JPS58212119A - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
- Publication number
- JPS58212119A JPS58212119A JP9543082A JP9543082A JPS58212119A JP S58212119 A JPS58212119 A JP S58212119A JP 9543082 A JP9543082 A JP 9543082A JP 9543082 A JP9543082 A JP 9543082A JP S58212119 A JPS58212119 A JP S58212119A
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- Japan
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- dielectric
- film
- self
- dielectric breakdown
- healing
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- Granted
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複合−′心棒に関するものである。
近年、誘′市体１腐に′市川をかけ、その膜の有してい
る高誘電率１月−゛市性１強誘電性等を積極的に利）１
１する電子装置が増大している。誘電体膜にかかる゛市
ｗ強瓜＆：ｔ １ ｏ５ｖ、、’、、、、、以１．の高
電場となる中が多く、その場合、誘′【ｔｌ、体膜の面
１月−が十分高い心安がある。誘′亀体膜は＃着、スパ
ッタリング、ＣｖＤ等の方法で作製されるか、膜の中に
はピンホールや、ホコリ等の種々の欠陥が生成される。
る高誘電率１月−゛市性１強誘電性等を積極的に利）１
１する電子装置が増大している。誘電体膜にかかる゛市
ｗ強瓜＆：ｔ １ ｏ５ｖ、、’、、、、、以１．の高
電場となる中が多く、その場合、誘′【ｔｌ、体膜の面
１月−が十分高い心安がある。誘′亀体膜は＃着、スパ
ッタリング、ＣｖＤ等の方法で作製されるか、膜の中に
はピンホールや、ホコリ等の種々の欠陥が生成される。
これらの欠陥において、欠陥のない場所より低い電界強
度膜は絶縁破壊を起こしやすい。膜における絶縁破壊は
大きくわけて２神類ある３、１つは自己回復形絶縁破壊
と吋けれるものて、第１図に示す様に絶縁破壊した箇所
１６の周囲のｔ： ＢＩＳ電極１６が放電エネルギーに
より数十μｍの範囲で飛散し、１一部電極１６と下部電
極１２がオープンになるタイプである。ここで１１は基
板、１３は誘電体膜を示す。もう１つは自己回復形絶縁
破壊しないタイプで、第２図の様に上部電極２６が十分
に飛散しないで、絶縁破壊した穴２６を通じて上部電極
２６と１部電極２２か／ヨードになる。この状態でさら
に′直圧を印加していけば絶縁破壊は誘電体膜全体に広
がる事もあり、このタイプの絶縁破壊がおきれば、それ
以上電子部品を使用できなくなるわｒ、ｔｒで、致ｉｉ
１’ｉ的−Ｃある１゜１一部電極を７’、’７ ＜ Ｌ
、で行くと、この絶縁破壊Ｑ［起こりにくくなるが、余
り薄くすると抵抗が高くなり電極と（７て好捷しくない
ので、数十ｎｍ程庭か最低限度の厚みである。電極材料
としてｔ（ｆ、 Ａｕ 、 Ｚｎ 。
度膜は絶縁破壊を起こしやすい。膜における絶縁破壊は
大きくわけて２神類ある３、１つは自己回復形絶縁破壊
と吋けれるものて、第１図に示す様に絶縁破壊した箇所
１６の周囲のｔ： ＢＩＳ電極１６が放電エネルギーに
より数十μｍの範囲で飛散し、１一部電極１６と下部電
極１２がオープンになるタイプである。ここで１１は基
板、１３は誘電体膜を示す。もう１つは自己回復形絶縁
破壊しないタイプで、第２図の様に上部電極２６が十分
に飛散しないで、絶縁破壊した穴２６を通じて上部電極
２６と１部電極２２か／ヨードになる。この状態でさら
に′直圧を印加していけば絶縁破壊は誘電体膜全体に広
がる事もあり、このタイプの絶縁破壊がおきれば、それ
以上電子部品を使用できなくなるわｒ、ｔｒで、致ｉｉ
１’ｉ的−Ｃある１゜１一部電極を７’、’７ ＜ Ｌ
、で行くと、この絶縁破壊Ｑ［起こりにくくなるが、余
り薄くすると抵抗が高くなり電極と（７て好捷しくない
ので、数十ｎｍ程庭か最低限度の厚みである。電極材料
としてｔ（ｆ、 Ａｕ 、 Ｚｎ 。
ＡＩ等が最も自己回復形絶縁破壊になりやすい３゜しか
しながら数十ｎｍの厚さのＡｕ 、Ｚｎ 、Ａ（１’等
の市、極を・月１いても自己回復形絶縁破壊しない１追
上体膜かあり、この絶縁破壊は拐刺のもつ固有の１′１
″νｊに起因し一〇いる１、−その原因は明らかでない
か、絶縁破壊時に発生する上部電極を飛散させる働きσ
）あるアーク放電の様子が、自己回復形絶縁破壊゛ノー
るＩＥａと、そうでない膜の間で大きな差があるものと
考えられる。その様な誘電体膜の中には、Ｊ１常にすぐ
ねた神々の特性を持った拐料が多いが、従来ｉＶ自己同
復形絶縁破壊しないために′ｒ１１子装置に用いにくい
ものであった１、］ ｊ 本発明ｔ−Ｌ以Ｆ−の点に鑑みてなされたものであ−。
しながら数十ｎｍの厚さのＡｕ 、Ｚｎ 、Ａ（１’等
の市、極を・月１いても自己回復形絶縁破壊しない１追
上体膜かあり、この絶縁破壊は拐刺のもつ固有の１′１
″νｊに起因し一〇いる１、−その原因は明らかでない
か、絶縁破壊時に発生する上部電極を飛散させる働きσ
）あるアーク放電の様子が、自己回復形絶縁破壊゛ノー
るＩＥａと、そうでない膜の間で大きな差があるものと
考えられる。その様な誘電体膜の中には、Ｊ１常にすぐ
ねた神々の特性を持った拐料が多いが、従来ｉＶ自己同
復形絶縁破壊しないために′ｒ１１子装置に用いにくい
ものであった１、］ ｊ 本発明ｔ−Ｌ以Ｆ−の点に鑑みてなされたものであ−。
て、自己回復形絶縁破壊しない誘電体膜−」−に、自−
己回復形絶縁破壊する誘電体膜を形成し、そのＩ−に１
一部電極を形成する°］１に］二り、１１１之中の欠陥
部において生じる絶縁破壊を自己回復形にして、自己回
復形絶縁破壊しない膜のオΦ々のすぐれた特性を電子装
置に利用できる様にしだものである。
己回復形絶縁破壊する誘電体膜を形成し、そのＩ−に１
一部電極を形成する°］１に］二り、１１１之中の欠陥
部において生じる絶縁破壊を自己回復形にして、自己回
復形絶縁破壊しない膜のオΦ々のすぐれた特性を電子装
置に利用できる様にしだものである。
以下、本発明の詳細しくついて実施例とともに説明する
。第３図は本発明の複合誘電体の一実施例の構成を示す
図である３、３１は基板で、その−１−に下部電極３２
が形成されている。３３は自己回復形絶縁破壊を起こさ
ない誘′屯体膜である。通常、下部電極３２と自己回後
形Ｍ！２縁破壊しない誘電体膜３３の間にはイ１１！々
の機能を有する膜が形成されている。自己回復形絶縁破
壊する誘電体膜３４は自己回復形絶縁破壊しない誘電体
膜３３の−１−に形成し、その」−に上部電極３６を形
成する。この様な構成をすれば、膜中の欠陥により駆動
電ｌ−１−以下で生じた絶縁破壊によ−・−Ｃ＝電体膜
中に穴３６があくか、−に都電極３６″←［穴３６の周
辺では飛散してなくなり、上部止縁’ ３’ ６と下部
電極３２はオープンの状態となり、絶縁破壊は自己回復
形とする事ができる。自己回復形絶縁破壊しない誘電体
膜と（、て＆、ｔ、ベロブ×カイト構造を°とるチタン
酸１−が代表的なもので、この材料は誘電率が大きく、
強誘電性を持つものもあり非常にすぐれた誘電体である
。ペロブスカイト型チタン酸ｊ篇の中でも、チタン酸ス
トロンチウム膜は、とりわけ自己回復Ｊ１・６絶縁破壊
ＶＣ在１’）ない膜であるが、スパッタリックにより基
板温瓜３００〜５００℃で比誘′市率１００〜２ｏＯ，
ピンホール等の欠陥のない部分テノ絶縁耐ｊ（−は１．
５×１ｏ６ｖ／ｃ１ｎ 以」―の特ｆ１かｈ′易に得ら
れるのてイ１用な材料である。チタン酸・・リウム膜も
自己回復形絶縁破壊になりにくい本口１であるか、結晶
性のよい膜は強誘電ｆ１−を牢ずので、月常に応７＋１
範囲の広い材料である。
。第３図は本発明の複合誘電体の一実施例の構成を示す
図である３、３１は基板で、その−１−に下部電極３２
が形成されている。３３は自己回復形絶縁破壊を起こさ
ない誘′屯体膜である。通常、下部電極３２と自己回後
形Ｍ！２縁破壊しない誘電体膜３３の間にはイ１１！々
の機能を有する膜が形成されている。自己回復形絶縁破
壊する誘電体膜３４は自己回復形絶縁破壊しない誘電体
膜３３の−１−に形成し、その」−に上部電極３６を形
成する。この様な構成をすれば、膜中の欠陥により駆動
電ｌ−１−以下で生じた絶縁破壊によ−・−Ｃ＝電体膜
中に穴３６があくか、−に都電極３６″←［穴３６の周
辺では飛散してなくなり、上部止縁’ ３’ ６と下部
電極３２はオープンの状態となり、絶縁破壊は自己回復
形とする事ができる。自己回復形絶縁破壊しない誘電体
膜と（、て＆、ｔ、ベロブ×カイト構造を°とるチタン
酸１−が代表的なもので、この材料は誘電率が大きく、
強誘電性を持つものもあり非常にすぐれた誘電体である
。ペロブスカイト型チタン酸ｊ篇の中でも、チタン酸ス
トロンチウム膜は、とりわけ自己回復Ｊ１・６絶縁破壊
ＶＣ在１’）ない膜であるが、スパッタリックにより基
板温瓜３００〜５００℃で比誘′市率１００〜２ｏＯ，
ピンホール等の欠陥のない部分テノ絶縁耐ｊ（−は１．
５×１ｏ６ｖ／ｃ１ｎ 以」―の特ｆ１かｈ′易に得ら
れるのてイ１用な材料である。チタン酸・・リウム膜も
自己回復形絶縁破壊になりにくい本口１であるか、結晶
性のよい膜は強誘電ｆ１−を牢ずので、月常に応７＋１
範囲の広い材料である。
自己回復形絶縁破壊しない膜の１透′１Ｌ率か人き（Ｊ
７Ｉｉ、、Ｊ： 、薄膜コンデ／す”４′Ａ料１ｑの大
きな訪′屯率４゛汐求さｔする’ｉｌｊ；子部品に好ま
しい材料である。本発明にＩｌｌいる自己回イνｔｆ＜
絶縁破壊しない膜ｒ１、曲′ｉ’＋’＝’ ＩＩＩいら
ねでいる安定な誘電体材料の中で一番訪′Ｉｌｌ：１′
の大きなＴ ａ ２０５比誘電率の約２５より大きなお
以にの比誘電率を持つ事が好捷しい。
７Ｉｉ、、Ｊ： 、薄膜コンデ／す”４′Ａ料１ｑの大
きな訪′屯率４゛汐求さｔする’ｉｌｊ；子部品に好ま
しい材料である。本発明にＩｌｌいる自己回イνｔｆ＜
絶縁破壊しない膜ｒ１、曲′ｉ’＋’＝’ ＩＩＩいら
ねでいる安定な誘電体材料の中で一番訪′Ｉｌｌ：１′
の大きなＴ ａ ２０５比誘電率の約２５より大きなお
以にの比誘電率を持つ事が好捷しい。
自己回復形絶縁破壊する１透電体１模としては、絶縁耐
圧の高い材料か好寸しく、その中でも比較的容易に膜形
成カテきルＳｉｎ、 ５ｉｎ２． Ａ６２０３゜５１３
Ｎ４ 、 ＢＮ、 Ｔａ２０５．Ｎｂ２Ｏ５，ＺｒＯ２
，ＨＩＯ２゜Ｙ２Ｏ３，希」−類元素酸化物かすぐれて
いる。又、タングステノプロ／ズ型複合酸化物膜は、絶
縁部１圧が高く、比誘電率か４ｏ以−１＝と大きく自己
回復形絶縁破壊する。
圧の高い材料か好寸しく、その中でも比較的容易に膜形
成カテきルＳｉｎ、 ５ｉｎ２． Ａ６２０３゜５１３
Ｎ４ 、 ＢＮ、 Ｔａ２０５．Ｎｂ２Ｏ５，ＺｒＯ２
，ＨＩＯ２゜Ｙ２Ｏ３，希」−類元素酸化物かすぐれて
いる。又、タングステノプロ／ズ型複合酸化物膜は、絶
縁部１圧が高く、比誘電率か４ｏ以−１＝と大きく自己
回復形絶縁破壊する。
この膜を・自己１１１１復形絶縁破壊しない膜とくみ合
わせて使用すれば、交流動作の楊合晶誘電率なのでこの
膜に分圧される電圧か比較的低く、自己回復形絶縁破壊
しない膜に有効に市川、を印加できる。
わせて使用すれば、交流動作の楊合晶誘電率なのでこの
膜に分圧される電圧か比較的低く、自己回復形絶縁破壊
しない膜に有効に市川、を印加できる。
その結果、後者の膜か持つすぐれた特性を有効に利用で
きる４、タ７ダスフー７〕゛ｒＪンズ型＆’ｌ化物の中
でも、ニオブ酸鉛とタフタル酸鉛はスパッタリックによ
り基板幅度４００℃程度で比誘電率がそれぞれ７０と４
８、絶縁耐圧がそれぞれ２．２×１０６Ｖ／ｃｍ、２．
６Ｘ１０６Ｖ ７ｃｍ とすぐれた特性を有する膜が
できるので自己回復形絶縁破壊する膜として有用である
。
きる４、タ７ダスフー７〕゛ｒＪンズ型＆’ｌ化物の中
でも、ニオブ酸鉛とタフタル酸鉛はスパッタリックによ
り基板幅度４００℃程度で比誘電率がそれぞれ７０と４
８、絶縁耐圧がそれぞれ２．２×１０６Ｖ／ｃｍ、２．
６Ｘ１０６Ｖ ７ｃｍ とすぐれた特性を有する膜が
できるので自己回復形絶縁破壊する膜として有用である
。
父、パイロク自γｊす１複合酸化物ならびにビスゲス層
状構造複合酸化物←［、バルクの誘電率が５０以トと大
きぐし２、バルクに近い誘電特性を有ン７ｆＬ−膜が容
易に竹製でき、自己回復型絶縁破壊するので本発明にお
いてイＪ用な材料である３、本発明の電ｒ一部品の具体
的応用例と（７て（′Ｆ薄膜コンデンサト薄膜エレクト
ロルミネッセンス装置がある。薄膜コンデンサとして閥
求される第１のギ［性はｌｌｉｌ面位当りの容楡が太き
いという事である。このためにｉｔ誘電体膜の誘電率が
大きく、膜厚は薄くなければならない。誘電体膜には旨
い電界強度がかかるため、ピンホールやホコリがＩ１１
戸中ｐ（育−ｆｌ−すると絶縁破喰を牛しる。この絶縁
（１１シ壊か自己回復形なＬ゛、敬弔４、容ｌ変化が起
こるたけ（あるが、自己回復形でないとノヨート状態と
なり（ｉ１７膜コ／デンザと（、で機能しなくなる。
状構造複合酸化物←［、バルクの誘電率が５０以トと大
きぐし２、バルクに近い誘電特性を有ン７ｆＬ−膜が容
易に竹製でき、自己回復型絶縁破壊するので本発明にお
いてイＪ用な材料である３、本発明の電ｒ一部品の具体
的応用例と（７て（′Ｆ薄膜コンデンサト薄膜エレクト
ロルミネッセンス装置がある。薄膜コンデンサとして閥
求される第１のギ［性はｌｌｉｌ面位当りの容楡が太き
いという事である。このためにｉｔ誘電体膜の誘電率が
大きく、膜厚は薄くなければならない。誘電体膜には旨
い電界強度がかかるため、ピンホールやホコリがＩ１１
戸中ｐ（育−ｆｌ−すると絶縁破喰を牛しる。この絶縁
（１１シ壊か自己回復形なＬ゛、敬弔４、容ｌ変化が起
こるたけ（あるが、自己回復形でないとノヨート状態と
なり（ｉ１７膜コ／デンザと（、で機能しなくなる。
１ 人
中層でＶＬ自己同復形絶縁破壊しな、：いが誘電慣性の
すぐねた膜の上に自己回復形絶縁破壊する誘電体１模金
つける事により誘電特性がすぐれ、かつ自己回復型絶縁
破壊する薄膜コンデンサを構成できる薄膜エレクトロル
ミ不ノセノス装置は発光層と１透電体層を積層し、ぞ１
１を′［ｌＬ極ではさんで交流駆動し７発光させるのが
主なものである。発光層にｒ１厚〜−一−−程度のデユ
ーディー ドライブをしても００ 実用的な輝度が得られる。通常印加された電圧の５０％
はどは発光に寄ｊｉ ｌ、ない誘電体層に分圧さ７［る
ので、この割合をへらずため高誘電率の誘電体膜をもち
いる試みか多くなさ１１ている。誘電率か大きくても自
己回復形絶縁破壊しない誘電体膜の上に、自己回復形絶
縁破壊する誘電体膜を形成Ｌｆｃ複合誘電体膜を用いる
’Ｊ１により、印加した電圧の大部分が発光層に分圧さ
れ、かつ欠陥部における絶縁破壊が自己回復形となり信
頼性にすぐれた薄膜エレクトロルミネッセンス装置がＪ
ｔｆｔ 成できる。
すぐねた膜の上に自己回復形絶縁破壊する誘電体１模金
つける事により誘電特性がすぐれ、かつ自己回復型絶縁
破壊する薄膜コンデンサを構成できる薄膜エレクトロル
ミ不ノセノス装置は発光層と１透電体層を積層し、ぞ１
１を′［ｌＬ極ではさんで交流駆動し７発光させるのが
主なものである。発光層にｒ１厚〜−一−−程度のデユ
ーディー ドライブをしても００ 実用的な輝度が得られる。通常印加された電圧の５０％
はどは発光に寄ｊｉ ｌ、ない誘電体層に分圧さ７［る
ので、この割合をへらずため高誘電率の誘電体膜をもち
いる試みか多くなさ１１ている。誘電率か大きくても自
己回復形絶縁破壊しない誘電体膜の上に、自己回復形絶
縁破壊する誘電体膜を形成Ｌｆｃ複合誘電体膜を用いる
’Ｊ１により、印加した電圧の大部分が発光層に分圧さ
れ、かつ欠陥部における絶縁破壊が自己回復形となり信
頼性にすぐれた薄膜エレクトロルミネッセンス装置がＪ
ｔｆｔ 成できる。
次に本発明の実施例を示す。
し実施例１〕
ガラス基板上にＡｕの薄膜を□ＤＣスパッタリングによ
り厚さ５０ ｎ ｍ ４・１肴させ、これを下部電離ｔ
！： ｔ、−ｚ’−ｕ コノ日（二Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏ
３膜を一ングネトｕ ニアＲＦスパッタリングＱ（より
厚さ１，２７１ｍ付ｆｆさせＡ′１３ターゲットと１、
てＳ ｒ Ｔ ｚ ０３の焼結体を用いρ、。
り厚さ５０ ｎ ｍ ４・１肴させ、これを下部電離ｔ
！： ｔ、−ｚ’−ｕ コノ日（二Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏ
３膜を一ングネトｕ ニアＲＦスパッタリングＱ（より
厚さ１，２７１ｍ付ｆｆさせＡ′１３ターゲットと１、
てＳ ｒ Ｔ ｚ ０３の焼結体を用いρ、。
スパッタリングガスは０２とＡｒの１：４の混合ガスを
月］し１、ガス月−は８ Ｘ １０−” Ｐａである
。Ｊ、を板温度は４２０℃である。こうして得ｒ）：ｔ
＋ｔ：素ｒ４５分割素ｆ−（ｉ’ｌ 〜＋５’） （’
：、 １．、ｆＣ６素７−（、ｉ’）ＶＣｉＩ サ’）
＆（−Ａｇ２Ｏ３膜を電ｒ−ビーム蒸着により厚さ０
．１μｍ付后させた。１素ｒ（２）にはタンゲステンプ
ＩＪ ／Ｉ ｆｉ／）、告を有するＰｂＴａ２０６
膜金マグネトロンＲＦぺ・・ノタリノグに、しり厚さ０
．３μｍ付着させた。タケノドとじてなｌ、 ＰｂＴａ
２０６ の焼結イ４＼ケ用い／／、、λ・” ツタ’
） ／ クツＪ ” １１．０２とＡｒの１＝１の７Ｒ
： ｉ’ｉカス金用い、ガス１トｉ（＋、３ Ｐａであ
る。基板温度ｒ１．３８０℃である。素ｒ−３にｉｔビ
スマス層状構〕：１（をイＪするＢ ３４Ｔ １３ｏ１
２膜をマグネトロ／ＲＦスパッタリングにより厚さ０．
３μｍ付沼付沼７’−、、、ターウッドと１７てｆＬＢ
１４Ｔ１３０１２の焼結体金柑いｆ′、１ ツバツ
タリンクカスは０２とＡｒ の１ ： ４Ｇ’）（Ｍ
ｉ’Ｆ ｂス金用い、ガス圧は６Ｘ１０ Ｐａである
１、基板幅Ｉ１１２８０℃にｔ、、 −ｋ 、、素ｒ−
■ｌ１（ｆＪハイ「Ｊりｇ γ十ＡＪ告を４ｊ″−〕る
Ｐｂ２Ｎｂ２０□膜をンクネトロンＲＦスパッタリング
により厚さ０．３μｍ付着させた３、ターゲットとじて
はＰｂ２Ｎｂ２０□の焼結体を用いた。
月］し１、ガス月−は８ Ｘ １０−” Ｐａである
。Ｊ、を板温度は４２０℃である。こうして得ｒ）：ｔ
＋ｔ：素ｒ４５分割素ｆ−（ｉ’ｌ 〜＋５’） （’
：、 １．、ｆＣ６素７−（、ｉ’）ＶＣｉＩ サ’）
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．１μｍ付后させた。１素ｒ（２）にはタンゲステンプ
ＩＪ ／Ｉ ｆｉ／）、告を有するＰｂＴａ２０６
膜金マグネトロンＲＦぺ・・ノタリノグに、しり厚さ０
．３μｍ付着させた。タケノドとじてなｌ、 ＰｂＴａ
２０６ の焼結イ４＼ケ用い／／、、λ・” ツタ’
） ／ クツＪ ” １１．０２とＡｒの１＝１の７Ｒ
： ｉ’ｉカス金用い、ガス１トｉ（＋、３ Ｐａであ
る。基板温度ｒ１．３８０℃である。素ｒ−３にｉｔビ
スマス層状構〕：１（をイＪするＢ ３４Ｔ １３ｏ１
２膜をマグネトロ／ＲＦスパッタリングにより厚さ０．
３μｍ付沼付沼７’−、、、ターウッドと１７てｆＬＢ
１４Ｔ１３０１２の焼結体金柑いｆ′、１ ツバツ
タリンクカスは０２とＡｒ の１ ： ４Ｇ’）（Ｍ
ｉ’Ｆ ｂス金用い、ガス圧は６Ｘ１０ Ｐａである
１、基板幅Ｉ１１２８０℃にｔ、、 −ｋ 、、素ｒ−
■ｌ１（ｆＪハイ「Ｊりｇ γ十ＡＪ告を４ｊ″−〕る
Ｐｂ２Ｎｂ２０□膜をンクネトロンＲＦスパッタリング
により厚さ０．３μｍ付着させた３、ターゲットとじて
はＰｂ２Ｎｂ２０□の焼結体を用いた。
スパッタリングガスはｏ２とＡｒの２＝３の混合ガスを
用い、ガス圧は２ Ｐａである。基板温度は４００℃に
した。素子−■にはＦＪ２の誘電体層を形成せずに比較
用とした。ついで素子（υ〜の）の上にＡ６膜を抵抗熱
蒸着により、厚さ８０ ｎ ｍ付着させこねを上部電極
とした９、この様Ｖ（シて形成さｔまた薄膜コンデンサ
の特性を次表ＶＣ示す。
用い、ガス圧は２ Ｐａである。基板温度は４００℃に
した。素子−■にはＦＪ２の誘電体層を形成せずに比較
用とした。ついで素子（υ〜の）の上にＡ６膜を抵抗熱
蒸着により、厚さ８０ ｎ ｍ付着させこねを上部電極
とした９、この様Ｖ（シて形成さｔまた薄膜コンデンサ
の特性を次表ＶＣ示す。
表
以上の４素子ＣＬ１耐１上以ＦＬ／）電圧で欠陥部ＶＣ
おいて５ケ／ｌ、ｙΔ程度の回叔絶縁破壊したがいずれ
も自己回復Ｉｔであ−）Ｃ欠陥部か絶縁破壊に１．リフ
リアさ７［た俵はＬ記の様なすぐれた諸特ゼＪを小１．
／、−１゜又素子■は誘電体膜とし７てＳ ｒ Ｔ Ｉ
Ｏ３膜単独であるので、欠陥部Ｇでおける絶縁破壊が自
己回復形と４：らずショート状態になったため誘電特性
の測定か市価にはでき４かった。
おいて５ケ／ｌ、ｙΔ程度の回叔絶縁破壊したがいずれ
も自己回復Ｉｔであ−）Ｃ欠陥部か絶縁破壊に１．リフ
リアさ７［た俵はＬ記の様なすぐれた諸特ゼＪを小１．
／、−１゜又素子■は誘電体膜とし７てＳ ｒ Ｔ Ｉ
Ｏ３膜単独であるので、欠陥部Ｇでおける絶縁破壊が自
己回復形と４：らずショート状態になったため誘電特性
の測定か市価にはでき４かった。
し実施例２〕
、’７５４図に；１．１様にＩＴＯ透明′屯極４２の付
１ｉさＪｌ、 ４７． ’１ｊラス）、？板ト４１Ｃ（
、Ｙ２Ｏ３膜４３を・電ｒビーム蒸着ＶＣより厚さ４０
個付付着せた。この１（（−ＺｎＳとＭｎ ’！ＨＭ抗
］Ｊ＋＋熱により同時蒸＠ ｌ、 ＺｎＳ ：Ｍｎの螢
）Ｙ、体層４４を１’／さ１．０１１ ｍ形成した。熱
槽１ψケ貞空中５８０’Ｃで１時間行なった後、ＺｎＳ
：Ｍｎ膜の保護用にＴａ２０６膜４６を電子ビー１、蒸
着Ｑこ土り１ワさ４０ ｎ ｍ付＞？’ｆさせた。その
ｌ−にＳ ｒ Ｔ ｔ Ｏ３膜４６４・マクネトロアＲ
Ｆスパノタリ／グに土りＩ’／さ１．４μｍ付着さｔた
３、スノｆ−タリングガスＶ巨ルｔ５ Ａ ｒ ノ混合
カス冬・用い、ガス圧ＩＪ：８ Ｘ １０−’ Ｐｄで
ある。又、基板幅度は４２０℃である。さ「）＆（この
−ヒにＰｂＮｂ２Ｏ６膜４７をマグネトロンＲＦスパン
タリングｒ（より厚さｏ、４ｐｍ付着させた。
１ｉさＪｌ、 ４７． ’１ｊラス）、？板ト４１Ｃ（
、Ｙ２Ｏ３膜４３を・電ｒビーム蒸着ＶＣより厚さ４０
個付付着せた。この１（（−ＺｎＳとＭｎ ’！ＨＭ抗
］Ｊ＋＋熱により同時蒸＠ ｌ、 ＺｎＳ ：Ｍｎの螢
）Ｙ、体層４４を１’／さ１．０１１ ｍ形成した。熱
槽１ψケ貞空中５８０’Ｃで１時間行なった後、ＺｎＳ
：Ｍｎ膜の保護用にＴａ２０６膜４６を電子ビー１、蒸
着Ｑこ土り１ワさ４０ ｎ ｍ付＞？’ｆさせた。その
ｌ−にＳ ｒ Ｔ ｔ Ｏ３膜４６４・マクネトロアＲ
Ｆスパノタリ／グに土りＩ’／さ１．４μｍ付着さｔた
３、スノｆ−タリングガスＶ巨ルｔ５ Ａ ｒ ノ混合
カス冬・用い、ガス圧ＩＪ：８ Ｘ １０−’ Ｐｄで
ある。又、基板幅度は４２０℃である。さ「）＆（この
−ヒにＰｂＮｂ２Ｏ６膜４７をマグネトロンＲＦスパン
タリングｒ（より厚さｏ、４ｐｍ付着させた。
スパッタリングガスは０２とｋの１：１の混合ガスを用
い、ガス圧は６ Ｐａである。ターゲットとしてはＰｂ
Ｎｂ２Ｏ６の焼結体を用いた。基板温度は３８０℃であ
る。上部電極としてＡｅ膜４８を抵抗加熱蒸着により厚
さ７０４２１や」沼させた。こうして得られた薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子は、電圧を印加していくと発
光する迄ＶＣ欠陥部において飛散したＮの直径３０μｍ
程度の小さな絶縁破壊を起こしたが、いずれも自己回復
形であり、その数は０．５ケ／ ｃｌであった。５ＫＨ
ｚ の交流パルスにより駆動したところゼロ−ビーク約
２３０■でほぼ輝度が飽和し約７ 、 ＯＯＯｃｄ ／
ｍ２であった。
い、ガス圧は６ Ｐａである。ターゲットとしてはＰｂ
Ｎｂ２Ｏ６の焼結体を用いた。基板温度は３８０℃であ
る。上部電極としてＡｅ膜４８を抵抗加熱蒸着により厚
さ７０４２１や」沼させた。こうして得られた薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子は、電圧を印加していくと発
光する迄ＶＣ欠陥部において飛散したＮの直径３０μｍ
程度の小さな絶縁破壊を起こしたが、いずれも自己回復
形であり、その数は０．５ケ／ ｃｌであった。５ＫＨ
ｚ の交流パルスにより駆動したところゼロ−ビーク約
２３０■でほぼ輝度が飽和し約７ 、 ＯＯＯｃｄ ／
ｍ２であった。
〔実施例３〕
白金板上にＢａＴｉ０ 膜をマク′ネトロンＲＦスパツ
タリングにより厚さ２．１７１ｍ付着させた。ター、、
：・１′ ゲットとしてＢ ａ Ｔ ｉ Ｏａの焼結体を用いた。
タリングにより厚さ２．１７１ｍ付着させた。ター、、
：・１′ ゲットとしてＢ ａ Ｔ ｉ Ｏａの焼結体を用いた。
スパッタリングガスは０２とＡｒの２＝３の混合ガスを
用い、ガス圧は３ Ｐａである。基板温度は８００℃Ｋ
［、ｆ４゜コ＋、９１Ｊ（ｒ ５ｉ３ＮＪＫ−７り＊
トｏ ／ＲＦ スパッタリングにより厚さ０．１μｍ付
着させた。
用い、ガス圧は３ Ｐａである。基板温度は８００℃Ｋ
［、ｆ４゜コ＋、９１Ｊ（ｒ ５ｉ３ＮＪＫ−７り＊
トｏ ／ＲＦ スパッタリングにより厚さ０．１μｍ付
着させた。
ターゲットとしてはＳ ｉ ３Ｎ４ 焼結体を用いた
。スパッタリングガスはＡｒｉ用い、ガス圧は３ Ｐ
ａである。基板加熱は行なわなかった。上部電極として
Ａｕを抵抗加熱により厚さ８０ｍ付治させたこうして得
られた素ｆの誘電率の湯度特性′ｆＬ−＋１１１１５ｉ
１し７たところ約１４Ｑて゛でピークをンドした。父、
Ｄ−Ｅヒステリンスによっても強誘電性を確認できた。
。スパッタリングガスはＡｒｉ用い、ガス圧は３ Ｐ
ａである。基板加熱は行なわなかった。上部電極として
Ａｕを抵抗加熱により厚さ８０ｍ付治させたこうして得
られた素ｆの誘電率の湯度特性′ｆＬ−＋１１１１５ｉ
１し７たところ約１４Ｑて゛でピークをンドした。父、
Ｄ−Ｅヒステリンスによっても強誘電性を確認できた。
なお、この素Ｆは低い電界強度におい−Ｃ欠陥部に絶縁
破壊が生じたが、いずれも自己回復形であり、その後の
特性６＋１１定に支障はなかった。この強誘電性薄膜素
子は圧電デバイス、電気′Ｌ″γデバイス舌の広い応１
１］に適するものである、。
破壊が生じたが、いずれも自己回復形であり、その後の
特性６＋１１定に支障はなかった。この強誘電性薄膜素
子は圧電デバイス、電気′Ｌ″γデバイス舌の広い応１
１］に適するものである、。
」ソ、１−説明した様に本発明の電子装置は、神々のす
ぐれた物性を４ｒするが、自己［■１復形絶縁飯壊１゜
ない誘電体膜Ｉｆ（、自己回復形絶縁破壊する訪市１イ
＼１ｊ費６−積層′ｌる°Ｊｉｉ・（二上り、欠陥部Ｔ
’こ牛に２．絶縁鏝壊を自己１ｉＪＩ復形とし、単独で
は自己回復形絶縁破壊しない誘電体膜のもつすぐれた物
性を十分に利用できるものである。
ぐれた物性を４ｒするが、自己［■１復形絶縁飯壊１゜
ない誘電体膜Ｉｆ（、自己回復形絶縁破壊する訪市１イ
＼１ｊ費６−積層′ｌる°Ｊｉｉ・（二上り、欠陥部Ｔ
’こ牛に２．絶縁鏝壊を自己１ｉＪＩ復形とし、単独で
は自己回復形絶縁破壊しない誘電体膜のもつすぐれた物
性を十分に利用できるものである。
第１図は誘電体における自己同４形絶縁破壊を承す模式
図、第２図は誘電体ＶＣおける自己回復形でない絶縁破
壊を示す模式図、第３図は本発明の一実施例の複合誘電
体あｒ１己回復形絶縁破壊を示す模式図、第４図は本発
明の一尾、用例である薄膜エレクトロルミネッセンステ
ィバイスの構造を示寸図である。 ３１・・・・・・基板、３２・・・・・１・部電極、３
４・・・・・・自己回復形絶縁破壊する誘電体膜、３３
・・・・・・自己同４形絶縁破壊しない誘電体膜、３５
・・・１上部電極、３６・・・・・絶縁破壊の穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 故 男 はが１名第１
図 １１３図 Ｇ 第４図 ８ ７９−
図、第２図は誘電体ＶＣおける自己回復形でない絶縁破
壊を示す模式図、第３図は本発明の一実施例の複合誘電
体あｒ１己回復形絶縁破壊を示す模式図、第４図は本発
明の一尾、用例である薄膜エレクトロルミネッセンステ
ィバイスの構造を示寸図である。 ３１・・・・・・基板、３２・・・・・１・部電極、３
４・・・・・・自己回復形絶縁破壊する誘電体膜、３３
・・・・・・自己同４形絶縁破壊しない誘電体膜、３５
・・・１上部電極、３６・・・・・絶縁破壊の穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 故 男 はが１名第１
図 １１３図 Ｇ 第４図 ８ ７９−
Claims (2)
- （１）基＆Ｌに形成した電極層」二に自己回復形絶縁破
壊しない誘電体膜、自己回復形絶縁破壊する誘電体膜お
よび前記電極に対向する電極を順次形成したことを特徴
とする複合誘電体。 - （２）前記自己回復形絶縁破壊しない誘電体膜ｉｆ、ペ
ロプスカイト型チタン酸塩膜であることを４’！ｊ 徴
とする特許請求の範囲第（１）項に記載の複合誘′市体
１゜（３） ＋ｉｉＪ記吊己回復形絶縁破壊する誘電
体膜が、タングステンブロンズ型抜含酸化物膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の複合
誘電体０
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9543082A JPS58212119A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 複合誘電体 |
| DE8383901629T DE3367039D1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| PCT/JP1983/000164 WO1983004339A1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| EP83901629A EP0111568B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| US06/576,394 US4547703A (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9543082A JPS58212119A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 複合誘電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212119A true JPS58212119A (ja) | 1983-12-09 |
| JPH0118563B2 JPH0118563B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=14137472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9543082A Granted JPS58212119A (ja) | 1982-05-28 | 1982-06-03 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326995A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS63232296A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| WO2015119113A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP9543082A patent/JPS58212119A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326995A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS63232296A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| WO2015119113A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
| WO2015119114A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
| JP5951910B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2016-07-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
| JP5951911B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2016-07-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
| JPWO2015119113A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-03-23 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
| JPWO2015119114A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-03-23 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0118563B2 (ja) | 1989-04-06 |
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