
部分、１６，１７，３７は接続導体の第２の部
分、１８，１９，２０は接続端子、２９はふた、
３０，３１はスリツト孔、３３は注型樹脂であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 良熱導性の絶縁基板になじみ良く結合された
少なくとも一つの半導体素体と、前記絶縁基板が
良熱伝導的に搭載される金属製の底板と、この底
板に固定される枠と、この枠の上部の所定位置に
配置される少なくとも二つの接続端子のそれぞれ
と半導体素体とを接続する少なくとも二つの負荷
電流を導くための接続導体と、この接続導体と半
導体素体とを少なくとも部分的に被覆する注型樹
脂とを備えるものにおいて、各接続導体が少なく
とも二つの部分から成り、その第１の部分が枠に
固定される剛体として構成され、その第２の部分
が可撓に構成されかつその一端が第１の部分に他
端が半導体素体ないしは半導体素体を基板に結合
する導電層にそれぞれ電気的に接続されており、
しかも接続導体の第２の部分は注型樹脂の外側に
おいて接続導体の第１の部分と接続されているこ
とを特徴とする電力用半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
て、枠が方形であり、かつその方形の長辺を互い
に結合する少なくとも一つの桟を備えることを特
徴とする電力用半導体装置。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の装置におい
て、桟が枠の上縁の高さに設けられることを特徴
とする電力用半導体装置。 ４ 特許請求の範囲第１項から第３項までのいず
れかに記載の装置において、接続導体の第１の部
分が接続端子に結合されていることを特徴とする
電力用半導体装置。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載の装置におい
て、接続端子と接続導体の第１の部分とが一体に
形成されていることを特徴とする電力用半導体装
置。 ６ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
て、枠に接続端子が挿通される孔を備えたふたが
かぶせられることを特徴とする電力用半導体装
置。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載の装置におい
て、ふたが上面に端子を備え、この端子が接続端
子に電気的に結合されることを特徴とする電力用
半導体装置。 ８ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
て、枠が弾性をもつ注型樹脂により充填されてい
ることを特徴とする電力用半導体装置。 ９ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
て、接続端子が相互にプリント配線板の格子寸法
又はその整数倍に等しい中心間隔を有することを
特徴とする電力用半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833345285 DE3345285A1 (de) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Leistungs-halbleiteranordnung |
| DE3345285.7 | 1983-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153155A JPS60153155A (ja) | 1985-08-12 |
| JPH0345902B2 true JPH0345902B2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=6216947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59264342A Granted JPS60153155A (ja) | 1983-12-14 | 1984-12-14 | 電力用半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0150347B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60153155A (ja) |
| DE (2) | DE3345285A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142856U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-09 | ||
| DE3717489A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
| DE3837920A1 (de) * | 1988-11-09 | 1990-05-10 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterelement |
| GB2249869B (en) * | 1990-09-17 | 1994-10-12 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| DE10024377B4 (de) * | 2000-05-17 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement |
| DE102005039946A1 (de) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit Leistungshalbleitermodul und mit Anschlussverbinder |
| US7995356B2 (en) | 2005-08-26 | 2011-08-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Power semiconductor module comprising load connection elements applied to circuit carriers |
| JP4894784B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332673A (en) * | 1976-09-04 | 1978-03-28 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor constituting units |
| JPS5715453A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor module |
| JPS5823469A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 複合パワ−トランジスタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2617335A1 (de) * | 1976-04-21 | 1977-11-03 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| DE2942409A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement mit mehreren halbleiterkoerpern |
| EP0064856B1 (en) * | 1981-05-12 | 1986-12-30 | LUCAS INDUSTRIES public limited company | A multi-phase bridge arrangement |
| DE3143339A1 (de) * | 1981-10-31 | 1983-05-19 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiteranordnung |
-
1983
- 1983-12-14 DE DE19833345285 patent/DE3345285A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-12-06 DE DE8484114843T patent/DE3470255D1/de not_active Expired
- 1984-12-06 EP EP19840114843 patent/EP0150347B1/de not_active Expired
- 1984-12-14 JP JP59264342A patent/JPS60153155A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332673A (en) * | 1976-09-04 | 1978-03-28 | Semikron Gleichrichterbau | Semiconductor constituting units |
| JPS5715453A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor module |
| JPS5823469A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 複合パワ−トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0150347B1 (de) | 1988-03-30 |
| DE3345285A1 (de) | 1985-06-27 |
| EP0150347A1 (de) | 1985-08-07 |
| DE3470255D1 (en) | 1988-05-05 |
| JPS60153155A (ja) | 1985-08-12 |
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