JPS5823438A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5823438A JPS5823438A JP12326381A JP12326381A JPS5823438A JP S5823438 A JPS5823438 A JP S5823438A JP 12326381 A JP12326381 A JP 12326381A JP 12326381 A JP12326381 A JP 12326381A JP S5823438 A JPS5823438 A JP S5823438A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2205—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities from the substrate during epitaxy, e.g. autodoping; Preventing or using autodoping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に三重拡散型の半導体装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
第１図（ａ）ないしくＣ）により、従来の三重拡散型半
導体装置の製造工程を説明する。まず、第４図（ａ）に
示すようにｐｔたはｎの一導電盤、例えばｎ導電型基板
１０両生面にｎ＋型不純物の拡散層２ａおよび２ｂｔ形
成する。この場合、元の基板ｌの厚さは蝙抗率と共に素
子の設計によ〕決められ、ｎ＋拡散層２暑および２ｂの
厚さは拡散温度および時間、ならびにコレクタ抵抗の設
計によって決められる。つぎに第１図（ｂ）に示すよう
に、上面側の口１拡散層２ｂ２ｂ１研磨により除去し表
面を鏡面にする。つぎに第１図（Ｃ）Ｋ示すように、ｎ
＋拡散層２ｂを除去し次上面側から通常の熱拡散により
ｐ型代−ス層４、ｎ型エミツタ層５を形成する。
導体装置の製造工程を説明する。まず、第４図（ａ）に
示すようにｐｔたはｎの一導電盤、例えばｎ導電型基板
１０両生面にｎ＋型不純物の拡散層２ａおよび２ｂｔ形
成する。この場合、元の基板ｌの厚さは蝙抗率と共に素
子の設計によ〕決められ、ｎ＋拡散層２暑および２ｂの
厚さは拡散温度および時間、ならびにコレクタ抵抗の設
計によって決められる。つぎに第１図（ｂ）に示すよう
に、上面側の口１拡散層２ｂ２ｂ１研磨により除去し表
面を鏡面にする。つぎに第１図（Ｃ）Ｋ示すように、ｎ
＋拡散層２ｂを除去し次上面側から通常の熱拡散により
ｐ型代−ス層４、ｎ型エミツタ層５を形成する。
このような従来の製造方法においては、元の基板１に残
されたｎ一層１ａとｎ＋導電型の高濃度不純物拡散層２
ａの厚さは素子の特性上の設計により大部分が決められ
る。しかし、一方において、製造工程でのウェーハ割れ
、その他の機械強度的要因による歩留り低下を避ける上
から、元の基板の厚さはウェーハ径を大きくするに従っ
て厚くしなければならない、そうすると、特性により決
定される所望のｎ一層（ｎ＋層の形成され九基板の残り
の層）ｌｘの厚さを得るには、ｎ＋２ａ層を厚くしなけ
ればならず、厚いｎ＋層の形成は甚だ長時間ｔ−ｌ！シ
限界がちり、そのため、三重拡散トランジスタを歩留９
よ〈製造するにはウェーハ径に制限があう友。
されたｎ一層１ａとｎ＋導電型の高濃度不純物拡散層２
ａの厚さは素子の特性上の設計により大部分が決められ
る。しかし、一方において、製造工程でのウェーハ割れ
、その他の機械強度的要因による歩留り低下を避ける上
から、元の基板の厚さはウェーハ径を大きくするに従っ
て厚くしなければならない、そうすると、特性により決
定される所望のｎ一層（ｎ＋層の形成され九基板の残り
の層）ｌｘの厚さを得るには、ｎ＋２ａ層を厚くしなけ
ればならず、厚いｎ＋層の形成は甚だ長時間ｔ−ｌ！シ
限界がちり、そのため、三重拡散トランジスタを歩留９
よ〈製造するにはウェーハ径に制限があう友。
本発明の目的は、大口径ウェーハに対しても、上記のよ
うな制限を受けることなしにＹ三重拡散型半導体装置を
歩留りよく製造できる製造方法を提供するにある。
うな制限を受けることなしにＹ三重拡散型半導体装置を
歩留りよく製造できる製造方法を提供するにある。
本発明方法は、−導電型のシリコン基板に対し、この基
板の両生、面にこの基板と同じ導電型を与える不純物を
高濃度に含む′層を形成する工程と、つぎに前記両生面
のうちの一方の主面にさらに基板と同じ同電型を与える
不純物を高濃度に含むシリコン析出層を形成する工程と
、つぎに前記一方の主面の反対側の他方の主面の高濃度
−導電型の不純物を含む層を研磨により除去する工程と
を含んでいる。
板の両生、面にこの基板と同じ導電型を与える不純物を
高濃度に含む′層を形成する工程と、つぎに前記両生面
のうちの一方の主面にさらに基板と同じ同電型を与える
不純物を高濃度に含むシリコン析出層を形成する工程と
、つぎに前記一方の主面の反対側の他方の主面の高濃度
−導電型の不純物を含む層を研磨により除去する工程と
を含んでいる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図（ａ）ないしくｄ）ｔｉ本発明の一実施例の製造
工程順の説明図である。ｔず、第２図（ａｌに示すよう
に、例えばｎ導電型のシリコン基板１０両生面にｎ生鉱
散層２ａ、２ｂｔ−それぞれ形成し、つぎに、ｎ＋拡散
層２ａｌｌにシリコンの気相成長層３を形成し、その後
、ｎ生鉱数基２ｂ？型磨により除去し、ｎ゛十層１ａの
厚さを所望のものとする。ここで、気相成長層３は、ｎ
型を与える不純物を、熱拡散によって形成されるｎ＋層
２ａに含まれる平均不純物濃度と同程度或はそれ以上の
濃度で含み、そして、基板の厚さが工程上必要とされる
厚さになる様に形成される。しかる後通常の電極形成法
によりベース４及びエミッ′り５を形成し、三重拡散型
トランジスタを得る。
工程順の説明図である。ｔず、第２図（ａｌに示すよう
に、例えばｎ導電型のシリコン基板１０両生面にｎ生鉱
散層２ａ、２ｂｔ−それぞれ形成し、つぎに、ｎ＋拡散
層２ａｌｌにシリコンの気相成長層３を形成し、その後
、ｎ生鉱数基２ｂ？型磨により除去し、ｎ゛十層１ａの
厚さを所望のものとする。ここで、気相成長層３は、ｎ
型を与える不純物を、熱拡散によって形成されるｎ＋層
２ａに含まれる平均不純物濃度と同程度或はそれ以上の
濃度で含み、そして、基板の厚さが工程上必要とされる
厚さになる様に形成される。しかる後通常の電極形成法
によりベース４及びエミッ′り５を形成し、三重拡散型
トランジスタを得る。
本発明による製造方法では、以上の様に、気相成長層の
厚さｆｎ−／ｎ＋ 構造基板に必要とされる厚さになる
様に容易に形成することができ、その結果歩留よく素子
を製造することができる。
厚さｆｎ−／ｎ＋ 構造基板に必要とされる厚さになる
様に容易に形成することができ、その結果歩留よく素子
を製造することができる。
以上、三重拡散型トランジスタの例を引いて、本発明を
説明したが、本発明は他の三重拡散型半導体装置にも適
用できる。
説明したが、本発明は他の三重拡散型半導体装置にも適
用できる。
第１図（ａ）ないしくＣ１は従来の牛導体装置の製造方
法を説明する迄めの工程順の断面図、第２図（ａ）ない
しくｄ）は本発明の一実施例の工程順の断面図である。 １・・・・・・ｎ型シリコン基板、ｌａ・・・・・・ｎ
″″層、２ａ、 ２ｂ・・・・・・ｎ 型高濃度不純物
拡散層、３・・・、・・ｎ シリコン析出層、４・・・
・・・ベース、５・・・・・・エミ、り。 第１図 ・、 第２図
法を説明する迄めの工程順の断面図、第２図（ａ）ない
しくｄ）は本発明の一実施例の工程順の断面図である。 １・・・・・・ｎ型シリコン基板、ｌａ・・・・・・ｎ
″″層、２ａ、 ２ｂ・・・・・・ｎ 型高濃度不純物
拡散層、３・・・、・・ｎ シリコン析出層、４・・・
・・・ベース、５・・・・・・エミ、り。 第１図 ・、 第２図
Claims (1)
- 一導電型のシリコン基板の両主面に、このシリコン基板
と同じ導電ａｔ与える不純物を高濃度に含む層を形成す
る工程と、つぎに前記両主面のうちの一方の主面にさら
に基板と同じ一導電型を与える不純物を高濃度に含むシ
リコンの析出層を形成する工程と、つぎに前記一方の主
面の反対側の他方の主面の高濃度−導電型の不純物を含
む層を研摩除去する工程とｔ含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326381A JPS5823438A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326381A JPS5823438A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823438A true JPS5823438A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14856231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12326381A Pending JPS5823438A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823438A (ja) |
-
1981
- 1981-08-05 JP JP12326381A patent/JPS5823438A/ja active Pending
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