JP4422521B2 - Co暴露処理方法 - Google Patents

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本発明は、一酸化炭素ガス(以下、「CO」と言う。)用の調節弁(以下、「CO調節弁」と言う。)等をCO暴露処理するためのCO暴露処理方法に関する。ここで、「調節弁」とは、弁体内部に何らかの駆動部を有し、流体の圧力、流量等を制御できる弁、例えば減圧弁を意味する。
半導体工場では、COを原料として各種処理を行っている。この場合、COは、CO容器から配管系を介してCO消費設備に供される。配管系とは、配管と、該配管に取り付けた弁、フィルター、圧力センサー等の部品からなる全体を言う。そして、配管及び各種部品には、耐久性の点でステンレスが使われている。
この場合、配管系にニッケル系ガスケットを用いると、ガスケット中のニッケル(単に「Ni」と標記することもある。)がCOと反応して、半導体製造の際に汚染物質である、ニッケルカルボニル(以下、「Ni(CO)4」と表記する。)が生ずることが知られている。
特開平9−64022
そこで、配管系にはニッケル系ガスケットを用いないようにしているが、一部の配管系では、依然としてNi(CO)4が発生するのである。この場合は、COパージを行なうしか方法がないが、COの使用量が莫大になる不都合があった。
そこで、本発明は配管系から生ずるNi(CO)4を減量することを目的とする。
前記目的を達成する本発明は、
(1)通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理するためのCO暴露処理方法であって、前記通常のステンレス製調節弁を収納した密閉空間内にCOを封入する工程と、COを封入した密閉空間内に静置された前記通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理する工程と、密閉空間内のNi(CO)4の濃度を測定する工程と、密閉空間内に封入されたCOを放出する工程とを有し、前記密閉空間内のNi(CO)4の濃度が10ppb以下になるまで、前記COを封入する工程からCOを放出する工程までを繰り返すことを特徴とするCO暴露処理方法、
(2)COを放出する工程の後、前記通常のステンレス製調節弁を収納した密閉空間内にCOを封入する工程と、COを封入した密閉空間内に静置された前記通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理する工程と、密閉空間内のNi(CO)4の濃度を測定する工程と、密閉空間内に封入されたCOを放出する工程とを、少なくとも3回繰り返すことを特徴とする上記(1)記載のCO暴露処理方法、
を要旨とする。
ここで、「通常のステンレス製調節弁」とは、素材としてステンレスを用いた調節弁であって、普通に市場に流通している調整弁を言う。この、通常のステンレス製調節弁は、パーティクルを嫌う場所に使用されるので、相応の清浄化処理は行われているが、それ以上の特別な処理は行われていない。また、「CO暴露処理」とは、通常のステンレス製調節弁を収納した密閉容器内にCOを封入して所定時間静置することを言う。
また、CO置換工程とは、密閉容器内に封入したCOの排出工程、新鮮なCOの再封入工程、CO再封止工程、CO再排出工程の一連の工程を言う。
通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理すると、調節弁の接ガス部表面に析出しているNiがCOと反応してNi(CO)4となって除去される。従って、CO暴露処理済みの調節弁からは殆んどNi(CO)4が発生しない。従って、CO暴露処理済みの調節弁を用いた配管系では、COパージを省略することも可能で、例えCOパージを行うとしても、パージ時間を従来より大幅に短縮でき、CO使用量を大幅に低減できるので経済性が高い。なお、CO暴露処理を行っても、弁を構成するステンレスの内部にはNiが残留するが、この残留Niは配管内を通過するCOと反応しないか、反応しても極めて微量であって問題となるようなNi(CO)4が発生することはない。なお、ステンレスの内部にNiが残留するので、ステンレス自体の強度も低下することはない。
本発明は、長時間のCOパージを行っても依然としてNi(CO)4が検出されるのは、減圧弁、流量調節弁等の調節弁は、他の一般の弁に比べて遥かにNi(CO)4が多量に形成されること、そして、調節弁では、接ガス部表面に析出しているNiがNi(CO)4発生の原因であるとの知見に基づくものである。
調節弁でNi(CO)4が多量に生ずる理由は明らかではないが、調節弁は弁体内部に駆動部を有するので、摺動に伴う金属同士の摩擦、接ガス部表面の電解研磨処理等が推測される。
CO暴露処理を実施するに当たっては、調節弁を収納した密閉空間にCOを封入して所定の時間静置する他、CO置換工程を導入して新鮮なCOに接触させることにより、より短時間で接ガス部表面のNiを除去することができる。
(実施態様)
CO暴露処理は、例えば、図1に示すように、通常のステンレス製調節弁(弁は開いた状態にしておく)を収納した扉付き密閉容器1内に、供給弁2を介してCO容器3を接続し、密閉容器1に連設する放出弁4を閉じた状態で、CO容器3内のCOを密閉容器1に供給して所定の圧力になったら供給弁2を閉じる。この状態を保持することにより、通常のステンレス製調節弁の弁箱内のCOに接触する部分(以下、この部分を「接ガス部」という。)の表面に析出しているNiがCOと反応してNi(CO)4となり、これによって、接ガス部表面のNiが減少する。
上記暴露処理を所定時間行った後、放出弁4を開いて密閉容器1のCOを放出し、放出弁4を閉じてから供給弁2を開き、密閉容器1内にCOを所定の圧力に充填してから供給弁2を閉じる。この状態から所定時間後に密閉容器1のNi(CO)4濃度を測定し、所定の濃度以下になっていればCO暴露処理を終了する。この場合、Ni(CO)4の濃度は、COを消費する設備により異なり、COの影響を強く受ける消費設備ほど低濃度にする必要があるが、一般には10ppb以下の濃度になっていれば大方問題ない。
上記の説明において、暴露するCOの温度は特に制限がなく、例えば室温程度で良い。一方、COの圧力は、圧力が高いほどNiがCOと反応し除去されるので暴露時間を短くして良い。また、COの濃度は、純度が高いほど良いが、99.9%以上であれば十分である。
(実験例1)
一般に使用される、2社(メーカ1、メーカー2)のステンレス製減圧弁を用いて暴露処理を行った。暴露方法は前記実施態様と同一とした。CO封止後、90時間ごとにNi(CO)4の濃度を測定し、測定後CO置換を行った。この結果を図2に示す。なお、CO置換自体は数分で可能なので、CO置換の時間も含めてある。
メーカー1、2とも、COの暴露処理の段階に従ってNi(CO)4濃度が低下した。メーカー1の減圧弁では、9回目のCO置換後の90時間経過したときの後の濃度(最初からだと900時間後)の後の濃度は10ppbであった。一方、メーカー2の減圧弁では、3回目のCO置換後(360時間後)で10ppb以下となった。
(実験例2)
CO置換を行わずに、暴露開始から360時間後のNi(CO)4濃度を測定した結果、メーカー1の減圧弁では260000ppb、メーカー2の減圧弁では7800ppbであった。また、CO置換なしで900時間後の場合は、メーカー1の減圧弁では280000ppb、メーカー2の減圧弁では8200ppbであった。このことから、CO置換を行うことがNi除去に極めて効果的であることがわかる。
(実験例3)
実際のCO供給設備の実験例として、シリンダーキャビネットでの例を示す。
図3は、CO容器と配管系とを備えたシリンダーキャビネットにおける配管系の一例で、分り易くするため、一直線状に展開して示したものである。配管系の端部は、CO消費設備と配管だけで接続される。
図において、11はCO容器、12はCO容器11の容器弁、13は三方弁、14は高圧用圧力センサー、15は高圧用フィルター、16は高圧側三方弁、17はCO供給用開閉弁、18は減圧弁、19は低圧用圧力センサー、20は低圧用三方弁、21は低圧用フィルター、22は切替弁である。
また、図中、Aは、容器弁12の二次側とCO供給用開閉弁17の一次側との間の配管部分、Bは、CO供給用開閉弁17の二次側と減圧弁18の一次側との間の配管部分、Cは、減圧弁18の二次側と切替弁22の一次側との配管部分である。
この配管系において、切替弁22を閉じ、これ以外の弁を全て開けてA、Bの配管部分を8.5MPに、Cの配管部分を0.3MPに充圧してから容器弁12を閉め、その後、CO供給用開閉弁17、減圧弁18を閉じて、A〜Cの配管部分におけるNi(CO)4濃度を測定した。この結果を図4の表1に示す。
最初にCOを充圧してから90時間後、900時間後の濃度は表のとおりであり、Bの配管部分が他の配管部分に比べてNi(CO)4濃度が極めて高いことが分る。
次に、減圧弁を実施態様に従って900時間CO暴露処理したものを用いて同様な実験を行った。この結果は図4の表2に示す通りで、Bの配管部分のNi(CO)4濃度が急減していることが分る。また、前記のように900時間のCO暴露を行うと、90時間でも900時間でも濃度変化が極めて低く、長期に使用しても問題ないことが分る。
本発明のCO暴露方法の説明図である。 本発明のCO暴露方法を行ったときの実験結果(実験例1)を示す図である。 本発明のシリンダーキャビネット内配管系への適用例(実験例3)を示す図である。 実験例3の結果を示す表である。
符号の説明
1・・・密閉容器(密閉空間)
2・・・CO供給弁
3・・・CO容器
4・・・CO排出弁

Claims (2)

  1. 通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理するためのCO暴露処理方法であって、
    前記通常のステンレス製調節弁を収納した密閉空間内にCOを封入する工程と、
    COを封入した密閉空間内に静置された前記通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理する工程と、
    密閉空間内のNi(CO)4の濃度を測定する工程と、
    密閉空間内に封入されたCOを放出する工程とを有し、
    前記密閉空間内のNi(CO)4の濃度が10ppb以下になるまで、前記COを封入する工程からCOを放出する工程までを繰り返すことを特徴とするCO暴露処理方法。
  2. COを放出する工程の後、
    前記通常のステンレス製調節弁を収納した密閉空間内にCOを封入する工程と、
    COを封入した密閉空間内に静置された前記通常のステンレス製調節弁をCO暴露処理する工程と、
    密閉空間内のNi(CO)4の濃度を測定する工程と、
    密閉空間内に封入されたCOを放出する工程とを、
    少なくとも3回繰り返すことを特徴とする請求項1記載のCO暴露処理方法。
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