JPS5822110B2 - ベンズアミド誘導体の合成法 - Google Patents
ベンズアミド誘導体の合成法Info
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- JPS5822110B2 JPS5822110B2 JP52094884A JP9488477A JPS5822110B2 JP S5822110 B2 JPS5822110 B2 JP S5822110B2 JP 52094884 A JP52094884 A JP 52094884A JP 9488477 A JP9488477 A JP 9488477A JP S5822110 B2 JPS5822110 B2 JP S5822110B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
〔式中、Ｒ１は低級アルキル基：Ｒ２およびＲ５は水素
または低級アルキル基：Ｒ３は水素、低級アルキル基ま
たはハロゲン：Ｒ４はアミノ基、ニトロ基６ または １ なる基；Ｒ６は水素、低級−Ｎ
−８Ｏ２−Ｒ７ アルキル基または低級アルカンスルホニル基；Ｒ７は低
級アルキル基、アミ７基、低級アルキルアミ７基または
ジ（低級）アルキルアミノ基；Ｚは低級アルキル基、低
級アルケニル基、フェニル（低級）アルキル基、低級ア
ルコキシ（低級）アルキル基、ヒドロキシ（低級）７′
″ルキル基またはジ（低級）アルキルアミノ（低級）ア
ルキル基をそれぞれ表わす。
または低級アルキル基：Ｒ３は水素、低級アルキル基ま
たはハロゲン：Ｒ４はアミノ基、ニトロ基６ または １ なる基；Ｒ６は水素、低級−Ｎ
−８Ｏ２−Ｒ７ アルキル基または低級アルカンスルホニル基；Ｒ７は低
級アルキル基、アミ７基、低級アルキルアミ７基または
ジ（低級）アルキルアミノ基；Ｚは低級アルキル基、低
級アルケニル基、フェニル（低級）アルキル基、低級ア
ルコキシ（低級）アルキル基、ヒドロキシ（低級）７′
″ルキル基またはジ（低級）アルキルアミノ（低級）ア
ルキル基をそれぞれ表わす。
〕で示されるベンズアミド誘導体の合成法に関する。
上記目的物質（ＩＪは、医薬とりわけ抗消化型潰瘍剤ま
たは向精神薬として有用である〔特開昭５３−９２７６
３号公報〕。
たは向精神薬として有用である〔特開昭５３−９２７６
３号公報〕。
本発明目的物質内の合成法を次の図式で示す。
〔式中、Ａ 、 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ’ 、 Ｒ５＋
Ｘ 、 ＹおよびＺはそれぞれ前記と同意義を有する
。
Ｘ 、 ＹおよびＺはそれぞれ前記と同意義を有する
。
〕上記の定義について以下に説明を追加する：低級アル
キル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イ゛ノプ
口ピル、ブチル、ペンチル）、低級アルケニル基（例え
ば、プロペニル、ブテニル、ペンテニル）、フェニル（
１）アルキル基（例えハ、ベンジル、フェネチル、フェ
ニルプロピル）低級アルコキシ低級アルキル基（例えば
、メトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、
エトキシプロピル、プロポキシブチル）、ヒドロキシ低
級アルキル基（例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒド
ロキシペンチル）、低級アルキルアミノ基（例えば、メ
チルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミン、ブチルア
ミノ、ペンチケレアミノ）、ジ（低級）アルキルアミノ
基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、メチル
エチルアミン、ジプロピルアミン、メチルプロピルアミ
ノ、エチルプロピルアミノ、ジプチルアミノ、プロピル
ペンチルアミノ）、ジ（低級）アルキルアミノ（低級）
アルキル基（例えば、ジメチルアミノエチル、ジエチル
アミノプロピル、メチルエチルアミノブチル、ジプロピ
ルアミノブチル）、ハロゲ゛ン（例えば、塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素）、。
キル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イ゛ノプ
口ピル、ブチル、ペンチル）、低級アルケニル基（例え
ば、プロペニル、ブテニル、ペンテニル）、フェニル（
１）アルキル基（例えハ、ベンジル、フェネチル、フェ
ニルプロピル）低級アルコキシ低級アルキル基（例えば
、メトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、
エトキシプロピル、プロポキシブチル）、ヒドロキシ低
級アルキル基（例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒド
ロキシペンチル）、低級アルキルアミノ基（例えば、メ
チルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミン、ブチルア
ミノ、ペンチケレアミノ）、ジ（低級）アルキルアミノ
基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、メチル
エチルアミン、ジプロピルアミン、メチルプロピルアミ
ノ、エチルプロピルアミノ、ジプチルアミノ、プロピル
ペンチルアミノ）、ジ（低級）アルキルアミノ（低級）
アルキル基（例えば、ジメチルアミノエチル、ジエチル
アミノプロピル、メチルエチルアミノブチル、ジプロピ
ルアミノブチル）、ハロゲ゛ン（例えば、塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素）、。
低級アルカンスルホニル基（例えば、メタンスルホニル
、エタンスルホニル、フロパンスルホニル、ブタンスル
ホニル、）、反応性基（例えば、ハロゲン、低級アルコ
キシ、フェノキシ、トシルオキシ）。
、エタンスルホニル、フロパンスルホニル、ブタンスル
ホニル、）、反応性基（例えば、ハロゲン、低級アルコ
キシ、フェノキシ、トシルオキシ）。
以下に目的物質用の製造工法を詳細に説明する。
。ルートＡ
第１工程
本工法は原料物質（ｎ）にテトラヒドロフルフリルアミ
ンを縮合させてテトラヒドロフルフリルアミド体（ＩＩ
Ｉ）を生成させる。
ンを縮合させてテトラヒドロフルフリルアミド体（ＩＩ
Ｉ）を生成させる。
原料カルボン酸にジシク。ロヘキシルカルボジイミドな
どの縮合剤の存在下に適当な溶媒（例えば、塩化メチレ
ン、ピリジン）中テトラヒドロフルフリルアミンを反応
させてもよいが、原料カルボン酸に塩化チオニルなどの
ハロゲン化剤を反応させて酸ハロゲニドにするかエステ
ル化してエステル体に導くなど一旦反応性誘導体として
本反応に付せばよい。
どの縮合剤の存在下に適当な溶媒（例えば、塩化メチレ
ン、ピリジン）中テトラヒドロフルフリルアミンを反応
させてもよいが、原料カルボン酸に塩化チオニルなどの
ハロゲン化剤を反応させて酸ハロゲニドにするかエステ
ル化してエステル体に導くなど一旦反応性誘導体として
本反応に付せばよい。
本反応は常法により溶媒（例えば、ベンゼン、トルエン
、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロ
フラン）中室部下または加熱下に実施される。
、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロ
フラン）中室部下または加熱下に実施される。
ここで得られたテトラヒドロフルフリル体（ＩＩＩ）に
ついて、必要により、ベンゼン環上のニトロ基のアミン
基への還元、アミン基の低級アルカンスルホンアミド化
、ジ（低級）アルカンスルホンアミド化など修飾工程を
附加してもよい。
ついて、必要により、ベンゼン環上のニトロ基のアミン
基への還元、アミン基の低級アルカンスルホンアミド化
、ジ（低級）アルカンスルホンアミド化など修飾工程を
附加してもよい。
第２工程
上記第１工程で得られたテトラヒドロフルフリルアミド
体（ＩＩＩ）に塩化チオニルなどのハロゲン化剤を反応
させるとジハロゲン体（ＩＶ）が得られる。
体（ＩＩＩ）に塩化チオニルなどのハロゲン化剤を反応
させるとジハロゲン体（ＩＶ）が得られる。
本反応はハロゲン化の常法によって実施すればよく、一
般には適当な不活性溶媒（例えば、クロロホルム、ベン
ゼン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、四塩化
炭素）中溶媒の沸点程度に加熱して実施すればよい。
般には適当な不活性溶媒（例えば、クロロホルム、ベン
ゼン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、四塩化
炭素）中溶媒の沸点程度に加熱して実施すればよい。
第３工程
上記第２工程で得られるジハロゲン体（ＩＶ）にアミン
（ＶＪを反応させると目的物質用が得られる。
（ＶＪを反応させると目的物質用が得られる。
アミン（Ｖ）としては、メチルアミン、エチルアミン、
プロピルアミヘプチルアミン、アリルアミン、ブテニル
アミン、ベンジルアミン、２−エトキシエチルアミン、
２−ヒドロキシエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチルエチレ
ンジアミンなどが例示される。
プロピルアミヘプチルアミン、アリルアミン、ブテニル
アミン、ベンジルアミン、２−エトキシエチルアミン、
２−ヒドロキシエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチルエチレ
ンジアミンなどが例示される。
本反応は適当な溶媒（例えば、水、エタノール、塩化メ
チレン）の存在下または不存在下に室温下または加熱下
に常法により実施すればよい。
チレン）の存在下または不存在下に室温下または加熱下
に常法により実施すればよい。
目的物質用に、必要により、Ｒ４が水素の場合ベンゼン
環へのニトロ基の導入、アミノ基への還元、アミノ基の
低級アルカンスルホンアミド化、ジ（低級）アルカンス
ルホンアミド化などの化学修飾を附加してもよい。
環へのニトロ基の導入、アミノ基への還元、アミノ基の
低級アルカンスルホンアミド化、ジ（低級）アルカンス
ルホンアミド化などの化学修飾を附加してもよい。
ルートＢ
第１工程
前記ルートＡ第２工程で得られるジハロゲン体（ＩＶＩ
を加水分解するとアルコール（ＶＩＩが得られる。
を加水分解するとアルコール（ＶＩＩが得られる。
本反応は常法により適当な含水溶媒（例えば、含水メタ
ノール、含水エタノール、含水テトラヒドロフラン）中
酸性または塩基性物質（例えば、塩化アンモニウム、酢
酸ナトリウム、炭酸水素カリウム）と室温下または加熱
下に反応させて実施すればよい。
ノール、含水エタノール、含水テトラヒドロフラン）中
酸性または塩基性物質（例えば、塩化アンモニウム、酢
酸ナトリウム、炭酸水素カリウム）と室温下または加熱
下に反応させて実施すればよい。
第２工程
上記第１工程で得られるアルコール（ＶＩＩを酸化する
とケトン体（■）が得られる。
とケトン体（■）が得られる。
本反応はヒドロキシ基をカルボニル基に変換するための
酸化の常法により実施すればよく、一般には三酸化クロ
ム、重りロラ酸、二酸化マンガン、二酸化セレンなどの
酸化剤を使用すればよい。
酸化の常法により実施すればよく、一般には三酸化クロ
ム、重りロラ酸、二酸化マンガン、二酸化セレンなどの
酸化剤を使用すればよい。
例えば、三酸化クロムを使用するときには、常法（こよ
り酢酸もしくは硫酸／アセトンの糸として使用すればよ
い。
り酢酸もしくは硫酸／アセトンの糸として使用すればよ
い。
本反応は室温下または冷却もしくは加熱下に実施すれば
よい。
よい。
第３工程
上記第２工程で得られるケトン系（■）にアミン類（■
を反応させて不飽和化合物（■）を生成させる反応は、
前記ルートＡ第３工程に準じて実施すればよい。
を反応させて不飽和化合物（■）を生成させる反応は、
前記ルートＡ第３工程に準じて実施すればよい。
すなわち、本反応は適当な溶媒（例えば、水、エタノー
ル、塩化メチレン）の存在下または不存在下に室温下ま
たは加熱下に常法により実施される。
ル、塩化メチレン）の存在下または不存在下に室温下ま
たは加熱下に常法により実施される。
第４工程
上記第３工程で得られる不飽和化合物（■）を水素化す
ると目的物質用が生成する。
ると目的物質用が生成する。
本反応は二重結合を水素化する常法により、適当な溶媒
（例えば、メタノール、エタノール、エーテル、酢酸）
中金属触媒（例えば、鉄、コバルト、パラジウム、ニッ
ケル、白金）の存在下に常温常圧下に実施すればよい。
（例えば、メタノール、エタノール、エーテル、酢酸）
中金属触媒（例えば、鉄、コバルト、パラジウム、ニッ
ケル、白金）の存在下に常温常圧下に実施すればよい。
以下に本発明方法の実施例を示す。
実施例 １
（１） ２−メトキシ−４−メチル−５−メタンスル
ホンアミド安息香酸２０ｇおよび塩化チオニル２０ｍ１
からなる混合液を２．５時間還流し、反応液から塩化チ
オニルを減圧留去する。
ホンアミド安息香酸２０ｇおよび塩化チオニル２０ｍ１
からなる混合液を２．５時間還流し、反応液から塩化チ
オニルを減圧留去する。
残渣に乾燥ベンゼン１０ｄ、トリエチルアミン１，５ｇ
を加え、さらにテトラヒドロフルフリルアミン８７０ｒ
Ｉ１９および乾燥ベンゼン２ｒｕｌからなる混合液を水
冷攪拌下に加え、室温下に１５分間攪拌する。
を加え、さらにテトラヒドロフルフリルアミン８７０ｒ
Ｉ１９および乾燥ベンゼン２ｒｕｌからなる混合液を水
冷攪拌下に加え、室温下に１５分間攪拌する。
反応液を炭酸水素ナトリウムアルカリ性とし、塩化メチ
レンにて抽出する。
レンにて抽出する。
有機層を水洗し、芒硝で乾燥し、塩化メチレンを留去す
る。
る。
残渣を酢酸エチル／イソプロピルエーテルで洗浄し、融
点２０７〜２０８．５℃の結晶としてＮ−テトラヒドロ
フルフリル−２−メトキシ−４−メチル−５−メタンス
ルホンアミドベンズアミド２．２１ｇを得る。
点２０７〜２０８．５℃の結晶としてＮ−テトラヒドロ
フルフリル−２−メトキシ−４−メチル−５−メタンス
ルホンアミドベンズアミド２．２１ｇを得る。
（２）上記生成物１．５ｇ、塩化チオニル９ｍｌおよび
クロロホ・レム３０ｍ１からなる溶液を４時間還流する
。
クロロホ・レム３０ｍ１からなる溶液を４時間還流する
。
反応液は氷水中Ｏこあけ、塩化メチレンで抽出し、有機
層を炭酸水素ナトリウム溶液、次いで水で洗浄し、芒硝
で乾燥する。
層を炭酸水素ナトリウム溶液、次いで水で洗浄し、芒硝
で乾燥する。
残渣を塩化メチレンに溶媒してシリカゲルクロマトグラ
フィーに付し、１％メタノール／塩化メチレンにて溶出
する。
フィーに付し、１％メタノール／塩化メチレンにて溶出
する。
溶出液から溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル／エーテル
で洗浄し、融点１３２〜１３２．５℃の結晶としてＮ−
（２，５−ジクロルペンチル）−２−メトキシ−４−メ
チル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド１３０ｇ
を得る。
で洗浄し、融点１３２〜１３２．５℃の結晶としてＮ−
（２，５−ジクロルペンチル）−２−メトキシ−４−メ
チル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド１３０ｇ
を得る。
（３）上記生成物１００ｍｇおよび７０％エチルアミン
からなる溶液を６０℃ζこて２．５時間加温する。
からなる溶液を６０℃ζこて２．５時間加温する。
冷却後、反応液に炭素水素ナトリウム溶液を加え、塩化
ナトリ・クムにて塩析し、塩化メチレンで抽出する。
ナトリ・クムにて塩析し、塩化メチレンで抽出する。
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、芒硝で乾燥し、溶
媒を留去する。
媒を留去する。
残渣をアルミナカラムクロマトグラフィーに付し、１％
メタノール／塩化メチレンにて溶出させる。
メタノール／塩化メチレンにて溶出させる。
溶出液から溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル／イソプロ
ピルエーテルにて洗浄し、融点１３１．５〜１３３℃の
結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル
）−２−メトキシ−４−メチル−５−メタンスルホンア
ミドベンズアミド４２ｍ９を得る。
ピルエーテルにて洗浄し、融点１３１．５〜１３３℃の
結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル
）−２−メトキシ−４−メチル−５−メタンスルホンア
ミドベンズアミド４２ｍ９を得る。
実施例 ２〜５
下記の原料物質（ＩＩ）およびアミン（Ｖ）を使用し、
実施例１と同様に反応を行い、対応する生成物（ｎｒ）
。
実施例１と同様に反応を行い、対応する生成物（ｎｒ）
。
（■）、山を得る。
実施例 ６
（１） ２−メトキシ−４−クロル−５−ニトロ安息
香酸を使用して実施例１（１）と同様に反応を行い、融
点１６４〜１６５℃の結晶としてＮ−テトラヒドロフル
フリル−２−メトキシ−４−クロル−５−ニトロベンズ
アミド３．８５ｇを得る。
香酸を使用して実施例１（１）と同様に反応を行い、融
点１６４〜１６５℃の結晶としてＮ−テトラヒドロフル
フリル−２−メトキシ−４−クロル−５−ニトロベンズ
アミド３．８５ｇを得る。
上記生成物３．６５ｇ、濃塩酸３６．５ｍｌ、水１８ｍ
１、テトラヒドロフラン３６．５ｍｌおよびすず４．１
：ｌからなる溶液を５０℃で２時間加温する。
１、テトラヒドロフラン３６．５ｍｌおよびすず４．１
：ｌからなる溶液を５０℃で２時間加温する。
反応液から溶媒を留去後、氷水を加え水酸化ナトＩＪウ
ムにて強アルカリ性として塩化メチレンで抽出する。
ムにて強アルカリ性として塩化メチレンで抽出する。
有機層から不溶物を沖去した後、水洗し、芒硝にて乾燥
する。
する。
溶媒を留去し、酢酸エチル／エーテルから再結晶して融
点１０９〜１１０℃の結晶としてＮ−テトラヒドロフル
フリル−２−メトキシ−４−クロル−５−アミノベンズ
アミドを得る。
点１０９〜１１０℃の結晶としてＮ−テトラヒドロフル
フリル−２−メトキシ−４−クロル−５−アミノベンズ
アミドを得る。
上記生成物３．６ｇを塩化メチレン３６ｍ１、およびト
リエチルアミン２．８５ｇに溶解し、これに塩化メシル
３．０８Ｆ、塩化メチレン７．２ｒｎｌを氷冷下に加え
、３０分間溶媒の沸点程度の温度で加熱攪拌する。
リエチルアミン２．８５ｇに溶解し、これに塩化メシル
３．０８Ｆ、塩化メチレン７．２ｒｎｌを氷冷下に加え
、３０分間溶媒の沸点程度の温度で加熱攪拌する。
反応液を炭酸水素ナトリウム溶液にて抽出し、塩化メチ
レン層を水洗し、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し、残渣に
１０％水酸化ナトリウム溶液６１ｍ１およびテトラヒド
ロフラン１０ｍ１を加えて、５０℃にて１時間１５分攪
拌する。
レン層を水洗し、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し、残渣に
１０％水酸化ナトリウム溶液６１ｍ１およびテトラヒド
ロフラン１０ｍ１を加えて、５０℃にて１時間１５分攪
拌する。
濃塩酸で酸性として、塩化メチレンで抽出し、水洗し、
芒硝で乾燥後溶媒を留去する。
芒硝で乾燥後溶媒を留去する。
残渣を酢酸エーテル／エーテルで洗浄し、塩化メチレン
／酢酸エチルから再結晶して、融点１５９〜１６０℃の
結晶としてＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ
−４−クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド
２．８２ｇを得る。
／酢酸エチルから再結晶して、融点１５９〜１６０℃の
結晶としてＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ
−４−クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド
２．８２ｇを得る。
（２）上記生成物を使用して実施例１（２）と同様に反
応を行い、融点１０５〜１０６．５℃の結晶として、Ｎ
−（２，５−ジクロルペンチル）−２−メトキシ−４−
クロル−５−スルホンアミドベンズアミドを得る。
応を行い、融点１０５〜１０６．５℃の結晶として、Ｎ
−（２，５−ジクロルペンチル）−２−メトキシ−４−
クロル−５−スルホンアミドベンズアミドを得る。
（３）上記生成物１．３．９および７０％エチルアミン
２６ｍ１を使用し、実施例１（３）と同様に反応を行い
、融点１２６〜１２７．５℃の結晶としてＮ−（１−エ
チル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−
クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド４５２
１′ｒ１９を得る。
２６ｍ１を使用し、実施例１（３）と同様に反応を行い
、融点１２６〜１２７．５℃の結晶としてＮ−（１−エ
チル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−
クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミド４５２
１′ｒ１９を得る。
実施例 ７
（１） ２−メトキシ−４−メチル−５−二トロペン
ゾイルクロリド７．０ ｇ、塩化メチレン３５ｍ１およ
びトリエチルアミン７、６８．９からなる溶液Ｏこテト
ラヒドロフルフリルアミン４．２３５１’、乾燥ベンゼ
ン１１Ｔｌｌの混合液を水冷攪拌下に加える。
ゾイルクロリド７．０ ｇ、塩化メチレン３５ｍ１およ
びトリエチルアミン７、６８．９からなる溶液Ｏこテト
ラヒドロフルフリルアミン４．２３５１’、乾燥ベンゼ
ン１１Ｔｌｌの混合液を水冷攪拌下に加える。
室温下に２０分間放置した後、水を加え塩化メチレンで
抽出する。
抽出する。
芒硝で乾燥後、溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル／イソ
プロピルエーテルにて洗浄し、塩化メチレン／酢酸エチ
ルより再結晶し、融点１７８〜１７９．５℃の結晶とし
てＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−４−メ
チル−５−ニトロベンズアミド７．１ｇを得る。
プロピルエーテルにて洗浄し、塩化メチレン／酢酸エチ
ルより再結晶し、融点１７８〜１７９．５℃の結晶とし
てＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−４−メ
チル−５−ニトロベンズアミド７．１ｇを得る。
上記生成物８．１ｇを酸化白金８１０ｍ９、メタノール
１６２１ｒＩ９ｃこて常法通り還元処理し、油状物質と
してＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−４−
メチル−５−アミノベンズアミド７．８１ｇを得る。
１６２１ｒＩ９ｃこて常法通り還元処理し、油状物質と
してＮ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−４−
メチル−５−アミノベンズアミド７．８１ｇを得る。
上記生成物５００７％をジメチルスルファモイルクロリ
ド５４３ｍ９、トリエチルアミン３８２Ｉｎ９および乾
燥ベンゼン１０７７１１と共に１８時間還流する。
ド５４３ｍ９、トリエチルアミン３８２Ｉｎ９および乾
燥ベンゼン１０７７１１と共に１８時間還流する。
反応液から溶媒を留去後、１０％水酸化すｔ−ＩＪウム
水溶液を加えてアルカＩＪ （’ＩＥとし、エーテルに
て抽出する。
水溶液を加えてアルカＩＪ （’ＩＥとし、エーテルに
て抽出する。
アルカリ性水溶液を６Ｎ塩酸にて酸性とし、塩化メチレ
ンで抽出する。
ンで抽出する。
有機層を芒硝で乾燥後、溶媒を留去し、飴状物質を得る
。
。
これをシリカゲルクロマトグラフィーに付し、２％メタ
ノール／塩化メチレンにて溶出する。
ノール／塩化メチレンにて溶出する。
溶出液から溶媒を留去後、残渣を酢酸エチル／イソプロ
ピルエーテルにて洗浄シ、融点１３０〜１３１℃の結晶
として、Ｎ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−
４−メチル−５−ジメチルアミノスルホンアミドベンズ
アミド３１５Ｗ１９を得る。
ピルエーテルにて洗浄シ、融点１３０〜１３１℃の結晶
として、Ｎ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシ−
４−メチル−５−ジメチルアミノスルホンアミドベンズ
アミド３１５Ｗ１９を得る。
（２）上記生成物７００ｍ９、塩化チオニル４．２ ｒ
ｎｌおよびクロロホルム１４ＴＬｌを使用して実施例１
（２）と同様に反応を行い油状物としてＮ−（２，５−
ジクロペンチル）−２−メトキシ−４−メチル−５−（
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミン）スルホンアミドベンズアミド
６１８１′Ｉ１ｇを得る。
ｎｌおよびクロロホルム１４ＴＬｌを使用して実施例１
（２）と同様に反応を行い油状物としてＮ−（２，５−
ジクロペンチル）−２−メトキシ−４−メチル−５−（
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミン）スルホンアミドベンズアミド
６１８１′Ｉ１ｇを得る。
（３）上記生成物および７０％エチルアミン３．１ｍｌ
を使用し、実施例１（３）と同様に反応を行い、融点１
２６〜１２８℃の結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピ
ロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−メチル−５−
（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）スルホンアミドベンズアミ
ド３０５Ｔｒ１９を得る。
を使用し、実施例１（３）と同様に反応を行い、融点１
２６〜１２８℃の結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピ
ロリジニルメチル）−２−メトキシ−４−メチル−５−
（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）スルホンアミドベンズアミ
ド３０５Ｔｒ１９を得る。
実施例 ８
下記の原料物質（ＩＶ）およびアミン（■を使用し、実
施例１（３）と同様に反応を行い、対応する生成物け）
を得る。
施例１（３）と同様に反応を行い、対応する生成物け）
を得る。
参考例
Ｎ−（１−エチル−２−ピロリジニルメチル）＝２−メ
トキシ−４−クロロベンズアミド５００〜を無水酢酸２
ｒｎｌに溶解し、これに発煙硝酸１ｍｌを水冷下に滴下
する。
トキシ−４−クロロベンズアミド５００〜を無水酢酸２
ｒｎｌに溶解し、これに発煙硝酸１ｍｌを水冷下に滴下
する。
加え終わった後、溶媒の沸点程度の温度にて攪拌し、１
時間後、氷にあけて。
時間後、氷にあけて。
アンモニア水にてアルカリ性とし、塩化メチレンにて抽
出する。
出する。
有機層を水洗し、芒硝で乾燥し、溶媒を留去する。
残渣を塩化メチレンに溶解し、アルミナカラムクロマト
グラフィーに付し、塩化メチレンで溶出する。
グラフィーに付し、塩化メチレンで溶出する。
溶出液を酢酸エチルイソプロピルエーテルにて洗浄し、
沢取して融点１０６〜１０７℃の結晶としてＮ−（１−
エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−４
−クロロ−５−ニトロベンズアミド２７７ｍ９を得る。
沢取して融点１０６〜１０７℃の結晶としてＮ−（１−
エチル−２−ピロリジニルメチル）−２−メトキシ−４
−クロロ−５−ニトロベンズアミド２７７ｍ９を得る。
実施例 ９
（１）Ｎ−（２，５−ジクロルペンナル）−２−メトキ
シ−４−クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミ
ド３．０ｇ、塩化アンモニウム１゜３ｇ、水１５ｍ１お
よびエタノール１５ｍ１からなる混合液を４時間還流す
る。
シ−４−クロル−５−メタンスルホンアミドベンズアミ
ド３．０ｇ、塩化アンモニウム１゜３ｇ、水１５ｍ１お
よびエタノール１５ｍ１からなる混合液を４時間還流す
る。
反応後、溶媒を留去して残渣に２８％アンモニア水５ｍ
１３を加えて涙取する。
１３を加えて涙取する。
生成物を３チメタノール／塩化メチレンに溶解し、シリ
カゲルにてカラムクロマトグラフィーに付す。
カゲルにてカラムクロマトグラフィーに付す。
３チメタノール／塩化メナレンにて溶出し、溶出液から
溶媒を留去し、Ｎ −（２−ヒドロキシ−５−クロルベ
ンナル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メタンスル
ホンアミドベンズアミドを得る。
溶媒を留去し、Ｎ −（２−ヒドロキシ−５−クロルベ
ンナル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メタンスル
ホンアミドベンズアミドを得る。
（２）上記生成物１．１をアセトン１０ｍ１に溶解し、
水冷下にジョーンズ試薬（三酸化クロム／硫酸）２ｍｌ
を加える。
水冷下にジョーンズ試薬（三酸化クロム／硫酸）２ｍｌ
を加える。
１５分後、反応液に氷水を加え、結晶を沢取し、Ｐ液を
メタノール／塩化メナレンにて抽出する。
メタノール／塩化メナレンにて抽出する。
有機層より溶媒を留去し、Ｎ−（２−オキソ−５−クロ
ルベンナル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メタン
スルホンアミドベンズアミドを得る。
ルベンナル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メタン
スルホンアミドベンズアミドを得る。
（３）上記生成物１．０ｇおよび２４．１％エチルアミ
ン／メタノール２０ｍ１からなる溶液を３０分間還流す
る。
ン／メタノール２０ｍ１からなる溶液を３０分間還流す
る。
反応液を水冷後、Ｐ取し、Ｎ−（１−エチル−２−ピロ
リジニルメチル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メ
タンスルホンアミドベンズアミドを得る。
リジニルメチル）−２−メトキシ−４−クロル−５−メ
タンスルホンアミドベンズアミドを得る。
（４）上記生成物１００Ｔｎ９を酸化白金１００■およ
びメタノール２０ｍ１にて接触還元を行う。
びメタノール２０ｍ１にて接触還元を行う。
反応混合物を濾過して触媒を除去する。
ｒ液からメタノールを留去し、得られた結晶をメタノー
ル／酢酸エチルから再結晶し、融点１２６〜１２７．５
℃の結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメ
チル）−２−メトキシ−４−り０ルー５−メタンスルホ
ンアミドベンズアミドを得る。
ル／酢酸エチルから再結晶し、融点１２６〜１２７．５
℃の結晶としてＮ−（１−エチル−２−ピロリジニルメ
チル）−２−メトキシ−４−り０ルー５−メタンスルホ
ンアミドベンズアミドを得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（損で示される安息香酸もしくはその反応性
誘導体をテトラヒドロフルフリルアミント縮合させて一
般式（ＩＩＩ）で示されるテトラヒドロフルフリルアミ
ド体を生成させ、次いで■をハロゲン化剤と反応させて
一般式（ＩＶ）で示されるジハロゲン体を生成させ、さ
らに■に一般式（■で示されるアミンを反応させること
を特徴とする一般犬山で示されるベンズアミド誘導体の
合成法。 〔式中、Ｒ１は低級アルキル基；Ｒ２およびＲ５は水素
または低級アルキル基；Ｒ３は水素、低級アルキル基ま
たはハロゲン：Ｒ４はアミノ基、ニトロ基または なる基：Ｒ６は水素、低級ア ルキル基または低級アルカンスルホニル基：Ｒ７は低級
アルキル基、アミノ基、低級アルキルアミノ基またはジ
（低級）アルキルアミノ基；Ａはヒドロキシ基または反
応性基：ＸおよびＹはハロゲン；Ｚは低級アルキル基、
低級アルケニル基、フェニル（低級）アルキル基、低級
アルコキシ（低級）アルキル基、ヒドロキシ（低級）ア
ルキル基またはジ（低級）アルキルアミノ（低級）アル
キル基をそれぞれ表わす。 〕２ 一般式（ＩＶ）で示されるジハロゲン体を加水分
解して、一般式（ＩＶＪで示されるアルコールを生成さ
せ、次いで■を酸化して一般式（■）で示されるケトン
体を導き、次いで■に一般式（■で示されるアミンを反
応させて一般式（■）で示される不飽和化合物を生成さ
せ、ざらに■を水素化することを特徴とする一般犬山で
示されるベンズアミド誘導体の合成法。 〔式中、Ｒ１は低級アルキル基；Ｒ２およびＲ５は水素
または低級アルキル基；Ｒ３は水素、低級アルキル基、
またはハロゲン：Ｒ４はアミノ基、ニトロ基または なる基：Ｒ６は水素、低 級アルキル基または低級アルカンスルホニル基：Ｒ７は
低級アルキル基、アミノ基、低級アルキルアミノ基また
はジ（１氏級）アルキルアミノ基；ＸおよびＹはハロゲ
ン：Ｚは低級アルキル基、低級アルケニル基、フェニル
（低級）アルキル基、低級アルコキシ（低級）アルキル
基、ヒドロキシ（低級）アルキル基またはジ（低級）ア
ルキルアミノ（低級）アルキル基をそれぞれ表わす。
Priority Applications (24)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52094884A JPS5822110B2 (ja) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | ベンズアミド誘導体の合成法 |
| NZ186175A NZ186175A (en) | 1977-01-27 | 1978-01-09 | Meta-sulphonamidobenzamide derivatives |
| CA295,322A CA1085411A (en) | 1977-01-27 | 1978-01-19 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
| GB2296/78A GB1557019A (en) | 1977-01-27 | 1978-01-19 | Metalsulphonamido-benzamide derivatives |
| GR55228A GR70058B (ja) | 1977-01-27 | 1978-01-21 | |
| IE145/78A IE46497B1 (en) | 1977-01-27 | 1978-01-23 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
| IL53881A IL53881A (en) | 1977-01-27 | 1978-01-24 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives,processes for the production thereof and pharmaceutical or veterinary compositions containing the same |
| AU32687/78A AU512057B2 (en) | 1977-01-27 | 1978-01-24 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
| DK037278A DK154137C (da) | 1977-01-27 | 1978-01-25 | Analogifremgangsmaade til fremstilling af meta-sulfonamido-benzamidderivater |
| HU78SI1614A HU176613B (en) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Process for preparing meta-sulphonamido-benzamide derivatives |
| SE7800982A SE426485B (sv) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Forfarande att framstella meta-sulfonamido-bensamid-derivat innehallande en pyrrolidinrest |
| ES466366A ES466366A1 (es) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Un procedimiento para preparar derivados de metasulfonamido-benzamida. |
| FR7802210A FR2378758A1 (fr) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Derives de meta-sulfanomidobenzamide et nouveaux produits ainsi obtenus, a activite notamment antiemetique et psychotrope |
| PH20712A PH12853A (en) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
| CH86678A CH642945A5 (de) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Meta-sulfonamido-benzamid derivate und verfahren zu ihrer herstellung. |
| AR270868A AR225881A1 (es) | 1977-01-27 | 1978-01-26 | Procedimiento para obtener derivados de n-(2-pirrolidinil-metil)-5-sulfonamida-benzamina y sus cales |
| DE19782803651 DE2803651A1 (de) | 1977-01-27 | 1978-01-27 | M-sulfonamidobenzamid-derivate |
| NL7801005A NL7801005A (nl) | 1977-01-27 | 1978-01-27 | Derivaten van meta-sulfonamido-benzamide. |
| US05/967,011 US4351770A (en) | 1977-01-27 | 1978-12-06 | Preparation of N(2-pyrrolidinylmethyl)2-methoxy-5-benzenesulfonamidobenzamides |
| US06/124,728 US4328344A (en) | 1977-01-27 | 1980-02-26 | Meta-amino sulfonamido-benzamides |
| US06/124,726 US4350635A (en) | 1977-01-27 | 1980-02-26 | N(2-Pyrrolidinylmethyl)meta-sulfonamido-benzamides |
| US06/124,727 US4328155A (en) | 1977-01-27 | 1980-02-26 | Meta-sulfonamido-benzamides |
| US06/162,793 US4330472A (en) | 1977-01-27 | 1980-06-25 | Meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
| US06/398,702 US4431663A (en) | 1977-01-27 | 1982-07-15 | Treatment of psychosis with meta-sulfonamido-benzamide derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52094884A JPS5822110B2 (ja) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | ベンズアミド誘導体の合成法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55061356A Division JPS5762255A (en) | 1980-05-08 | 1980-05-08 | Preparation of benzamide derivative, and intermediate of benzamide derivative |
| JP13091082A Division JPS6041070B2 (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | Ｎ−テトラヒドロフルフリル−２−メトキシベンズアミド類 |
| JP13091182A Division JPS6019898B2 (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | ２−メトキシベンズアミド誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5430156A JPS5430156A (en) | 1979-03-06 |
| JPS5822110B2 true JPS5822110B2 (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=14122462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52094884A Expired JPS5822110B2 (ja) | 1977-01-27 | 1977-08-08 | ベンズアミド誘導体の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822110B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340971Y2 (ja) * | 1981-11-19 | 1988-10-26 | ||
| US10946532B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gripping tool and gripping system |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE8400478D0 (sv) * | 1984-01-31 | 1984-01-31 | Astra Laekemedel Ab | Oxysalicylamido derivatives |
| JP2520621B2 (ja) * | 1987-01-24 | 1996-07-31 | セイレイ工業株式会社 | 排藁結束機の株元揃え装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2623257A1 (de) * | 1975-12-19 | 1977-06-30 | Sachim Sa | Verfahren zur herstellung von n-alkenyl-2-aminomethyl-pyrrolidinen |
| JPS5363375A (en) * | 1976-11-15 | 1978-06-06 | Teikoku Hormone Mfg Co Ltd | Preparation of substd. benzoic acid amide derivatives |
-
1977
- 1977-08-08 JP JP52094884A patent/JPS5822110B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2623257A1 (de) * | 1975-12-19 | 1977-06-30 | Sachim Sa | Verfahren zur herstellung von n-alkenyl-2-aminomethyl-pyrrolidinen |
| JPS5363375A (en) * | 1976-11-15 | 1978-06-06 | Teikoku Hormone Mfg Co Ltd | Preparation of substd. benzoic acid amide derivatives |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340971Y2 (ja) * | 1981-11-19 | 1988-10-26 | ||
| US10946532B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gripping tool and gripping system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5430156A (en) | 1979-03-06 |
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