JPS591900A - 超高純度ガスの純度維持方法 - Google Patents
超高純度ガスの純度維持方法Info
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- JPS591900A JPS591900A JP11208382A JP11208382A JPS591900A JP S591900 A JPS591900 A JP S591900A JP 11208382 A JP11208382 A JP 11208382A JP 11208382 A JP11208382 A JP 11208382A JP S591900 A JPS591900 A JP S591900A
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- purity
- cylinder
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- plating
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/002—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels for vessels under pressure
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17C2201/00—Vessel construction, in particular geometry, arrangement or size
- F17C2201/01—Shape
- F17C2201/0104—Shape cylindrical
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17C2205/00—Vessel construction, in particular mounting arrangements, attachments or identifications means
- F17C2205/03—Fluid connections, filters, valves, closure means or other attachments
- F17C2205/0302—Fittings, valves, filters, or components in connection with the gas storage device
- F17C2205/0323—Valves
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17C2223/01—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel characterised by the phase
- F17C2223/0146—Two-phase
- F17C2223/0153—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F17C2250/04—Indicating or measuring of parameters as input values
- F17C2250/0404—Parameters indicated or measured
- F17C2250/0443—Flow or movement of content
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F17C2250/00—Accessories; Control means; Indicating, measuring or monitoring of parameters
- F17C2250/06—Controlling or regulating of parameters as output values
- F17C2250/0605—Parameters
- F17C2250/0642—Composition; Humidity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はボンベに充填されたＳナインまたはそれ以上の
極めて純度の高い比較的腐食性の少ないガス又は液化ガ
スの純度を低下させないで保管し或いは断続又は連続使
用出来る純度の維持方法に関するものである。
極めて純度の高い比較的腐食性の少ないガス又は液化ガ
スの純度を低下させないで保管し或いは断続又は連続使
用出来る純度の維持方法に関するものである。
従来半導体等を製造する場合には極めて純度の高いＣＦ
４、ＣＣｌＦ３、Ｃ２Ｆ、、Ｃ２ｐｌＦ５、Ｓ ｉ Ｃ
１４、ＳｉＨ４，５ｉＨ２Ｃ１２、ＮＨ３、Ｎ２０、Ｈ
Ｃｌ−ＢＣｌ３、Ｃ１２等のガス或いは液化ガスが使用
されるが、これらは通常ボンベに充填されて供給され適
宜導出されて使用される。
４、ＣＣｌＦ３、Ｃ２Ｆ、、Ｃ２ｐｌＦ５、Ｓ ｉ Ｃ
１４、ＳｉＨ４，５ｉＨ２Ｃ１２、ＮＨ３、Ｎ２０、Ｈ
Ｃｌ−ＢＣｌ３、Ｃ１２等のガス或いは液化ガスが使用
されるが、これらは通常ボンベに充填されて供給され適
宜導出されて使用される。
一般にボンベに充填された上記ガス或いは液化ガス（以
下総称してガスという）を使用する場合、ボンベはマン
ガン鋼、クロムモリブテン鋼、ボンベノ弁としては、砲
金、ボンベ用調圧弁、流量計等流路に使用される配管は
、ステンレス鋼が多く使用されている。しかしこれらボ
ンベ、弁、配管等の内部から腐食の原因となる水分や酸
素を完全に除去することは極めて困難であり、経時的に
腐食が発生してガスの純度を低下させる。
下総称してガスという）を使用する場合、ボンベはマン
ガン鋼、クロムモリブテン鋼、ボンベノ弁としては、砲
金、ボンベ用調圧弁、流量計等流路に使用される配管は
、ステンレス鋼が多く使用されている。しかしこれらボ
ンベ、弁、配管等の内部から腐食の原因となる水分や酸
素を完全に除去することは極めて困難であり、経時的に
腐食が発生してガスの純度を低下させる。
特に最近デバイスの微細化に伴って重金属が不純物（ミ
スト、粉体を含む）として含有されないという条件が厳
しく要求される半導体を製造するガスを取扱う場合、そ
の材質の選択は極めて重要である。
スト、粉体を含む）として含有されないという条件が厳
しく要求される半導体を製造するガスを取扱う場合、そ
の材質の選択は極めて重要である。
ところで半導体の製造に使用される上記ガスのうち、Ｃ
Ｆ４、ＣＣｌＦ３等のフロン類、Ｎ２０． ＮＨ３等比
較的腐食性の少ないガスにおいては、充填したボンベ内
における腐食の発生は少なく、外気と接することの多い
ボンベの弁或いは調圧弁、流量計等を含む配管は０２お
よびＨ２Ｏを吸着して腐食され、使用に際して重金属が
ミスト又は粉末となってガス中に混入されガス純度が低
下する不都−合があった。
Ｆ４、ＣＣｌＦ３等のフロン類、Ｎ２０． ＮＨ３等比
較的腐食性の少ないガスにおいては、充填したボンベ内
における腐食の発生は少なく、外気と接することの多い
ボンベの弁或いは調圧弁、流量計等を含む配管は０２お
よびＨ２Ｏを吸着して腐食され、使用に際して重金属が
ミスト又は粉末となってガス中に混入されガス純度が低
下する不都−合があった。
本発明は上記の事情に鑑み、長期間保管或いは断続使用
しても使用に供するガスの純度が低下しない比較的腐食
性の少ない半導体製造用等のガスの純度維持方法を提供
することを目的とするもので、その要旨はボンベに充填
された高純度のガスまたは液化ガスの純度を維持する方
法において、使用するガスまたは液化ガスのボンベその
ものはクロムモリブデン鋼等の通常のボンベ材質とし、
該ボンベの弁およびガスの調圧弁、流量計等のガス流路
に使用される器具を含む配管の接ガス、接液部分にニッ
ケルメッキ或いは金メッキを施すことを特徴とする高純
度ガスの純度維持方法にある。
しても使用に供するガスの純度が低下しない比較的腐食
性の少ない半導体製造用等のガスの純度維持方法を提供
することを目的とするもので、その要旨はボンベに充填
された高純度のガスまたは液化ガスの純度を維持する方
法において、使用するガスまたは液化ガスのボンベその
ものはクロムモリブデン鋼等の通常のボンベ材質とし、
該ボンベの弁およびガスの調圧弁、流量計等のガス流路
に使用される器具を含む配管の接ガス、接液部分にニッ
ケルメッキ或いは金メッキを施すことを特徴とする高純
度ガスの純度維持方法にある。
一般に腐食性の比較的少ないガスにおいては、重金属不
純物に対して相当の高純度が要求されても、使用材質の
腐食の発生は殆んどないので純度の低下はないと云える
。しかし数ＰＰｂの重金属不純物が対象となる場合には
、接ガス内面に微量吸着する０２、Ｈ２Ｏによって材質
面が腐食され、これがガス中に入るので純度の低下は避
は得ない。
純物に対して相当の高純度が要求されても、使用材質の
腐食の発生は殆んどないので純度の低下はないと云える
。しかし数ＰＰｂの重金属不純物が対象となる場合には
、接ガス内面に微量吸着する０２、Ｈ２Ｏによって材質
面が腐食され、これがガス中に入るので純度の低下は避
は得ない。
これらガス純度の低下が半導体製造時のトラブルとなる
ことが多い。
ことが多い。
こｈを解決するため種々な材質を用いて実験を行ない、
比較的腐食性の少ないガスにおいては、外気にふれ易い
ボ／ぺの弁および調圧弁、流量計を含む配管の接ガス面
に金メッキ或はニッケルメッキを施すことによって当初
の純度を維持した状態で使用出来ることを知見した。
比較的腐食性の少ないガスにおいては、外気にふれ易い
ボ／ぺの弁および調圧弁、流量計を含む配管の接ガス面
に金メッキ或はニッケルメッキを施すことによって当初
の純度を維持した状態で使用出来ることを知見した。
本発明は、この知見に基づいてなされたものである。な
お、メッキは種々なメッキ法を検討した結果ニック゛ル
メツキ、金メツキ共に周知の無電解メッキ（化学メッキ
）法を採用した。
お、メッキは種々なメッキ法を検討した結果ニック゛ル
メツキ、金メツキ共に周知の無電解メッキ（化学メッキ
）法を採用した。
以下に実験例を示し本発明を具体的に説明する。
実験に使用した装置のフローを第１図に示した。
第１図はガス及び液化ガスの装置を示すもので、ボンベ
１の弁２を操作して導出されたガスは調圧弁３、流量計
４等が取付けられた配管部５を通って分析装置６に送入
され分析される。また操作は断続操作とした。断続操作
は３θ分ガスを放出した後、７日放置を５回繰返えして
サンプリングした。
１の弁２を操作して導出されたガスは調圧弁３、流量計
４等が取付けられた配管部５を通って分析装置６に送入
され分析される。また操作は断続操作とした。断続操作
は３θ分ガスを放出した後、７日放置を５回繰返えして
サンプリングした。
なお、分析方法としては、原子吸光法、イオンプラズマ
発光分析法を併用した。
発光分析法を併用した。
実験条件訃よび結果を第１表に示す。表中ＣＭ、クロム
モリブデン鋼等の通常のボンベ材質、Ｓニステンレス鋼
（ＳＵＳ ３０４．３１６．３１６Ｌ等のＳＵＳ材）、
Ｇ：金メッキ、Ｎｉ：ニッケルメッキを示す。またボン
ベ：ボンベの材質、ボンベの弁：ボンベの弁の接ガス面
の処理法、配管部：調圧弁、流量計等を含む上記ボンベ
の弁２より分析装［６間の通ガス部の接ガス面の処理法
を意味する。
モリブデン鋼等の通常のボンベ材質、Ｓニステンレス鋼
（ＳＵＳ ３０４．３１６．３１６Ｌ等のＳＵＳ材）、
Ｇ：金メッキ、Ｎｉ：ニッケルメッキを示す。またボン
ベ：ボンベの材質、ボンベの弁：ボンベの弁の接ガス面
の処理法、配管部：調圧弁、流量計等を含む上記ボンベ
の弁２より分析装［６間の通ガス部の接ガス面の処理法
を意味する。
第１表より明かガように比較的腐食性の少ないガスの場
合には、ボンベ材質として通常のボンベ材質であるクロ
ムモリブデン鋼を用いても、ボンベの弁、および配管部
の接ガス面にニッケルメッキ又は金メッキを施す事によ
り使用供するガス中の全重金属濃度を／θＰＰｂ以下に
維持することが出来る。
合には、ボンベ材質として通常のボンベ材質であるクロ
ムモリブデン鋼を用いても、ボンベの弁、および配管部
の接ガス面にニッケルメッキ又は金メッキを施す事によ
り使用供するガス中の全重金属濃度を／θＰＰｂ以下に
維持することが出来る。
第７図は実験に使用した装置ｈ（７）７０−を示・ｆＸ
ｇである。 銖 １・・・・・・ボンベ、２・・・・・・ボンベの弁、３
・・・・・・調圧弁、４・・・・・・流量計、５・・・
・配管部、６・・・・・・分析装置。 出願人昭和亀工株式会社
ｇである。 銖 １・・・・・・ボンベ、２・・・・・・ボンベの弁、３
・・・・・・調圧弁、４・・・・・・流量計、５・・・
・配管部、６・・・・・・分析装置。 出願人昭和亀工株式会社
Claims (1)
- ボンベに充填された超高純度のガスまたは液化ガスの純
度を維持する方法において、該ボンベの弁およびガスの
調圧弁、流量計等のガス流路に使用される器具を含む配
管の接ガス、接液部分にニッケルメッキ或いは金メッキ
を施すことを特徴とする超烏純度ガスの純度維持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11208382A JPS591900A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11208382A JPS591900A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS591900A true JPS591900A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14577653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11208382A Pending JPS591900A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 超高純度ガスの純度維持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02127533A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-16 | Oike Ind Co Ltd | 装飾糸 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096912A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-08-01 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11208382A patent/JPS591900A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096912A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-08-01 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02127533A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-16 | Oike Ind Co Ltd | 装飾糸 |
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