JPS5822158B2 - 3−メチル−3−セフエム抗生物質の製法 - Google Patents
3−メチル−3−セフエム抗生物質の製法Info
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般にデアセトキシセファロスポラン酸と呼
ばれている7−アシルアミノ−3−メチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸抗生物質の新規な製法に関するもの
である。
ばれている7−アシルアミノ−3−メチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸抗生物質の新規な製法に関するもの
である。
特に本発明は7−アシルアミノ−3−アセトキシメチル
−2−セフェム−4−カルボン酸を7−アシルアミノ−
3−メチル−3−セフェム−4−カルボン酸に転化する
方法に関するものである。
−2−セフェム−4−カルボン酸を7−アシルアミノ−
3−メチル−3−セフェム−4−カルボン酸に転化する
方法に関するものである。
本発明によれば、7−アミンまたは7−アシルアミノ−
3−アセトキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸
をイオウ親核試薬と反応させて、3−アセトキシ基の親
核移動によって、3−チオ置換メチル−2−セフェム−
4−カルボン酸を作り、このようにして得られた3−チ
オ置換−メチル−2−セフェム化合物を触媒水添条件で
還元裂開を行ない、3−メチル−2−セフェムの裂開生
成物を作る。
3−アセトキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸
をイオウ親核試薬と反応させて、3−アセトキシ基の親
核移動によって、3−チオ置換メチル−2−セフェム−
4−カルボン酸を作り、このようにして得られた3−チ
オ置換−メチル−2−セフェム化合物を触媒水添条件で
還元裂開を行ない、3−メチル−2−セフェムの裂開生
成物を作る。
このようにして得た生成物を3−メチル−3−セフェム
化合物、デアセトキシセファロスポラン酸またはエステ
ルに異性化することができる。
化合物、デアセトキシセファロスポラン酸またはエステ
ルに異性化することができる。
たとえば、3−チオ置換メチル−2−セフェム化合物の
触媒水添によって主成分として得られた3−メチル−2
−セフェム化合物は、そのスルホキシドを形成し、次に
このスルホキシドを周知の方法で還元することによって
異性化することができる。
触媒水添によって主成分として得られた3−メチル−2
−セフェム化合物は、そのスルホキシドを形成し、次に
このスルホキシドを周知の方法で還元することによって
異性化することができる。
本発明の方法によって得られた7−アシルアミノ−3−
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸は、デアセトキ
シセファロスポラン酸クラスの周知の抗生物質である。
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸は、デアセトキ
シセファロスポラン酸クラスの周知の抗生物質である。
本発明の方法によれば、デアセトキシセファロスポラン
酸はセファロスポラン酸か、ら、セファロスポラン酸を
2−セフェム化合物に異性化し、次に3−アセトキシメ
チル基をチオ親核試薬で親核置換することによって作ら
れる。
酸はセファロスポラン酸か、ら、セファロスポラン酸を
2−セフェム化合物に異性化し、次に3−アセトキシメ
チル基をチオ親核試薬で親核置換することによって作ら
れる。
3−チオ置換メチル−2−セフェム生成物を後述のよう
に還元条件において処理して、3−メチル−2−セフェ
ム還元生成物を得る。
に還元条件において処理して、3−メチル−2−セフェ
ム還元生成物を得る。
その生成物を更に周知の方法によってデアセトキシセフ
ァロスポラン酸にJKE化する。
ァロスポラン酸にJKE化する。
セファロスポラン酸すなわち3−セフェムを2−セフェ
ムに異性化する工程は、周知の方法、たとえば、J、C
hem、Soc、(1966)1142;J、Org、
Chem、、 35 、2429 (1970)および
J、Am、Chem、Soc、、 85 、1896(
1963)に述べである方法によって行なわれる。
ムに異性化する工程は、周知の方法、たとえば、J、C
hem、Soc、(1966)1142;J、Org、
Chem、、 35 、2429 (1970)および
J、Am、Chem、Soc、、 85 、1896(
1963)に述べである方法によって行なわれる。
また3−アセトキシメチル−2−セフェム異性化生成物
の親核置換反応は、J 、Chem、Soc 。
の親核置換反応は、J 、Chem、Soc 。
(1965)5015、および米国特許第344680
3号;第3278531号;第3261832号;第3
239516号および第3243435号に述べである
方法によって行なわれる。
3号;第3278531号;第3261832号;第3
239516号および第3243435号に述べである
方法によって行なわれる。
本発明の方法によれば、下記の一般式Iに現わされる3
−チオ−置換 メチル−2−セフェム化合物は、 触媒水添条件で還元されて、下記の一般式で現わされる
化合物を生じる。
−チオ−置換 メチル−2−セフェム化合物は、 触媒水添条件で還元されて、下記の一般式で現わされる
化合物を生じる。
前記の式においてRはチェニルアセチル、R1は水素、
ベンジルまたはその塩、Zはベンゾイル、エトキシチオ
ノカルボニル、またはアミジノである。
ベンジルまたはその塩、Zはベンゾイル、エトキシチオ
ノカルボニル、またはアミジノである。
Zがアミジノを示す時、これによって現わされるインチ
オウロニウム塩または置換インチオウロニウム塩は、チ
オ尿素または置換チオ尿素を希望の7−アシルアミノ−
3−アセトキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸
(この場合R1は水素)と、米国特許第3278531
号の方法によって、下記の反応式によって反応させるこ
とによって作られる。
オウロニウム塩または置換インチオウロニウム塩は、チ
オ尿素または置換チオ尿素を希望の7−アシルアミノ−
3−アセトキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸
(この場合R1は水素)と、米国特許第3278531
号の方法によって、下記の反応式によって反応させるこ
とによって作られる。
(尚、式中、R2,R3,R4およびR6はいずれも水
素を示す) 1:1− 前記の反応において用いることのできるチオ尿素化合物
の例はチオ尿素、N、N’−ジフェニルチオ尿素、テト
ラメチルチオ尿素、n−ブチルチオ尿素、N 、 N’
−ジエチルチオ尿素、N 、 N’−ジーn−へキシル
チオ尿素、N、N’−ジエチルチオ尿素、N−(2−フ
ェニルエチル)チオ尿素、N−メチル−N’−n−ブチ
ルチオ尿素およびフェニルチオ尿素である。
素を示す) 1:1− 前記の反応において用いることのできるチオ尿素化合物
の例はチオ尿素、N、N’−ジフェニルチオ尿素、テト
ラメチルチオ尿素、n−ブチルチオ尿素、N 、 N’
−ジエチルチオ尿素、N 、 N’−ジーn−へキシル
チオ尿素、N、N’−ジエチルチオ尿素、N−(2−フ
ェニルエチル)チオ尿素、N−メチル−N’−n−ブチ
ルチオ尿素およびフェニルチオ尿素である。
本発明の工程の出発材料である3−チオー置換メチル−
2−セフェム化合物は周知の反応によつで作られる。
2−セフェム化合物は周知の反応によつで作られる。
式■の化合物を作るのには、まずセファロスポラン酸を
3−アセトキシメチル−2−セフェム化合物に異性化し
、そののちこの2−セフェム化合物をイオウ親核試薬で
親核移動反応によって、式Iの化合物をうる。
3−アセトキシメチル−2−セフェム化合物に異性化し
、そののちこの2−セフェム化合物をイオウ親核試薬で
親核移動反応によって、式Iの化合物をうる。
前記の異性化反応ならびに親核移動反応の方法ならびに
工程については、Webberなど、J 、Am、Ch
em、Soc 、 、 91 。
工程については、Webberなど、J 、Am、Ch
em、Soc 、 、 91 。
5674 (1969) ; MnrphyおよびKo
ehl er 。
ehl er 。
J、Org、Chem、35.2429(1970);
Cockerなど、 J、Chem、Soc、 (19
65)5015およびCockerなど、J 、Che
m、Soc。
Cockerなど、 J、Chem、Soc、 (19
65)5015およびCockerなど、J 、Che
m、Soc。
(1966)1142において述べられている。
式Iで現わされる3−チオ置゛換メチルー2−セフェム
化合物は本発明によれば次のようにして触媒水添条件で
還元される。
化合物は本発明によれば次のようにして触媒水添条件で
還元される。
化合物を不活性溶剤の中に溶かし、約大気圧と約17.
6に9/d(2501ds /平方インチ)との間の圧
力に保持された水素ガス中において、水添触媒の存在に
おいて水添する。
6に9/d(2501ds /平方インチ)との間の圧
力に保持された水素ガス中において、水添触媒の存在に
おいて水添する。
この反応は25℃またはその前後において行なうことが
できるが、約り0℃〜約55℃の温度で一層速い速度で
還元が生じる。
できるが、約り0℃〜約55℃の温度で一層速い速度で
還元が生じる。
この工程において用いることのできる溶剤は出発材料お
よび生成物と反応しない通常の水添溶剤であって、水添
条件において自らは還元されないものが好ましいこの種
の溶剤としては水;テトラヒドロフランジオキサン;メ
タノール、エタノールその他類似のもののごときアルコ
ール溶剤;酢酸エチル、プロピオン酸メチル、ブチル酸
メチル、酢酸イソアミル、酢酸アミルその他類似のエス
テルのごときエステル;アルコール類およびエーテル類
である。
よび生成物と反応しない通常の水添溶剤であって、水添
条件において自らは還元されないものが好ましいこの種
の溶剤としては水;テトラヒドロフランジオキサン;メ
タノール、エタノールその他類似のもののごときアルコ
ール溶剤;酢酸エチル、プロピオン酸メチル、ブチル酸
メチル、酢酸イソアミル、酢酸アミルその他類似のエス
テルのごときエステル;アルコール類およびエーテル類
である。
用いられる特定の溶剤は、使用される出発材料の形にあ
る程度依存している。
る程度依存している。
また本発明の工程においては溶剤混合物も用いることが
できる。
できる。
たとえば50%エタノール水溶液のごときアルコール水
溶液を用いることができる。
溶液を用いることができる。
本発明の工程の水添触媒としてラニーニッケルが好まし
い。
い。
ケイソウ上止のニッケルのごとき他の形のニッケル触媒
も用いることができるが、ラニーニッケルは収率が高く
、還元時間が少なくてすむ。
も用いることができるが、ラニーニッケルは収率が高く
、還元時間が少なくてすむ。
ラニーコバルトおよび炭素上のパラジウムのごとき他の
触媒を用いて作ることもできる。
触媒を用いて作ることもできる。
前述のように、水添反応は平方センナあたり約3.5〜
17.6kg(平方インチあたり約15〜250ポンド
)の水素圧のもとに行なわれる。
17.6kg(平方インチあたり約15〜250ポンド
)の水素圧のもとに行なわれる。
還元はこれより高い圧力でも生じるが、このように高い
圧力は必要でない。
圧力は必要でない。
触媒水添反応は標準的な水添装置、たとえばParr低
圧水添装置の中で行なうことができる。
圧水添装置の中で行なうことができる。
あるいはまた、開いた容器の中において、水添触質を懸
濁状で含む式Iの化合物の溶液の中に水素ガスを通すよ
うにして行なうこともできる。
濁状で含む式Iの化合物の溶液の中に水素ガスを通すよ
うにして行なうこともできる。
本発明の好ましい実施態様においては、テトラヒドロフ
ランと水の溶剤混合物中の3−エトキシチオノカルボニ
ルチオメチル−7−C2−(2’−チェニル)アセトア
ミドシー2−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩溶
液に対して、pHが8.8に調整されるまでトリエチル
アミンを滴下する。
ランと水の溶剤混合物中の3−エトキシチオノカルボニ
ルチオメチル−7−C2−(2’−チェニル)アセトア
ミドシー2−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩溶
液に対して、pHが8.8に調整されるまでトリエチル
アミンを滴下する。
次にこの溶液にラニーニッケルを加え、この混合物をP
arr低圧水添装置で、約3.2ky/d(45ポンド
/psi)の水素圧で水添する。
arr低圧水添装置で、約3.2ky/d(45ポンド
/psi)の水素圧で水添する。
この還元は室温で約18時間行なわされ。
触媒をろ過し、フィルタ上でテトラヒドロフランで洗っ
た。
た。
ろ液と洗浄液とを一緒にし、5%塩酸と酢酸エチルの混
合物に加えた。
合物に加えた。
有機層を分離し、水で洗って乾燥した。
乾燥された有機層を乾燥するまで真空蒸発して、主とし
て7−(2−(2−チェニル)アセトアミドシー2−セ
フェム−3−メチル−4−カルボン酸を含む結晶残留物
を得た。
て7−(2−(2−チェニル)アセトアミドシー2−セ
フェム−3−メチル−4−カルボン酸を含む結晶残留物
を得た。
テ ラニーニッケルと水素を用いて式■の化合物を還元
する場合、大抵の場合に主生成物として3−メチル−2
−セフェム還元生成物を生じる。
する場合、大抵の場合に主生成物として3−メチル−2
−セフェム還元生成物を生じる。
本発明の3−メチル−2−セフェム還元生成物は特徴的
な核電磁共鳴スペクトルを有する。
な核電磁共鳴スペクトルを有する。
p 本発明によって作られる3−メチル−2−セフェム
化合物は周知の方法によってデアセトキシセファロスポ
ラン酸(3−メチル−3−セフェム化合物)に転化する
ことができる。
化合物は周知の方法によってデアセトキシセファロスポ
ラン酸(3−メチル−3−セフェム化合物)に転化する
ことができる。
すなわち、3−メチル−2−セフェム化合物を有機過酸
化物好ましくはm−クロロベル安息香酸によって酸化し
、対応のスルホキシドを得る。
化物好ましくはm−クロロベル安息香酸によって酸化し
、対応のスルホキシドを得る。
周知のように、セファロスポリンスルホキシドの形成に
ともなって、二重結合はΔ2−からΔ3一位に異性化す
る。
ともなって、二重結合はΔ2−からΔ3一位に異性化す
る。
このようにして得られた3−メチル−3−セフェムスル
ホキシドを1968年、10月3日には、米国特願第7
64925号に述べである方法によって還元する。
ホキシドを1968年、10月3日には、米国特願第7
64925号に述べである方法によって還元する。
3−メチル−3−セフェム還元生成物即ちデアセトキシ
セファロスポラン酸は、動物および植物の病源菌の成長
を抑制する周知の抗生物質である。
セファロスポラン酸は、動物および植物の病源菌の成長
を抑制する周知の抗生物質である。
下記の一般反応式は本発明において用いられる方法なら
びに工程を示すもので、セファロスポラ・ン酸を中間生
成物を通してデアセトキシセファロスポラン酸に転化す
る本発明の方法ならびに工程の有効性を示している。
びに工程を示すもので、セファロスポラ・ン酸を中間生
成物を通してデアセトキシセファロスポラン酸に転化す
る本発明の方法ならびに工程の有効性を示している。
以下本発明を二、三の例によって説明する。
参考例
40m1の水の中に2゜2g(29ミIJモル)のチオ
尿素を溶かした溶液に、7.9g(19ミリモルの7−
1:2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セフェ
ム−3−アセトキシメチル−4−カルボン酸ナトリウム
塩を加えた。
尿素を溶かした溶液に、7.9g(19ミリモルの7−
1:2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セフェ
ム−3−アセトキシメチル−4−カルボン酸ナトリウム
塩を加えた。
この溶液のpHをIN水酸化ナトリウム添加によってp
H7に調整した。
H7に調整した。
そこでこの溶液を水浴中で18時間、60℃の温度に加
熱した。
熱した。
混合物を室温前後まで冷却し、生じた沈殿物をろ過し、
フィルター上で水で洗った。
フィルター上で水で洗った。
沈殿物を真空乾燥して、3.2gの3−アミジノチオメ
チル−7−〔2−(2−チェニル)アセトアミドクー2
−セフェム−4−カルボン酸、分子内塩を生じた。
チル−7−〔2−(2−チェニル)アセトアミドクー2
−セフェム−4−カルボン酸、分子内塩を生じた。
元素分析、C15H16N4 o4s3について計算;
理論値: C,43,68; H,3,91; N、
13.59実測値: C,43,48; H,3,9
4; N、 13.32前記生成物はり、M、S、0.
d6において下記の核電磁共鳴スペクトルを示した。
理論値: C,43,68; H,3,91; N、
13.59実測値: C,43,48; H,3,9
4; N、 13.32前記生成物はり、M、S、0.
d6において下記の核電磁共鳴スペクトルを示した。
また下記のデータはスペクトルにおいて観測されたトー
値である。
値である。
6.22 (s、 2H,側鎖メチレン);5.82
(m、2H−Csメチレン)、5.38 (S % I
H%C4H)、4.8 4.6 (m、 2H% C
aおよびC7−H) : 3.50 (s、 IH,C
2−H): 3.09−2、59 (rn、 3 H%
芳香族水素)および1.7(d。
(m、2H−Csメチレン)、5.38 (S % I
H%C4H)、4.8 4.6 (m、 2H% C
aおよびC7−H) : 3.50 (s、 IH,C
2−H): 3.09−2、59 (rn、 3 H%
芳香族水素)および1.7(d。
LH,アミド水素)。
例1
25m1のテトラヒドロフランと251nlの水の中に
950〜(2,4ミリモル)の3−アミジノチオメチル
7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セ
フェム−4−カルボン酸分子内塩を溶かした溶液に、5
gのラニーニッケルを加えた。
950〜(2,4ミリモル)の3−アミジノチオメチル
7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セ
フェム−4−カルボン酸分子内塩を溶かした溶液に、5
gのラニーニッケルを加えた。
この溶液をPaar低圧水添装置の中で、約3.2kg
/d(45psi)の水素圧で、室温で約12時間水添
した。
/d(45psi)の水素圧で、室温で約12時間水添
した。
触媒をろ過し、フィルタ上でテトラヒドロフランで洗っ
た。
た。
ろ液と洗浄溶剤を一緒にし、5%塩酸と酢酸エチルの混
合物に加えた。
合物に加えた。
有機層を分離し、水で洗い、そののち硫酸マグネシウム
上で乾燥した。
上で乾燥した。
乾燥した有機層を乾燥するまで真空蒸発させて、結晶残
留物を得た。
留物を得た。
還元生成物は薄層クロマトグラフィと核電磁共鳴スペク
トルによって、7−(2−(チェニル)アセトアミドク
ー2−セフェム−3−メチル−4−カルボン酸であるこ
とが示された。
トルによって、7−(2−(チェニル)アセトアミドク
ー2−セフェム−3−メチル−4−カルボン酸であるこ
とが示された。
例2
25m1のテトラヒドロフランと25m1の水の中に5
00yn9の7(2−(2−チェニル)アセトアミドロ
ー3−エトキシチオノカルボニルチオメチル−2−セフ
ェム−4−カルボン酸ナトリウム塩を溶かした溶液に、
pHが88となるまでトリエチルアミンを加えた。
00yn9の7(2−(2−チェニル)アセトアミドロ
ー3−エトキシチオノカルボニルチオメチル−2−セフ
ェム−4−カルボン酸ナトリウム塩を溶かした溶液に、
pHが88となるまでトリエチルアミンを加えた。
この溶液に5gのラニーニッケル触媒を加え、その混合
物をParr低圧水添装置の中で、15時間、約3.2
kg/d(45psi )の初期水素圧で水添した。
物をParr低圧水添装置の中で、15時間、約3.2
kg/d(45psi )の初期水素圧で水添した。
触媒をろ過し、テトラヒドロフランで洗った。
ろ液と洗浄液を結合し、5%塩酸と酢酸エチルの混合物
に加えた。
に加えた。
有機層を分離し、水で洗い、乾燥した。
乾燥した酢酸エチル溶液を乾燥するまで真空蒸発させ、
7−(2−(2−チェーし)アセトアミドシー3−メチ
ル−2−セフェム−4−カルボン酸を生じた。
7−(2−(2−チェーし)アセトアミドシー3−メチ
ル−2−セフェム−4−カルボン酸を生じた。
例3
前例に述べた還元法によって、ベンジル 3−ペンツイ
ルチオメチル−7−(2−(2−fエニル)アセトアミ
ドクー2−セフェム−4−カルボン酸塩を還元して、結
晶還元生成物、7−[2’−(2−チェニル)アセトア
ミド]−3−メチルー2−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンジルを生じた。
ルチオメチル−7−(2−(2−fエニル)アセトアミ
ドクー2−セフェム−4−カルボン酸塩を還元して、結
晶還元生成物、7−[2’−(2−チェニル)アセトア
ミド]−3−メチルー2−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンジルを生じた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記の一般式の化合物の製法であって不活性溶剤中
において、下記の一般式の3−チオ置換−メチル 2−
セフェム化合物を、 水添触媒の存在における水素と反応させる段階を含む方
法。 (前記の式において、Rはチェニルアセチル、R1は水
素、ベンジルまたはその塩、 Zはベンゾイル、エトキシチオノカルボニルまたはアミ
ジノである。 )
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20529171A | 1971-12-06 | 1971-12-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5726691A JPS5726691A (en) | 1982-02-12 |
| JPS5822158B2 true JPS5822158B2 (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=22761610
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12172672A Expired JPS5821635B2 (ja) | 1971-12-06 | 1972-12-06 | 3− メチル −3− セフエムコウセイブツシツノ セイホウ |
| JP7210481A Expired JPS5822158B2 (ja) | 1971-12-06 | 1981-05-13 | 3−メチル−3−セフエム抗生物質の製法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12172672A Expired JPS5821635B2 (ja) | 1971-12-06 | 1972-12-06 | 3− メチル −3− セフエムコウセイブツシツノ セイホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5821635B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102018418B1 (ko) | 2011-03-25 | 2019-09-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 |
-
1972
- 1972-12-06 JP JP12172672A patent/JPS5821635B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-05-13 JP JP7210481A patent/JPS5822158B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821635B2 (ja) | 1983-05-02 |
| JPS4885591A (ja) | 1973-11-13 |
| JPS5726691A (en) | 1982-02-12 |
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