JPS58220485A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58220485A JPS58220485A JP57104547A JP10454782A JPS58220485A JP S58220485 A JPS58220485 A JP S58220485A JP 57104547 A JP57104547 A JP 57104547A JP 10454782 A JP10454782 A JP 10454782A JP S58220485 A JPS58220485 A JP S58220485A
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- Japan
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- groove
- striped
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に係り、ストライプ状の溝にレ
ーザが発光する活性領域が埋め込まれたダブルへテロ接
合型半導体レーザの構造そして特に本発明の構造を有す
るガリウム・アルミニウム・ヒ素（ＧａＡＡＡｓ）系ダ
ブルへテロ接合型半導体レーザの製造方法に関する。
ーザが発光する活性領域が埋め込まれたダブルへテロ接
合型半導体レーザの構造そして特に本発明の構造を有す
るガリウム・アルミニウム・ヒ素（ＧａＡＡＡｓ）系ダ
ブルへテロ接合型半導体レーザの製造方法に関する。
（２）技術の背景
半導体レーザは他のレーザ系に比べて波長の選択が比較
的容易で且つ小型、高効率動作、長寿命、高速直接変調
及び単一波長動作などの数々の利点があり、光伝送・処
理の各種の実用システム゛の光源として用いられてい名
。
的容易で且つ小型、高効率動作、長寿命、高速直接変調
及び単一波長動作などの数々の利点があり、光伝送・処
理の各種の実用システム゛の光源として用いられてい名
。
特に、埋め込み構造を有する半導体レーザでは、活性領
域の幅を実質上減少させることができるので、閾値電流
を低減でき、且つ半導体レーザの各々端面での微分量子
効率を向上できるという効果がある。
域の幅を実質上減少させることができるので、閾値電流
を低減でき、且つ半導体レーザの各々端面での微分量子
効率を向上できるという効果がある。
（３） 従来技術と問題点
第１図は従来のＧａＡｔＡｓ系埋め込み型半導体レーザ
の要部１ＩｆＴ面図を示す。同図に於いて、ｌはｎ型ガ
リウム−ヒ素（ＧａＡｓ）基板、２はｎｍＧａＡｚＡ８
クラッド層、３はＧＢＡｓ活性層、４はｐＷＧａＡｔＡ
ｓクラッド層、５はＢ ｍ、ＧａＡｌＡｓ層、６はｐ型
ＧａＡｅキャップ層、７はｐ側電極、８はｎ側電極をそ
れぞれ示す。
の要部１ＩｆＴ面図を示す。同図に於いて、ｌはｎ型ガ
リウム−ヒ素（ＧａＡｓ）基板、２はｎｍＧａＡｚＡ８
クラッド層、３はＧＢＡｓ活性層、４はｐＷＧａＡｔＡ
ｓクラッド層、５はＢ ｍ、ＧａＡｌＡｓ層、６はｐ型
ＧａＡｅキャップ層、７はｐ側電極、８はｎ側電極をそ
れぞれ示す。
この半導体レーザはｐ側電極マに正、ｎ側電極８に負の
電圧を印加し、キャリアを活性層３へ注入する。活性層
３に注入されたキャリアは半導体層の接合に対して垂直
方向に隣接し九ｎ型クラッド層２及びｐ型クラッド層４
により、活性層３内に閉じ込められる。そして十分な注
入キャリアによって利得が損失に打ち騰った時、活性層
３からレーザ光が生じる。
電圧を印加し、キャリアを活性層３へ注入する。活性層
３に注入されたキャリアは半導体層の接合に対して垂直
方向に隣接し九ｎ型クラッド層２及びｐ型クラッド層４
により、活性層３内に閉じ込められる。そして十分な注
入キャリアによって利得が損失に打ち騰った時、活性層
３からレーザ光が生じる。
上記構成から成る半導体レーザの製造方法は、基板１上
にｎａクラッド層２．活性層３．ｐ型クラッド層４金順
次液相エピタキシャル成長法を用いて形成し、次に幅２
〜４〔μｍ〕のストライプ状の発光層金銭して基板１に
達する深さまでエツチングし念後、ｎ型ＧａＡｔＡｓ層
５及びｐ型ＧａＡ、キャップ１１６ ’に再度液相エピ
タキシャル成長法音用いて順次形成し、最後にｐ側電極
フ及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
にｎａクラッド層２．活性層３．ｐ型クラッド層４金順
次液相エピタキシャル成長法を用いて形成し、次に幅２
〜４〔μｍ〕のストライプ状の発光層金銭して基板１に
達する深さまでエツチングし念後、ｎ型ＧａＡｔＡｓ層
５及びｐ型ＧａＡ、キャップ１１６ ’に再度液相エピ
タキシャル成長法音用いて順次形成し、最後にｐ側電極
フ及びｎ側電極８をそれぞれ形成する。
しかしながら、この様な製造方法では、エツチングによ
りストライプ状の発光層？形成する際、・活性層３のエ
ツチング面が空気に触れ、酸化されて信頼性が低下する
と共に、３つの半導体層２゜３．４全均等にエツチング
することがむずかしい為にエツチングされた面がなめら
かにならず、遠視野像が均一にならないという問題があ
る。
りストライプ状の発光層？形成する際、・活性層３のエ
ツチング面が空気に触れ、酸化されて信頼性が低下する
と共に、３つの半導体層２゜３．４全均等にエツチング
することがむずかしい為にエツチングされた面がなめら
かにならず、遠視野像が均一にならないという問題があ
る。
更に第２図は従来の別の構造を有するＡＬＧａＡｓ系埋
め込み型半導体レーザの要部断面図を示しｔもので、Ｇ
ａＡ、基板に四部を設け、該凹部にＧＩＡ。
め込み型半導体レーザの要部断面図を示しｔもので、Ｇ
ａＡ、基板に四部を設け、該凹部にＧＩＡ。
活性層き埋め込んだものでるる。同図に於いて、第１図
で説明した部分に相当する部分は同記号で指示しである
。
で説明した部分に相当する部分は同記号で指示しである
。
この構造を有する半導体レーザの製造方法は、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＧａＡｔＡｓ層５を形成し、ケミカ
ルエツチング法金用いて基板１に達する深さの凹部金膜
け、該凹部内にｎ型ＧａＡＬＡｓクラッド層”ｅ Ｇａ
Ａｓ活性層３ 、 ｐ ｍＧａＡｔＡｓクラッド／ｍ
４及びｐ型ＧａＡｅキャップ層６を液相エピタキシャル
成長法音用いて順次形成する。同、この時ｎ型ＧａＡｔ
Ａｅ層５の表面にはｎ型ＧａＡｔＡｓ層２′及びＧ＆Ａ
８層３′が薄く成長する。
Ａｓ基板１上にｎ型ＧａＡｔＡｓ層５を形成し、ケミカ
ルエツチング法金用いて基板１に達する深さの凹部金膜
け、該凹部内にｎ型ＧａＡＬＡｓクラッド層”ｅ Ｇａ
Ａｓ活性層３ 、 ｐ ｍＧａＡｔＡｓクラッド／ｍ
４及びｐ型ＧａＡｅキャップ層６を液相エピタキシャル
成長法音用いて順次形成する。同、この時ｎ型ＧａＡｔ
Ａｅ層５の表面にはｎ型ＧａＡｔＡｓ層２′及びＧ＆Ａ
８層３′が薄く成長する。
しかし上記に示した方法では、ケミカルエツチング法を
用いて凹部全形成する際、該凹部の幅が４〜５〔μｍ〕
と広くならざるおえないという欠点があり、この為活性
層３０幅が３〔μｍ〕以上となる。
用いて凹部全形成する際、該凹部の幅が４〜５〔μｍ〕
と広くならざるおえないという欠点があり、この為活性
層３０幅が３〔μｍ〕以上となる。
そして活性層３の幅が３〔μｍ〕以上で、その形状が三
ケ月状となった場合、高次モードの発光が生じ横モード
が不安定となるという問題が生じる。
ケ月状となった場合、高次モードの発光が生じ横モード
が不安定となるという問題が生じる。
（４）発明の目的
本発明は上記２つの構造の持つ従来の問題点を解決し、
３〔μｍ〕以下の幅を有する活性層全形成することによ
り、横モードを安定にし、且つ信頼性が高く、なめらか
な放射パターンが優られる半導体発光装置を提供するこ
とにある。
３〔μｍ〕以下の幅を有する活性層全形成することによ
り、横モードを安定にし、且つ信頼性が高く、なめらか
な放射パターンが優られる半導体発光装置を提供するこ
とにある。
（５）発明の構成
本発明の目的は、第１の導゛成型を有する半導体基板上
に該基板とは異なる材料から成る第１の４鑞８！！全有
するストライプ状の半導体贋金配設し、該半導体基板上
の前記ストライプ状の半導体層が配役され次領域に、底
部が開口部よりも狭いストライプ状の溝を持つ第１の導
電型を有する第１のクラッド層全配設し、該ストライプ
状の溝内に活性層を配設し、該活性層上に第２の導電型
を有する第２のクラッド層全配設してなることにより達
成される。
に該基板とは異なる材料から成る第１の４鑞８！！全有
するストライプ状の半導体贋金配設し、該半導体基板上
の前記ストライプ状の半導体層が配役され次領域に、底
部が開口部よりも狭いストライプ状の溝を持つ第１の導
電型を有する第１のクラッド層全配設し、該ストライプ
状の溝内に活性層を配設し、該活性層上に第２の導電型
を有する第２のクラッド層全配設してなることにより達
成される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面全参照しつつ説明する。第
３図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の一実施例の半導体レー
ザの製造工程断面図である。
３図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の一実施例の半導体レー
ザの製造工程断面図である。
第３図（ａ）参照
■ キャリア濃度が約１０”（ｚ ”）のｎ型ＧａＡｓ
基板９に液相エピタキシャル成長法を適用してその表面
にキャリア濃度が５ ｘ １０”（３”）のｎｆｉＧ
ａＡｔＡＢ層１０を０３〜α５〔μｍ〕の厚さに形成す
る０ ■ ｎ型ＧａＡｔＡｓ層１０にＯＶＤ法ま九はスパッタ
リング法全適用してその表面に５１０２層１１を１００
０〜３０００（Ａ）の厚さに形成する。
基板９に液相エピタキシャル成長法を適用してその表面
にキャリア濃度が５ ｘ １０”（３”）のｎｆｉＧ
ａＡｔＡＢ層１０を０３〜α５〔μｍ〕の厚さに形成す
る０ ■ ｎ型ＧａＡｔＡｓ層１０にＯＶＤ法ま九はスパッタ
リング法全適用してその表面に５１０２層１１を１００
０〜３０００（Ａ）の厚さに形成する。
第３図（ｂ）参照
■ 通常のフォトエツチング法を適用して５１０７層１
１のバターニングを行ない、幅Ｗが３〔μｍ〕のストラ
イプ状の８１０２層１１′ヲ形成する。
１のバターニングを行ない、幅Ｗが３〔μｍ〕のストラ
イプ状の８１０２層１１′ヲ形成する。
同、この場合のエツチング液はフッ酸（ＨＦ）：フッ化
アンモニウム（Ｎｆ（４Ｆ） −１： １０の溶液を使
用する０ 第３図（Ｑ）参照 ■ ウェットエツチング法を適用し、８１０！層１１’
−ｉマスクとしてｎ型ＧａＡ、基板９及びｎ型谷、。
アンモニウム（Ｎｆ（４Ｆ） −１： １０の溶液を使
用する０ 第３図（Ｑ）参照 ■ ウェットエツチング法を適用し、８１０！層１１’
−ｉマスクとしてｎ型ＧａＡ、基板９及びｎ型谷、。
ＧａＡｔＡｓ層１０ ｆ ｎ型ＧａＡｔＡｓ層１０表面
からｌ〜２〔μｍ〕の深さにエツチングし、ストライプ
状の凸部音形成する。尚、この場合のエツチング液はリ
ン酸系音用いる。
からｌ〜２〔μｍ〕の深さにエツチングし、ストライプ
状の凸部音形成する。尚、この場合のエツチング液はリ
ン酸系音用いる。
第３図（（１）参照
■ マスクとして使用した５１０２ノ＠ ｉ ｌ’（ｉ
−ＮＨ，Ｆ液中に浸漬して除去する。
−ＮＨ，Ｆ液中に浸漬して除去する。
■ ｎ ｍＧａＡｓ基板９及びｎ型ＧａＡｔＡｓ層１０
の表面に液相エピタキシャル成長法全適用してキャリア
濃度が２ Ｘ Ｉ ０１７（ｚ−”）のｎ型ＧａＡｔＡ
ｓクラッド層１２を成長する。この時ＧａＡｅとＧａＡ
ｔＡｓとの成長速度の違いにより、図に示す様に約６０
〔度〕の角度金もって上方と横方向へ成長する。横方向
の成長速度は成長時間の平方根に比例し、成長溶液の過
飽和度が０〜２〔度〕のとき２分間で約１〔μｍ〕成長
する。
の表面に液相エピタキシャル成長法全適用してキャリア
濃度が２ Ｘ Ｉ ０１７（ｚ−”）のｎ型ＧａＡｔＡ
ｓクラッド層１２を成長する。この時ＧａＡｅとＧａＡ
ｔＡｓとの成長速度の違いにより、図に示す様に約６０
〔度〕の角度金もって上方と横方向へ成長する。横方向
の成長速度は成長時間の平方根に比例し、成長溶液の過
飽和度が０〜２〔度〕のとき２分間で約１〔μｍ〕成長
する。
第３図（ｅ）参照
■ 前記凸部の幅が３〔μｍ〕、溶液の過飽和度が０〜
２〔度〕の条件Ｆでｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１２を
５分間成長させることにより、底部が開口部よ゛りも狭
い溝１３が形成されｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１２の
左右がつながる。尚、１１１１１３の幅Ｗ′は３〔μｍ
〕である。
２〔度〕の条件Ｆでｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１２を
５分間成長させることにより、底部が開口部よ゛りも狭
い溝１３が形成されｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１２の
左右がつながる。尚、１１１１１３の幅Ｗ′は３〔μｍ
〕である。
第３図（ｆ）参照
■ 液相エピタキシャル成長法全適用し、溝１３にアン
ドープで一番厚いところでの厚さが０２〔μｍ〕のＧａ
ＡＢ活性層１４．キャリア濃度が５ＸＩＯ′７（ｃｒｎ
ａ）で一番厚いところでの厚さが２〜３（μｍ）のｐ
ｍ ＧａＡｔＡｓクラッド層１５．キャリア濃度がｌ
Ｏ” ｃｍ ”」で厚さが０５〜ｌ（ｐ ｍ ）のｎｎ
Ｇａ八〇キへップ層１６を順次形成する。尚、このとき
溝１３外のｎ型りラッド層ｌに上にもＧａＡ、層１４／
が成長する。
ドープで一番厚いところでの厚さが０２〔μｍ〕のＧａ
ＡＢ活性層１４．キャリア濃度が５ＸＩＯ′７（ｃｒｎ
ａ）で一番厚いところでの厚さが２〜３（μｍ）のｐ
ｍ ＧａＡｔＡｓクラッド層１５．キャリア濃度がｌ
Ｏ” ｃｍ ”」で厚さが０５〜ｌ（ｐ ｍ ）のｎｎ
Ｇａ八〇キへップ層１６を順次形成する。尚、このとき
溝１３外のｎ型りラッド層ｌに上にもＧａＡ、層１４／
が成長する。
■ 蒸着法全適用して、ｎ型ＧａＡｓキャップノー１６
に金（Ａ ｕ）から成るｐＨｌｔ極１ツを２〜３〔μｍ
〕の厚さに形成し、基板９裏面にもＡｕから成るｎ側電
極１８全１０（μｍ〕の厚さに形成する。
に金（Ａ ｕ）から成るｐＨｌｔ極１ツを２〜３〔μｍ
〕の厚さに形成し、基板９裏面にもＡｕから成るｎ側電
極１８全１０（μｍ〕の厚さに形成する。
本実施例によれば、ストライプ状の溝１３の幅Ｗ’ｉ３
（μｍ〕にできると共に活性１−１４の幅を３〔μｍ〕
以下にできる為、活性４１４の形状によらず放射される
光の横モードｔ−０次モードにでき、且つ活性層１４が
全気中にさらされることがないので高信頼度の半導体レ
ーザが得られる。
（μｍ〕にできると共に活性１−１４の幅を３〔μｍ〕
以下にできる為、活性４１４の形状によらず放射される
光の横モードｔ−０次モードにでき、且つ活性層１４が
全気中にさらされることがないので高信頼度の半導体レ
ーザが得られる。
第４図は本発明の他の実施例金示す±帰滲レーザの要部
断面図である。同図に於いて、第４図で説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
断面図である。同図に於いて、第４図で説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
本実施例が第３図で示し次半導体レーザと異なるのは、
ストライプ状のｎ型ＧａＡｔＡｓ Ｊ＠ ｌ Ｏｆ有す
６ｎ型ＧａＡ、基板９上とｎ ｍ ＧａＡｚＡｓクラッ
ド）＠１２と０間ｔｃキャリア濃度が１０１７（ｔＹｎ
”）のｐ型ＧａＡｔＡｓ層１９ｉ設けたことにある。
ストライプ状のｎ型ＧａＡｔＡｓ Ｊ＠ ｌ Ｏｆ有す
６ｎ型ＧａＡ、基板９上とｎ ｍ ＧａＡｚＡｓクラッ
ド）＠１２と０間ｔｃキャリア濃度が１０１７（ｔＹｎ
”）のｐ型ＧａＡｔＡｓ層１９ｉ設けたことにある。
本実施例によれば、ｐ側電極１７に正、ｎ側電極１日に
負の電圧上印加することによジ、ｎ型クラッド層１２と
ｐ型ＧａＡＡＡθ層１９との間にｐ−ｎ逆バイアスが生
じ、キャリア金溝内に埋め込まれ友活性層１４へ効率良
く注入できるという効果がおる。
負の電圧上印加することによジ、ｎ型クラッド層１２と
ｐ型ＧａＡＡＡθ層１９との間にｐ−ｎ逆バイアスが生
じ、キャリア金溝内に埋め込まれ友活性層１４へ効率良
く注入できるという効果がおる。
（））発明の効果
本発明によれば、活性層の幅ヲ３〔μｍ〕以下にできる
為、横モードを安定にでき且つ高信頼度の′半導体発光
装置が得られる。
為、横モードを安定にでき且つ高信頼度の′半導体発光
装置が得られる。
第１図及び第２図は従来の半導体レーザの要部断面図、
第３図（、）乃至（ｆ）は本発明一実施例の半導体レー
ザの製造工程断面図、第４図は本発明の他の実施例の要
部断面図である。 １．９・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２．１２・ｎｆｉＧａ
ＡｔＡｓクラッド層、３ 、１４−・ＧａＡｓ活性層、
番。 １５−−・ｐ型ＧａＡｔＡｓクラッド層、７．１７・・
−ｐ側電極、ｓ、 １ｓ−ｎｔｉＥ極、ｌ Ｏ−ｎ ｍ
ＧａＡｔＡｓ第 １ 図 躬２図 第５図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） （ｄン η ３ 図
第３図（、）乃至（ｆ）は本発明一実施例の半導体レー
ザの製造工程断面図、第４図は本発明の他の実施例の要
部断面図である。 １．９・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２．１２・ｎｆｉＧａ
ＡｔＡｓクラッド層、３ 、１４−・ＧａＡｓ活性層、
番。 １５−−・ｐ型ＧａＡｔＡｓクラッド層、７．１７・・
−ｐ側電極、ｓ、 １ｓ−ｎｔｉＥ極、ｌ Ｏ−ｎ ｍ
ＧａＡｔＡｓ第 １ 図 躬２図 第５図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） （ｄン η ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１の導電型を有する半導体基板上に該基板とは異
なる材料から成る第１の導電型を有するストライプ状の
半導体層を配設し、該半導体基板上に前記ストライプ状
の半導体層が配設された領域に、底部が開口部よりも狭
いストライプ状の溝會持つ第１の導電型を有する第１の
クラッド層を配設し、該ストライプ状の溝内に活性贋金
配設し、該活性ｌ−上に第２の導電型を有する第２のク
ラッド層金配設してなること全特徴とする半導体発光装
置。 ２）第１の導電型を有するガリウム・ヒ素基板上にスト
ライプ状の第１の導電型ｔＭするガリウム・アルミニウ
ム・ヒ素層を選択的に形成し、該ガリウム・ヒ素基板及
びガリウム・アルミニウム・ヒ素Ｉ−上に液相エピタキ
シャル成長法を用いて底部が開口部りりも狭いストライ
プ状の溝を有するガリウム・アルミニウム・ヒ素層を形
成し、該溝内にレーザが発光する活性層を形成する工程
を宮むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104547A JPS58220485A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104547A JPS58220485A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220485A true JPS58220485A (ja) | 1983-12-22 |
Family
ID=14383500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104547A Pending JPS58220485A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138625A (en) * | 1991-01-08 | 1992-08-11 | Xerox Corporation | Quantum wire semiconductor laser |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57104547A patent/JPS58220485A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138625A (en) * | 1991-01-08 | 1992-08-11 | Xerox Corporation | Quantum wire semiconductor laser |
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