JPS58210622A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光方法

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JPS58210622A
JPS58210622A JP9387982A JP9387982A JPS58210622A JP S58210622 A JPS58210622 A JP S58210622A JP 9387982 A JP9387982 A JP 9387982A JP 9387982 A JP9387982 A JP 9387982A JP S58210622 A JPS58210622 A JP S58210622A
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JP
Japan
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electron beam
wafer
stage
coordinate system
coordinates
Prior art date
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JP9387982A
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JPH0336297B2 (ja
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Takayuki Miyazaki
宮崎 隆之
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045Object or beam position registration

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は電子ビーム露光方法に係)、特に、電子ビーム
露光装置に配設された試料台(ステージ)と該ステージ
に載置されたウェハーとの回転量のズレの検出方法に関
する。
(2)  技術の背景 LSI(大規模集積回路)の高密度化による、高速低電
力化、高信頼化、経済化をねらいとした設計、製作、評
価と一貫した研究開発が進められているが、その中でも
1〔μm〕程度の微細パターン加工技術では、電子ビー
ム露光技術が不可欠なものと考えられている。
第1図は高精度電子ビーム露光装置のブロック構成図で
ある。電子線源1から発生する電子ビーム2Fi、ビー
ムを細く絞るための集束コイル3、電子ビーム照射位t
を制御するビーム偏向器4、電子ビームのオン(ON)
、オフ(OFF)を行うビームブランキング電極5によ
多制御され、X。
Y軸方向へ移動するステージ6に載置されたウェハー7
に照射される。そしてこの集束コイル3、偏向器4及び
ビームブランキング電極5は、焦点制御回路8、露光バ
タン発生回路9、偏向信号発生回路10、自動補正回路
11、偏向増幅回路12及びビームブランキング回路1
3によってそれぞれ制御されている。
*奇、ウェハーフル曲優子スス子−1・)a小片優は、
レーザ光を用いたX、Y座標測定装置によって高精度な
分解能で測定され、常にその位置はステージ台制御回路
14、レーザ測長器15及びパルスモータ16により制
御される。
一方、電子ビームは制御が容易な反面、電子光学系内の
汚染物質の帯電によシ発生する電界によシ、照射位置が
わずかに変化する。この問題を解決する為に、基準マー
クを一定の時間間隔で走査(スキャン)シ(これをマー
ク検出という)、マーク座標の経時変化から逆圧電子ビ
ームの照射位置の経時変化を測定し、偏向系にフィード
バックする方法がとられてお夛、これがマーク検出回路
17で行なわれている。
更に、電子ビーム露光装置では、ウェハーに直接バタン
全形成しながらLSIを製造する所謂直接無光の技術も
あシ、この場合問題となるのは、各段階ごとに加熱処理
等の工程が入る為、ウェハーが変形する場合があること
である。この為、この装置では、チップの周囲に合わせ
マークをあらかじめ付加しておき、このマークを検出す
るととにより変形量を測定し、電子ビーム偏向系にフィ
ードバックして、バタンの露光位t’を修正し正確な重
ね合せ露光を行っている。そしてこの変形量を試料変形
測定器18で測定している。
尚、制御用回路、測定器等8〜18はインターフェイス
19を介してコンビエータ20によ多制御される。
(3)従来技術と問題点 被処理ウェハーを上記電子ビーム露光装量を用いて露光
を行なう際、第1図に示したステージ6上にウェハー7
が配置されるが、このときウェハー7Fiステージ6の
所定の位置に載置されず、ステージ6のX、Y軸方向に
対しである回転量のズレを持って配置される。
この回転量のズレを検出する為に、従来は、ウェハーの
両端に2つのマークを1対とする回転量のズレを検出す
る為のマークを1枚のウェハーに少なぐとも1対以上形
成していた。第2図は従来のステージとウェハーとの回
転量のズレを検出する方法を説明する為の模式図である
。同図に於い3− て、7はウェハー、A及びBは検出用のマークを示す。
マークA、 Bはウェハー7の中心を通シ、ウェハー7
に対称に設けてあシ、今マークA、  B間の距離をa
とする。尚、ウェハー7KHマークを1対だけ設けてい
るが、これは説明を簡単化するためである。また、第1
図で説明した部分と同部分は同記号で指示する0更に、
ウェハー7が配置されるステージ6は互いに直交するX
、 Y軸方向のみに移動でき、その方向が第2図の矢印
によって示される。
従来の検出方法は、一般に1ステージ6に対しである回
転量のズレを持って配置されざる得ないウェハー7に電
子ビーム2を照射し、マークA’を検出した後、ステー
ジ6をX軸方向へaだけ移動し、電子ビーム2をスキャ
ンさせてマークBを検出して回転量のズレθを求めてい
た。
しかしながら、電子ビーム2のスキャンフィード寸法は
約(2−IX 2[−1と狭く、回転量のズレが1 /
 100〜2 / 100 (rad )’を超えると
マークBを検出することができないという問題があり、
また4− 検出用マークを1枚のウェハーに2つ以上形成しなけれ
ばならない為、チップの収量が悪くなるという欠点があ
った。
(4)発明の目的 本発明はかかる問題点を解決し、ステージと該ステージ
に載置されたウェハーとの回転量のズレを容易に検出で
き、且つ1枚のウェハーでのチップの収1・を向上させ
る電子ビーム露光方法を提供するものである。
(5)  発明の構成 本発明の目的は、回転量のズレを検出するマークが形成
されたウェハーを電子ビーム露光装置のステージに載置
し、前記マーク上に電子ビームを走査して電子ビーム座
標系とウェハー座標系との関係を求め、該電子ビーム座
標系とウェハー座標系との関係と、電子ビーム座標系と
ステージ座標系との関係とから、ウェハー座標系とステ
ージ座標系との関係を導く工程を有することにより達成
される。
(6)発明の実施例 以下、本発明の一実施例を説明する0第3図乃至第5図
は本実施例に使用されるウェハー及びウェハーに形成さ
れた検出用マークを示している。
第1図及び第2図で説明した部分と同部分は同記号で指
示する。
(a)  例えばウェハーのほぼ中心に1つの検出用の
マークA′が設けられたウェハー7をステージ6に載置
する。検出用マークA′は第4図に示す如く、ウェハー
のほぼ中心に位置する一辺の長さが10〔μm〕の矩形
状凹部C1該凹部Cを中心として一辺の長さ1.1(i
n)の正方形を形作るように各頂点に配置された一辺の
長さが60Cμm)ノ矩形状凹部り、、D、、D、、D
、。
及び各頂点を対角線状に結ぶ幅10〔μm〕の溝El 
s  Etから構成される。尚、このときウェハー7は
ステージ6のX、Y軸方向に対しである回転量のズレを
持って配置されてしまうのが一般である。
缶) ウェハー7が配置されているステージ6全X或い
はY軸方向に移動してウェハー7に形成された検出用の
マークA′が電子ビームのスキャンフィードのほぼ中心
に来るようにする。
(c)  第5図に示す如くビーム偏向器4によって制
御される電子ビーム2を電子ビーム座標系のX′軸方向
ヘスキャンし、#El及びE、を検出しこの位置座標を
Ml  (m+ * O)*及びM、(m、。
0)とする。尚、このとき電子ビームのスキャンフィー
ドの位tOe(o、o)とする。これ((m+ +ms
 )/2t  O)で示すことができる。
次に、電子ビーム2を電子ビーム座標系に於けるY’ 
=4!及びY’=−ノに沿ってスキャンすることによシ
、溝E、及びE、を検出する。
今、Y’ =4に沿ってスキャンしたときに溝E。
及びExt検出できたとし、この位置座標をM:=Iム
がlにほぼ一致するならば、ステージ6’lx軸方向に
−(ms +mt )/ 2 * Y軸方向に7− −13/2 smすると、電子ビームのスキャンフィー
ルドの中心直下に検出用マークA′の中心、即ちウェハ
ー6の中心を持って来ることができる0 (d)  今、電子ビーム座標系の中心をスキャンフィ
ールドの中心とし、ウェハー座標系の中心をウェハーの
中心とし、またウェハー座標系からみた凹部D1sDe
、Da及びD4の位置座標をそれぞれ(Wtx、 w、
 ”I ) s (WtXs Wty) 、(w、x。
Way)及び(W4 X + W4 y)とし、更に電
子ビーム座標系からみた該DI t  Dt + Dl
及びD4の位置座標ヲそれぞれ(Blx、 Bt y)
s  (Box。
Bt’l )t  (Bsxs Bs’l )s  (
B4XI B4y)とする〇凹部D+、Dt* Dst
 D4を順次電子ビーム2を偏向してスキャンすること
によシ以下に示す関係が見い出される。
8− (1)及び(2)式に於いて、ΔW1x〜ムW4m及び
mVJ、y〜諾4yは各凹部D+ * Dt −Dst
 D4座標に於けるズレの量Ox及びoyFiシフト変
化量、Δ、!i’x及びΔgyは偏向利得変化量、Δr
x及びΔryは回転変化量、Δhx及びΔhyは台形歪
変化iをそれぞれ示す。
スキャンフィールドFi、2(關)X2(xi)と大変
小さい為△hxキ0.ΔhyキOとなシ、(1)及び(
2)式の連立方程式を解くと、(3)式の如<4X。
△gyIΔrX、△ryが求まる0 (3)式に於いて、Lは凹部D s、D t、D s−
D 4t−頂点とする正方形の一辺の長さ、本実施例で
はL=1.1(酊〕である。
従って、ウェハー固有の座標系(Wx、 Wy )と電
子ビーム固有の座標系(Bx、 By)との関係は次の
式で示すことができる。
1+Δ、lil’x=Gx、1+Δ&7EGys 1+
Δrx=Rx+1+ΔryミRFとして(4)式を行列
で示すととなる。
(43)  今、スキャンフィード中心直下のステージ
の位置座標をステージ座標系の中心とし、ステージ座標
系からみた凹部Ds * Dt、Da及びD4の位置座
標をそれぞれ(SIx* Sty )t (S鵞XsS
m)’) *  (SmXe 5sy) を及び(S4
x、 F34y )とする0 (Sex、 St)’ ) t  (S3x、 5sy
)及び(S4x、54y)の位置に順次設定し、各位置
毎に電子ビーム2を偏向して凹部Cを検出することによ
り以下に示される関係が見い出される。
(6)及び(7)式に於いて、ΔSIx〜△S4X及び
△S1y〜ΔS4yは各凹部D+ s Dt 、Da 
t D番座標に於けるズレの童、OX及びOyはシフト
変化量、Δfix及び6syは偏向利得変化量、Δrx
 及び△ryは回転変化量、Δhx及びΔhyは台形歪
変11− 化量を示す。
スキャンフィールドH2(闘)X2(闘〕ト大変小さい
為、Δhx≠0.Δhy’:=oとなシ、(句及び(7
)式の連立方程式を解くと、(8)式の如くΔIIx′
、Δgy′、Δrx′、Δryが求まる。
(8)式に於いて、L′は凹部Cが描いた正方形の一辺
の長さ、本実施例ではL’=1.1(xi)である0 従って、ステージ固有の座標系(Sxs Sy )と電
子ビーム固有の座標系(Bx + B)’ )との関係
は次の式で示すことができる。
12− 1+△ry=Ryとして(9)式を行列で示すととなる
尚、本実施例では、ステージ系とビーム系との関係を導
出したが、電子ビーム露光装置によっては、Gx、Gy
tRxtR)’  の値が決ってお9、導き出す必要が
ない場合もある。
(f)  前記(5)及び(10)式からウェハー座標
系(Wx +Wy)とステージ座標系(SxtSy)と
の関係を導き出すことができる。
(11)式の関係からステージと該ステージに載置され
たウェハーとの回転量のズレの量を検出でき、高精度表
つなぎ合わせ及び重ね合わせ露光を行なうことができる
(7)発明の効果 本発明によれば、検出用マークを1つウェハーに形成す
ればよい為、ステージと該ステージに載置されたウェハ
ーとの回転量のズレを容易に検出でき、且つ1枚のウェ
ハーでのチップの収量を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は高精度電子ビーム露光装置のブロック構成図、
第2図は従来の方法を説明する模式図、第3図乃至第5
図は本発明の一実施例を説明する為のウェハー及び検出
用マークを示した図である。 2・ ・・・・ ・電子ビー・ム。 4・ ・・・・・偏向器。 6・・・・・・・・・・ステージ。 7゛°゛°゛°°°°°゛ウニバージ A、 A’、 B・・・検出用マーク。 15− 第 2 図 第 3 図 第 4 図 第 5 図 手続補正書槍発) 1、事件の表示 昭和57 年持許願第t/3rクフ 号3、補正をする
者 事件との関係     特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中1015番地(5
22)名称富士通株式会社 4 代  理  人     住所 神奈川県用崎市中
原区上小田中1(115番地富士通株式会社内 7 補 正 の 対 象 明細書の特許請求の範囲の欄
および発明の詳細な説明の欄(1)本願明細書、第1頁
、第5〜13行記載の特許請求の範囲の欄を以下の様に
補正する。 [回転量のズレを検出するマークが形成された劃 ウェハーを電子ビーム露光装置のステージに装置し、前
記マーク上に電子ビームを走査して電子ビーム座標系と
ウェハー座標系との関係を求め、前子ビーム座標系とウ
ェハー座標系との関係と、電子ビーム座標系とステージ
座標系との関係とから、ウェハー座標系とステージ座標
系との関係を導く工程を有することを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。」    □ (2)同第6頁、第11〜19行記載の発明の構成楠を
以下の様に補正する。 「本発明の目的は、回転量のズレを検出するマを走査し
て電子ビーム座標系とウェハー座標系と介して該帽子ビ
ーム座標系とステージ座標系との系との関係とから、ウ
エノ為−座標系とステージ座標系との関係を導く工程を
有することにより達成される。」 (3)同第11頁、第6行記載の「Wx = (1+Δ
93:)Bx + (i十ΔrDc)ByJをβ〜Y、
 −(1+Δ&3c)Bz+ΔrgB)’Jに補正する
〇 (4)同第11頁、第7行記載のray −(1+Δτ
y)Br+(1+Δgy)ByJをray−Δr)IB
g +(1+Δgy)B幻に補正する〇 (5)同第11頁、第8行記載の「1+Δrx=Rxj
を[Δ”:t=RxJに補正する・ (61同第11頁、第9行記載の[1+Δτy=RyJ
 を[ΔrY二RyJに補正する。 (7)同第13頁、第16行記載のrs、r=(1+Δ
g、、’)BZ+(1+Δrg’)ByJを「5z−−
(i+Δgx’)Bx十Δr’xByJに補正する。 (8)同第13頁、第17行記載のrSy −(l十Δ
ry / )13!+(1+Δ、!7y’) By J
をrSy =Δry’B、21−+(1+Δ、py’)
ByJに補正する。 (9)同第13頁、第18行記載の「1+Δrx’ミR
xl」を「Δ1”x′=Rr’Jに補正する。 00)同第14頁、第1行記載の「l+Δr、t =R
y′Jを「Δr y /ミRy勺に補正する◇

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回転量のズレを検出するマークが形成されたウェハーを
    電子ビーム露光装置のステージに載置し、前記マーク上
    に電子ビームを走査して電子ビーム座標系とウェハー座
    標系との関係を求め、該電子ビーム座標系とウェハー座
    標系との関係と、電子ビーム座標系とステージ座標系と
    の関係とから、ウェハー座標系とステージ座標系との関
    係を導く工程を有することを特徴とする電子ビーム露光
    方法。
JP9387982A 1982-06-01 1982-06-01 電子ビ−ム露光方法 Granted JPS58210622A (ja)

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JP9387982A JPS58210622A (ja) 1982-06-01 1982-06-01 電子ビ−ム露光方法

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JPS58210622A true JPS58210622A (ja) 1983-12-07
JPH0336297B2 JPH0336297B2 (ja) 1991-05-31

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627928A (en) * 1979-08-14 1981-03-18 Toshiba Corp Electron beam projector
JPS5742128A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Fujitsu Ltd Exposing method by electron beam
JPS5760838A (en) * 1980-09-30 1982-04-13 Fujitsu Ltd Exposure for electron beam

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0336297B2 (ja) 1991-05-31

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