JPS5821178Y2 - パッケ−ジ型半導体装置 - Google Patents
パッケ−ジ型半導体装置Info
- Publication number
- JPS5821178Y2 JPS5821178Y2 JP1978173035U JP17303578U JPS5821178Y2 JP S5821178 Y2 JPS5821178 Y2 JP S5821178Y2 JP 1978173035 U JP1978173035 U JP 1978173035U JP 17303578 U JP17303578 U JP 17303578U JP S5821178 Y2 JPS5821178 Y2 JP S5821178Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- packaged semiconductor
- semiconductor chip
- heat sink
- heatsink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はパッケージ型半導体装置に関し、半導体を電子
機器に実装する場合における実装位置の自由度とスペー
ス等に対する自由度を著しく増大することを目的とする
。
機器に実装する場合における実装位置の自由度とスペー
ス等に対する自由度を著しく増大することを目的とする
。
従来、パッケージ型の半導体装置は第1図および第2図
に示すように、金属製放熱器1上に半導体チップ5をダ
イボンディングし、また端子4と半導体チップ5の間を
ワイヤーボンディングし、更に半導体チップ5の上から
モールド樹脂3によりこの半導体チップ5をモールドし
て作られている。
に示すように、金属製放熱器1上に半導体チップ5をダ
イボンディングし、また端子4と半導体チップ5の間を
ワイヤーボンディングし、更に半導体チップ5の上から
モールド樹脂3によりこの半導体チップ5をモールドし
て作られている。
しかしながら、このような構成では放熱器1には可とう
性がないため、電子機器に実装する際、その放熱器1の
長さとモールド樹脂部3の長さの合計の長さ以上のスペ
ースが必要であり、また放熱効果を高めるために放熱器
1に更に別の放熱器を取付穴2により取り付けたりする
と、その別の放熱器のスペースも必要となって電子機器
本体内には大きなスペースを確保しなければならず、そ
の電子機器の小型化を阻害しているものであった。
性がないため、電子機器に実装する際、その放熱器1の
長さとモールド樹脂部3の長さの合計の長さ以上のスペ
ースが必要であり、また放熱効果を高めるために放熱器
1に更に別の放熱器を取付穴2により取り付けたりする
と、その別の放熱器のスペースも必要となって電子機器
本体内には大きなスペースを確保しなければならず、そ
の電子機器の小型化を阻害しているものであった。
本考案はこのような従来の欠点を解消できるようにした
もので、以下その一実施例について第3図、第4図を用
いて説明しよう。
もので、以下その一実施例について第3図、第4図を用
いて説明しよう。
この第3図、第4図において第1図、第2図の従来の構
成と同一構成部分には同一番号が附してあり、本考案は
放熱器1を可とう性根で構成したものである。
成と同一構成部分には同一番号が附してあり、本考案は
放熱器1を可とう性根で構成したものである。
この可とう性を有する放熱器1は例えばポリイミド樹脂
板やエポキシ樹脂板等の可とう性基板6の両面に銅箔7
を接着した構造からなり、半導体チップ5はこの銅箔7
の面に取付けられ、これにより放熱および導電効果は従
来のものと同等である。
板やエポキシ樹脂板等の可とう性基板6の両面に銅箔7
を接着した構造からなり、半導体チップ5はこの銅箔7
の面に取付けられ、これにより放熱および導電効果は従
来のものと同等である。
本考案はこのように可とう性を有する放熱器により構成
することによって電子機器内へはこの放熱器を屈曲させ
た状態で組み込むことができるため、実装スペースが小
さくてよく、シたがって電子機器の小型化を可能にする
ものであり、また他の放熱器と結合したり、ケース等に
放熱器をねし止めする場合その放熱器の取付は位置がず
れても屈曲によって容易に位置合せすることができるも
ので、作業性もよく、その実用性は大である。
することによって電子機器内へはこの放熱器を屈曲させ
た状態で組み込むことができるため、実装スペースが小
さくてよく、シたがって電子機器の小型化を可能にする
ものであり、また他の放熱器と結合したり、ケース等に
放熱器をねし止めする場合その放熱器の取付は位置がず
れても屈曲によって容易に位置合せすることができるも
ので、作業性もよく、その実用性は大である。
第1図は従来例を示す側面図、第2図は同断面側面図、
第3図は本考案の一実施例を示す側面図、第4図は同断
面側面図である。 1・・・・・・放熱器、3・・・・・・モールド樹脂、
4・・・・・・端子、5・・・・・・半導体チップ、6
・・・・・・可とう性根、7・・・・・・銅箔。
第3図は本考案の一実施例を示す側面図、第4図は同断
面側面図である。 1・・・・・・放熱器、3・・・・・・モールド樹脂、
4・・・・・・端子、5・・・・・・半導体チップ、6
・・・・・・可とう性根、7・・・・・・銅箔。
Claims (1)
- 樹脂によりモールドされた半導体チップの放熱器を可と
う性根により構成してなるパッケージ型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978173035U JPS5821178Y2 (ja) | 1978-12-14 | 1978-12-14 | パッケ−ジ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978173035U JPS5821178Y2 (ja) | 1978-12-14 | 1978-12-14 | パッケ−ジ型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5588253U JPS5588253U (ja) | 1980-06-18 |
JPS5821178Y2 true JPS5821178Y2 (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=29178366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1978173035U Expired JPS5821178Y2 (ja) | 1978-12-14 | 1978-12-14 | パッケ−ジ型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821178Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-12-14 JP JP1978173035U patent/JPS5821178Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5588253U (ja) | 1980-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5821178Y2 (ja) | パッケ−ジ型半導体装置 | |
JPS585349U (ja) | 半導体装置 | |
JPH03122543U (ja) | ||
JPH047175U (ja) | ||
JPS6025159U (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPS59112951U (ja) | 絶縁物封止半導体装置 | |
JPS60109331U (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JPS594644U (ja) | 樹脂モ−ルド半導体装置 | |
JPS5822742U (ja) | 半導体装置 | |
JPH0233494U (ja) | ||
JPS5834742U (ja) | 樹脂封止形半導体装置の放熱構造 | |
JPS5996845U (ja) | 半導体装置 | |
JPH01176946U (ja) | ||
JPS58159752U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5818351U (ja) | 半導体素子冷却装置 | |
JPH0381631U (ja) | ||
JPS5936248U (ja) | 樹脂モ−ルド半導体装置 | |
JPS58433U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58138350U (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPS58140693U (ja) | 回路基板保護装置 | |
JPS5937749U (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS62131449U (ja) | ||
JPS59112954U (ja) | 絶縁物封止半導体装置 | |
JPS6083249U (ja) | 集積回路部品 | |
JPS59169048U (ja) | 半導体装置 |