JP2813873B2 - 透明窓を有した半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

透明窓を有した半導体パッケージ及びその製造方法

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JP2813873B2 JP8012759A JP1275996A JP2813873B2 JP 2813873 B2 JP2813873 B2 JP 2813873B2 JP 8012759 A JP8012759 A JP 8012759A JP 1275996 A JP1275996 A JP 1275996A JP 2813873 B2 JP2813873 B2 JP 2813873B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明窓を有した半
導体パッケージ及びその製造方法に係るもので、詳しく
は、上部セラミック板を省き、廉価で簡単な構造の半導
体パッケージを製造し得る透明窓を有した半導体パッケ
ージ及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来透明窓を有した半導体パッケージに
おいては、図6に示したように、所定形状に形成された
セラミック板2と、該セラミック板2上両方側にセラミ
ック接着剤6により夫々接着された屈曲形状のリードフ
レーム4と、該セラミック板2上中央部位にダイ接着剤
3により接着された半導体チップ1と、それら半導体チ
ップ1及びリードフレーム4にボンディングされた金属
ワイヤー8と、前記各両方側のリードフレーム4上にセ
ラミック接着剤6により夫々接着された各上部セラミッ
ク板5と、それら上部セラミック板5上に透明窓接着剤
7により接着された透明窓10と、を備えていた。
【0003】そして、このように構成された従来透明窓
を有した半導体パッケージの製造方法は次のようであっ
た。即ち、図7に示したように、セラミック板2上面両
方側にセラミックリードフレーム4のインナーリード9
を夫々接着し、それらインナーリード9上面に再びセラ
ミック接着剤6を塗布して上部セラミック板5を夫々接
着する。次いで、それら接着されたセラミック板2、
上部セラミック板5及びリードフレーム4を所定温度の
炉(図示されず)内に通過させセラミック接着剤6を溶
融して完全に接着させる。次いで、該セラミック板2上
面中央部位にダイ接着剤3を塗布して半導体チップ1を
接着し熱硬化させ、該半導体チップ1と前記リードフレ
ーム4のインナーリード9とを金属ワイヤー8によりボ
ンディングする。その後、前記各上部セラミック板5上
面に透明窓10を透明窓接着剤7により接着し、所定温
度の炉(図示されず)内に通過させて該透明窓10を上
部セラミック板5上に接着密封させ、セラミックパッケ
ージを製造する。次いで、密封されたセラミックパッケ
ージのリードフレーム4の不必要な突出部位を切断除去
し、所定検査過程を経て透明窓を有した半導体パッケー
ジを製造する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来透明窓を有した半導体パッケージ及びその製造方法に
おいては、ラミック板上面に、別途の上部セラミッ
ク板を接着するようになっているため、余計の材料費及
び人件費が必要となり、生産原価が上昇するという不都
合な点があった。また、上部セラミック板上に透明窓
を接着し密封させるため、セラミック板の特性上、接着
剤との親和力が悪く脆性が生じて、半導体パッケージの
耐水性、抗温性が低下するという不都合な点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上部セ
ラミック板を省いた簡単な構造の半導体パッケージを廉
価に製造し得る透明窓を有した半導体パッケージ及びそ
の製造方法を提供しようとするものである。
【0006】また、本発明の他の目的は、耐水性及び抗
湿性の優秀な透明窓を有した半導体パッケージ及びその
製造方法を提供しようとするものである。
【0007】請求項1の発明による透明窓を有した半導
体パッケージは、4辺形状の上面を有し、上面側中央部
に内方向きの段部を有する凹部が形成されたセラミック
板と、セラミック板の段部上面からセラミック板上面に
至るセラミック板の断面形状に嵌合するように屈曲され
て段部が形成されたインナーリードを有し、セラミック
板の上面の対向する2辺側にセラミック接着剤により接
着されたリードフレームと、セラミック板上面の凹部中
央部位にダイ接着剤により接着された半導体チップと、
半導体チップ上面およびインナーリードの段部にボンデ
ィングされた金属ワイヤーと、セラミック板上面部のイ
ンナーリード上面に透明窓接着剤により接着された透明
窓と、を備えている。
【0008】請求項2の発明による透明窓を有した半導
体パッケージは、請求項1の発明の構成において、セラ
ミック板上面部のインナーリード上面に透明窓接着剤に
より接着された透明窓は4辺形状の底面を有し、透明窓
の底面の対向する2辺間の幅は、対応して接着されるセ
ラミック板の対向する2辺間の幅と同様な幅を有してな
る。
【0009】請求項3の発明による透明窓を有した半導
体パッケージの製造方法は、4辺形状の上面を有し、
上面側中央部に内方向きの段部を有する凹部が形成され
たセラミック板を形成し供給する工程と、セラミック
板の段部上面からセラミック板上面に至るセラミック板
の断面形状に嵌合するように屈曲されて段部が形成され
たインナーリードを有するリードフレームを、セラミッ
ク板の上面の対向する2辺側の部位にセラミック接着剤
により接着する工程と、セラミック板およびリードフ
レームを炉内に通過させ、セラミック接着剤を溶融させ
て、リードフレームのインナーリードをセラミック板上
面に完全に接着する工程と、セラミック板上面の凹部
中央部位にダイ接着剤により半導体チップを接着して硬
化させ、半導体チップ上面とインナーリードの段部とを
金属ワイヤーによりワイヤーボンディングする工程と、
リードフレームのインナーリード上面に、セラミック
板の上面の対向する2辺側に対応する底面部位に透明窓
接着剤の塗布された透明窓を載置し、インナーリード上
面または側面と透明窓接着剤との間に、通気孔をそれぞ
れ形成する工程と、透明窓の載置されたセラミック板
を炉内に通過させ、セラミック板上面凹部内の空気を通
気孔から外部に放出しながら透明窓接着剤を溶融し、通
気孔を漸次消去させながら透明窓接着剤により透明窓を
インナーリード上面に完全に接着密封させる工程と、を
行なう。
【0010】請求項4の発明による透明窓を有した半導
体パッケージの製造方法は、請求項3の発明の構成にお
いて、通気孔は、工程でインナーリードの段部の高さ
とセラミック接着剤の塗布量および塗布幅とを調節し、
インナーリードがセラミック板上面に接着された後、イ
ンナーリード上面の高さがインナーリード側方のセラミ
ック接着剤の高さよりも所定の差を有するようにし、
工程で透明窓に塗布する透明窓接着剤の塗布量および塗
布幅とを調節して形成する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対し
説明する。図1に示したように、本発明に係る透明窓を
有した半導体パッケージにおいては、4辺形状の上面1
2aを有し、上面側中央部に内方向きの段部12bを有
する凹部12cが形成されたセラミック板12と、段部
12b上面からセラミック板上面12aに至るセラミッ
ク板12の断面形状に嵌合するように屈曲されて段部1
4bが形成されたインナーリード14aを有し、セラミ
ック板12の上面12aの対向する2辺側にセラミック
接着剤16により接着されたリードフレーム14と、セ
ラミック板12上面の凹部12c中央部位にダイ接着剤
13により接着された半導体チップ11と、該半導体チ
ップ11の上面の対向する2辺側端部およびリードフレ
ーム14の各インナーリード14aの各段部14bにボ
ンディングされた金属ワイヤー18と、セラミック板上
面12a上のインナーリード14a上面に透明窓接着剤
17により接着された透明窓20と、を備えている。
つ、前記リードフレーム14のインナーリード14aの
段部14bは、前記セラミック板12の上面に形成され
た凹部12cの段部12bの断面形状に対応し、インナ
ーリード14aの内方向き屈曲された先方側端が下方
向き再び屈曲されて形成される。またセラミック板
上面12aのインナーリード14a上面に接着される透
明窓20は4辺形状の底面を有し、対向する2辺間の幅
、対応して接着されるセラミック板12の対向する2
辺間の幅と同様な幅を有し、すなわち、半導体パッケー
ジの幅と同様な幅を有して形成される。
【0012】そして、このように構成された本発明に係
る透明窓を有した半導体チップパッケージの製造方法を
説明すると次のようである。すなわち、図2に示したよ
うに、ず、4辺形状の上面12aを有し、上面側中央
部に内方向きの段部12bを有する凹部12cが形成さ
れたセラミック板12を形成し供給する。次いで、該セ
ラミック板12上面の対向する2辺側の部位12aにセ
ラミック接着剤16を塗布し、内方向き屈曲されて段
部14bが形成されたインナーリード14aを有するリ
ードフレーム14を接着する。その後、それらセラミッ
ク板12およびリードフレーム14を所定温度の炉(図
示せず)に通過させ、セラミック接着剤16を溶融させ
て完全に接着させる。
【0013】この場合、前記リードフレーム14のイン
ナーリード14aの段部14bの高さと前記セラミック
接着剤16の塗布量及び塗布幅とを調節し、該リードフ
レーム14のインナーリード14aがセラミック板12
上面に接着された後、該インナーリード14a上面の高
さが図4(A)に示したように、該インナーリード14
a側方のセラミック接着剤16の高さよりも低くなるよ
うにし、該インナーリード14a上面に後述する透明窓
接着剤17を塗布して透明窓20を接着するとき、それ
らインナーリード14a上面と透明窓接着剤17間に通
気孔23が形成されるようにする。且つ、このとき、図
5(A)に示したように、前記インナーリード14a上
面の高さが該インナーリード14a側方のセラミック接
着剤16の高さよりも高くなるように形成し、該インナ
ーリード14a側面と透明窓接着剤17間に通気孔23
aを形成することもできる。
【0014】次いで、前記セラミック板12上面の凹部
12c中央部位にダイ接着剤13により半導体チップ1
1を接着して熱硬化させ、該半導体チップ11上面の対
向する2辺側端部と前記インナーリード14aの段部1
4bとを金属ワイヤー18により夫々ワイヤーボンディ
ングする。次いで、前記リードフレーム14の各インナ
ーリード14a上面に、セラミック板12上面の対向す
る2辺側に対応する底面部位に透明窓接着剤17の塗布
された透明窓20を載置すると、それらインナーリード
14a上面と透明窓接着剤17間には、図4(A)及び
図5(A)に示したような通気孔23または通気孔23
aが形成される。その後、それら透明窓20の載置され
たセラミック板12を所定温度の炉内に通過させ、該セ
ラミック板12上面の凹部12c内の空気を前記通気孔
23、23aから外部に放出しながら前記透明窓接着剤
17を溶融させると、図4(B)及び図5(B)に示し
たように、前記通気孔23、23aが漸次消去されて該
透明窓接着剤17により透明窓20がインナーリード1
4a上面に完全に接着密封される。
【0015】このような本発明に係る透明窓を有した半
導体パッケージの製造においては、透明窓20とインナ
ーリード14aとの接着面積が、従来の透明窓と上部セ
ラミック板との接着面積よりもくなるため、接着効率
が向上される。且つ、通気孔23、23aを利用し透明
窓20とインナーリード14aとの接着密封性の向上を
図っているため、従来方法に比べ、半導体パッケージの
耐水性、抗温性及び抗湿性が向上される。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る透明
窓を有した半導体パッケージ及びその製造方法において
は、上部セラミック板を省いてインナーリード上面に透
明窓を直ちに接着するようになっているため、簡単な構
造の透明窓を有した半導体パッケージを廉価に製造し得
るという効果がある。
【0017】また、透明窓とインナーリードとの接着面
積を従来よりも広くし、通気孔を利用して接着密封の向
上を図っているため、半導体パッケージの耐水性、抗温
性及び抗湿性が向上されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る透明窓を有した半導体パッケー
ジの構造を示した縦断面図である。
【図2】 本発明に係る透明窓を有した半導体パッケー
ジの製造方法表示説明図である。
【図3】 本発明に係る透明窓を有した半導体パッケー
ジの平面図である。
【図4】 (A)(B)本発明に係る半導体パッケージ
製造中に形成される通気孔を示したパッケージの側面図
で、(A)はリードフレームの上部に形成される通気孔
表示図、(B)は透明窓の接着後の通気孔消去状態表示
図である。
【図5】 (A)(B)本発明に係る半導体パッケージ
製造中に形成される通気孔を示したパッケージの側面図
で、(A)はリードフレームの側方に形成される通気孔
表示図、(B)は透明窓の接着後の通気孔消去状態表示
図である。
【図6】 従来透明窓を有した半導体パッケージの構造
を示した縦断面図である。
【図7】 従来透明窓を有した半導体パッケージの製造
方法表示説明図である。
【符号の説明】
1、11:半導体チップ 2、12:セラミック板12a:セラミック板の上面 12b:セラミック板の段部 12c:セラミック板の凹部 3、13:ダイ接着剤 4、14:リードフレーム 5:上部セラミック板 6、16:セラミック板接着剤 7、17:透明窓接着剤 8、18:金属ワイヤー 10、20:透明窓 14a:インナーリード 14b:インナーリードの段部 23、23a:通気孔
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/50 H01L 21/56 H01L 23/29 H01L 23/31

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明窓を有した半導体パッケージであっ
    て、4辺形状の上面を有し、前記上面側中央部に内方向きの
    段部を有する凹部が形成された セラミック板と、前記 セラミック板の段部上面から前記セラミック板上面
    に至る前記セラミック板の断面形状に嵌合するように
    曲されて段部が形成されたインナーリードを有し、前記
    セラミック板の上面の対向する2辺側にセラミック接着
    剤により接着されリードフレームと、 前記セラミック板上面の前記凹部中央部位にダイ接着剤
    により接着された半導体チップと、前記 半導体チップ上面および前記インナーリードの段部
    にボンディングされた金属ワイヤーと、前記セラミック板上面部の インナーリード上面に透明窓
    接着剤により接着された透明窓と、 を備えた透明窓を有した半導体パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記セラミック板上面部のインナーリー
    ド上面に透明窓接着剤により接着された透明窓は4辺形
    状の底面を有し、 前記 透明窓の底面の対向する2辺間の幅は、対応して接
    着される前記セラミック板の対向する2辺間の幅と同様
    な幅を有してなる請求項1記載の透明窓を有した半導体
    パッケージ。
  3. 【請求項3】 透明窓を有した半導体パッケージを製造
    する方法であって、 4辺形状の上面を有し、前記上面側中央部に内方向
    きの段部を有する凹部が形成された セラミック板を形成
    し供給する工程と、 前記セラミック板の段部上面から前記セラミック板
    上面に至る前記セラミック板の断面形状に嵌合するよう
    に屈曲されて段部が形成されたインナーリードを有する
    リードフレームを、前記セラミック板の上面の対向する
    2辺側の部位にセラミック接着剤により接着する工程
    と、 前記 セラミック板およ前記リードフレームを炉内
    に通過させ、前記セラミック接着剤を溶融させて、前記
    リードフレームの前記インナーリードを前記セラミック
    板上面に完全に接着する工程と、 前記セラミック板上面の前記凹部中央部位にダイ接
    着剤により半導体チップを接着して硬化させ、前記半導
    体チップ上面と前記インナーリードの段部とを金属ワイ
    ヤーによりワイヤーボンディングする工程と、 前記リードフレームのインナーリード上面に、前記
    セラミック板の上面の対向する2辺側に対応する底面部
    位に透明窓接着剤の塗布された透明窓を載置し、前記
    ンナーリード上面または側面と前記透明窓接着剤との間
    に、通気孔をそれぞれ形成する工程と、 前記透明窓の載置されたセラミック板を炉内に通過
    させ、前記セラミック板上面凹部内の空気を前記通気孔
    から外部に放出しながら前記透明窓接着剤を溶融し、前
    記通気孔を漸次消去させながら前記透明窓接着剤により
    前記透明窓を前記インナーリード上面に完全に接着密封
    させる工程と、 を行う透明窓を有した半導体パッケージの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記通気孔は、前記工程で前記インナ
    ーリードの段部の高さと前記セラミック接着剤の塗布量
    および塗布幅とを調節し、前記インナーリードが前記
    ラミック板上面に接着された後、前記インナーリード上
    面の高さが前記インナーリード側方の前記セラミック接
    着剤の高さよりも所定の差を有するようにし、前記
    程で、透明窓に塗布する前記透明窓接着剤の塗布量およ
    び塗布幅とを調節して形成する請求項3記載の透明窓を
    有した半導体パッケージの製造方法。
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KR100373699B1 (ko) * 2000-08-04 2003-02-26 에쓰에쓰아이 주식회사 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법
EP2013905A1 (en) * 2006-04-28 2009-01-14 TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) A microwave chip supporting structure
US9142426B2 (en) * 2011-06-20 2015-09-22 Cyntec Co., Ltd. Stack frame for electrical connections and the method to fabricate thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0388157B1 (en) * 1989-03-15 1994-02-16 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic lid for sealing semiconductor element and method of sealing a semiconductor element in a ceramic package

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