JPS5823431A - 半導体基体の製作方法 - Google Patents

半導体基体の製作方法

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JPS5823431A
JPS5823431A JP56122654A JP12265481A JPS5823431A JP S5823431 A JPS5823431 A JP S5823431A JP 56122654 A JP56122654 A JP 56122654A JP 12265481 A JP12265481 A JP 12265481A JP S5823431 A JPS5823431 A JP S5823431A
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JP
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semiconductor substrate
semiconductor
semiconductor layer
single crystal
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JP56122654A
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Kazuyuki Sugahara
和之 須賀原
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、基板上に形成された絶縁体層上に半導体単
結晶層を形成する方法に関するものである。
半導体基体」と呼ぶ。
超高速電子計算機のための浮遊容量の少ない半導体デバ
イスを得るために、単結晶半導体基板上の絶縁体層上に
一部において単結晶半導体基板に接触している多結晶ま
たは非晶質の半導体層を形成し、レーザ装置もしくは７
ラツ７ユ２ングからの光線または電子線を半導体層に対
して走査させルカ、またはパルス状に全面的に照射させ
て、半襟体層を溶融させた後に再結晶させる熱処理また
は半導体層を融点寸前まで加熱する熱処理によって、多
結晶または非晶質の半導体層を単結晶化させた半導体基
体を製作し、この半導体基体を用いて半導体デバイスを
製造するという考えがある。
第１図は上記のような半襟体層体を製作する従来の方法
の中間工程における半導体基体を示す断面図である。第
１図において、（１１は単結晶の半導体基板、（２）は
半４体基板１１＋上に形成された絶縁体層、＠は絶縁体
層（２）に設けられ半導体基板（１１の一部を露出させ
る開口部、（３Ｉは半導体基板（１１の開口部なａに４
出する部分上を含めて絶縁体層（２）上に形成された多
結晶または非晶質の半導体層である。
半導体ｍ　１３１は開口部（２）において単結晶の半導
体基−板（１）に接触している部分ｃＩυと絶縁体層（
２）上の部分（２）とからなっている。
従来の方法においては、レーザ光線などの走査またはパ
ルス状照射によって、半導体層（３）を溶融させた後に
再結晶させる熱処理にょる液相エピタキシャル結晶成長
または半導体層１３３を融点寸前まで加熱する熱処理に
よる面相エピタキシャル結晶成長が始まり、半導体層＋
３１が単結晶の半導体基板（１１に接触している部分■
はもちろん、絶縁体層（２）上の部分（至）をも含めて
単結晶になる。
ところが、レーザ光線などによる熱処理は、その処理時
藺が極端ｌζ短い（例えば、パルス状照射のときはｌｐ
ｓ以下、走査のときは１ｍｓ以ド）。しかるに、絶縁体
層（２）の開口部（財）の周壁が絶縁体層（２）の表面
に対して垂直であるために、半″４体層（３）の半導体
基板（１）に接触している部分６υから始まった結晶成
員が速やかに絶縁体１ｍ　（２）上の部分（至）まで鉱
がらないという欠点があった・ この発明は、上記のような欠点を除去するためになされ
たものであり、絶縁体層の開口部が絶縁体層の表面に同
って拡開するように開口部の周壁に傾斜をつけることに
よって、半導体層の半導体基板に接する部分から始まっ
た結晶成長が速やかに絶縁体層上の部分にまで拡がるよ
うにして大きな単結晶半導体層を得ることができる半４
体ｍｈの製作方法を提供することを目釣としたものであ
る。
の一実施例の中間工程における半導体基体を示す断面図
である。第２図において、（１１は単結晶の半導体基板
、（２ａ）はその開口部（２１ａ　）が表ｄｉ　ｓｃ同
って拡開するように開口部（２１ａ　）の周壁の全周に
わたって傾斜をつけた絶縁体層、（３ａ）は半導体基板
（１）の開口部（２１ａ）に露出する部分上を含りて絶
縁体層（２ａ）上に形成された多結晶または非晶質の半
導体層である。半４体層（３ａ）は開口部（２１ａ）に
おいて半４体基板＋１１に接触している部分（３ユａ）
と絶縁体層（２ａ）上の部分（至）とからなっている。
傾斜をつけるのは、既知の方法、例えば、縁絶体１１１
　（２ａ）の開口部（２１ａ）を形成すべき部分の周囲
にイオンを一端度に打ち込んでからエツチングすればよ
い。
実廟例の方法においては、上記の中間工程における半ノ
４体裁体の半導体層（３ａ）にレーザ装置もしくはブラ
ック：３−ラングからの光線または１子線を走産させる
かパルス状に全面的に照射させるか゛し層成長または固
相エピタキシャル成長が始まる紙絶縁体ノｍＬ２ａ）の
開口部（２Ｘａ）が表面に回って拡開結晶成長が、開口
部（２１＆）の傾斜のある周壁に沿って絶縁体ｊｉｌｔ
（２ａ）の上の部分−へと速やかに拡大するから、良質
の単結晶層が広範囲に得られる。
上記の実施例においては、杷、Ｆ１′体ノーの開口部の
１ｉ＃ｌｄに全周にわたって填料をつけた場合について
述べたが、単結晶成長が容易に起るような方向にだけ傾
斜をつけてもよい。
以上説明したように、この発明による半、♀体裁体の製
作方法においては、光線または電子線の照射によって単
結晶化させられる多結晶または非晶質の半導体層が単結
晶の半導体基板に接触するように形成された絶縁体層の
開口部が、絶縁体層の表面に向って拡開するようにこの
開口部の周壁に傾斜をつけであるので、半導体層の半導
体基板に接触している部分から始まった単結晶成長が、
開口部の傾斜のある周壁に沿って絶縁体層上の半導体層
へと速やかに拡大するから、良質の単結晶層を広範囲に
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体基体の製作方法の中間工程におけ
る半導体基体の断面図、第２図はこの発明による半導体
基体の製作方法の一実施例の中ｔｌｊ１工程における半
導体基体の断面図である。 図において、＋１１は半導体基板、（２ａ）は絶縁体１
−１（２１ａ）は開口部、（３ａ）は半導体層である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人　　葛　野　信　−（外１名） 第１図 １ 第２図 カ １ｔｔ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事ｆ’１．　（７）表示　　　　特願昭５６−１２
１６５４１）２、発明の名称　　　牛導体基体の製作方
法３　　ｔ＋ｌｉ　ｉＥをする者 事件との関係　　　特許出願人 ＝） ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書の籐３）ｒ″第１４行〜第１５行の「（例えば、
パルス状照射のときはｌｐｓ以下、走査のときは１ｍｓ
以下）」を「（例えば、パルス状照射のときはｌｎａ程
度以下、走査のときはｌｏｍａ程度以下）ＪＫＩ］正す
る。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１１単結１の半導体基板上にこの半導体基板の一部を
    露出させる開口部を有する絶縁体層を形成する工程、上
    記開口部に露出する上記半導体基板上および上記絶縁体
    層上に多結晶または非晶質の半襟体層を形成する工程、
    ならびに上記半導体層に光線または電子線を照射してこ
    の半導体層を単結晶化させる工程を備えた方法において
    、上記開口部が上記絶縁体層の表面に向って拡開するよ
    うに上記開口部の周壁に傾斜をつけたことを特徴とする
    半襟体層体の製作方法。
JP56122654A 1981-08-04 1981-08-04 半導体基体の製作方法 Pending JPS5823431A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0080851A2 (en) * 1981-11-30 1983-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba A method for forming monocrystalline semiconductor film on insulating film
JPS61113228A (ja) * 1984-11-08 1986-05-31 Agency Of Ind Science & Technol 半導体薄膜結晶層の製造方法
JPS63156313A (ja) * 1986-12-20 1988-06-29 Fujitsu Ltd 半導体結晶成長方法及びそれを実施する装置
US5135884A (en) * 1991-03-28 1992-08-04 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of producing isoplanar isolated active regions

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5673697A (en) * 1979-11-21 1981-06-18 Hitachi Ltd Manufacture of single crystal thin film

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