JPS5821635B2 - 3− メチル −3− セフエムコウセイブツシツノ セイホウ - Google Patents
3− メチル −3− セフエムコウセイブツシツノ セイホウInfo
- Publication number
- JPS5821635B2 JPS5821635B2 JP12172672A JP12172672A JPS5821635B2 JP S5821635 B2 JPS5821635 B2 JP S5821635B2 JP 12172672 A JP12172672 A JP 12172672A JP 12172672 A JP12172672 A JP 12172672A JP S5821635 B2 JPS5821635 B2 JP S5821635B2
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- JP
- Japan
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- cephem
- mixture
- methyl
- product
- acid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般にデアセトキシセファロスポラン酸と呼
ばれている7−アシルアミノ−3−メチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸抗生物質の新規な製法に関するもの
である。
ばれている7−アシルアミノ−3−メチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸抗生物質の新規な製法に関するもの
である。
3−メチル−2−セフェム生成物と3−エキソメチレン
セファム生成物とを含む裂開生成物の混合物を3−メチ
ル−3−セフェム化合物、即ち、デアセトキシセファロ
スポラン酸またはエステルに異性化することができる。
セファム生成物とを含む裂開生成物の混合物を3−メチ
ル−3−セフェム化合物、即ち、デアセトキシセファロ
スポラン酸またはエステルに異性化することができる。
3−エキソメチレンセファム還元裂開生成物は、この生
成物を対応米国特願第 118941号(1971年2月25日付)に述べられ
た方法によって、ジメチルアセトアミドのごとき、非プ
ロトン溶剤の存在において、トリエチルアミンのごとき
第3アミンと混合することによって3−セフェム抗生物
質に異性化することができる。
成物を対応米国特願第 118941号(1971年2月25日付)に述べられ
た方法によって、ジメチルアセトアミドのごとき、非プ
ロトン溶剤の存在において、トリエチルアミンのごとき
第3アミンと混合することによって3−セフェム抗生物
質に異性化することができる。
本発明の方法によって得られた7−アシルアミノ−3−
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸は、デアセトキ
シセファロスポラン酸クラスの周知の抗生物質である。
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸は、デアセトキ
シセファロスポラン酸クラスの周知の抗生物質である。
セファロスポラン酸すなわち3−セフェムを2−セフェ
ムに異性化する工程は、周知の方法、たとえば、J、C
hem、Soc、(1966)1142;J、 Org
、 Chemo、35,2429(1970)およびJ
、 Am、 Chem、5oc0.85.1896(1
963)に述べである方法によって行なわれる。
ムに異性化する工程は、周知の方法、たとえば、J、C
hem、Soc、(1966)1142;J、 Org
、 Chemo、35,2429(1970)およびJ
、 Am、 Chem、5oc0.85.1896(1
963)に述べである方法によって行なわれる。
また3−アセトキシメチル−2−セフェム異性化生成物
の親核置換反応は、J、 Chem、Soc。
の親核置換反応は、J、 Chem、Soc。
(1965)5015、および米国特許第344680
3号;第3278531号;第3261832号;第3
239516号および第3243435号に述べである
方法によって行なわれる。
3号;第3278531号;第3261832号;第3
239516号および第3243435号に述べである
方法によって行なわれる。
本発明の方法によれば、下記の一般式Iに現わされる3
−チオ−置換 メチル−2−セフェム化合物は、 化学的還元条件のもとにギ酸およびジメチルホルムアミ
ドの存在において金属亜鉛によって還元されて、下記の
一般式において基Yが異なる化合物群の混合物を生じる
。
−チオ−置換 メチル−2−セフェム化合物は、 化学的還元条件のもとにギ酸およびジメチルホルムアミ
ドの存在において金属亜鉛によって還元されて、下記の
一般式において基Yが異なる化合物群の混合物を生じる
。
前記の式において
Yは
または
であり、
R1は水素、ベンジルまたはその塩類、
Zはベンゾイルまたはアミジノである。
前記の式におけるYが
である時、
7−アシルアミノ−3−メチル−2−セフェム−4−カ
ルボン酸とそのエステルは下記の式■によって現わされ
る。
ルボン酸とそのエステルは下記の式■によって現わされ
る。
同様にYが
である場合7−アシルア
ミノ−3−メチレンセファム−4−カルボン酸およびそ
のエステルは下記の式■によって現わされる。
のエステルは下記の式■によって現わされる。
本発明の工程の出発材料である3−チオー置換メチル−
2−セフェム化合物は周知の反応によって作られる。
2−セフェム化合物は周知の反応によって作られる。
式Iの化合物を作るのにLL まずセファロスポラン酸
を3−アセトキシメチル−2−セフェム化合物ニ異性化
し、そののちこの2−セフェム化合物をイオウ親核試薬
で親核移動反応によって、式lの化合物をうる。
を3−アセトキシメチル−2−セフェム化合物ニ異性化
し、そののちこの2−セフェム化合物をイオウ親核試薬
で親核移動反応によって、式lの化合物をうる。
前記の異性化反応ならびに親核移動反応の方法ならびに
工程については、Webberなど、J、 Am、 C
hem、 Soc、、月、5674(1969);Mn
r4およびKoehlerlJ、 Org、 Chem
、 3512429(1970):Codcerなど、
J、 Chem、 Soc。
工程については、Webberなど、J、 Am、 C
hem、 Soc、、月、5674(1969);Mn
r4およびKoehlerlJ、 Org、 Chem
、 3512429(1970):Codcerなど、
J、 Chem、 Soc。
(1965)5015およびCockerなど、J。
Chem、Soc、(1966)1142において述べ
られている。
られている。
本発明の還元工程の実施態様としては、式Iの化合物を
化学的に還元して、式■と■の化合物を生じる。
化学的に還元して、式■と■の化合物を生じる。
この工程の化学還元条件は次のごとくである。
式Iの3−チオ置換メチル−2−セフエム化合物を適当
な溶剤の中に溶かし、細分された亜鉛ダストをこの溶液
に加える。
な溶剤の中に溶かし、細分された亜鉛ダストをこの溶液
に加える。
次にこの溶液にジメチルホルムアミドを加えつづいてギ
酸を加える。
酸を加える。
この還元混合物を約θ℃〜約60℃の温度で、約6時間
〜18時間かきまぜる。
〜18時間かきまぜる。
化学還元において用いることのできる溶剤は、水、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、その他エーテル、たとえ
ばエチレングリコールのジメチルエーテルである。
ラヒドロフラン、ジオキサン、その他エーテル、たとえ
ばエチレングリコールのジメチルエーテルである。
水とエーテル溶剤の混合物も用いることができる。
一般に、出発原料が還元温度において少なくとも部分的
に可溶でありまた還元混合物の成分と反応しない任意の
溶剤を用いることができる。
に可溶でありまた還元混合物の成分と反応しない任意の
溶剤を用いることができる。
前記の溶剤はこの工程において用いることのできる溶剤
の一例である。
の一例である。
一般に、亜鉛ダストは余分に用いられ、好ましくは化合
物?あたり約1.5〜3グの亜鉛ダストを用いるのが望
ましい。
物?あたり約1.5〜3グの亜鉛ダストを用いるのが望
ましい。
これより多量の亜鉛ダストを用いることもできるが、通
常不必要である。
常不必要である。
またこれより少ない亜鉛ダストは還元時間が長くなり、
二、三の場合には生成物の収率が低くなるけれども、こ
のような少ない量でも還元生成物をうろことができる。
二、三の場合には生成物の収率が低くなるけれども、こ
のような少ない量でも還元生成物をうろことができる。
また用いられるギ酸の量は、亜鉛と反応して希望の還元
触媒を生じることができる量でありさえすれば問題ない
。
触媒を生じることができる量でありさえすれば問題ない
。
式Iの化合物の化学的還元はジメチルホルムアミドの存
在において行なわれる。
在において行なわれる。
ジメチルホルムアミド(DMF)の量は、使用される亜
鉛ダスト量の約lθ%重量に少な(とも等しい量であり
さえすれば問題ない。
鉛ダスト量の約lθ%重量に少な(とも等しい量であり
さえすれば問題ない。
しかしながら、一般にこれより多量のDMFを用いるこ
とが望ましく、一般にDMFとギ酸をほぼ同量用いるの
がよい。
とが望ましく、一般にDMFとギ酸をほぼ同量用いるの
がよい。
本発明の工程の更に他の実施態様においては、3−アミ
ジノチオメチル−7−(2−(2−チェニル)アセトア
ミドシー2−セフェム−4−カルボン酸の分子内塩を、
テトラヒドロフラン、ギ酸、ジメチルホルムアミドおよ
び水の溶剤混合物の中に溶かした。
ジノチオメチル−7−(2−(2−チェニル)アセトア
ミドシー2−セフェム−4−カルボン酸の分子内塩を、
テトラヒドロフラン、ギ酸、ジメチルホルムアミドおよ
び水の溶剤混合物の中に溶かした。
この溶液に対して亜鉛ダストを加え、この混合物を1晩
室温で攪拌した。
室温で攪拌した。
通常の処理によって、それぞれ式■とIII(Rは2−
(2−チェニル)アセトアミド、R1は水素)によって
現わされる対応の3−メチル−2−セフェム化合物と3
−エキソメチレンセファム化合物との約3:2重量比の
混合物を含む結晶混合物を回収した。
(2−チェニル)アセトアミド、R1は水素)によって
現わされる対応の3−メチル−2−セフェム化合物と3
−エキソメチレンセファム化合物との約3:2重量比の
混合物を含む結晶混合物を回収した。
本発明の還元工程がギ酸とジメチルホルムアミドの存在
において亜鉛によって行なわれる時、3−メチル−2−
セフェム化合物が3−エキソメチレンセファム化合物と
共に生じる。
において亜鉛によって行なわれる時、3−メチル−2−
セフェム化合物が3−エキソメチレンセファム化合物と
共に生じる。
多くの場合、還元生成物の主たるものは3−メチル−2
−セフェム化合物である。
−セフェム化合物である。
前記の2種の異性体を含む反応生成物混合物は結晶混合
物として得られる。
物として得られる。
各生成物を分離し、分別再晶出によって、または混合物
をシリカ上でクロマトグラフィすることによってそれぞ
れ精製する。
をシリカ上でクロマトグラフィすることによってそれぞ
れ精製する。
3−エキソメチレンセファム還元生成物は、1971年
、2月25日付、対応米国特願第118941号に述べ
られた方法によって、デアセトキシセファロスポラン酸
に異性化することができる。
、2月25日付、対応米国特願第118941号に述べ
られた方法によって、デアセトキシセファロスポラン酸
に異性化することができる。
この方法によれば、少なくともp K’a9.5のpK
’a 値を有する第3アミン、好ましくはトリエチルア
ミンを含む高度に有極状の非プロトン溶剤好ましくはジ
メチルアセトアミドの中に3−エキソメチレンセファム
生成物を溶解しまたは懸濁させ、この異性化混合物を約
18時間攪拌する。
’a 値を有する第3アミン、好ましくはトリエチルア
ミンを含む高度に有極状の非プロトン溶剤好ましくはジ
メチルアセトアミドの中に3−エキソメチレンセファム
生成物を溶解しまたは懸濁させ、この異性化混合物を約
18時間攪拌する。
この混合物を水の中にそそぎ込み、この混合物に対して
水不混和性有機溶剤たとえば酢酸エチルを加える。
水不混和性有機溶剤たとえば酢酸エチルを加える。
更にこの混合物を約pH2まで酸性化し、異性化生成物
を含む酢酸エチル層を分離して乾燥する。
を含む酢酸エチル層を分離して乾燥する。
抽出物を蒸発させると異性化生成物、3−メチルセフェ
ム化合物を生じる。
ム化合物を生じる。
本発明の3−メチル−2−セフェム還元生成物は特徴的
な核電磁共鳴スペクトルを有する。
な核電磁共鳴スペクトルを有する。
本発明によって作られる3−メチル−2−セフェム化合
物は周知の方法によってデアセトキシセファロスポラン
酸(3−メチル−3−セフェム化合物)に転化すること
ができる。
物は周知の方法によってデアセトキシセファロスポラン
酸(3−メチル−3−セフェム化合物)に転化すること
ができる。
すなわち、3−メチル−2−セフェム化合物を有機過酸
化物好ましく はm−クロロベル安息香酸によって酸化
し、対応のスルホキシドを生じる。
化物好ましく はm−クロロベル安息香酸によって酸化
し、対応のスルホキシドを生じる。
周知のように、セファロスポリンスルホキシドの形成に
ともなって、二重結合はΔ2−からΔ3一位に異性化す
る。
ともなって、二重結合はΔ2−からΔ3一位に異性化す
る。
このようにして得られた3−メチル−3−セフェムスル
ホキシドを1968年、10月3日付、米国特願第76
4925号に述べである方法によって還元する。
ホキシドを1968年、10月3日付、米国特願第76
4925号に述べである方法によって還元する。
3−メチル−3−セフェム還元生成物、デアセトキシセ
ファロスポラン酸は、動物および植物の病源菌の成長を
抑制する周知の抗生物質である。
ファロスポラン酸は、動物および植物の病源菌の成長を
抑制する周知の抗生物質である。
下記の一般反応式は本発明において用いられる方法なら
びに工程を示すもので、セファロスポラン酸を中間生成
物を通してデアセトキシセファロスポラン酸に転化する
本発明の方法ならびに工程の有効性を示している。
びに工程を示すもので、セファロスポラン酸を中間生成
物を通してデアセトキシセファロスポラン酸に転化する
本発明の方法ならびに工程の有効性を示している。
以下本発明を二、三の例によって説明する。
参考例
40m1の水の中に2.2f?(29ミリモル)のチオ
尿素を溶かした溶液に、7.9f(19ミ!Jモル)の
7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セフ
ェム−3−アセトキシメチル−4−カルボン酸ナトリウ
ム塩を加えた。
尿素を溶かした溶液に、7.9f(19ミ!Jモル)の
7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2−セフ
ェム−3−アセトキシメチル−4−カルボン酸ナトリウ
ム塩を加えた。
この溶液のpHをIN水酸化ナトリウム添加によってp
H7に調整した。
H7に調整した。
そこでこの溶液を水浴中で18時間、60℃の温度に加
熱した。
熱した。
混合物を室温前後まで冷却し、生じた沈殿物をろ過し、
フィルター上で水で洗った。
フィルター上で水で洗った。
沈殿物を真空乾燥して、3.21の3−アミジノチオメ
チル−7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2
−セフェム−4−カルボン酸、分子内塩を生じた。
チル−7−(2−(2−チェニル)アセトアミドクー2
−セフェム−4−カルボン酸、分子内塩を生じた。
元素分析、C15Hl6 N404S3について計算:
理舗訂直:C,43,68;Hl 3.9 1 ;N
、13.59 実測値:C,43,48;H,3,94;N、、13.
32 前記生成物はり、M、S、O,d6において下記の核電
磁共鳴スペクトルを示した。
理舗訂直:C,43,68;Hl 3.9 1 ;N
、13.59 実測値:C,43,48;H,3,94;N、、13.
32 前記生成物はり、M、S、O,d6において下記の核電
磁共鳴スペクトルを示した。
また下記のデータはスペクトルにおいて観測されたトー
値である。
値である。
6.22 (s、 2H,側鎖メチレン); 5.8
2(m12H,C3メチレン)、5.38(s、IH1
C4H)、4.8−4.6 (m、2H,C6およびC
7−H) : 3.50 (s、I H,C2−H)
; 3.09−2.59(m、3H1芳香族水素)およ
び1.7(d、IH、アミド水素)。
2(m12H,C3メチレン)、5.38(s、IH1
C4H)、4.8−4.6 (m、2H,C6およびC
7−H) : 3.50 (s、I H,C2−H)
; 3.09−2.59(m、3H1芳香族水素)およ
び1.7(d、IH、アミド水素)。
例1
55m1のテトラヒドロフランと、15rIllの水と
、15m1のギ酸と、15m1のDMFとの溶剤混合物
の中に、1yの3−アミジノチオメチル−7−(2−(
2−チェニル)アセトアミドクー2−セフェム−4−カ
ルボン酸、分子内塩を溶かした。
、15m1のギ酸と、15m1のDMFとの溶剤混合物
の中に、1yの3−アミジノチオメチル−7−(2−(
2−チェニル)アセトアミドクー2−セフェム−4−カ
ルボン酸、分子内塩を溶かした。
前記の溶液に対して、1.45’の亜鉛ダストを加え、
この反応混合物を1晩、室温でかきまぜた。
この反応混合物を1晩、室温でかきまぜた。
混合物をろ過して、不溶分を除き、ろ液を真空濃縮し。
た。
残留物を水で薄め、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル
抽出物を5%塩酸で洗い、次に水で洗い、次に乾燥した
。
抽出物を5%塩酸で洗い、次に水で洗い、次に乾燥した
。
乾燥した抽出物を乾燥するまで蒸発させ、還元生成物混
合物を無定形残留物としテ生じた。
合物を無定形残留物としテ生じた。
残留物を酢酸エチルから晶出させて、結晶混合物を生じ
た。
た。
これは薄層クロマトグラムならびに核電磁共鳴スペクト
ルによって70%の7−(2−(2−チェニル)アセト
アミド〕−3−メチルー2−セフェム−4−カルボン酸
と、30%の3−メチレン−7−(2−(2−チェニル
)アセトアミドクセファム−4−カルボン酸とを含むこ
とがわかった。
ルによって70%の7−(2−(2−チェニル)アセト
アミド〕−3−メチルー2−セフェム−4−カルボン酸
と、30%の3−メチレン−7−(2−(2−チェニル
)アセトアミドクセファム−4−カルボン酸とを含むこ
とがわかった。
例2
x5mlのテトラヒドロフランと、15m1のジメチル
ホルムアミドと、15m1のギ酸(90%)と、15r
rLlの水との混合物の中に500〜の7−〔2−(2
−チェニル)アセトアミドシー3−ベンゾイルチオメチ
ル−2−セフェム−4−カルボン酸ベンジルを溶かした
溶液に、700rvの亜鉛ダストを加えた。
ホルムアミドと、15m1のギ酸(90%)と、15r
rLlの水との混合物の中に500〜の7−〔2−(2
−チェニル)アセトアミドシー3−ベンゾイルチオメチ
ル−2−セフェム−4−カルボン酸ベンジルを溶かした
溶液に、700rvの亜鉛ダストを加えた。
この反応混合物を室温で18時間かきまぜた。
更に例1に述べた方法によって処理を行ない、反応生成
物を分離し、結晶混合物を得た。
物を分離し、結晶混合物を得た。
これはNMRスペクトルによれば、7−(2−(2−チ
ェニル)アセトアミドシー3−メチル−2−セフェム−
4−カルボン酸ベンジルと、7−(2−(2−チェニル
)アセトアミドシー3−メチレンセファム−4−カルボ
ン酸ベンジルとの30%/70%の重量比の混合物であ
った。
ェニル)アセトアミドシー3−メチル−2−セフェム−
4−カルボン酸ベンジルと、7−(2−(2−チェニル
)アセトアミドシー3−メチレンセファム−4−カルボ
ン酸ベンジルとの30%/70%の重量比の混合物であ
った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記の一般式において基Yが異なる化合物群の混合
物の製法であって 不活性溶剤中において、下記の一般式の3−チオ置換−
メチル 2−セフェム化合物を、 ゛ギ酸および
ジメチルホルムアミドの存在における金属亜鉛還元剤と
反応させる段階を含む方法。 (前記の式において、 Yは または Rはチェニルアセチル、 R1は水素、ベンジルまたはその塩類、 Zはベンゾイルまたはアミジノである。 )。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US20529171A | 1971-12-06 | 1971-12-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS4885591A JPS4885591A (ja) | 1973-11-13 |
JPS5821635B2 true JPS5821635B2 (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=22761610
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12172672A Expired JPS5821635B2 (ja) | 1971-12-06 | 1972-12-06 | 3− メチル −3− セフエムコウセイブツシツノ セイホウ |
JP7210481A Expired JPS5822158B2 (ja) | 1971-12-06 | 1981-05-13 | 3−メチル−3−セフエム抗生物質の製法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7210481A Expired JPS5822158B2 (ja) | 1971-12-06 | 1981-05-13 | 3−メチル−3−セフエム抗生物質の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS5821635B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10879482B2 (en) | 2011-03-25 | 2020-12-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
-
1972
- 1972-12-06 JP JP12172672A patent/JPS5821635B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-05-13 JP JP7210481A patent/JPS5822158B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10879482B2 (en) | 2011-03-25 | 2020-12-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5726691A (en) | 1982-02-12 |
JPS4885591A (ja) | 1973-11-13 |
JPS5822158B2 (ja) | 1983-05-06 |
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