JPS5821358A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
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- JPS5821358A JPS5821358A JP11955481A JP11955481A JPS5821358A JP S5821358 A JPS5821358 A JP S5821358A JP 11955481 A JP11955481 A JP 11955481A JP 11955481 A JP11955481 A JP 11955481A JP S5821358 A JPS5821358 A JP S5821358A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の封止方法に関するものでおる。
従来、半導体装置の封止は第１図、−）に示すように回
路基板１に半導体装置２を熱硬化性ダイアタッチ剤３で
取シ付けていた。そしてムＵ！ｉｉ１等４によって電極
域ル出しを行ない、その後第１図φ）Ｋ示すように封止
枠５ｔ−熱硬化性接着剤６により取シ付けた後、熱硬化
性封止樹脂７によって半導体素子２を封止する構造が主
流であった。しかし、熱硬化性接着剤や熱硬化性封止樹
Ｊ４￥Ｉｔ完全に硬化するためにｔ１１２０℃〜１５０
１８の熱を少なくて４１０〜１５時間加えなければなら
なかった。上記封止方法によると最底３工程の硬化１寝
が必要であった。また、高温を長時間加えるために熱ス
トレスが生じ中すく基板のソリ、ム襲線の断線が発生し
たシした。更に封止樹脂が硬化する際熱りため一時的に
粘度が下が）、基板上に流れ出してしまうという欠点が
あった。
路基板１に半導体装置２を熱硬化性ダイアタッチ剤３で
取シ付けていた。そしてムＵ！ｉｉ１等４によって電極
域ル出しを行ない、その後第１図φ）Ｋ示すように封止
枠５ｔ−熱硬化性接着剤６により取シ付けた後、熱硬化
性封止樹脂７によって半導体素子２を封止する構造が主
流であった。しかし、熱硬化性接着剤や熱硬化性封止樹
Ｊ４￥Ｉｔ完全に硬化するためにｔ１１２０℃〜１５０
１８の熱を少なくて４１０〜１５時間加えなければなら
なかった。上記封止方法によると最底３工程の硬化１寝
が必要であった。また、高温を長時間加えるために熱ス
トレスが生じ中すく基板のソリ、ム襲線の断線が発生し
たシした。更に封止樹脂が硬化する際熱りため一時的に
粘度が下が）、基板上に流れ出してしまうという欠点が
あった。
本発ｆ１４ＩＩｉ、上記欠点を除去した新規な牛導体輌
置の封止方法を提供することを目的としている。
置の封止方法を提供することを目的としている。
次に図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の好適な実施例であシ半導体装置１０が
挿入される貫通孔１１ｔ−有する回路基板１２に、ＵＶ
硬化接着剤１３ｔコーテイングした透明フィルム１４を
半導体装置が挿入さｎる側の他の側から前記ａＶｍＶ剤
の粘着力を利用して一時的に取シ付ら牡た状態を示す。
挿入される貫通孔１１ｔ−有する回路基板１２に、ＵＶ
硬化接着剤１３ｔコーテイングした透明フィルム１４を
半導体装置が挿入さｎる側の他の側から前記ａＶｍＶ剤
の粘着力を利用して一時的に取シ付ら牡た状態を示す。
次に半導体装置１０ｔ−取シつけ矢印方向に軽（押圧す
る０次に第３図に示すようにＵＶランプ１５を用いてＵ
Ｖ光線を１０〜１５１照射し前記ＵＶ接接剤剤３ ｆ：
ｆＩ！化する０次に第４図に示すように封止枠１６にｔ
ｙｖ硬化接着剤１７ｔスタンピングあるいは印刷によっ
てコーティングし、回路基板に取９つける。封止枠を取
９つけたあとム賢＠ＶＫより電極接続上行なう。ム語線
接続後第５図のようにＵＶ硬化麗封止樹脂１８ｔ−ボッ
ティング等によって注入する。前記封止樹脂１８は、Ｕ
Ｖ光ｉｍＫよる硬化と嫌気性による硬化を合わせもった
ものでちゃ可視光線を速断するように着色したものであ
る０次に’ａｖ−＞７プ１９によってＵＶ光線ｔ１０〜
１５ ”間照射し＃記封止樹脂１８と封止枠１６【固定
するためのＵＶ接溜剤１７ｔ−完全に硬化する。しかし
封止樹脂１８は、量が多いことと、樹脂厚みが厚いため
ＵＶ光線で硬化されるのは表面付近だけである。封止樹
脂１８内部の硬化は嫌気性（空気を遮断すると硬化反応
が始まる性質）Ｋよって行なわｎる。
る０次に第３図に示すようにＵＶランプ１５を用いてＵ
Ｖ光線を１０〜１５１照射し前記ＵＶ接接剤剤３ ｆ：
ｆＩ！化する０次に第４図に示すように封止枠１６にｔ
ｙｖ硬化接着剤１７ｔスタンピングあるいは印刷によっ
てコーティングし、回路基板に取９つける。封止枠を取
９つけたあとム賢＠ＶＫより電極接続上行なう。ム語線
接続後第５図のようにＵＶ硬化麗封止樹脂１８ｔ−ボッ
ティング等によって注入する。前記封止樹脂１８は、Ｕ
Ｖ光ｉｍＫよる硬化と嫌気性による硬化を合わせもった
ものでちゃ可視光線を速断するように着色したものであ
る０次に’ａｖ−＞７プ１９によってＵＶ光線ｔ１０〜
１５ ”間照射し＃記封止樹脂１８と封止枠１６【固定
するためのＵＶ接溜剤１７ｔ−完全に硬化する。しかし
封止樹脂１８は、量が多いことと、樹脂厚みが厚いため
ＵＶ光線で硬化されるのは表面付近だけである。封止樹
脂１８内部の硬化は嫌気性（空気を遮断すると硬化反応
が始まる性質）Ｋよって行なわｎる。
以上の実施例では、封止枠を用いた例で説明したが、第
６図に示すように封止枠を用いずにＵＶ封止樹脂加のみ
で封止してもよい、この場合、封止枠がなくても、Ｕｖ
封止樹脂は熱硬化性樹脂のように加熱によシ一時的に粘
性が下がることがなく表面は瞬間的に硬化するため樹脂
のａｒｔ出しというような問題は発生しない。
６図に示すように封止枠を用いずにＵＶ封止樹脂加のみ
で封止してもよい、この場合、封止枠がなくても、Ｕｖ
封止樹脂は熱硬化性樹脂のように加熱によシ一時的に粘
性が下がることがなく表面は瞬間的に硬化するため樹脂
のａｒｔ出しというような問題は発生しない。
以上説明したように、ＵＶ１ｌｌｌ剤、［１７封止剤を
用いると短時間に（約ｌ−３０°）でき、４温を加える
こともないため熱硬化性樹脂に比べて大巾な工数削減と
なる。更に熱の影響を最小限にすることができるので基
板のソリやム襲線等の断線といった事故をなくすことが
できる。
用いると短時間に（約ｌ−３０°）でき、４温を加える
こともないため熱硬化性樹脂に比べて大巾な工数削減と
なる。更に熱の影響を最小限にすることができるので基
板のソリやム襲線等の断線といった事故をなくすことが
できる。
第１図６＆） 、 （６）は、従来の半導体装置の封止
方法を示す断面図。 第２図、第３図、第４図、ｍｓ図社、本発明による半導
体装置の封止方法を示す断面図。 第６図は、本発明を用いた他の実施例を示す断面図。 １〇−半導体装置 １３−ＵＶ接溜剤１４−透明７（
ルＡ １５−ＵＶう／プ１６−封止枠 １７−
ｔｙ ｖ接着剤１Ｂ −Ｕ Ｖ封止樹脂 １９− Ｕ
Ｖ ｊ ンプ以上 出願人 セイコー京葉工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
方法を示す断面図。 第２図、第３図、第４図、ｍｓ図社、本発明による半導
体装置の封止方法を示す断面図。 第６図は、本発明を用いた他の実施例を示す断面図。 １〇−半導体装置 １３−ＵＶ接溜剤１４−透明７（
ルＡ １５−ＵＶう／プ１６−封止枠 １７−
ｔｙ ｖ接着剤１Ｂ −Ｕ Ｖ封止樹脂 １９− Ｕ
Ｖ ｊ ンプ以上 出願人 セイコー京葉工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (2)
- （１）回路基板の貫通孔に、接着剤をコーティングした
フィルムを介して半導体素子を収納する工程と、この半
導体素子をワイヤーボンディングする工程と、繭記早導
体素子全覆うように前記貫通孔に封止樹脂を注入する工
程と、との封止樹脂を硬化する工程とからなる半導体装
置の製造方法において、前記フィルムとしてＵＶ硬化型
接着剤をコーティングした透明フィルムを用いると共に
、前記ワイヤボンディングする工程の＃に＃記ワイヤボ
ンディングする工程の前に前記ＵＶ硬化型接着剤ＩＵＶ
ランプによル硬化する工程を有することを特徴とする半
導体装置の封止方法。 - （２）前記封止樹脂として可視光綜が透過しないよｊＫ
ｆｆ色さｎたＵＶ硬化型樹脂を硬化することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955481A JPS5821358A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955481A JPS5821358A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821358A true JPS5821358A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14764181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11955481A Pending JPS5821358A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821358A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5037779A (en) * | 1989-05-19 | 1991-08-06 | Whalley Peter D | Method of encapsulating a sensor device using capillary action and the device so encapsulated |
| US5304513A (en) * | 1987-07-16 | 1994-04-19 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh | Method for manufacturing an encapsulated semiconductor package using an adhesive barrier frame |
| WO2001042766A2 (de) * | 1999-12-09 | 2001-06-14 | Micronas Gmbh | Verfahren und herstellung eines sensors |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11955481A patent/JPS5821358A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304513A (en) * | 1987-07-16 | 1994-04-19 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh | Method for manufacturing an encapsulated semiconductor package using an adhesive barrier frame |
| US5037779A (en) * | 1989-05-19 | 1991-08-06 | Whalley Peter D | Method of encapsulating a sensor device using capillary action and the device so encapsulated |
| WO2001042766A2 (de) * | 1999-12-09 | 2001-06-14 | Micronas Gmbh | Verfahren und herstellung eines sensors |
| WO2001042766A3 (de) * | 1999-12-09 | 2001-11-01 | Micronas Gmbh | Verfahren und herstellung eines sensors |
| US6964927B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-11-15 | Micronas Gmbh | Method and production of a sensor |
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