JPS58214092A - 超高純度ガスの純度維持方法 - Google Patents
超高純度ガスの純度維持方法Info
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- F17C2223/01—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel characterised by the phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はボンベに充填さね、た５ナイン又はそれ以上の
極めて純度の高いガス又は液化ガスの純度を低下させな
いで保管し或いは断続又は連続使用出来る純度の維持方
法に関するものである・従来半導体、光ファイバー、大
ｖＪ電池等を製造する場合には、極めて純凰の高いＣＦ
、 、ＣＣ１ＦいＣ，Ｆ、 、ＣＣｔＦ、 、８１ｃ１
４．８ｉＨ４，ｓｔＨ，ＣＡ！、、ＮＨ，、Ｎ、 ０．
１４Ｃ４％ＢＣＩｌ、 、 Ｃｌ１等のガス或いは液化
ガスが使用されるが、これらは通常ボンベに充填されて
供給され適宜導出されて使用される。
極めて純度の高いガス又は液化ガスの純度を低下させな
いで保管し或いは断続又は連続使用出来る純度の維持方
法に関するものである・従来半導体、光ファイバー、大
ｖＪ電池等を製造する場合には、極めて純凰の高いＣＦ
、 、ＣＣ１ＦいＣ，Ｆ、 、ＣＣｔＦ、 、８１ｃ１
４．８ｉＨ４，ｓｔＨ，ＣＡ！、、ＮＨ，、Ｎ、 ０．
１４Ｃ４％ＢＣＩｌ、 、 Ｃｌ１等のガス或いは液化
ガスが使用されるが、これらは通常ボンベに充填されて
供給され適宜導出されて使用される。
上記において液化ガスは通常ボンベ内において液相とガ
ス相が共存している。
ス相が共存している。
一般にボンベに充填された上昭ガス或いは液化ガス（以
下総称してガスという）を使用する場合、ボンベはマン
ガン鋼、クロムモリブデン鋼、ボンベの弁としては砲金
、ボンベ用調圧器、流量計等流路に使用される器具、配
管は、ステンレス鋼が多く使用されている・しかしこれ
らボンベ、ボンべの升等の内部力）らＦｔ４＊の原因と
なる撤着の水分や酸素分を完全に除去することは偵めて
困難であり経時的に腐食が発生して純度を低下させる。
下総称してガスという）を使用する場合、ボンベはマン
ガン鋼、クロムモリブデン鋼、ボンベの弁としては砲金
、ボンベ用調圧器、流量計等流路に使用される器具、配
管は、ステンレス鋼が多く使用されている・しかしこれ
らボンベ、ボンべの升等の内部力）らＦｔ４＊の原因と
なる撤着の水分や酸素分を完全に除去することは偵めて
困難であり経時的に腐食が発生して純度を低下させる。
このため、上記のボンベ、ボンベの升、必要によっては
配管等の材質は、形成するデバイスの倣細化に伴なりて
品純凌、特に重金礪が不純物（ミスト、粉体をよむ）と
して含有しないという糸外が厳しく要求される半導体用
ガスを取扱う材質と。
配管等の材質は、形成するデバイスの倣細化に伴なりて
品純凌、特に重金礪が不純物（ミスト、粉体をよむ）と
して含有しないという糸外が厳しく要求される半導体用
ガスを取扱う材質と。
しては不適当である。
上記ガス用ボンベとしては、ｒａｔ図に示すような両側
にバルブ１の取付けられた８Ｕ８ボンベ２が輸入さｎ１
半導体用ガスに使用されている。しかしこのタイプはボ
ンベを立てて使用する場合には不便であり、また升のｉ
Ｗ度１．、ｔｌｒ久性も劣りざらに丙１続使用時、経時
的に純度が低下するなどの問題がある。このため上記ｉ
１１ 照点を配暉した通常のタイプ（底部を接地して立
てるよう番こし、頭部にバルブを設けｔ−もの）のボン
ベも開発されつつある。
にバルブ１の取付けられた８Ｕ８ボンベ２が輸入さｎ１
半導体用ガスに使用されている。しかしこのタイプはボ
ンベを立てて使用する場合には不便であり、また升のｉ
Ｗ度１．、ｔｌｒ久性も劣りざらに丙１続使用時、経時
的に純度が低下するなどの問題がある。このため上記ｉ
１１ 照点を配暉した通常のタイプ（底部を接地して立
てるよう番こし、頭部にバルブを設けｔ−もの）のボン
ベも開発されつつある。
ところで、半纏体を製造する一合、ガスを充填したボン
ベに配管を取付けさらに必要に応じて配管にバルブを設
は流量を調節しながらガスを供給するが、供給されるガ
ス中の重金稿は故ｐｐｂ以下であることが要求される。
ベに配管を取付けさらに必要に応じて配管にバルブを設
は流量を調節しながらガスを供給するが、供給されるガ
ス中の重金稿は故ｐｐｂ以下であることが要求される。
しかし、特ｌこガスの保存期間が長かつたり、断続使用
した時には、含有重金属の晴は増加し当初の高純度が維
持出来ない不都合があった・ 本発明は上記の事情に鑑み長期保存哉いは断続使用して
も使用に供するガス′純度が低下することのないガスの
線間維持方法を提供することを目的とするもので、使用
するガスまたは液化ガスのボンベ内面にニッケルメッキ
或いは金メッキを施すかボンベそのものをステンレスｍ
Ｗとし、またボンベの弁および心安によってはボンベ１
ｌＡｌ圧器、流付計等のガス流路に使用されるａ具、配
管の接ガス部分にニッケルメッキ或いは金メッキを施し
たものである。
した時には、含有重金属の晴は増加し当初の高純度が維
持出来ない不都合があった・ 本発明は上記の事情に鑑み長期保存哉いは断続使用して
も使用に供するガス′純度が低下することのないガスの
線間維持方法を提供することを目的とするもので、使用
するガスまたは液化ガスのボンベ内面にニッケルメッキ
或いは金メッキを施すかボンベそのものをステンレスｍ
Ｗとし、またボンベの弁および心安によってはボンベ１
ｌＡｌ圧器、流付計等のガス流路に使用されるａ具、配
管の接ガス部分にニッケルメッキ或いは金メッキを施し
たものである。
本発明に係る超高純度ガスの純度の維持方法は、半“導
体寺の製造に使用される腐３Ｎ＋−性才たは腐食性のな
いボンベ入りガスのいずれに対しても有効に適用出来る
方法である。腐食性のないガスにおいては、ボンベその
他に腐食が発生しないので通常の＃１度の範囲では純度
の低下はない。しかし数ｆ）ｐｂ の不純物が対象とな
る場合曝こは、接ガス内面に極ｇｊＩ量吸涜残留するＯ
、 、Ｈ，Ｏ等）こよりで経時的にボンベ等の内面が腐
食され、これがガス中に入るため純度の低下は避は得な
い。また腐食性ガスにおいては純度の低下はさらに助長
される。。
体寺の製造に使用される腐３Ｎ＋−性才たは腐食性のな
いボンベ入りガスのいずれに対しても有効に適用出来る
方法である。腐食性のないガスにおいては、ボンベその
他に腐食が発生しないので通常の＃１度の範囲では純度
の低下はない。しかし数ｆ）ｐｂ の不純物が対象とな
る場合曝こは、接ガス内面に極ｇｊＩ量吸涜残留するＯ
、 、Ｈ，Ｏ等）こよりで経時的にボンベ等の内面が腐
食され、これがガス中に入るため純度の低下は避は得な
い。また腐食性ガスにおいては純度の低下はさらに助長
される。。
これらガス純度の低下が半導体製造時のトラブルとなる
ことが多い。
ことが多い。
これを解決するため欅々な材質を用いて実験を行ない接
ガス接液面のメッキ或いはボンベに特殊な材質を用いる
ことにより、非腐食性ガスは勿論腐食性ガスに８いても
当初の純度を維持した状態で１更用出来ることを知見し
た。
ガス接液面のメッキ或いはボンベに特殊な材質を用いる
ことにより、非腐食性ガスは勿論腐食性ガスに８いても
当初の純度を維持した状態で１更用出来ることを知見し
た。
本発明は、この知見に基づいてなされたものである。な
お、メッキは種々なメッキ法を検討した結果ニッケルメ
ッキ、金メツキ共に周知の無電解メッキ（化学メッキ）
法を採用した０ 以下に実験例を示し本発明を具体的に説明する。
お、メッキは種々なメッキ法を検討した結果ニッケルメ
ッキ、金メツキ共に周知の無電解メッキ（化学メッキ）
法を採用した０ 以下に実験例を示し本発明を具体的に説明する。
実験に使用した装置のフローを第２図に示した。
＠２図はガス及び液化ガスの・装置を示すもので、ボン
ベ１１の弁１２を操作して導出されたガスは調圧弁１３
、流倉計１４等が喉付けられた配管部１５を通って分析
装置ｆｔ１６に送入され分析される。
ベ１１の弁１２を操作して導出されたガスは調圧弁１３
、流倉計１４等が喉付けられた配管部１５を通って分析
装置ｆｔ１６に送入され分析される。
また断続操作は３０分ガスを放出した後、１日放置を５
回繰返えしてサンプリングした・才た容器放置は充填容
器を３ケ月以上放１６ｔシた後上記サンプリング装置を
用いて３０分放出した後サンプリングした。
回繰返えしてサンプリングした・才た容器放置は充填容
器を３ケ月以上放１６ｔシた後上記サンプリング装置を
用いて３０分放出した後サンプリングした。
なお分析方法としては、原子吸光法、イオンプラズマ発
光分析法を併用した。
光分析法を併用した。
実験条件および結果を第１表に示す。表中、０Ｍニクロ
ムモリブデン鋼等の通常のボンベ材質、Ｂ：鉋金、Ｓニ
ステンレス鋼（８Ｕ８３０４．３１６．３１６１Ｊ、等
のＢＵＳ材）、Ｇ：金メッキ、ＮｉＨニッケルメッキを
示す。また、 ボンベ：ボンベ内面の処理法、 ボンベの弁；ボンベの升の接ガス部の処理法、配管部：
ａＩＩＩ！圧器、ｍ１ｊｋ！！士を含む上記ボンベの弁
１２より分析装置１７間の通ガス部接ガス面の処理法を
ｔ味する。
ムモリブデン鋼等の通常のボンベ材質、Ｂ：鉋金、Ｓニ
ステンレス鋼（８Ｕ８３０４．３１６．３１６１Ｊ、等
のＢＵＳ材）、Ｇ：金メッキ、ＮｉＨニッケルメッキを
示す。また、 ボンベ：ボンベ内面の処理法、 ボンベの弁；ボンベの升の接ガス部の処理法、配管部：
ａＩＩＩ！圧器、ｍ１ｊｋ！！士を含む上記ボンベの弁
１２より分析装置１７間の通ガス部接ガス面の処理法を
ｔ味する。
第１表
第１表により明かなように容器の接ガス面に金メッキ又
はニッケルメッキを施すか載いはボンベをステンレス鋼
製とし、かつボンベの弁をニッケルメッキ或いは金メッ
キとし、更に必要な場合は配管部の接ガス面に金メッキ
又はニッケルメッキを施して、ガスの種類に応じて適宜
組合せることにより半纏体製着用等の超高純度ガスの純
度を低下させずに使用に供することが出来る。
はニッケルメッキを施すか載いはボンベをステンレス鋼
製とし、かつボンベの弁をニッケルメッキ或いは金メッ
キとし、更に必要な場合は配管部の接ガス面に金メッキ
又はニッケルメッキを施して、ガスの種類に応じて適宜
組合せることにより半纏体製着用等の超高純度ガスの純
度を低下させずに使用に供することが出来る。
第１図は、輸入ガスに使用されている容器を示す側面図
、第２図は実験に用いた装置のフローを示す図である。 １１・・・・・・ボンベ、１２・・・・・・ボンベの弁
、１３・・・・・・調圧弁、１４・・・・・・流置計、
１５・・・・・・配管部、１６・・・・・・分析装置。 出願人昭和電工株式会社 第１図 第２図 手続補正書（自発） ５７．７．フ 昭和 年 月 日 昭和５７ 年特許願第９５８８９号 ２、発明の名称 超高純度ガスの純度維持方法 ３、 補正をする者 時計出願人 （コｏｏ＞ｒｓ和亀工株式会社 ４、代理人
、第２図は実験に用いた装置のフローを示す図である。 １１・・・・・・ボンベ、１２・・・・・・ボンベの弁
、１３・・・・・・調圧弁、１４・・・・・・流置計、
１５・・・・・・配管部、１６・・・・・・分析装置。 出願人昭和電工株式会社 第１図 第２図 手続補正書（自発） ５７．７．フ 昭和 年 月 日 昭和５７ 年特許願第９５８８９号 ２、発明の名称 超高純度ガスの純度維持方法 ３、 補正をする者 時計出願人 （コｏｏ＞ｒｓ和亀工株式会社 ４、代理人
Claims (2)
- （１）ボンベに充填された超高純度のガスまたは液化ガ
スの純度を維持する方法において、使用するガスまたは
液化ガスのボンベの内面にニッケルメッキ或いは金メッ
キを施すかボンベそのものをステンレス鋼製とし、かつ
該ボンベの弁に二・１ケルメッキ或いは金メッキを施す
ことを特徴とする超基純度ガスの純度維持方法・ - （２）ボンベに充填さ０．た超高純度のガスまたは液化
ガスの純度を維持する方法において、使用するガスまた
は液化ガスのボンベの内面にニッケルメッキ或いは金メ
ッキを１１Ｉ４ｔかボンベそのものをステンレス鋼製と
するとともに、を乏ボンベの弁およびガスの調圧器、＃
、＃ｌ−計等のガス流路に使用される器具を含む配管の
接ガス、接液部分にニッケルメッキ或いは金メッキを施
すことを特徴とする超高純度ガスの純度維持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9588982A JPS58214092A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9588982A JPS58214092A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214092A true JPS58214092A (ja) | 1983-12-13 |
| JPH0246837B2 JPH0246837B2 (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=14149874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9588982A Granted JPS58214092A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214092A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168517A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの充填方法 |
| US6503771B1 (en) | 1983-08-22 | 2003-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor photoelectrically sensitive device |
| US7038238B1 (en) | 1985-05-07 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer |
| KR100924987B1 (ko) | 2009-05-29 | 2009-11-04 | 주식회사 세창엠아이 | 암모니아 가스용기의 제조방법 |
| JP2016042047A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | アルメックスコーセイ株式会社 | 気体流量制御装置、気体流量制御弁および気体流量計 |
| WO2017175562A1 (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 関東電化工業株式会社 | 材料、この材料を用いた保存容器、この保存容器に取り付けられるバルブ、並びに、ＣｌＦの保存方法、ＣｌＦの保存容器の使用方法 |
| WO2024127901A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | セントラル硝子株式会社 | 液化ガス入り容器および液化ガス入り容器の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096912A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-08-01 |
-
1982
- 1982-06-04 JP JP9588982A patent/JPS58214092A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096912A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-08-01 |
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| JPH0471006B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1992-11-12 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| US7038238B1 (en) | 1985-05-07 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer |
| KR100924987B1 (ko) | 2009-05-29 | 2009-11-04 | 주식회사 세창엠아이 | 암모니아 가스용기의 제조방법 |
| JP2016042047A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | アルメックスコーセイ株式会社 | 気体流量制御装置、気体流量制御弁および気体流量計 |
| WO2017175562A1 (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 関東電化工業株式会社 | 材料、この材料を用いた保存容器、この保存容器に取り付けられるバルブ、並びに、ＣｌＦの保存方法、ＣｌＦの保存容器の使用方法 |
| CN108884548A (zh) * | 2016-04-05 | 2018-11-23 | 关东电化工业株式会社 | 材料、使用该材料的保存容器、安装于该保存容器的阀以及ClF的保存方法、ClF容器的使用方法 |
| JPWO2017175562A1 (ja) * | 2016-04-05 | 2019-02-14 | 関東電化工業株式会社 | 材料、この材料を用いた保存容器、この保存容器に取り付けられるバルブ、並びに、ＣｌＦの保存方法、ＣｌＦの保存容器の使用方法 |
| US10982811B2 (en) | 2016-04-05 | 2021-04-20 | Kanto Denka Kogyo, Co., Ltd. | Material, storage container using the material, valve attached to the storage container, method of storing ClF and method of using ClF storage container |
| TWI786043B (zh) * | 2016-04-05 | 2022-12-11 | 日商關東電化工業股份有限公司 | 保存容器 |
| WO2024127901A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | セントラル硝子株式会社 | 液化ガス入り容器および液化ガス入り容器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246837B2 (ja) | 1990-10-17 |
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