JPS5821356B2 - タイミングコアによつて制御されるコアメモリ - Google Patents

タイミングコアによつて制御されるコアメモリ

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JPS5821356B2
JPS5821356B2 JP57123760A JP12376082A JPS5821356B2 JP S5821356 B2 JPS5821356 B2 JP S5821356B2 JP 57123760 A JP57123760 A JP 57123760A JP 12376082 A JP12376082 A JP 12376082A JP S5821356 B2 JPS5821356 B2 JP S5821356B2
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core
signal
timing
switching signal
coupled
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ジユールズ・ユージエイン・カネル
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    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 本発明はコアメモリに関し、より詳細には補助タイミン
グコアからのフィードバックを使用して複雑な許容範囲
が狭い駆動回路無しで感知および駆動時間を経済的に最
適化する小型コアメモリに関するものである。
先行技術の説明 磁心記憶装置は1つの磁化状態から別の磁化状態に選択
的に切替えられて所与のデータ条件を記憶する矩形ヒス
テリシスループ記憶コアのアレーを使用している。
データ読出しは選択コアを所与の状態に向けて切替える
ことによって行なわれる。
コアが切替わり従って十分な出力切替電圧信号を発生し
た場合それはn l 11を記憶したと判定される。
コアが既に所与の状態にあり従って切替わらない場合そ
れはfl Otjを記憶したと判定される。
感知は周囲条件とともに切替信号が変化すること、およ
び切替信号に付随する雑音信号によって複雑になる。
駆動電流が感知巻線に結合することによって、および部
分選択駆動電流を受ける非選択コア中に誘起される不平
衡デルタ雑音から生じる雑音信号はコア出力切替信号に
対して早く発生しようとする。
振幅は読出し部分サイクルが進行する際零に向かって急
速に低減しようとする。
従って雑音は雑音信号ピーク後の時間で切替信号振幅が
まだ十分であるように十分すみやかにストローフ信号を
発生して出力切替信号の感知を指令することによって切
替信号から区別することができる。
感知は電圧閾値に関して生じ、該閾値はストローブ信号
の時間で感知巻線上に残留している雑音を区別するため
十分高くなければならずさらに有効出力切替信号がスト
ローブ信号に続く十分な時間の間閾値より上になったま
まで検出を可能にするように十分低くなけれはならない
駆動電流振幅の変化は雑音信号およびコア切替信号の性
質に大きな影響を及ぼす。
高1駆動電流は速い切替時間で高速ピーキング大振幅信
号を発生しようとし一方低駆動電流は長い切替時間で低
速ピーキング低振幅信号を発生しようとする。
温度変化は使用されている特定のタイプのコアの構成に
基く正確な関係で同様の効果を有する傾向がある。
従って高駆動条件に対してはストローブ時間は1駆動電
流立上り時間に対して早く生じなりれはならず閾値は大
駆動電流でも早期時間で残留する比較的大きな雑音信号
を区別するため比較的高くなければならないことがわか
る。
しかしながら早期ストローブおよび高電圧閾値によって
低駆動電流または対応する温度条件は雑音からのコア切
替信号の適正な分離を妨害し得る。
切替ピークの遅延タイミングおよび小振幅によって切替
信号がストローブの時間で基準電圧を超過できず・・1
・・をn 091として感知させることがある。
あるいは雑音は十分な時間幅および振幅のものであって
選択コアの実際のデータ状態にかかわりなく 11 ]
11として感知されることがある。
適正な感知を確実にするためコアメモリは従来プラスマ
イナス10〜15%程度の許容範囲を有する高品質電流
駆動装置を使用してきた。
しばしば駆動電流は感知されたコア温度条件に応答して
変化されてコア切替特性の対応する変化に対して補償す
る。
駆動電流時間幅は最悪の場合(低駆動の条件を吸収する
ように十分長く設定しなければ;ならない。
従って高駆動条件の下では、駆動電流時間幅は必要以上
に長く従って電力を消費し部分的に選択されたコアが必
要以上に長い間外乱電流を受ける。
不明の要約 駆動電流振幅および温度の変化に対して非常に適応性の
ある本発明によるコアメモリは、データ記憶コアのアレ
ーおよび選択データ記憶コアとほぼ同じ振幅の駆動電流
を受けるように結合されたタイミングコアを備えている
データ記憶スタック、タイミングコアの切替信号電圧出
力を感知しタイミングコアが駆動電流によって切替えら
れた際それに対応するフィードバック切替信号を発生す
るように結合されたタイミングコア感知回路、電流指令
信号に応答してコアを1つの磁化状態から別の磁化状態
に切替えるのに十分な振幅の電流で選択データ記憶コア
およびタイミングコアを1駆動するように結合された電
流駆動回路、およびアドレスおよびデータ指令およびフ
ィードバック切替信号に応答して選択データ記憶コアを
切替えるのに必要な電流指令信号を発生するタイミング
および制御回路を備えている。
さらに本発明によればタイミングコアの出力信号の1/
2は選択データコアの出力切替信号から減算される。
その差は零と比較されて電圧ピーク等のフィードバック
切替信号中の特定の時間点で出力データ状態を判定する
記憶装置が熱化して温度変化に遭遇した際駆動電流を厳
密に制御して切替信号特性を固定基準電圧閾値およびス
トローブ時間に固定的に整合させる代わりに、切替信号
は広い限界内で変化するこさができ安価な感知回路は実
際の信号条件に応答してストローブ時間、閾値基準電圧
レベルおよび駆動電流時間幅を最適化する。
選択データコア出力切替信号からフィードバック切替信
号の1/2を減算することによって、零ボルトの固定基
準に対してデータコア出力切替信号を比較する簡単なハ
ードウェアが容易になる一方実際の瞬時コア切替特性に
従って基準閾値が実際に調整される。
フィードバック信号のピーク検出は動的に変化する実際
の条件に対してストローブ時間を最適化し実際の切替信
号特性に応答して1駆動電流時間幅を制御することによ
って不必要な電力の消費が避けられる。
詳細な説明 本発明の好適な実施例を添付図面を参照して以下説明す
る。
第1図において、選択的相補データ記憶コアを有してい
るデータ処理装置10の特定の実施例は、FROMI
6の形式の512ワード×32ビツトデーク記憶装置を
備えている状態シーケンサ14に結合された選択的相補
データ記憶装置12゜FROM16からのデータ出力を
受けて記憶するように結合された命令レジスタ18、お
よび命令レジスタ18によって受けられ記憶された32
ビツトの4つを受けて解読するように結合された命令デ
コーダ(解読器)20を備えている。
1メガヘルツ対称クロック発生装置22はその負に向か
う縁で命令レジスタ18にロードし高すなわち論理・・
1■の状態にある間500ナノ秒だけ後で500ナノ秒
間命令デコーダ20を作動させるように結合されている
外部的に発生してもよい装置リセット信号5R8Tは命
令レジスタ18を零にリセットすることによって状態シ
ーケンサ14を始動させる。
これによって所定の零アドレスがFROMl 6に与え
られ該FROMはそれに応答して出力DO〜D31を発
生する。
クロック信号ICKの次の負の遷移で命令レジスタ18
はPROM16からの32ビツト出力をロードし線PA
D〜PA3上でFROMl6に新規のアドレスを与える
同時に命令デコーダ20は命令レジスタ18による4ビ
ツト■DO〜ID3出力を解読し1メガヘルツクロック
信号の続く高遷移中500ナノ秒パルスとして16解読
出力信号の1つを出力する。
本実施例において、デコーダ出力10を不動作条件とし
て使用して15条件のみが実際に出される。
さらに符合命令の2つのみが本実施例で実現されている
命令■1は条件マルチプレクサ30を作動するのに使用
され命令■2はオアゲート32を介してデータ記憶装置
12にパルスサイクル開始入力を発生するのに使用され
、該オアゲートは命令レジスタ18から直接非パルスす
なわち連続サイクル開始信号を受けることができる。
クロック信号の次の高−低遷移の際命令レジスタは新し
いセットのデータをロードしFROMI 6に新規のア
ドレスを与える。
オアゲ゛−ト34は命令レジスタ18の出力からの対応
するアドレスビットおよび条件マルチプレクサ30から
のデータ出力信号を受ける一方PROMI &に最下位
アドレスビットAOを出力することによって条件付き分
岐の実現を可能にする。
条件付き分岐はこうして状態シーケンサがFROMl6
に偶数アドレスを与えるようにすることによって実行さ
れる。
条件マルチプレクサ30の出力が論理II 011であ
る場合その命令が実行される。
しかしながら条件マルチプレクサ30の出力が論理II
l nである場合オアゲート34は自動的に次のアド
レスを増分し続く命令が実行される。
例えばFROMl6に与えられた次のアドレスが場所6
4であり条件マルチプレクサ30が論理・・1・・出力
を与えた場合アドレス65が実際にPROM16に与え
られる。
装置の動作を容易にするためデータ処理装置10に備え
られている他の周辺回路にはデータ記憶装置12からの
データとして利用可能な出力の発生の際データ記憶装置
12からの出力データをランチするデ゛−クラッチ36
がある。
ランチ36の出力はC11入力を介して条件マルチプレ
クサ30に戻される。
データ記憶装置はオリ用できるデータ、アドレスオーバ
フローを出力し電源落ちも各々条件マルチプレクサ30
の入力信号CI2〜C14を介して状態シーケンサ14
に戻されることに注意されたい。
DOおよびDA高出力さらに外部装置に対して利用でき
るようにされ該外部装置はインクフェースアドレスレジ
スタ40およびインタフェースマルチプレクサ42およ
び条件マルチプレクサ30を介してデータ処理装置10
と連絡してもよい。
モジュロNプリスケーラ−すなイつちカウンタ44は計
数しようとするパルスを含んでいる入力信号を受は計数
する間にオーバーフローすると条件マルチプレクサ入力
C15に最大カウント信号を出力する。
カウンタ44は装置リセット信号によってリセットして
もよい。
カウンタ44のカウント状態の数は特定の用途に基き、
1例としてそれは電力計軸の回転を表わすパルスを受は
カウンタ44からの各最大カウント出力が1キロワット
時の電気エネルギーを表わすよ°うにブリスケールカウ
ントを発生してもよい。
データ記憶装置12はそれ自体の内部アドレスカウンタ
を有しており時間幅力月500ナノ秒の読出し/書込み
サイクルで動作する小型の256×1コアメモリとして
実現するのが都合が良い。
データ記憶装置12に対するハウスキーピング接続線に
は電源からの8ボルト非調整入力から抵抗で分割された
3ボルトを受けるパワー検出入力がある。
入力が選択閾値以下に落ちた場合データ記憶装置12は
電源落ち出力を発生し、該出力は条件マルチプレクサの
入力C14に接続されて電源落ちが差し迫っていること
を警告しデータ記憶装置12を安全な状態にし従ってデ
ータ記憶装置が低パワー条件から作動不可能になった際
記憶サイクルは遮断されない。
電源落ち出力は外部装置にも与えられて該装置に電源落
ちが迫っていることを警告してもよい。
用途によっては外部装置は装置ポインタまたはデータパ
ラメータを使用してもよくこれは遮断に先立ってインク
フェース回路を介して装置10に与えられてデータ記憶
装置12に記憶され従ってこれらのポインタおよびパラ
メータまたは他のデータは電源落ち間隔中データ言ヒ憶
装置12の持久コア記憶装置によって保持されてもよい
十分なパワーが再び発生した際外部装置はデータ記憶装
置12からこのデータを検索して電源落ち遮断が生じた
点でそれ自体を再び始動させてもよい。
データ記憶装置12に対する+5ボルト■CC入力は基
本パワーを与えアース接続線は電源回路を完成する。
01マイクロフアラド・コンデンサは端子COとC1の
間に接続されて内部電圧ブースティング回路によって使
用されパワー抵抗接続線RPは5オーム抵抗を介して接
地されてデータ記憶装置12のコアスタックで使用され
る駆動電流を制御する。
データ記憶装置12のアクティブ制御接続線にはアドレ
スオーバフロー出力AOVがあり該出力は内部アドレス
カウンタが255の最大カウントになっておりオーバフ
ローしようとしていることを指示する。
AOVはオーバフローラッチから発生され該ラッチも磁
気フィードバック・タイミングパルスMFTが記憶読出
しまたは書込み部分サイクル開始に関して600ナノ秒
内で発生できなかった場合600ナノ秒タイムアウト信
号によってセットされる。
AOVはアドレス作動信号AEによってクリアされるま
で記憶動作サイクルを抑止する。
A、 OVはカウントσ〒を作動して最終記憶場所をア
クセスする際CIの立上りの約650ナノ秒後に作動す
る。
データとして利用可能な出力はデータがDO比出力読出
され安定化されて外部で使用するために利用できること
を指示するパルス出力を発生する。
DAの立上りは読出し、読出し相補または書込み記憶ア
クセスサイクルがサイクル開始入力信号百了によって開
始された後700ナノ秒を下らずに発生する。
DAは内部データストローブ信号に時間関連しており有
効データがDOで現イつれてから40ナノ秒後にアクテ
ィブになりサイクルの残りの時間中アクティブなままに
なっている。
それはCIの立上りからDAの立下りまで1350ナノ
秒の最大時間でサイクルパルスEOCの内端によって終
了される。
Doは読出しサイクル中デニタ出力を発生し書込みサイ
クル中データ入力を受ける双方方向接続線である。
入力データは立上りCI後200ナノ秒以内に有効でな
ければならずDAの立上りの10ナノ秒後まで有効なま
までなければならない。
出力テ゛−タは信号DAの立上りの発生より40秒ナノ
秒前、■の立上りの650ナノ秒後に有効であり汀の立
下りの20ナノ秒後まで有効なままである。
読出しおよび書込み入力は符号化された組合せで動作し
データ記憶装置12に対して4つの動作サイクルの1つ
を選択する。
RD=OおよびWT=1は読出しサイクルを指令し、T
(D=1およびW〒二〇は書込みサイクルを指令する。
j「E−。およびWT=Oはデータがアドレスされた記
憶場所から読出され相補され相補形式で出力DOで与え
られ次いで相補形式で選択されたアドレス場所に再記憶
される。
読出し相補サイクルを指令する。RD=1 、WT=1
はアドレスカウンタは増分されるがデータ動作は何ら生
じないアドレス増分サイクルを指令する。
RDおよびWTはCIの立上りの100ナノ秒前に有効
でなければならずその後300ナノ秒間有効なままでな
ければならない。
チップ作動CEは電源降下条件を制御しアクティブな場
合データ記憶装置12の所要の構成要素が動作パワーを
受けるようにしよってデータ記憶装置をデータサイクル
指令を受けるアクティブ状態にする。
パワー検出回路、AE受信回路、アドレスオーバフロー
回路およびチップ作動回路のみがCE二1電源降下状態
中アクティブなままである。
アドレスカウンクデークは電源降下状態中に失われCE
の始動の際再記憶されなければならない。
さらにCBの立上りおよび第1アクテイブ入力信号の間
で500ナノ秒の時間間隔が必要である。
入力CTは現記憶サイクルの終わりまたはアドレス歩進
サイクルの始めで増分されるように内部アドレスカウン
タを作動するカウント作動入力である。
CTはCIの立上りの100ナノ秒前に有効でなければ
ならず少なくとも300ナノ秒間有効なままでなければ
ならない。
AEはアドレス入力MAO〜MA7を内部アドレスカウ
ンタ中にロードさせるアドレス作動入力でありまたアド
レスオーバフロー信号AOVをリセットする。
信号AEは200ナノ秒の最小幅を有していなければな
らない。
アドレスカウンタはAEの立下りによって、あるいはA
Eがサイクル開始時間でアクティブなままである場合は
内部記憶ビジー信号BUSYの立上りによってランチさ
れる。
アドレス入力信号はAEの立下りの200ナノ秒前に肯
定されて安定しAE後100ナノ秒間有効なままでなけ
ればならない。
サイクル開始信号面はデータ記憶装置がチ゛ノブ作動さ
れビジーでない場合データ記憶動作サイクルを開始し1
00ナノ秒の最小時間幅を有していなけれはならない。
単サイクル動作に対してCIは1000ナノ秒の最大幅
を有している。
6丁がアクティブなままである限りデータ記憶装置12
はCEまたはA、 OVによって不作動にされるまで連
続してサイクルする。
本実施例において、データ処理装置10に対する全入力
指令は条件マルチプレクサ30を介して入れられなけれ
ばならない。
状態シーケンサ1′4は16の利用できる指令を逐次サ
ンプリングし1つがアクティブであるとわかつ、・”′
7際に応答することによってこれらの指令に応答する。
これらの条件入力をサンプリングするためのプログラム
を表1に示す。
装置のリセットによって強制されるアドレス場所0から
始まってシーケンサは条件マルチプレクサ30を作動す
るように働く命令状態■1および条件COを試験するよ
うに働く条件状態OでFROM16人カアドレヌカアド
レス2る1条件人力COが成立しなければシーケンサは
アドレス場所2に実際に歩進しそれから進行してアドレ
ス場所4に歩進するとともにC1人力を試験する。
しかしながらCO指令入力がアクティブである場合シー
ケンサはアドレス場所2よりも場所3に歩進する。
アドレス場所3はCO指令に応答するためのサブルーチ
ンの第1命令をそこに記憶するFROMアドレス場所6
4に対する分岐命令を含んでいる。
実例として、入力指令COはアドレス場所0〜1の2ビ
ツトの内容をアドレス場所4〜5の2ビツトの内容に加
算してアドレス場所4〜6でその結果を記憶するように
データ処理装置10を指令してもよい。
入力指令COがアクティブでない場合シーケンサは指令
人力C1に対して試験するアドレス2にシーケンスされ
る。
入力C1が成立しない場合FROMアドレス4はアドレ
ス6に対して分岐させ入力C2に対する試験を行なう。
しかしながら人力C1がアクティブである場合シーケン
サはPFtOMアドレス5に実際に行き該アドレスは指
令入力C1に対応するサブルーチンの初期動作に対して
分岐させ該サブルーチンは本実施例ではアドレス場所1
28に位置した読出し入力バイトルーチンであってもよ
い。
入力C1は例えば内部インターフェースアドレスレジス
フ40によって指示されたアドレス場所から始まって8
ビツトのデータを外部装置に対して読出すようにデータ
処理装置10を指令してもよい。
データ記憶装置12 データ記憶装置12は第2図に示すように単一のデュア
ルインラインパンゲージのハイブリッド回路として組立
てられている。
データ記憶装置12は主シリコンチップ114、コアア
レー116および従属シリコンチップ118で構成され
ている。
主チップ114および従属チップ118は主チツプ上で
はオプション選択入力O8は接地されており従属チップ
上ではO8入力は+5ボルトに接続されてそれを従属チ
ップとして形成しているこさ以外は同一である。
O8入力は実際は3状態論理入力であり接続されずにお
かれた場合それは単チツプ構成でチップを形成しこれは
256コアアレー116ではなく64コアアレーのみを
駆動することができる。
主チップ114はX駆動およびシンク、データ記憶装置
アドレスレジスタの4つの最下位ビットおよび記憶動作
に対するタイミングおよび制御の大部分を与える。
従属チップは主にX駆動線に対する駆動およびシンク回
路およびデータ記憶装置アドレスレジスタの最上位4ビ
ツトを与える。
第3図は矩形ループ磁気データ記憶コア130の16X
16アレーを備えているコアアレー116を示す。
簡単にするためコア整列している2重へリングボーン(
魚骨形)のコアパターンを示すのに十分な数のコアのみ
を実際に示した。
第3図は説明を容易にするため相当量の駆動および感知
回路も示している。
この外部駆動および感知回路は実際はコアアレー116
上ではなく主および従属チップ114,118内に位置
しており、これは記憶コア130、タイミングコア13
2および2つの電流分割抵抗134,136を備えてい
る。
コアは13ミルの外径および公称230 ミIJアンペ
アの全、駆動電流を有するアムペックス社1323−C
型コアである。
電流駆動機構はX駆動線に関し最も良く示されている。
各X駆動線XO〜X15はそれに関連してコレクタを+
5ボルトに接続しエミッタを関連したX7駆動線に接続
した駆動トランジスタ140およびコレクタを関連した
駆動線に接続しエミツタを5オーム電流制御抵抗RPを
介して接地したシンクトランジスタすなわち切替装置1
42を有している。
切替トランジスタ140,142に対するベース入力は
デコーダに接続されており、該デコーダはデータ記憶装
置12のアドレスカウンク内に記憶されたアドレスに応
答して所与のX駆動線に関連した1対の切替装置を選択
し、さらに内部読出しまたは書込み指令信号に応答して
、駆動トランジスタ140あるいはシンクトランジスタ
142を選択して選択、駆動線を介して流れる電流の方
向を制御する。
各X駆動線の駆動接続端はさらに電流分割抵抗144を
介して抵抗バス148に接続され反対端は共通バス15
0で共に接続されている。
読出し部分サイクル中駆動電流は下達のようにそれが1
6の抵抗144を介してX駆動線の駆動端に流れる際1
6分割される態様で抵抗バス148に与えられる。
選択X駆動線で1/16の電流は選択シンクトランジス
タ142を介しパワー抵抗を介してJ′−スに流れる。
しかしながら他の15の非選択X駆動線では電流は反対
端に向かって流れそこで共通バス115で蓄積され選択
X駆動線を介して逆すなわち右から左の方向で流れてそ
れに関連した抵抗を介して1/16駆動電流に合流して
対応するシンクトランジスタ142およびパワー抵抗を
介してアースに流れる。
書込み部分サイクル中、電流の流れは1駆動トランジス
タ140をオンにして反対方向になっており線XO等の
選択X駆動線の駆動端を+5ボルトに接続し駆動端から
反対端に向かって電流を流す。
この電流の1/16は関連した駆動抵抗144を介して
抵抗バス148に流れる。
反対端で選択X、駆動線を介して左から右に流れる電流
は共通バス150に達した際15選選択X駆動線15経
路に分割される。
この分割された電流は右から左へ反対方向で各非選択X
駆動線を介して流れ次いで関連した駆動抵抗144を介
して抵抗バス148に流れる。
全部の電流はこうして抵抗バスに集められる。
従って駆動機構は各々の場合の駆動電流が15の非選択
X7駆動線間で等しく分割され逆方向で非選択1駆動線
を介して戻るようにして選択方向で選択X駆動線を介し
て駆動電流を送るように作動することが明らかである。
X駆動線に対する駆動機構はX駆動線に対する7駆動機
構より複雑に見えるが電気的に同一である。
しかしながらコアの方向は異なるX1駆動線に対して変
化するので線の駆動端はコア130のアレーの異なる側
に物理的に位置していなければならない。
例えばYO駆動線は左下から右上に向けられているコア
を結合させその、駆動軸およびシンクトランジスタ17
0 、172をアレーの底部に位置させている。
YlおよびX2駆動線に対してコアは反対方向に向けら
れ1駆動およびシンクトランジスタはアレーの上部にあ
る。
各々の場合各Y駆動線の駆動端は駆動抵抗174を介し
て抵抗バス176に結合されており反対端は全部の反対
端をそれに接続させて共通バス178に接続されている
読出し部分サイクル中、駆動線YOに対するトランジス
タ170等の選択Y駆動切替装置はオンにされて電流を
送り選択駆動線を+5ボルトに結合しそれを介して駆動
電流を送る。
この駆動切替電流の1/16は関連した駆動抵抗174
を介して抵抗バス176に送られる。
実際の部分選択コア駆動電流を構成する切替電流の残り
の15/16は選択駆動線を介して共通バスに送られそ
こで15経路に分割され電気的に反対方向で15非選択
Y駆動線を介して共通端から駆動端に送られそこで関連
した駆動抵抗174を介して抵抗バス176に送られる
こうして全部の駆動切替電流は抵抗バス116に蓄積さ
れる。
抵抗バス176は電流分割抵抗134,136の一方の
側に接続し、電流の1/16は抵抗134を介して送ら
れ実際のコア駆動電流に整合する電流の15/1.6は
抵抗136およびコアアレー中のコア13(B=同一で
あるタイミングコア132土の2巻巻線180を介して
送られる。
巻線180を介して送られた後駆動電流は前述のように
X抵抗バス148に接続され、それから15経路に分割
されて反対方向で非選択X駆動線を介して共通バス15
0に送られ次いで選択X駆動線を介して読出し方向でそ
れに関連したシンクトランジスタに送られ次いで電流制
御抵抗RPを介してアースに送られる。
タイミングコアの巻線180上の2巻はその7駆動特性
をXおよびY方向でアレー中の選択コアを介して流れる
1駆動電流の2つの通路に整合させ従ってタイミングコ
ア132は選択コアと同じ起磁力を受ける。
従ってタイミングコアは選択コア吉正確に平行して切替
わる。
書込み部分サイクル中選択X7駆動装置は選択X、駆動
線を+5ボルトに接続し、コア、駆動電流は選択X駆動
線を介して左から右に送られ全切替駆動電流は上述のよ
うに抵抗バス148に集められる抵抗バス148はタイ
ミングコア132の巻線180に接続し書込み電流は巻
線180を介して読出し電流と反対の方向で流れて再び
タイミングコア132を切替える。
駆動電流は電流分割抵抗134.136を介してY抵抗
バス116に流れる。
Y抵抗バスでそれは16の経路に分割され全電流の15
/1.6は非選択Y1駆動線の、駆動端に送られ次いで
それを介して反対方向で共通Yバス178に送られる。
この点から電流が集められ書込み方向で駆動線YO等の
選択Y駆動線を介して選択Yシンクトランジスタ172
に送られ次いで電流制御抵抗RPを介してアースに送ら
れる。
この駆動機構は多くの非常に重要な利点を有している。
第1に全部の駆動およびシンク接続線は駆動線の1つの
端にあり反対端は単に共に接続されている。
従って各駆動線について外部回路に対するただ1つの接
続線がある。
さらに各駆動線は1駆動トランジスタを介して+5ボル
トに、またはシンクトランジスタを介してアースに向か
って選択的に接続される。
これらのトランジスタは飽和またはほぼ飽和されてその
両端の電圧降下および結果の電力損失を排除または低減
する。
従来のデコーディングダイオードはその両端の関連した
電圧降下およびそれにおける電力損失と共に完全に排除
されている。
これらの電圧降下の排除は+ボルト電源からの単一の電
流でXおよびYの両、駆動線を駆動するのを容易にし、
電力損失の排除は高い電源電圧が使用されなければなら
ないため駆動チップによって浪費されなければならない
電力を大幅に低減する。
XおよびY1駆動電流の接続は駆動回路の電流需用を1
/2だけ低減し別々の駆動電流の各々かはかの場合なら
ば+5ボルト電源から個別に発生されると仮定すると駆
動電流の全電力消費は1/2だけ低減される。
同時に非選択1駆動線を介して流れる逆電流は非選択コ
アで選択駆動線を介して流れる部分選択電流を部分的に
打ち消す。
例えばコアxo、yoが選択された場合コアX1.YO
は部分選択Y1駆動電流を受は該電流は非選択X駆動線
X1中の反対方向に流れる部分X駆動電流によって1/
15を打ち消される。
従って非選択コアは従来のコアメモリスタックにおける
ように全部の部分選択駆動電流ではなく部分選択駆動電
流の14/15のみを受ける。
この部・分打ち消しは動作マージンを大幅に改良する。
部分選択駆動電流は十分大きくなることができ従来のコ
アメモリにおいては部分的に選択されたコアは動作を始
めるが本発明装置においては部分打ち消しは非選択コア
によって実際に受けられる部分選択電流を低減し動作を
防止するのになお十分であり得る。
これらの増加したマージンは従来のコアメモリにおいて
見られる電流源のように正確な駆動電流の制御を行なう
ことができない単チツプ半導体駆動回路の使用を容易に
する。
増幅器190は駆動電流フィードバックを与えて駆動電
流の振幅を安定化するのを助ける。
差動増幅器190は駆動電流振幅を表わすパワー抵抗R
Pの電圧を電圧基準VRと比較してその差に比例する負
のフィードバック信号VDCREFを出力する。
この負のフィードバック信号はアクティブシンクトラン
ジスタ142または172のペース電流をそのどちらが
オンの場合でも制御し駆動電流の振幅を制御するのに使
用される。
電圧基準信号VRは温度補償されて25℃まで約0.6
25ボルトで一定に留まりその後1℃轟たり約0.24
係の率で落ちる。
感知回路は雑音打ち消しクロスオーバーを何ら含んでい
ないという点で従来のコアメモリ感知回路と異なってお
り読出し部分サイクル中コア切替信号に対して単極性出
力を発生するような態様でコアアレーを介して貫通され
ている。
すなわち全部の読出しコアは感知線出力SAで正電圧を
誘起し感知線出力SAで負電圧を誘起する。
さらに従来のコアメモリにおいて感知線および平行駆動
線はその間を通っている直交すなわちX駆動線によって
分離されて誘導結合された駆動電流雑音を低減する。
しかしながら本発明装置においてはY駆動線および関連
した感知線は同時に貫通されてコアアレーの小型寸法お
よび感知線巻線構成に固有の雑音打ち消しの特徴ゆえに
経費を低減することができる。
タイミングコア132はその上に巻かれた第2の1巻巻
線を有している。
この巻線192はコア130のアレー内の選択コアに対
する感知巻線SA、SAの1巻結合に対応する。
従って巻線192の出力は記憶部分サイクル中選択され
切替えられたコアによって受けられる出力切替信号を可
能な限り厳密に追尾する。
巻線192の出力は1対の100オーム抵抗194,1
96によって分割される。
こうして巻線192の出力の1/2は抵抗196を介し
て感知巻線のSA端子に、感知巻線を介してそのSA端
子に、次いで50オーム抵抗200を介して増幅器19
8の負端子に延長する経路で差動増幅器198の入力端
子にかかつて与えられる。
こうして選択コアのコア切替電圧はタイミングコア13
2に対する反対極性を有する巻線192のコア切替電圧
の1/2と直列に与えられる。
従って1が読出された場合感知増幅器198の入力に与
えられる正味信号は正極性を有するコア切替出力信号の
1/2である。
他方選択コアが切替わらない場合感知増幅器198の入
力に与えられる信号は負極性を有するコア切替出力信号
の1/2である。
コア切替出力信号の振幅が温度や駆動電流等の要因とと
もに変化する際信号振幅は相当に変化し得るが感知増幅
器198の入力に与えられる読出し1および読出し0正
味または差切替信号はなおOボルトになったままであり
正信号は選択コアの切替を表わし負電圧は選択コアの非
切替を表わす。
従って零ボルトは1または0の選択コア出力を検出する
ための最適感知閾値点のままである。
選択コア切替信号からタイミングコア切替信号の1/2
を減算した結果の効果は変化するコア切替信号条件に応
答して感知電圧閾値を動的に調整することである。
同時に実際の閾値はOボルト差、すなわち大きな安定度
で実現するのが非常に容易な閾値のままである。
感知増幅器198の出力は識別器204に差動的に与え
られ該識別器は1および0切替信号出力の間を識別しス
トローブタイミング信号を受けた際それに従ってデーフ
ランチ206をセットする。
第3図には示されていないがストローブタイミング信号
は巻線192からのタイミングコア出力切替信号に応答
して発生することもできる。
従ってストローブ信号は最大の雑音防止のためにコア切
替信号の実際のピークで発生してもよい。
実際のコア切替信号を追尾することによって、温度や7
駆動電流等の要因とともにコア切替信号特性が変化する
にもかかわらずストローブ信号のタイミングを最適化す
ることができる。
分流切替トランジスタ212を備えている分流回路21
0は書込み部分サイクル中0を書込む(コアを切替えな
い)際に作動される。
0を書込もうとする際選択YアドレスのYシンクトラン
ジスクはオンにされるが対応するX駆動トランジスタは
オンにされない。
その代わりに分流トランジスタ212がオンにされてX
共通バス150を+5ボルトに接続する。
この点から電流が分かれて逆方向で16の非選択X駆動
線全部を介してかつ関連した駆動抵抗144を介してX
抵抗バス148に送られる。
この点から電流は書込み方向でタイミングコア192を
切替える。
この点から電流は書込み方向でタイミングコア192を
介して流れてY抵抗バス、176に対して次の読出し部
分サイクルに備えてタイミングコア192を切替える。
この点から電流は書込み部分サイクルに対して通常のY
電流路に従う。
電流は駆動抵抗174を介して15非選択駆動線の駆動
端に流れ次いで逆方向で反対端の共通バス178に流れ
る。
この点から電流は書込み駆動方向で選択Y、駆動線を介
してそれに関連したYシンクトランジスタ172に流れ
次いでパワー抵抗RPを介してアースに流れる。
この態様で選択コアはただ1つの部分選択電流を受は該
電流は部分的に打ち消され選択コアは0を書込もうとす
る際切替わらない。
同時にタイミングコア巻線180はその巻線を介して部
分選択電流を受は該電流は次の読出しサイクルに備えて
それを切替える。
第4図において、データ記憶装置12に対して読出しお
よび書込み制御を行なうサイクル開始および主制御回路
を示す。
データサイクルは外部サイクル開始信号が作動された際
ナンドゲ−1−400の出力での信号GOの肯定で開始
し、アドレス歩進信号A、DDADV、アドレスオーバ
フロー信号AOVL、サイクル終了信号EOCおよびリ
セット信号R8Tは全て論理・・1ガになっている。
これらの作動信号は前の記憶サイクルが終了し記憶装置
が信号6丁の肯定で開始される新しいサイクルを開始す
る準備ができている状態を定める。
新しいサイクルを開始する信号GOはピーシラッチ40
2をセットし該ランチはサイクル終了信号EOCまたは
装置リセット信号R8Tによってリセットされるまで記
憶サイクルを通じてセ゛ノドされたままになっている。
ビジー信号の立上りは読出しランチ406をセットする
ように接続されているナンドゲ゛−1−404の出力で
60ナノ秒パルスを発生する。
読出しラッチ406は信号R,EADを出力し該信号は
読出し部分サイクルを実際に行なうように電流駆動装置
および関連した回路を指令する。
磁気フィードバックタイミング信号MFTはタイミング
コア132の出力巻線192からの出力切替信号を出力
切替信号の公称最大ピーク電圧の約10係に設定された
閾値と比較することによって発生される。
従って信号MFTはタイミングコア切替信号が10%閾
値より上に上昇した際に立上りを有しタイミングコア切
替信号電圧がこの10%閾値より下に落ちた際立下りを
有する。
MFTの立下りの発生の際2つの反転ゲートは40ナノ
秒の遅延を与え次いで読出しラッチ406をリセットし
て読出し部分サイクルを終了する。
40ナノ秒遅延によって、選択コアが読出し方向で完全
に切替えわれて後読の書込み部分サイクルの始めに対し
て均等な完全に切替えられた磁束状態を与えることが確
実になる。
読出し信号の立下りは書込みラッチ410をセントする
ナントゲート408で60ナノ秒パルスを発生する。
書込みラッチ410は書込み出力信号を発生し該信号は
オンになって書込み部分サイクルを続行するように電流
駆動装置を指令する。
書込みう゛フチ410はタイミングコア132が後読の
書込みサイクル中だがさらに40ナノ秒遅延されること
なく切替わる際に該コアによって発生される磁気フィー
ドバンクタイミング信号によってオフにされる。
600ナノ秒タイマ412は読出しサイクルまたは書込
みサイクルの各々の発生によって作動されタイムアウト
信号TOを発生し該信号は磁気フィードバックタイミン
グ信号が600ナノ秒以内に読出しランチ406および
書込みランチ410をリセットしない場合その両ラッチ
をリセットするこれによって、何らかの理由でタイミン
グコア132が感知されて磁気フィードバックタイミン
グ信号を発生する出力切替信号を発生しない場合駆動回
路に損傷を与え得る電流駆動装置ランナウェイ状態が防
止される。
記憶装置がサイクルされる極く最初の時間にタイミング
コアは出力切替信号を発生する適正な状態にないことが
あることがイつかるだろう。
他の時間でも入出力指令の誤用、大きな雑音信号その他
の欠陥が磁気フィードバンクタイミング信号に干渉する
ことがある。
データゲートラッチ414は装置入力読出し指令信号R
Dに応答してデータ入力ゲート信号DIGおよびその相
補、データ出力ゲート信号DOGを発生する。
カウントランチ416は入力カウント作動信号CTがサ
イクル開始信号GOと共に肯定された場合記憶サイクル
の完了の際にアドレスカウンタの増分を可能にするよう
にセットされる。
肯定されるとカウント信号は信号CTが肯定されずにサ
イクルの始めで信号GOが低くなるまでう゛ノチされる
ナントゲート418は書込み制御信号WI(ITEの立
下りで発生する100ナノ秒パルスとしてサイクル終了
信号EOCを発生する。
この同じ時間間隔中ナントゲート420はカウントパル
ス信号CTPを肯定し該信号は信号C0UNTによって
作動された際記憶サイクルの終りでアドレスカウンタを
実際に増分する。
あるいはナントゲート422はWTおよびRDの肯定が
データ動作が何ら生じないアドレス歩進記憶サイクルを
指令した際記憶サイクルの始めで信号CTPを肯定する
1対のナンドゲ−1−424および426は双対チップ
構成で主チップから従属チップに発生されたカウントパ
ルス信号を与える。
第5図において、信号GOによってパルスされている間
読出しおよび書込み信号の同時肯定によってセットされ
るように結合されている反転ラッチ504を備えている
反転回路502を示す。
反転ランチはサイクル終了信号EOCまたはリセット信
号R8Tによってリセットされるように結合されている
反転回路502はデータラッチ206から真および相補
データの両方を受はリセットされた際は真のデータをデ
ータ記憶ランチ504に送りセントされた際はリセット
および相補データをデータランチ504に送る。
データラッチ504はナントゲート506を介してDO
出力端子を駆動するように結合されており該ナンドゲ゛
−トはさらにテ゛−タ出力ゲ゛−ト信号DOGによって
作動されなければならない。
またデータラッチ504はナンドゲ゛−ト508がデ゛
−タ入カゲ゛−トストロープ信号DIG、SASおよび
ラッチ510からの相補出力の同時発生によって作動さ
れた際ナントゲート503からのDOデータ端子から入
力データを受けるように結合されており該ラッチ510
は60ナノ秒だけ遅延されたSASによってセットされ
信号EOCまたはR8Tによってリセットされるように
結合されている。
オーバフローラッチ512は信号C0UNTか感知増幅
器ストローブ信号SASと同時に存在する場合記憶装置
が使用されている特定の1または2チツプ構成に対して
アドレスカウンタが一杯になっている際ナンドゲ゛−ト
514の出力によってセットされるように結合されてい
る。
ラッチ512はさらに600ナノ秒タイムアウト信号T
Oによってリセットされるように結合されている。
アドレスラッチ512はアドレス作動信号AEによって
リセットされるように結合されている。
分流回路520は+5ボルトに接続されベースをアンド
/17’−トs 24によって駆動している駆動トラン
ジスタ522を備えており、該アンドゲートはデータラ
ッチ504がデータビット0が書込まれることを指示し
た際書込みサイクル中駆動トランジスタ522をオンに
する。
アンドゲート524は信号SLによって2チツプ構成の
従属チップ上で不作動にされる。
駆動方向制御回路528はX駆動Y駆動、Xシンクおよ
びYシンク駆動制御信号を作動して読出し部分サイクル
が進行中か、書込み部分サイクルが進行中か、および所
与のチップが単チツプ構成、従属構成または主構成にな
っているかに従って電流方向駆動装置を適正にオンにす
る。
主チツプ上の、ノアゲート530は主チップから従属チ
ップに選択作動信号【百を送って従属チップ士で1駆動
選択出力を作動する。
同様に反転ゲート532は主チップから従属チップに信
号S/Kを送って書込み部分サイクルが進行中か否かを
指示するように接続されている。
従属チップ上では方向制御回路のみがパワー作動されゲ
ート530および532は電源降下状態のままであり不
作動である。
方向制御回路528はさらにXシンク信号あるいはXシ
ンク信号が真のとき常に電流作動信号CFtENAを発
生するノアゲート534を備えている。
第6図はアドレス記憶装置602のブロック図であり、
該記憶装置は6ビツトカウンタ、Xマトリックス切替装
置604.X−Xマトリックス切替装置605、および
端子オプション選択信号O8に応答して主、従属、およ
び単チツプ制御信号を発生するオプション選択回路60
8として実現されている。
単チツプ構成においてアドレスカウンタ602は6つの
アドレス信号AO〜A5を受ける。
主構成においてはアドレスカウンタはアドレス信号AO
〜A3を受は従属構成においては最上位アドレス信号A
4〜A1を受ける。
異なる構成を吸収するためアドレスカウンタ602が2
チツプ構成に対して1または最大カウントを場所0〜3
に記憶した場合0〜3FULL信号がアクティブになり
、アドレスカウンタ602が単チツプ構成で使用するた
め6つの記憶場所O〜5全部に論理・・1・・最大カウ
ントを記憶した場合0〜5FULL信号を発生する。
カウンタ602はカウントパルス信号C下下によって増
分され信号BUSYによって作動された際アドレス作動
信号AEに応答して外部アドレス信号をロードされるよ
うに結合されている。
デコーダ612,614は各々マトリックス切替装置6
04.605に対する3つのアドレス入力信号を解読す
る。
デコーダ614はマルチプレクサ616を介してアドレ
ス入力を受けるように結合されて該マルチプレクサは単
または双対チップ構成に応答してデコーダ614に対し
てアドレス信号を適正に向ける。
単チツプ構成においてはXマトリックス切替装置604
は8つのX駆動線を、駆動しX−Xマトリックス切替装
置605は8つのY駆動線を駆動することがわかるだろ
う。
主チツプ構成においては両マドIJソクス切替装置60
4,605は16のX駆動線を駆動し従属構成において
は両マトリックス切替装置604および605は16の
Y駆動線を駆動する。
電圧ブースティング回路620は端子CO2C1で外部
コンデンサを使用して電流駆動切替装置によって使用す
るためvCC入力電圧を8ボルトにブースティングする
電圧ブースティング回路はデータ記憶装置12がビジー
状態にあり従属チップ上で作動されていない間のみ作動
される。
電圧基準回路622はチップ作動信号CEに応答して主
チツプ上でのみ作動され電圧基準信号VRを発生し、該
基準信号は電流調整装置624によって主チップおよび
従属チ゛ノブの両方で使用されてアクティブXまたはY
シンク切替装置に与えられるベース電流を制御して選択
コアを介して流れる。
駆動電流の振幅を制御する。電圧基準信号VRは25℃
まで約0.6125ボルトで一定に留まり次いで125
℃まで1対箇たり0.24 %の率で低減するように制
御される。
第8図はパワー検出入力信号PDが閾値電圧以下に落ち
た際パワーフラグ出力信号を発生するように動作するパ
ワー検出回路802を示す。
リセット回路804はチップ作動信号CBが無くパワつ
がオンのとき記憶リセット信号R8Tを発生するように
動作する。
第9図において、チップ作動信号CEに応答して主およ
び従属チップの両方上で作動する従属回路902を備え
ている2つの+5ボルトパワ一分配回路を完全に示す。
第2パワー分配回路904は信号CBおよびSLに応答
して主チツプ上でのみ作動して従属チップ上ではなく主
チツプ上でパワーを受ける回路に+5ボルトを分配する
従属vCC基準5VCCは第8図のリセット回路804
に送られてパワー・オン・リセットを実現しこれによっ
て直流電源が安定するまでリセット信号が終了しないこ
とが確実になる。
第10図は電圧ブースティング回路620、電圧基準回
路622、電流調整回路624および駆動シンクマトリ
ックス切替装置604の例をより詳細に示す。
また第10図は書込み信号中1駆動電流が公称の90係
を越えた際に信号Wでを発生し読出しサイクル中駆動電
流が公称値の90%を越えた際に信号RCを発生する磁
気フィードバック回路作動回路650も示す。
電流調整装置は基準電圧をRPパワー抵抗の電圧と比較
して信号VDCREFを発生し、該信号は抵抗電圧が基
準電圧を越えて選択同期駆動トランジスタのベースから
ベース供給電流を流出させた際トランジスタ652に電
流を導通させよってパワー抵抗の電圧が基準電圧に整合
するまでコア駆動電流を低減する。
第1図において、感知増幅器198は選択コア出力切替
信号とタイミングコア出力切替信号の1/2間の差を表
わす差感知信号を受けて増幅する。
増幅器または識別装置204は増幅された差信号を受は
ランチ206が感知増幅器ストローブ信号SASによっ
て作動された際ランチ206を1つの状態または別の状
態にセットさせて感知データを反映する。
2つの相補信号DATAおよびDAT、A COMP
は選択反転回路によって使用するための出力として取ら
れる。
磁気フィードバンク回路702は第11図の曲線KAお
よびKBで示したような2つの増幅切替信号を発生する
ことによってタイミングコア出力切替信号に応答する。
曲線KAは曲線KBに対して負のオフセットを有してい
るが大きな利得を有し曲線KBに対してわずかに遅延さ
れている。
従って曲線KAは点1302で曲線KBより上に上昇し
て感知増幅器ストローブ信号SASの立上りを定める。
時間1304で曲線KAの振幅は曲線KBの振幅より下
に落ちて信号SASを終了する。
再び第7図において、入力差動増幅器704はタイミン
グコア感知巻線のTAおよびTA端子からタイミングコ
ア切替信号を受ける。
増幅器704は電流源706および1対の差動増幅器ト
ランジスタ708,710を備えている。
トランジスタ708のコレクタは抵抗712および負荷
抵抗714を介して+5ボルトに接続されている。
同様にトランジスタ710のコレクタは抵抗716およ
び負荷抵抗718を介して5ボルトに接続されている。
3つの抵抗720,721および722は負荷抵抗71
4,718の間に直列に接続されている。
抵抗121の中心は交流仮想アースであり従って抵抗7
21および722は交流分圧器回路として動作して負荷
抵抗718での利得に対して点Bでの利得を低減しよっ
て交流利得を低減している。
抵抗116は交流利得を低減することなく負荷抵抗γ1
8および点Bに対して直流電圧降下を与える。
従って曲線KAに与えられた時間遅延以外は第11図の
曲線KAおよびKBに対応する電圧が点AおよびBで得
られる。
抵抗720,721゜722および716は点Bで感知
される公称ピーク切替信号振幅の約10係に等しい直流
オフセット電圧を点Aに与え点Bでの信号増幅より1,
2倍大きい信号増幅を点Aで与えるように選択される。
ストローブ比較装置730は点AおよびBから信号を受
けそれらを各々点KAおよびKBで係数Kによって増幅
し次いでトランジスタ132で比較して感知増幅器スト
ローブ信号SASを発生する。
コンデンサ734は点KAで信号をわずかに遅延して第
11図のような電圧波形を点KAおよびKBで発生する
ように動作する。
信号RCは駆動電流が公称振幅の90%以上であり読出
し部分サイクルが進行中である際感知増幅器ストローブ
を作動する。
第2ストローブ比較装置740はその入力の極性を逆に
して書込みサイクル中に発生する負極性切替信号に応答
することを可能にしていること以外は比較装置730と
同じである。
結果のWSAS出力信号はMFTを発生して書込み部分
サイクル中駆動電流をオフにするように動作する。
WSASは信号WCによって作動され該信号WCはそれ
が書込み部分サイクル中に発生すること以外はπでと同
様である。
磁気フィードバック回路の代用例1150を第12図に
示す。
回路1150は2つの閾値検出装置1152および11
54および100ナノ秒タイマ1156を備えている。
閾値検出装置1152は読出しサイクル中動作して読出
し部分サイクル切替出力信号R,C8Wを発生し、該信
号は正タイミングコア出力信号が信号VTRによって公
称ピーク切替電圧の約10%と定められた閾値レベルを
越えている限りアクティブなままである。
閾値電圧検出装置1154は入力極性が逆になって書込
み部分サイクル中に発生する負出力電圧切替信号を受け
ること以外は検出装置1152と同一である。
書込みコア切替出力信号wcswは。アンドゲート’1
155gよびナンドゲ−1−1160に送られ該ゲート
は信号RC8Wも受けてRC8Wあるいはwcswの立
下りで60ナノ秒パルスMFTを発生して記憶部分サイ
クルを終了する。
100ナノ秒タイマ1156は読出し部分サイ・クル中
のみ作動してRC8Wの立上りの100す、ノ秒後に感
知増幅器ストローブ出力信号SASを発生する。
信号SASはRC8Wの立下りで終了する。
固定タイミングピーク検出装置1156は実際・のピー
クを感知する回路のように正確に切替信号ピークに追政
しないが切替信号の立上り上の10%点に対するその応
答性によって実際の切替条件に対する時間調整が可能に
なり適当な精度が得られる。
同時に磁気フィードバックタイミング信号MFTは切替
信号の立下り上の好適な10%点に対してより正確に応
答し回路は幾分簡単である。
第13図はタイミングコア切替信号が幾分かつ積分され
ているさらに別の磁気フィードバンク回路装置1180
を示す。
負のオフセットが積分装置に与えられ従ってその出力は
切替信号ピークで微分出力信号を越える。
比較装置は積分出力信号の振幅が微分出力信号の振幅を
越えた際信号SASを発生する。
信号MFTはSASの立下りでパルスとして発生される
フィードバックタイミング信号発生回路を備えているコ
アメモリの種々の装置を当業者が本発明装置を製造して
使用することができるように説明したが、本発明はそれ
に限定されるものではないことを理解されたい。
従って特許請求の範囲内のいずれの変更例や同等の装置
も本発明の範囲内に含まれると考えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による磁気フィードバックタイミングを
使用している状態シーケンス装置およびデータ記憶装置
を有しているデータ処理装置を示すブロック図、第2図
は第1図のデータ記憶装置のブロック図、第3図は第1
図のデータ記憶装置用のコアアレーの概略図、第4図は
第1図のデータ記憶装置用の制御論理回路のブロック図
、第5図は第1図のデータ記憶装置用の選択データ反転
回路を備えている制御論理回路の1部の概略図、第6図
は第1図のデータ記憶装置用のアドレスカウンタ1.駆
動およびデコーダ回路のブロック図および概略図、第7
図は第1図のデータ記憶装置用の感知増幅器および磁気
フィードバック回路のブロック図および概略図、第8図
は第1図のデータ記憶装置用のリセットおよび電源落ち
検出回路の概略図、第9図は第1図のデータ記憶装置用
の選択的作動電源回路の概略図、第10図は第6図の駆
動回路の概略図、第11図は第1図のデータ記憶装置用
のピーク検出装置の動作を示す2つの電圧波形の図、第
12図は本発明による磁気フィードバック回路の代用例
、第13図は本発明による磁気フィードバック回路の別
の代用例を示す。 図中、10・・・・・・データ処理装置、12・・・・
・・選択的相補データ記憶装置、14・・・・・・状態
シーケンサ、16・・・・・・PROM、18・・・・
・・命令レジスタ、20・・・・・・命令デコーダ、2
2・・・・・・クロック発生装置、30・・・・・・条
件マルチプレクサ、36・・・・・・データラッチ、4
0・・・・・・インクフェースアドレスレジスタ、42
・・・・・・インタフェースマルチプレクサ、44・・
・・・・プリンスクーラー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 データ記憶コアのアレーと選択データ記憶コアとほ
    ぼ同じ振幅の駆動電流を受けるように結合されたタイミ
    ングコアとを備えているデータ記憶スタックと、上記タ
    イミングコアの切替信号出力を感知して上記タイミング
    コアが上記駆動電流によって切替えられた際それに対応
    するフィードバック切替信号を発生するように結合され
    たタイミングコア感知回路と、電流指令信号に応答して
    上記コアを1つの磁化状態から別の磁化状態に切替える
    のに十分な振幅の電流で選択データ記憶コアおよび上記
    タイミングコアを、駆動するように結合された電流駆動
    回路と、アドレスおよびデータ指令および上記フィード
    バック切替信号に応答して選択データ記憶コアを切替え
    るのに必要な電流指令信号を発生するタイミングおよび
    制御回路とを備えていることを特徴とするタイミングコ
    アによって制御されるコアメモリ。 2、特許請求の範囲第1項に記載のコアメモリにおいて
    、上記タイミングおよび制御回路は基準電圧を発生する
    基準回路と上記フィードバック切替信号を上記基準電圧
    と比較し記憶部分サイクル中上記フィードバック切替信
    号の振幅が上記基準電圧以下になった際磁気フィードバ
    ックタイミング信号を発生するように結合された比較装
    置とを備えており、上記タイミングおよび制御回路はさ
    らに記憶部分サイクル中上記磁気フィードバックタイミ
    ング信号の発生の除コア駆動電流時間幅を決定するよう
    に結合されていることを特徴とする上記コアメモリ。 3 特許請求の範囲第2項に記載のコアメモリにおいて
    、上記基準電圧は25℃でのピークフィードバックタイ
    ミング信号電圧の約20係に設定されていることを特徴
    とする上記コアメモリ。 4 特許請求の範囲第1項、第2項または第3項に記載
    のコアメモリにおいて、さらに、選択データコアのデー
    タコア出力切替信号を感知しストローブ信号の発生の際
    上記データコア出力切替信号の状態を指示するデータ状
    態を記憶するように結合されたデータコア感知回路を備
    えていることを特徴とする上記コアメモリ。 5 特許請求の範囲第4項に記載のコアメモリにおいて
    、さらに、上記フィードバック切替信号中のピーク電圧
    の発生を検出しそれに応答してストローブ信号を発生す
    るように結合されたピーク検出装置を備えていることを
    特徴とする上記コアメモリ。 6 特許請求の範囲第4項に記載のコアメモリにおいて
    、さらに、上記タイミングコアが切替をほぼ完了したこ
    とを指示する上記フィードバック切替信号の条件に応答
    して上記ストローブ信号を発生するように結合されたス
    トローブ回路を備えていることを特徴とする上記コアメ
    モリ。 7 特許請求の範囲第4項に記載のコアメモリにおいて
    、上記データコア感知回路は上記選択データコア出力切
    替信号から上記タイミングコア出力切替信号の1/2を
    減算して差信号を得て上記ストローブ信号の発生の際上
    記差信号が零より大きいかどうかに基くラータ状態を指
    示するように結合されていることを特徴とする上記コア
    メモリ。 8 特許請求の範囲第7項に記載のコアメモリにおいて
    、さらに、上記フィードバック切替信号に応答して上記
    フィードバンク切替信号がピーク電圧に達するおよその
    時間に上記ストローブ信号を発生する手段を備えている
    こさを特徴とする上記コアメモリ。 9 特許請求の範囲第6項に記載のコアメモリにおいて
    、上記ストローブ回路は、上記フィードバック切替信号
    に応答する積分回路および微分回路と、記憶部分サイク
    ル中上記フィードバック切替信号の積分が上記フィード
    バック切替信号の導函数を越えた際上記ストローブ信号
    を発生するように結合された比較装置上を備えているこ
    とを特徴とする上記コアメモリ。 10テータ記憶コアのアレーと選択データ記憶コアとほ
    ぼ同じ振幅の駆動電流を受けるように結合されたタイミ
    ングコアとを備えているデータ記憶スタックと、記憶部
    分サイクル中上記コアを1つの磁化状態から別の磁化状
    態に切替えるのに十分な、駆動電流で選択データ記憶コ
    アおよび上記タイミングコアを駆動するように結合され
    た電流駆動回路と、選択データコアの出力切替信号と上
    記タイミングコアの出力切替信号の1/2との間の差を
    感知し上記タイミングコア切替信号のピーク振幅の発生
    とほぼ一致する時間点で上記差が零より。 大きいかどうかを指示するように結合された感知回路と
    を備えていることを特徴とするタイミングによって制御
    されるコアメモリ。 11 特許請求の範囲第10項に記載のコアメモリにお
    いて、上記感知回路は読出し部分サイクル中1上記アレ
    ーの全チークコアに対して単極性出力コア切替信号を発
    生する構成で上記データ記憶コアのアレーに結合されて
    いることを特徴とする上記コアメモリ。 12 コア駆動電流振幅およびコアアレ一温度の変化
    、入力電圧およびタイミング変化に対して非常に適応性
    のあるコアメモリにおいて、複数のデータ記憶コアとタ
    イミングコアを備えている磁心アレーと、記憶サイクル
    の読出し部分中1つの磁化状態から別の磁化状態への切
    替を生じるのに十分なほぼ等しい駆動電流で選択データ
    記憶コアおよび上記タイミングコアを駆動するように結
    合された駆動回路と、選択データコア出力切替信号およ
    びタイミングコア出力切替信号の振幅を感知し上記タイ
    ミングコア出力切替信号中のピークの発生の際上記デー
    タコア出力切替信号の条件をデータ出力として指示する
    ように結合された感知回路さを備えていることを特徴と
    するタイミングコアによって制御される上記コアメモリ
    。 13%許請求の範囲第12項に記載のコアメモリにおい
    て、さらに、読出し部分サイクル中上記タイミングコア
    信号中のピークの発生を感知しピークの発生の際選択デ
    ータコア出力切替信号の感知を指令するように結合され
    たピーク検出装置を備えていることを特徴とする上記コ
    アメモリ。 14特許請求の範囲第12項または第13項に記載のコ
    アメモリにおいて、上記感知回路は選択データコア出力
    切替信号と上記タイミングコア出力切替信号の1/2と
    の間の差を零と比較することによって選択コアのデータ
    状態を指示するように結合されているこ杏を特徴とする
    上記コアメモリ。 15特許請求の範囲第12項に記載のコアメモリにおい
    て、上記感知回路は上記タイミングコア出力切替信号を
    指示する第1増幅信号と上記タイミングコア出力切替信
    号を指示する第2増幅信号とを発生するように結合され
    た差動増幅器を備えており、上記第2増幅信号は上記第
    1増幅信号に対して大きな利得、電圧オフセントおよび
    時間遅延を有しており従って上記第2増幅信号は上記タ
    イミングコア出力信号のほぼピークから終了点までのみ
    振幅において上記第]増幅信号を越えることを特徴とす
    る上記コアメモリ。 16特許請求の範囲第12項に記載のコアメモリにおい
    て、上記感知回路は、上記タイミングコア出力切替信号
    がその公称ピーク振幅の10係を越えた際出力信号を発
    生するように結合された閾値検出装置と、上記閾値検出
    装置出力信号の立上りの定時後にパルス感知増幅器スト
    ローブ信号を発生ずるように結合されたタイミング回路
    吉を備えていることを特徴とする上記コアメモリ。 1γ特許請求の範囲第12項に記載のコアメモリにおい
    て、上記感知回路は、上記タイミングコア切替信号を受
    けそれに応答して出力として微分切替信号を発生するよ
    うに結合嶽微分装置と、固定オフセットで上記タイミン
    グコア出力切替信号を積分し、出力としてオフセント積
    分切替信号を発生するように結合された積分装置と、上
    記オフセット積分切替信号の振幅が上記微分切替信号の
    振幅を越えた際感知増幅器ストローブ信号を発生するよ
    うに結合された比較装置とを備えていることを特徴とす
    る上記コアメモリ。 18複数のデータ記憶コアおよびタイミングコアを中に
    有しているスタックさ;上記タイミングコアは選択デー
    タ記憶コアと同じ1駆動電流によって7駆動されるよう
    に結合されており、読出し半サイクル中上記タイミング
    コアからの出力切替信号電圧中のピークを検出しそれに
    応答してストローブ信号を発生するように結合されたピ
    ーク検出装置と、読出し半サイクル中および書込み半サ
    イクル中上記タイミングコア出力切替信号電圧の振幅降
    下を検出しそれに応答して磁気フィードバックタイミン
    グ信号を発生するように結合された閾値検出装置と、選
    択コア出力切替信号と上記タイミングコア出力切替信号
    の1/2との間の差を受けるように結合された感知回路
    と;上記感知回路は上記ストローブ信号の発生の際デー
    タ状態をラッチし保持するように結合されており上記差
    が零より大きい場合は第1データ状態がランチされ上記
    差が零より小さい場合は第2状態がラッチされ各半サイ
    クルが上記磁気フィードバックタイミング信号に応答し
    て終了されるようにして駆動電流で読出しおよび書込み
    半サイクルで記憶装置を作動するように結合された制御
    およびタイミング回路とを備えていることを特徴とする
    タイミングコアによって側倒]されるコアメモリ。 19磁気記憶コアのアレー、選択記憶コアの同時電流選
    択を行なうように配置された駆動線、および磁気記憶コ
    アの切替を感知するように結合された感知巻線を有して
    いるコアスタックと、上記スタック中に駆動電流を発生
    してアドレス信号に応答して上記スタック内の選択コア
    の同時選択を行なうように結合された駆動回路と、スト
    ローブ信号によって作動された際上記感知巻線土埃れる
    コア出力切替信号の状態を感知し指示するように結合さ
    れた感知回路と、記憶読出し部分サイクル中上記スタッ
    クの実際の付勢に対して所定時間にストローブ信号を発
    生するように結合されたストローブ信号発生回路とを備
    えていることを特徴とするタイミングコアによって制御
    されるコアメモ1ハ
JP57123760A 1981-07-16 1982-07-15 タイミングコアによつて制御されるコアメモリ Expired JPS5821356B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/284,133 US4437173A (en) 1981-07-16 1981-07-16 Core memory controlled by auxiliary core

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5826378A JPS5826378A (ja) 1983-02-16
JPS5821356B2 true JPS5821356B2 (ja) 1983-04-28

Family

ID=23088976

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JP57123760A Expired JPS5821356B2 (ja) 1981-07-16 1982-07-15 タイミングコアによつて制御されるコアメモリ

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US (1) US4437173A (ja)
JP (1) JPS5821356B2 (ja)
FR (1) FR2509895B1 (ja)
GB (1) GB2103037B (ja)

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KR20210044871A (ko) * 2018-09-28 2021-04-23 애플 인크. 카메라 초점 및 안정화 시스템

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GB2103037B (en) 1985-06-19
FR2509895A1 (fr) 1983-01-21
US4437173A (en) 1984-03-13
FR2509895B1 (fr) 1986-05-09
JPS5826378A (ja) 1983-02-16
GB2103037A (en) 1983-02-09

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