JPH03244178A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH03244178A JPH03244178A JP4166990A JP4166990A JPH03244178A JP H03244178 A JPH03244178 A JP H03244178A JP 4166990 A JP4166990 A JP 4166990A JP 4166990 A JP4166990 A JP 4166990A JP H03244178 A JPH03244178 A JP H03244178A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 102200123673 rs104894481 Human genes 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザ形成のプロセスが容易であり、かつ
円形に近いビームを放出する半導体レーザに関するもの
である。
円形に近いビームを放出する半導体レーザに関するもの
である。
第７図は、例えば石川らによって発表された「ＩｎＧａ
Ａ１１Ｐ ）ランスバース スタビライズド ビジプ
ル レーザ ダイオーズ ファプリケイテッド バイ
ＭＯＣＶＤ セレクテブ グロースＪ （［ｎＧａＡ
ＩＰ Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ５ｔａｂｉｌｉｚｅｄ
Ｖｉｓｊｂｌｅ Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ Ｆａｂｒ
ｉｃａｔｅｄ ｂｙ ＭＯＣＶＤ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｗｔｈ”、 Ｍ、Ｉｓｈｉｋａｗａ＋ Ｙ、 ０
ｈｂａ、 Ｙ、 Ｗａｔａｎａｂｅ。
Ａ１１Ｐ ）ランスバース スタビライズド ビジプ
ル レーザ ダイオーズ ファプリケイテッド バイ
ＭＯＣＶＤ セレクテブ グロースＪ （［ｎＧａＡ
ＩＰ Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ５ｔａｂｉｌｉｚｅｄ
Ｖｉｓｊｂｌｅ Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ Ｆａｂｒ
ｉｃａｔｅｄ ｂｙ ＭＯＣＶＤ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｗｔｈ”、 Ｍ、Ｉｓｈｉｋａｗａ＋ Ｙ、 ０
ｈｂａ、 Ｙ、 Ｗａｔａｎａｂｅ。
Ｈ，Ｎａｇａｓａｋａ、 ｔ（、Ｓｕｇａｗａｒａ、
Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ
１８ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６＋ ｐｐ１５３−１
５６）に示された従来の可視光半導体レーザを示す断面
図であり、図において、１ａはｎ形ＧａＡｓ基板、２ａ
はｎ形ＧａＡｓ層、２２はｎ形Ａｊ！ ＩｎＰ下クラり
ド層、４ａはＱａｌｎＰ活性層、２３はストライプ状に
リッジを形成したｐ形Ａ／２ＩｎＰ上クラッド層、２４
はｐ形Ｇａ１ｎＰバッファ層、７ａば選択成長により形
成したｎ形ＧａＡｓブロック層、８ａはｐ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、９はｐ側電極、１０はｎ側電極である。
Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ
１８ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６＋ ｐｐ１５３−１
５６）に示された従来の可視光半導体レーザを示す断面
図であり、図において、１ａはｎ形ＧａＡｓ基板、２ａ
はｎ形ＧａＡｓ層、２２はｎ形Ａｊ！ ＩｎＰ下クラり
ド層、４ａはＱａｌｎＰ活性層、２３はストライプ状に
リッジを形成したｐ形Ａ／２ＩｎＰ上クラッド層、２４
はｐ形Ｇａ１ｎＰバッファ層、７ａば選択成長により形
成したｎ形ＧａＡｓブロック層、８ａはｐ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、９はｐ側電極、１０はｎ側電極である。
次に動作について説明する。
ｎ形ＧａＡｓ基板１ａとコンタクト層８ａの間のｐｎ接
合に順方向バイアスを印加すると、電流はブロック層７
ａによりストライブ状に形成されたリッジ部から活性層
４ａに注入される。注入されたキャリアは活性層と上下
クラッド層で形成されるヘテロ接合により活性層４ａ内
に閉し込められて、再結合し発光する。さらにブロック
層７ａによる光の吸収及び電流狭窄により活性層４ａの
水平方向に屈折率差が生し、横方向の光の広がりが制限
される。このような導波路により導波される光はストラ
イプ状のりソジの奥行方向に垂直な対向する襞間端面に
より構成されるファブリ・ペロ（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏ
ｔ）型共振器によりレーザ発振に至る。
合に順方向バイアスを印加すると、電流はブロック層７
ａによりストライブ状に形成されたリッジ部から活性層
４ａに注入される。注入されたキャリアは活性層と上下
クラッド層で形成されるヘテロ接合により活性層４ａ内
に閉し込められて、再結合し発光する。さらにブロック
層７ａによる光の吸収及び電流狭窄により活性層４ａの
水平方向に屈折率差が生し、横方向の光の広がりが制限
される。このような導波路により導波される光はストラ
イプ状のりソジの奥行方向に垂直な対向する襞間端面に
より構成されるファブリ・ペロ（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏ
ｔ）型共振器によりレーザ発振に至る。
従来の半導体レーザは以上のように構成されており、活
性層の横方向の光閉し込めを実現するためにブロック層
７ａによる光の吸収及び電流狭窄を用いているが、ブロ
ック層７ａによる光吸収効果を発現させるには該ブロッ
ク層が活性層に十分近接している必要があり、このため
リッジ外部の上クラッド層２３の層厚ｄを薄くする必要
がある。
性層の横方向の光閉し込めを実現するためにブロック層
７ａによる光の吸収及び電流狭窄を用いているが、ブロ
ック層７ａによる光吸収効果を発現させるには該ブロッ
ク層が活性層に十分近接している必要があり、このため
リッジ外部の上クラッド層２３の層厚ｄを薄くする必要
がある。
このリッジ形成はエツチングによって行なわれるが、層
ｗ−ｄの制御は極めて困難であり、層厚ｄのウェハ内の
バラツキのためレーザ特性がそろわず、歩留りや再現性
を低下させていた。また上記従来例に示した半導体レー
ザは３回の結晶成長が必要であり、レーザ形成のプロセ
スが煩雑であり、さらに写真製版及びエツチングの制約
からりソジ幅Ｗを狭く （１〜２μｍ）することができ
ないので、レーザ光は細長いだ円形のビームになるなど
の問題点があった。
ｗ−ｄの制御は極めて困難であり、層厚ｄのウェハ内の
バラツキのためレーザ特性がそろわず、歩留りや再現性
を低下させていた。また上記従来例に示した半導体レー
ザは３回の結晶成長が必要であり、レーザ形成のプロセ
スが煩雑であり、さらに写真製版及びエツチングの制約
からりソジ幅Ｗを狭く （１〜２μｍ）することができ
ないので、レーザ光は細長いだ円形のビームになるなど
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、低しきい値で円形に近いレーザビームが得ら
れるとともに、エツチングのプロセスが容易で再現性よ
く容易にレーザが作製できる半導体レーザを得ることを
目的とする。
たもので、低しきい値で円形に近いレーザビームが得ら
れるとともに、エツチングのプロセスが容易で再現性よ
く容易にレーザが作製できる半導体レーザを得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、（１００）面の半導体
基板上に順メサ型の斜面を有する段差を形成し、該段差
を含む（１００）面の半導体基板上にＭＯＣＶＤ法によ
りＡＡＧａｌｎＰ系の上下クラッド層、及び活性層を形
成し、上記斜面上にレーザ光の発光領域を形成したもの
である。
基板上に順メサ型の斜面を有する段差を形成し、該段差
を含む（１００）面の半導体基板上にＭＯＣＶＤ法によ
りＡＡＧａｌｎＰ系の上下クラッド層、及び活性層を形
成し、上記斜面上にレーザ光の発光領域を形成したもの
である。
この発明における半導体レーザは、Ａｊ２Ｇａ ＩｎＰ
系のＭＯＣＶＤにおいて、（１００）面と斜面部におけ
る結晶成長速度の違いにより斜面部上の活性層厚が（１
００）面上の活性層厚より厚くなることを利用し、活性
層内の光の閉じ込めを斜面部の方が強くし、かつ活性層
が斜面端部の近傍で湾曲するため、斜面に平行な方向に
対し実屈折率分布が形成されるため、斜面部上に発光領
域が形成される。さらに、発光領域の幅はエツチングに
よる溝の深さと下クラッド層の層厚により制御できるた
め、１〜２μｍの狭い発光領域を再現性良く形成でき、
そのため円形に近いレーザビームが得られ、低しきい値
のレーザが得られる。
系のＭＯＣＶＤにおいて、（１００）面と斜面部におけ
る結晶成長速度の違いにより斜面部上の活性層厚が（１
００）面上の活性層厚より厚くなることを利用し、活性
層内の光の閉じ込めを斜面部の方が強くし、かつ活性層
が斜面端部の近傍で湾曲するため、斜面に平行な方向に
対し実屈折率分布が形成されるため、斜面部上に発光領
域が形成される。さらに、発光領域の幅はエツチングに
よる溝の深さと下クラッド層の層厚により制御できるた
め、１〜２μｍの狭い発光領域を再現性良く形成でき、
そのため円形に近いレーザビームが得られ、低しきい値
のレーザが得られる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体レーザを示
す断面図であり、図において、１はエツチングにより
＜０１１＞方向に（１１１）Ｂ面の斜面を有する段差を
形成した（１００）面のＧａＡｓ基板、２はｎ形のＧａ
Ａｓ層、３はＧａＡｓと格子整合するｎ形Ａ４Ｇａ ｒ
ｎＰ下クラりド層、４はＧａＡｓと格子整合するＧａ１
ｎＰ活性層、５はＧａＡｓと格子整合するｐ形Ａｊ！Ｇ
ａ Ｉ ｎＰ上ツクラフ１層６はｎ形のＧａ１ｎＰバッ
ファ層、９はｐ側電極、１０はｎ形電極、１１は斜面部
の領域でｎ形Ｇａ１ｎＰ層６とｐ形Ａｊ２Ｇａ Ｉ ｎ
Ｐ上クりッド膚間までＺｎを拡散した領域である。
す断面図であり、図において、１はエツチングにより
＜０１１＞方向に（１１１）Ｂ面の斜面を有する段差を
形成した（１００）面のＧａＡｓ基板、２はｎ形のＧａ
Ａｓ層、３はＧａＡｓと格子整合するｎ形Ａ４Ｇａ ｒ
ｎＰ下クラりド層、４はＧａＡｓと格子整合するＧａ１
ｎＰ活性層、５はＧａＡｓと格子整合するｐ形Ａｊ！Ｇ
ａ Ｉ ｎＰ上ツクラフ１層６はｎ形のＧａ１ｎＰバッ
ファ層、９はｐ側電極、１０はｎ形電極、１１は斜面部
の領域でｎ形Ｇａ１ｎＰ層６とｐ形Ａｊ２Ｇａ Ｉ ｎ
Ｐ上クりッド膚間までＺｎを拡散した領域である。
なお、各成長層は有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ ：
Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。
Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される。
次に作用効果について説明する。
第３図ｆａｎ、 （ｂｌはそれぞれ＜０１１＞方向、
＜０１１〉方向に順メサ型の段差を形成した（１００
）のＧａＡｓ基板上に、ＭＯＣＶＤ法によりＡＥＧａ
ＩｎＰを成長温度６５０℃、Ｖ／ＩＩＩ＝２００゜圧力
−１５０Ｔ ｏ ｒ ｒで成長させた時の成長状態を示
す図である。この図に示すようにく０１１〉又は＜０１
１＞方向に順メサ型の段差を形威した（１００）のＧａ
Ａｓ基板上では、上述の条件でＡ７！Ｇａ Ｉ ｎＰ系
の結晶成長を行なうと、段差のある斜面部上の方が平坦
部に比べて成長速度が速い。
＜０１１〉方向に順メサ型の段差を形成した（１００
）のＧａＡｓ基板上に、ＭＯＣＶＤ法によりＡＥＧａ
ＩｎＰを成長温度６５０℃、Ｖ／ＩＩＩ＝２００゜圧力
−１５０Ｔ ｏ ｒ ｒで成長させた時の成長状態を示
す図である。この図に示すようにく０１１〉又は＜０１
１＞方向に順メサ型の段差を形威した（１００）のＧａ
Ａｓ基板上では、上述の条件でＡ７！Ｇａ Ｉ ｎＰ系
の結晶成長を行なうと、段差のある斜面部上の方が平坦
部に比べて成長速度が速い。
本実施例レーザは上記現象を利用して作製されており、
基板ｌ上に形威された活性層の層厚は（１００）面上よ
りも斜面部の方が厚くなるため、活性層６内の光の閉し
込めは注入電流が同し場合では斜面部の方が強くなる。
基板ｌ上に形威された活性層の層厚は（１００）面上よ
りも斜面部の方が厚くなるため、活性層６内の光の閉し
込めは注入電流が同し場合では斜面部の方が強くなる。
また、活性層６は斜面の両端部で湾曲するため、斜面部
の活性層の斜面部に平行な方向に実屈折率分布が形威さ
れ、かつＺｎ拡散により斜面部に電流が集中するため、
斜面部以外への光の広がりが制限され、上記斜面部の活
性層が光導波路となりレーザ発振する。
の活性層の斜面部に平行な方向に実屈折率分布が形威さ
れ、かつＺｎ拡散により斜面部に電流が集中するため、
斜面部以外への光の広がりが制限され、上記斜面部の活
性層が光導波路となりレーザ発振する。
このように本実施例では、（１００）面のＧａＡｓ基板
上の一部に順メサ型段差を設け、この上にＭＯＣＶＤ法
によりＡｎＧａｌｎＰ系の活性層を形威し、該活性層の
うち順メサの斜面部上の部分を発光領域とする構成とし
たから、エツチングによる厚み制御が不要で、歩留りを
向上できるとともに、活性領域幅を容易に狭く形成でき
るために、容易に円形ビームの半導体レーザを実現でき
る。
上の一部に順メサ型段差を設け、この上にＭＯＣＶＤ法
によりＡｎＧａｌｎＰ系の活性層を形威し、該活性層の
うち順メサの斜面部上の部分を発光領域とする構成とし
たから、エツチングによる厚み制御が不要で、歩留りを
向上できるとともに、活性領域幅を容易に狭く形成でき
るために、容易に円形ビームの半導体レーザを実現でき
る。
ところで、ＭＯＣＶＤ法により成長したＧａＩｎＰ層は
（１１１） Ｂ面のＧａＡｓ基板や（１００）面に角度
をつけたＧａＡｓ基板を用いた場合、（１００）面のＧ
ａＡｓ基板上に同じ成長条件で成長したＱａＩｎＰ層よ
りもその禁制帯幅が広くなることが知られている。従っ
て斜面部を発光領域とした場合、（１００）面上に発光
領域を形威した半導体レーザよりも短い波長でレーザ発
振する半導体レーザが得られる。
（１１１） Ｂ面のＧａＡｓ基板や（１００）面に角度
をつけたＧａＡｓ基板を用いた場合、（１００）面のＧ
ａＡｓ基板上に同じ成長条件で成長したＱａＩｎＰ層よ
りもその禁制帯幅が広くなることが知られている。従っ
て斜面部を発光領域とした場合、（１００）面上に発光
領域を形威した半導体レーザよりも短い波長でレーザ発
振する半導体レーザが得られる。
第２図は、斜面部を有する（１００）面のＧａＡｓ基板
上の、斜面部及び（１００）面部に各々独立してレーザ
発光領域を設けた本発明の第２の実施例による半導体レ
ーザを示す断面図である。
上の、斜面部及び（１００）面部に各々独立してレーザ
発光領域を設けた本発明の第２の実施例による半導体レ
ーザを示す断面図である。
図において、９ａと９ｂはそれぞれの半導体レーザを駆
動するため電気的に独立したｐ側電極である。
動するため電気的に独立したｐ側電極である。
本実施例のように斜面部上と平坦部上にそれぞれ発光領
域をもつ半導体レーザを構成した場合、上述の原理から
発振波長の異なる半導体レーザを同一基板上に形威する
ことができ、２波長の光源となる。
域をもつ半導体レーザを構成した場合、上述の原理から
発振波長の異なる半導体レーザを同一基板上に形威する
ことができ、２波長の光源となる。
なお、上記実施例ではｎ形ＧａＡｓ基板１に順メサ型の
段差を形威し、Ｚｎ拡散により電流狭窄したものを示し
たが、イオン注入により電流狭窄してもよい。
段差を形威し、Ｚｎ拡散により電流狭窄したものを示し
たが、イオン注入により電流狭窄してもよい。
また、上記実施例ではｎ形ＧａＡｓ基板の場合について
説明したが、第４図、第５図に示すようにｐ形基板であ
ってもよい。
説明したが、第４図、第５図に示すようにｐ形基板であ
ってもよい。
第４図に示す本発明の第３の実施例は、酸化膜又は窒化
膜等の絶縁膜１８により電流狭窄したものである。また
第５図に示す本発明の第４の実施例は、下クラッド層１
５のｐ形ＡＡＧａＩｎ、Ｐとｐ−ＧａＡｓとのバンド不
連続を利用して電流狭窄をしたもので、ｐ形ＧａＡｓ基
板１２ａ上にｐ形ＧａＡｓ層１９．ｐ形Ｇａ１ｎＰ層２
０．ｎ形ＧａＡｓブロック層２１を順次形威し、次にｐ
形Ｇａ１ｎＰ層まで選択エツチングにより順メサ形の段
差を形威し、その上に活性層４を含む層を成長する。従
って、ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰとｐ−ＧａＡｓ間よりもｐ
−ＡβＱａＪｎＰとｐ−Ｇａ Ｉ ｎＰ間の方がバンド
不連続は小さいため、電流は斜面部のｐ−ＧａＩｎＰ層 と同様の効果を奏する。なお図中、２５はイオン注入に
より形威した高抵抗領域である。
膜等の絶縁膜１８により電流狭窄したものである。また
第５図に示す本発明の第４の実施例は、下クラッド層１
５のｐ形ＡＡＧａＩｎ、Ｐとｐ−ＧａＡｓとのバンド不
連続を利用して電流狭窄をしたもので、ｐ形ＧａＡｓ基
板１２ａ上にｐ形ＧａＡｓ層１９．ｐ形Ｇａ１ｎＰ層２
０．ｎ形ＧａＡｓブロック層２１を順次形威し、次にｐ
形Ｇａ１ｎＰ層まで選択エツチングにより順メサ形の段
差を形威し、その上に活性層４を含む層を成長する。従
って、ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰとｐ−ＧａＡｓ間よりもｐ
−ＡβＱａＪｎＰとｐ−Ｇａ Ｉ ｎＰ間の方がバンド
不連続は小さいため、電流は斜面部のｐ−ＧａＩｎＰ層 と同様の効果を奏する。なお図中、２５はイオン注入に
より形威した高抵抗領域である。
また、第６図に示す本発明の第５の実施例のように、ｐ
形ＧａＡｓ基板１２ａを用いた場合、上記基板１２ａ上
のｎ形ＧａＡｓ層２１ａとｐ形ＧａＩｎＰ層２０ａをエ
ツチングして順メサ型のリッジを形威し、その上に活性
層４を含む層を形威し、上記リッジ上でｎ側電極１０ａ
、１０ｂを分離し、かつリッジ両斜面部を電気的に独立
させることにより、同一基板上に２つの半導体レーザを
形成することができる。この場合、２つのレーザの発振
波長は同じとなる。
形ＧａＡｓ基板１２ａを用いた場合、上記基板１２ａ上
のｎ形ＧａＡｓ層２１ａとｐ形ＧａＩｎＰ層２０ａをエ
ツチングして順メサ型のリッジを形威し、その上に活性
層４を含む層を形威し、上記リッジ上でｎ側電極１０ａ
、１０ｂを分離し、かつリッジ両斜面部を電気的に独立
させることにより、同一基板上に２つの半導体レーザを
形成することができる。この場合、２つのレーザの発振
波長は同じとなる。
Ｏ
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、順メサ型の斜面を有
する段差を含む（１００）面の半導体基板上にＭＯＣＶ
Ｄ法によりＡＡＩＧａＩｎＰ系の上下クラッド層、及び
活性層を形成し、上記斜面上にレーザ光の発光領域を形
成した構成としたから、容易に発光領域を狭くすること
ができるため、円形に近いレーザビームと低しきい値の
ものが得られ、またプロセスが容易なため高歩留りとな
り、安価にできる効果がある。
する段差を含む（１００）面の半導体基板上にＭＯＣＶ
Ｄ法によりＡＡＩＧａＩｎＰ系の上下クラッド層、及び
活性層を形成し、上記斜面上にレーザ光の発光領域を形
成した構成としたから、容易に発光領域を狭くすること
ができるため、円形に近いレーザビームと低しきい値の
ものが得られ、またプロセスが容易なため高歩留りとな
り、安価にできる効果がある。
また、斜面部上と（１００）面上の両方にレーザ発光領
域を形成することにより２波長発振の半導体レーザを容
易に構成できる効果がある。
域を形成することにより２波長発振の半導体レーザを容
易に構成できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体レーザを
示す断面側面図、第２図はこの発明の第２の実施例によ
る半導体レーザを示す断面側面図、第３図は順メサ型の
段差を形成した（１００）のＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶ
Ｄ法によりＡβＧａＩｎＰを成長させた時の成長状態を
示す図、第４図第５図はこの発明の第３．第４の実施例
を示す半導体レーザの断面側面図、第６図はこの発明の
第５の実施例を示す半導体レーザの断面図、第７図は従
来の半導体レーザを示す断面図である。 １はｎ形ＧａＡｓ基板、３はｎ形Ａ Ｅ Ｇ ａ Ｉ
ｎＰ下ツクラフ１層４はＧａＩｎＰ活性層、５はｐ形Ａ
７ｉＧａｌｎＰ上りラッド層、９ａは斜面部を発光領域
とするレーザのｐ側電極、９ｂは平坦部を発光領域とす
るレーザのｐ側電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す断面側面図、第２図はこの発明の第２の実施例によ
る半導体レーザを示す断面側面図、第３図は順メサ型の
段差を形成した（１００）のＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶ
Ｄ法によりＡβＧａＩｎＰを成長させた時の成長状態を
示す図、第４図第５図はこの発明の第３．第４の実施例
を示す半導体レーザの断面側面図、第６図はこの発明の
第５の実施例を示す半導体レーザの断面図、第７図は従
来の半導体レーザを示す断面図である。 １はｎ形ＧａＡｓ基板、３はｎ形Ａ Ｅ Ｇ ａ Ｉ
ｎＰ下ツクラフ１層４はＧａＩｎＰ活性層、５はｐ形Ａ
７ｉＧａｌｎＰ上りラッド層、９ａは斜面部を発光領域
とするレーザのｐ側電極、９ｂは平坦部を発光領域とす
るレーザのｐ側電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）（１００）面の半導体基板上に、該半導体基板を
エッチングして形成された、あるいは該半導体基板上に
形成された半導体層をエッチングして形成された順メサ
型の斜面部を有し、 該順メサ型の斜面部を有する上記（１００）面の半導体
基板上にＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＩｎＰ系材料を順
次結晶成長して形成した第１クラッド層、活性層、第２
クラッド層を備え、 上記斜面部上に半導体レーザの発光領域を構成したこと
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166990A JPH03244178A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166990A JPH03244178A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03244178A true JPH03244178A (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=12614804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4166990A Pending JPH03244178A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03244178A (ja) |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP4166990A patent/JPH03244178A/ja active Pending
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