JPS582020A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS582020A JPS582020A JP56099360A JP9936081A JPS582020A JP S582020 A JPS582020 A JP S582020A JP 56099360 A JP56099360 A JP 56099360A JP 9936081 A JP9936081 A JP 9936081A JP S582020 A JPS582020 A JP S582020A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは写真蝕
刻工程でのウェハを無光装置に合わせる時などに用いら
れるウェハの合わせマークを改良した半導体装置の製造
方法に係る。
刻工程でのウェハを無光装置に合わせる時などに用いら
れるウェハの合わせマークを改良した半導体装置の製造
方法に係る。
近年、ＬＳＩの集積化が進むにつれてその製造工程の一
つである写真蝕刻工程でのマスクとウェハの位置合わせ
が非常！／Ｃ崖要になシっつぁる。
つである写真蝕刻工程でのマスクとウェハの位置合わせ
が非常！／Ｃ崖要になシっつぁる。
例えに、第１図に示す如くｐ型半尋体基板１にｎ＋型の
ソース、ドレイン領域ｊ、Ｊを互に電気的に分離して設
け、これらソース、ドレイン領域２．Ｊ１間のチャンネ
ル領域上にｆｆ−）絶縁膜４を介してダート電極５を設
けこ更に全面に層間絶縁膜６を被覆すると共に、該絶縁
膜εのコンタクトホール７を介してドレイン領域３と接
続したドレイン取出しＡｔ配線８等を設けた構造のＭＯ
Ｂ型トランジスタにおいて、ｒ−計電極５゛とコンタク
トホール７との合わせ等はＬＳＩの微細化の点で非常に
重要である。即ち、ｆ−計電極５とドレイン領域３がシ
ョートしないように、ｒ−計電極５とコンタクトホール
７が接触しないようＫする必要がある。このため、ｆ
−） ’に極５とコンタクトホール７との間隔Ａをあけ
る必要があるが、コンタクトホール７を形成するための
マスクをダート電極５゛に合ゎせるとき、コンタクトホ
ール７がずれてもｒ−計電極５と：ｒ ７ ＩＩ ｌト
ホール７が接触してｒ−ト、ドレイン関のショートを招
かないように前記間隔Ａは充分に余裕をとる必要がある
。しがし、このような合わせｎｌ１ＩＬがよくないと、
１紀間隔Ａは大きくなりＬＳＩの集積化の障害となる・
ところで、従来の？エバの合わせ方法について第２図に
示すステップアンドリピート式の露光装置を例にして説
明する。即ち、図中のＩＩはウェハチャック１２を置屋
する葺方向に移動自在なステージである。このステージ
１１の上方にはマスクのパターンを縮小する光”学系を
内蔵した鋭ＷＪ１３が配設、され、かつ該鏡筒ＩＪの上
部縁部にはマスクの合わせマークと位置合わせするため
の２つのマーク１４６．１４ｂが付されている。また、
前記鏡筒１３の直上には、所定距離へたてて光源１５が
設けられている。
ソース、ドレイン領域ｊ、Ｊを互に電気的に分離して設
け、これらソース、ドレイン領域２．Ｊ１間のチャンネ
ル領域上にｆｆ−）絶縁膜４を介してダート電極５を設
けこ更に全面に層間絶縁膜６を被覆すると共に、該絶縁
膜εのコンタクトホール７を介してドレイン領域３と接
続したドレイン取出しＡｔ配線８等を設けた構造のＭＯ
Ｂ型トランジスタにおいて、ｒ−計電極５゛とコンタク
トホール７との合わせ等はＬＳＩの微細化の点で非常に
重要である。即ち、ｆ−計電極５とドレイン領域３がシ
ョートしないように、ｒ−計電極５とコンタクトホール
７が接触しないようＫする必要がある。このため、ｆ
−） ’に極５とコンタクトホール７との間隔Ａをあけ
る必要があるが、コンタクトホール７を形成するための
マスクをダート電極５゛に合ゎせるとき、コンタクトホ
ール７がずれてもｒ−計電極５と：ｒ ７ ＩＩ ｌト
ホール７が接触してｒ−ト、ドレイン関のショートを招
かないように前記間隔Ａは充分に余裕をとる必要がある
。しがし、このような合わせｎｌ１ＩＬがよくないと、
１紀間隔Ａは大きくなりＬＳＩの集積化の障害となる・
ところで、従来の？エバの合わせ方法について第２図に
示すステップアンドリピート式の露光装置を例にして説
明する。即ち、図中のＩＩはウェハチャック１２を置屋
する葺方向に移動自在なステージである。このステージ
１１の上方にはマスクのパターンを縮小する光”学系を
内蔵した鋭ＷＪ１３が配設、され、かつ該鏡筒ＩＪの上
部縁部にはマスクの合わせマークと位置合わせするため
の２つのマーク１４６．１４ｂが付されている。また、
前記鏡筒１３の直上には、所定距離へたてて光源１５が
設けられている。
更に１前記鏡筒１３の側面には合わせ機構１６が付設さ
れている。この合わせ機構１６は前記鏡筒１３の側面に
城付けられる本体１１と、この本体１７の底部付近に付
され、ウェハの合わせマークと合わせるためのマーク１
８ｍ、１１ｂと、前記本体Ｊ１に設けられ、ウェハの合
わせマークと前記マーク１ｓｍ、ＪＪｔｂとの照合状廊
を＊竺する九めの顕微＠１９ｈ、１９ｂとから構成され
ている。なお、このした合わせ機構１６において前記本
体１７内のマーク１８ａ。
れている。この合わせ機構１６は前記鏡筒１３の側面に
城付けられる本体１１と、この本体１７の底部付近に付
され、ウェハの合わせマークと合わせるためのマーク１
８ｍ、１１ｂと、前記本体Ｊ１に設けられ、ウェハの合
わせマークと前記マーク１ｓｍ、ＪＪｔｂとの照合状廊
を＊竺する九めの顕微＠１９ｈ、１９ｂとから構成され
ている。なお、このした合わせ機構１６において前記本
体１７内のマーク１８ａ。
１．８ｂとｌＩＡ倣鏡１９＊、１９ｂの間にハーフミラ
−（図示せず）を介在させ、このハーフ建う−を介して
ウェハの合わせマークと前記マーク１１１＊、１１ｂと
の照合状紬を観察するための合わせ用モニタ２０を付設
する一合がめる。また、前−Ｃステージ１１の餉薗及び
−筒１３の軸面には、夫々ステージ１１と駒部１３６Ｙ
方向の合わせｔ行なうためのマーク２１．２１が付され
てｉるφ しかるに、上述した幅小投影型のステップアンドリピー
ト式の無光＃ｃｉｌｌｔによるウェハの合わ゛せ及びｍ
党一方法を以下に説明する◎まス、所望のマスクツ母タ
ーンを壱するマスク２２を、そのマスクｚ２に付妊れ九
番わせマークＩＪａ、ｊｌｌｌｂ′を゛鏡＠１３の上部
縁部に付された！−り１４ｍ、１４ｂに焦合させること
により％−＠Ｉ ＪＫ合わせる。この合わせ煉作におい
て、細小投影麺光糸ではマスク２２のマスクパターンが
細小さ・れ、マスク２２と減筒１３の合わせずれも細小
されるので、マスク２２と鏡筒１３の多小の合わせずれ
は殆んど間脳にならない、つづいて、ウェハナヤ、りＪ
２にウェハ２４ｔ−組み込み、―細１３に付設された合
わせ機構１６のＭ微鏡１９ｍ、１９ｂを通して本俸１７
のマーク１８ａ、ＪＪｌｂにウ−／１２４に付された合
わせマーク２５ｍ、２５ｂが照合するようにウェハ２４
を動かして合わせを行なうか、合わせ用モニタ２０を用
いて本体１１のマークＪ＃ａ、１ｌｊｂにウェハ２４の
合わせマーク２５ｍ、２５ｂが照合するようにウェハ２
４を動かして合わせを行なう、こうした合わせ機構１６
のマークＪ＃ｍ、１８ｂとウェハ２４の合わせマーク２
５ｍ、２５ｂとの照合によル、該合わせ機構１６は鏡筒
１３Ｋｆｉ！ｉｌＩ定されていることから、ウェハ２４
が相対的に鏡筒１３、つまりマスク２２に合わされるこ
とになる。ウニＩ・２４０合わせが完了した後、図示し
ないレールに沿ってステージ１１をＹ方向に移動させ、
第２図の仮想−に５示す如く鏡筒１３の直下にウェハ２
４が位置するように合わせ操作を行なう。
−（図示せず）を介在させ、このハーフ建う−を介して
ウェハの合わせマークと前記マーク１１１＊、１１ｂと
の照合状紬を観察するための合わせ用モニタ２０を付設
する一合がめる。また、前−Ｃステージ１１の餉薗及び
−筒１３の軸面には、夫々ステージ１１と駒部１３６Ｙ
方向の合わせｔ行なうためのマーク２１．２１が付され
てｉるφ しかるに、上述した幅小投影型のステップアンドリピー
ト式の無光＃ｃｉｌｌｔによるウェハの合わ゛せ及びｍ
党一方法を以下に説明する◎まス、所望のマスクツ母タ
ーンを壱するマスク２２を、そのマスクｚ２に付妊れ九
番わせマークＩＪａ、ｊｌｌｌｂ′を゛鏡＠１３の上部
縁部に付された！−り１４ｍ、１４ｂに焦合させること
により％−＠Ｉ ＪＫ合わせる。この合わせ煉作におい
て、細小投影麺光糸ではマスク２２のマスクパターンが
細小さ・れ、マスク２２と減筒１３の合わせずれも細小
されるので、マスク２２と鏡筒１３の多小の合わせずれ
は殆んど間脳にならない、つづいて、ウェハナヤ、りＪ
２にウェハ２４ｔ−組み込み、―細１３に付設された合
わせ機構１６のＭ微鏡１９ｍ、１９ｂを通して本俸１７
のマーク１８ａ、ＪＪｌｂにウ−／１２４に付された合
わせマーク２５ｍ、２５ｂが照合するようにウェハ２４
を動かして合わせを行なうか、合わせ用モニタ２０を用
いて本体１１のマークＪ＃ａ、１ｌｊｂにウェハ２４の
合わせマーク２５ｍ、２５ｂが照合するようにウェハ２
４を動かして合わせを行なう、こうした合わせ機構１６
のマークＪ＃ｍ、１８ｂとウェハ２４の合わせマーク２
５ｍ、２５ｂとの照合によル、該合わせ機構１６は鏡筒
１３Ｋｆｉ！ｉｌＩ定されていることから、ウェハ２４
が相対的に鏡筒１３、つまりマスク２２に合わされるこ
とになる。ウニＩ・２４０合わせが完了した後、図示し
ないレールに沿ってステージ１１をＹ方向に移動させ、
第２図の仮想−に５示す如く鏡筒１３の直下にウェハ２
４が位置するように合わせ操作を行なう。
このステージＩノと鏡筒１３のＹ′方向の合わせは、ス
テージ１１及び−筒１３に付したマーク２１．２１’を
利用してレーザ干渉器で自動的に合わせる。医いで、ウ
ェノ・２４をステージ１１ごと葺方向にステ、！アンド
リピートさせ、そのステ、ｆ毎に光源１６よシマスフ２
２に光を照射シてそ１７？アスクノリーンを鏡筒１３で
縮小することによシ、第３−に示す如くウェノ・２４上
の所定領域２６・・・にパターンを繰シ返し転写する・
露光終了後は、再びステージ１１を元の位ｔ（ウェハ２
４の合わせを行なった位置）まで戻し、次のウェハと交
換する。
テージ１１及び−筒１３に付したマーク２１．２１’を
利用してレーザ干渉器で自動的に合わせる。医いで、ウ
ェノ・２４をステージ１１ごと葺方向にステ、！アンド
リピートさせ、そのステ、ｆ毎に光源１６よシマスフ２
２に光を照射シてそ１７？アスクノリーンを鏡筒１３で
縮小することによシ、第３−に示す如くウェノ・２４上
の所定領域２６・・・にパターンを繰シ返し転写する・
露光終了後は、再びステージ１１を元の位ｔ（ウェハ２
４の合わせを行なった位置）まで戻し、次のウェハと交
換する。
しかしながら、上記露光方法にあってはウェハ２４と光
学系（合わせ機、＄１６）との合わせの点で次のような
間−があった。
学系（合わせ機、＄１６）との合わせの点で次のような
間−があった。
ウェハ２４の合わせマーク２５ｍ、２５ｂは合わせ精度
を上、ける目的からあまり小さいものは使用で色ず、例
えは１３０μｍＸ１３０μｍ程腋のものが用いられてい
る。ｉた、この合わせマーク２５＊、ｊ１５ｂ２は通常
ウェハ２４の中央−に所定？間隔Ｂをも□って付される
ことが多く、このウェハ２４部分のチップパターンを除
外せねばならない。このため、ウェハからのＬＳＩの生
産効率が低下するという問題があった。ｊ！に、合わせ
を自動的に行なう場合、合わせマークは大きい万が望ま
しく、有効なチップの数を少なくするなどの恐れがある
。これは現在の自動合わせの機構が仄のようになってい
ることを考えると理解できる。
を上、ける目的からあまり小さいものは使用で色ず、例
えは１３０μｍＸ１３０μｍ程腋のものが用いられてい
る。ｉた、この合わせマーク２５＊、ｊ１５ｂ２は通常
ウェハ２４の中央−に所定？間隔Ｂをも□って付される
ことが多く、このウェハ２４部分のチップパターンを除
外せねばならない。このため、ウェハからのＬＳＩの生
産効率が低下するという問題があった。ｊ！に、合わせ
を自動的に行なう場合、合わせマークは大きい万が望ま
しく、有効なチップの数を少なくするなどの恐れがある
。これは現在の自動合わせの機構が仄のようになってい
ることを考えると理解できる。
即ち、自動合わせは、まず前述した第２図のウェハ２４
周辺のオリエンテーション７う、ト２．７を検知し、こ
れを基準にしてウエノ・２４を粗く合わせる、いわゆる
プリアラインを行なう。
周辺のオリエンテーション７う、ト２．７を検知し、こ
れを基準にしてウエノ・２４を粗く合わせる、いわゆる
プリアラインを行なう。
次に、既述の如＜崩＠跳１９ ｍ 、 １９ ｂもしく
は合わせ用モニタ２０を用いて合わせ機構１６のマーク
１８ｈ、１８ｂＫウエノ１２４の合わせマーク２５＊、
２５ｂが一致するようにウニＩ・２４を移動して合わせ
を行なう・こうした合わせ操作において、ウエノ１２４
の合わせマーク２５ｍ、：Ｉ５ｂの検知は一般にはマー
ク２・６ｍ。
は合わせ用モニタ２０を用いて合わせ機構１６のマーク
１８ｈ、１８ｂＫウエノ１２４の合わせマーク２５＊、
２５ｂが一致するようにウニＩ・２４を移動して合わせ
を行なう・こうした合わせ操作において、ウエノ１２４
の合わせマーク２５ｍ、：Ｉ５ｂの検知は一般にはマー
ク２・６ｍ。
２５ｂで段差があることなどを利用し、光の反射率の違
いなどによυ検知する。しかしながら、合わせマーク２
５ｍ、２５ｂが小さいと、合わせ機構１６の顕彼鏡１９
ｍ、１９ｂ等にそれらマーク２５＊、：１５ｂが横切る
まで、ウエノ・を何本、も色々な場所を移動させねｄな
らない。したがって１１合わせマーク２５＊、２５ｂを
大きくする必要があるが、２それに伴なって既述の如く
ウェハ中、の有効チップの数が減少したり、チ、プの配
置を減らしたりしなけれはならない欠点がある・。
いなどによυ検知する。しかしながら、合わせマーク２
５ｍ、２５ｂが小さいと、合わせ機構１６の顕彼鏡１９
ｍ、１９ｂ等にそれらマーク２５＊、：１５ｂが横切る
まで、ウエノ・を何本、も色々な場所を移動させねｄな
らない。したがって１１合わせマーク２５＊、２５ｂを
大きくする必要があるが、２それに伴なって既述の如く
ウェハ中、の有効チップの数が減少したり、チ、プの配
置を減らしたりしなけれはならない欠点がある・。
本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、露
光工程でのウェノ・と路光装置との自動合わせ操作等に
際し、ウェノ）上に小さいマークを付しても短時間で検
知して自動合わせを行なうことかで感、ひ７いては半導
体装置を効率よくｔ並的に製造し得る方法を提供、しよ
うとするものである。
光工程でのウェノ・と路光装置との自動合わせ操作等に
際し、ウェノ）上に小さいマークを付しても短時間で検
知して自動合わせを行なうことかで感、ひ７いては半導
体装置を効率よくｔ並的に製造し得る方法を提供、しよ
うとするものである。
以下、本発明を半導体装置の製造に、おける写真−刻工
程に適用し九例について峰細に、説明するＯ まず、第４図臀、示す如くウェノ為２４の一辺部に適当
な間隔をあけて小さなＯ〜１−８０、−よ〜−１７９の
マーク（番号）２７・・・をＯと１８０ｔ−起点として
右側にグラス番号、左９８にマイナス番号となるように
対称的に付して番地を打つ。
程に適用し九例について峰細に、説明するＯ まず、第４図臀、示す如くウェノ為２４の一辺部に適当
な間隔をあけて小さなＯ〜１−８０、−よ〜−１７９の
マーク（番号）２７・・・をＯと１８０ｔ−起点として
右側にグラス番号、左９８にマイナス番号となるように
対称的に付して番地を打つ。
次いで、ウェハ２４を前述した第２の露光装置における
ステージ１１上のウェハチャ、り１２に取付け、ウェハ
２４のオリエンテーシ。
ステージ１１上のウェハチャ、り１２に取付け、ウェハ
２４のオリエンテーシ。
ンフラットを基準として合わせるグリアラインを行なう
、この時のウェハ２４の位置を、第５図（、）にＰ点を
中心にもつ実線で示す、なお、同第５図（ａ）ｌｆｃは
ウェハの合った位置を９点を中心にもつ点線で描いたウ
ェハ２４′を示す。同図の２１１＊、Ｊ８ｂは合わせ機
構１６の顕微鏡１９ａ。
、この時のウェハ２４の位置を、第５図（、）にＰ点を
中心にもつ実線で示す、なお、同第５図（ａ）ｌｆｃは
ウェハの合った位置を９点を中心にもつ点線で描いたウ
ェハ２４′を示す。同図の２１１＊、Ｊ８ｂは合わせ機
構１６の顕微鏡１９ａ。
１９ｂの投影部を示す、つづいて、ステージノーを例え
ばＸ方向に移動させてステージ１１上のウェハ２４０周
辺が前記ｗＡ微鏡１９ｍ、１１ｂの投影部２８ｍ、２８
ｂｌｌＣ照合するようにし、ｄ’ｅＭｌｆｌａ １９
ｍ 、 １９ ｂによシウーハｚ４１ｇ辺′□・。
ばＸ方向に移動させてステージ１１上のウェハ２４０周
辺が前記ｗＡ微鏡１９ｍ、１１ｂの投影部２８ｍ、２８
ｂｌｌＣ照合するようにし、ｄ’ｅＭｌｆｌａ １９
ｍ 、 １９ ｂによシウーハｚ４１ｇ辺′□・。
都の番号２７・・・を絖み出る。こうして読み出っｆＣ
２つの番号２７，１１７が例えは１１Ｂと−６８の帯地
であった場合 これら番地にもとづいてつにハチャ、り
１２を回転させウェハ２４周辺部の番地が付号を除いて
尋しく（例えば８８と−８８）なるようにする。この場
合、顕微鏡１９ｍ、１９ｂの投影＠：ｉ１８＊、２８ｂ
に両方の番地が完全にこないときは、両方の番地（８８
と−８８）が両方の投影部２８ｍ、２８ｂに一番近い場
所にくるようにすればよい。かかる−作によシ顕微＠１
９＊、１９ｂの投影８２８＊ｅｚｓｂを結び軸と合わせ
ようとするウェハ２４の一方の軸（Ｘ軸）とが平行にな
る。つづいて、これら番地（８８と−８８）からステー
−）１１をＹ方向に移動させてウェハ２４のＹ軸を決め
るその周辺部の帯地９０と−９０が顕微鱗１９１゜１９
ｂの投影部Ｊ＃ａ、２８ｂに入るようにすることによっ
てウェハ２４の合わせを行なう。
２つの番号２７，１１７が例えは１１Ｂと−６８の帯地
であった場合 これら番地にもとづいてつにハチャ、り
１２を回転させウェハ２４周辺部の番地が付号を除いて
尋しく（例えば８８と−８８）なるようにする。この場
合、顕微鏡１９ｍ、１９ｂの投影＠：ｉ１８＊、２８ｂ
に両方の番地が完全にこないときは、両方の番地（８８
と−８８）が両方の投影部２８ｍ、２８ｂに一番近い場
所にくるようにすればよい。かかる−作によシ顕微＠１
９＊、１９ｂの投影８２８＊ｅｚｓｂを結び軸と合わせ
ようとするウェハ２４の一方の軸（Ｘ軸）とが平行にな
る。つづいて、これら番地（８８と−８８）からステー
−）１１をＹ方向に移動させてウェハ２４のＹ軸を決め
るその周辺部の帯地９０と−９０が顕微鱗１９１゜１９
ｂの投影部Ｊ＃ａ、２８ｂに入るようにすることによっ
てウェハ２４の合わせを行なう。
ウェハ２４の合わせが完了した後、図示しないレールに
沿りてステ、−ゾ１１をＹ方向Ｋｓ動させ、第２図の仮
想１に示す如く銃筒１３の直下にウェハ２４が位置する
ように合わせ操作を行なう。ひきつづき、ウェハ２４を
ステージ１１ごと葺方向にステ、ｆアンドリピートさせ
、そのステ、ｆ毎に光源１５よシマスフ２２に光を照射
してそのマスクパターンを鏡筒１３で縮小することｋよ
りてウェハ２４の所定領域にチップパターンを繰シ返し
転写して露光を行なう。
沿りてステ、−ゾ１１をＹ方向Ｋｓ動させ、第２図の仮
想１に示す如く銃筒１３の直下にウェハ２４が位置する
ように合わせ操作を行なう。ひきつづき、ウェハ２４を
ステージ１１ごと葺方向にステ、ｆアンドリピートさせ
、そのステ、ｆ毎に光源１５よシマスフ２２に光を照射
してそのマスクパターンを鏡筒１３で縮小することｋよ
りてウェハ２４の所定領域にチップパターンを繰シ返し
転写して露光を行なう。
しかして、上記半導体装置の製造時の露光工程において
はウェハの周辺部に番号を付して帯地を打ち、その任意
の２つの番地が顕微鏡等の検知器に照合するようにウェ
ハを動かし、それら番地を読み取り、これに基づいて予
めウニへ周辺部の帯地を配憶させたコンビ、−夕等でウ
ェハチャ、りの回転、ステージの移動等を行表うことに
よって、ウェハが無駄な動きをすることなく自動的に合
わせることができる。したがって、番地となるマークを
小さくしても、従来の如くウェハを何度も色々な場所に
移動させるという操作を解消して短時間でウニへ合わせ
を行なうことができ、かつウェハ中にチップを有効に形
成でき、ひいては高歩留シで生産性よく半導体装置を得
ることができる。
はウェハの周辺部に番号を付して帯地を打ち、その任意
の２つの番地が顕微鏡等の検知器に照合するようにウェ
ハを動かし、それら番地を読み取り、これに基づいて予
めウニへ周辺部の帯地を配憶させたコンビ、−夕等でウ
ェハチャ、りの回転、ステージの移動等を行表うことに
よって、ウェハが無駄な動きをすることなく自動的に合
わせることができる。したがって、番地となるマークを
小さくしても、従来の如くウェハを何度も色々な場所に
移動させるという操作を解消して短時間でウニへ合わせ
を行なうことができ、かつウェハ中にチップを有効に形
成でき、ひいては高歩留シで生産性よく半導体装置を得
ることができる。
また、上記実施例の如く番地のマークをウェハの周辺に
打つたり、或いは後記の如くウエノ１のスクライプライ
ン、ｇｄＡ面もしくは裏面に番地のマークを打ったシす
れば、該ウェノ１上のチップパターンや堆積される種々
の被膜の存在に影響されることなく、それらマークの検
出が可能となる丸め２回目の写真蝕刻工程以降にもチッ
プパターンの形成と共に新たな番地マークを打つという
煩雑さを解消でき、ひいては半導体装置の生産性を向上
で龜る。
打つたり、或いは後記の如くウエノ１のスクライプライ
ン、ｇｄＡ面もしくは裏面に番地のマークを打ったシす
れば、該ウェノ１上のチップパターンや堆積される種々
の被膜の存在に影響されることなく、それらマークの検
出が可能となる丸め２回目の写真蝕刻工程以降にもチッ
プパターンの形成と共に新たな番地マークを打つという
煩雑さを解消でき、ひいては半導体装置の生産性を向上
で龜る。
なお、上に２笑施例ではウェノ１の周辺部にマーク（番
号）を付して番地を打ち、これを検出してウェハの合わ
せな行なったが）第６図に示す如くウェハ２４のチ、ｆ
２９・・・間のスクライプライン３０上に１〜８３の番
号（マー４り）２１′・・・を付して帯地を打ち、ウェ
ア１２４全体から任意ＯＩＩ地を検出してウニ／−の自
動合わせを行なってもよい。
号）を付して番地を打ち、これを検出してウェハの合わ
せな行なったが）第６図に示す如くウェハ２４のチ、ｆ
２９・・・間のスクライプライン３０上に１〜８３の番
号（マー４り）２１′・・・を付して帯地を打ち、ウェ
ア１２４全体から任意ＯＩＩ地を検出してウニ／−の自
動合わせを行なってもよい。
上記実施例ではウェハ上面の周辺Ｓにマークを付して番
地を打つたが、ウェノ蔦の下面に査地を打ったシ、或い
は第７図に示す如くウェハ２４の厚みとなる側面に番号
（マーク）２７・・・を付して番地をｆｌってもよい、
このようにウェハ２４の側面にマーク２１・・・を付し
て番地を打つ場合は、例えば−ｉｌ［Ｉｉ！上に対向し
て配置される検知器３１＊、３１ｂ及びこれら光軸と直
角に光軸が交差する検知器３Ｊｃｓ合計３つの検知器を
用いてウェハ２４の３つの番地を読み出し、これにもと
づいてウェハ２４の自動合わせを行なえばよい。
地を打つたが、ウェノ蔦の下面に査地を打ったシ、或い
は第７図に示す如くウェハ２４の厚みとなる側面に番号
（マーク）２７・・・を付して番地をｆｌってもよい、
このようにウェハ２４の側面にマーク２１・・・を付し
て番地を打つ場合は、例えば−ｉｌ［Ｉｉ！上に対向し
て配置される検知器３１＊、３１ｂ及びこれら光軸と直
角に光軸が交差する検知器３Ｊｃｓ合計３つの検知器を
用いてウェハ２４の３つの番地を読み出し、これにもと
づいてウェハ２４の自動合わせを行なえばよい。
上記実施例では縮小投影型ステップアンドリピート方式
の露光装置によるｍ元方法（写真蝕刻工８）を説明した
が、他の露光装置による写真蝕刻にも同様に適用できる
。
の露光装置によるｍ元方法（写真蝕刻工８）を説明した
が、他の露光装置による写真蝕刻にも同様に適用できる
。
本発明に係る半導体装置の製造工程におけるウェハの合
わせは上述した写真蝕刻法のみならず、レーデなどによ
るトリミング、ウェハ特性の絆価のためのプ・−プカー
）−１ｆとの合わせ、ウェハのダイシングに際しての合
わせにも同様に適用できる。
わせは上述した写真蝕刻法のみならず、レーデなどによ
るトリミング、ウェハ特性の絆価のためのプ・−プカー
）−１ｆとの合わせ、ウェハのダイシングに際しての合
わせにも同様に適用できる。
以上詳述した如く、本発明によれば露光工程でのウェハ
と露光装置との自動合わせ操作等に際し、ウェハに小さ
いマークを付しても容易にマークの検出を行なう、短時
間の自動合わせが可能となり、ひいては半導体装置を効
率よく量産的に製造できる等顕著な効果を有する。
と露光装置との自動合わせ操作等に際し、ウェハに小さ
いマークを付しても容易にマークの検出を行なう、短時
間の自動合わせが可能となり、ひいては半導体装置を効
率よく量産的に製造できる等顕著な効果を有する。
第１図はＭＯ８）ランジスタの要部断面図、第２図は縮
小投影型ステップアンドリピート方式の露光装置を示す
概略斜視図、第３図は第２図の露光装置によるウェハへ
のステッグアンドリピー）１１ｆｔ、過程を示す概略斜
視図、第４図は本発明の実施例における半導体装置の製
造工＠に用いられるウェハの平面図１第５図（１）〜（
ｄ）は半導体装置の製造時におけるウェハの合わせ工程
を示す平面図、第６図は本発明における半導体装置の製
造工程に用いられるウェハの他の形態を示す平面図、第
７囚は本発明における半導体装置の製造工程に用いられ
る更に他の形態のウェハ及びその検出器を示す斜視図で
ある。 １ノ・・・ステージ、１２・・・ウニ／ＳチＪｒ、ｌｌ
り、１３・・・鏡筒、Ｊ６・・・合わせ機構、１９・・
・顕微鏡、２２・・・マスク、２４・・・ウエノ）、２
７ 、２７’、 ２１”・・・番号（マーク）、２８ａ
、２８ｂ・・・顕微鏡の投影部、３０・・・スクライプ
ライン、３Ｊ＊〜３１＠・・・検知器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−９６− 第５図
小投影型ステップアンドリピート方式の露光装置を示す
概略斜視図、第３図は第２図の露光装置によるウェハへ
のステッグアンドリピー）１１ｆｔ、過程を示す概略斜
視図、第４図は本発明の実施例における半導体装置の製
造工＠に用いられるウェハの平面図１第５図（１）〜（
ｄ）は半導体装置の製造時におけるウェハの合わせ工程
を示す平面図、第６図は本発明における半導体装置の製
造工程に用いられるウェハの他の形態を示す平面図、第
７囚は本発明における半導体装置の製造工程に用いられ
る更に他の形態のウェハ及びその検出器を示す斜視図で
ある。 １ノ・・・ステージ、１２・・・ウニ／ＳチＪｒ、ｌｌ
り、１３・・・鏡筒、Ｊ６・・・合わせ機構、１９・・
・顕微鏡、２２・・・マスク、２４・・・ウエノ）、２
７ 、２７’、 ２１”・・・番号（マーク）、２８ａ
、２８ｂ・・・顕微鏡の投影部、３０・・・スクライプ
ライン、３Ｊ＊〜３１＠・・・検知器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−９６− 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェハの全面もしくは一部に複数のマークを付し
て番地を打ち、これらマークのうちの任意のマークを検
出してウェハを半導体製造用装置もしくは試験装置に金
粉せ、該ウェハの加工もしくは評価を行なうことを％微
とする半導体装置の製造方法。 ２、 ｗ−りが文字もしくは数字であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
・ ３、 ウェハの周縁部付近に複数のマークを所定間隔で
付して番地を打ち、これらマークのうちの任意のマーク
を検出し、これによってウェハのずれ量を求めると共に
ずれ量に応じて修正しウェハの合わせを行なう仁とを特
徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の半
導体装置の製造方法。 ４、 複数のマークのうちの任意のマークを検出してウ
ェハを露光装置に合わせ、該ウェノ・を写真蝕刻するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１ＪＪＩ乃至第３項い
ずれか１項記載の半導体装置の製造方法。 ５、複数のマークのうちの任意のマークを検出してウェ
ハをグローブに合わせ、該ウェノ１の特性評価を行なう
ことを特徴とする％１１！Ｆ請求の範ｌ！ｌ第１項乃至
第３項いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。 ６、複数のマークのうちの任意のマークを検出してウェ
ハをエネルギービーム照射装置に合わせ、骸つェへにエ
ネルギービームを照射することを特徴とする特許請求の
範囲第１ｍ乃至第５項いずれか１項紀−の半導体装置の
製造方法・７、 複数のマークのうちの任意のマークを
検出してウェハをイオン注入装置に合わせ、該ウェハに
イオン注入することを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第３項いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。 ８、複数のマークのうちの任意のマークを検出してウェ
ハをダイシング装置に合わせ、該ウェハをダイシングす
ることを特徴とする特許請求０範囲第”″ｊ″７′至第
：３″Ｊ″ずれか”項記載０半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099360A JPS582020A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099360A JPS582020A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582020A true JPS582020A (ja) | 1983-01-07 |
| JPH0226368B2 JPH0226368B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=14245407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099360A Granted JPS582020A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05305534A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Honda Motor Co Ltd | 拡径ガイド上における組オイルリングの分離装置 |
| US5303465A (en) * | 1992-04-27 | 1994-04-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of assembling piston ring and method of assembling set oil ring and apparatus for assembling set oil ring |
| KR20130071371A (ko) | 2011-12-19 | 2013-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자성 캐리어, 이성분계 현상제, 보급용 현상제 및 화상 형성 방법 |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP56099360A patent/JPS582020A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5303465A (en) * | 1992-04-27 | 1994-04-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of assembling piston ring and method of assembling set oil ring and apparatus for assembling set oil ring |
| JPH05305534A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Honda Motor Co Ltd | 拡径ガイド上における組オイルリングの分離装置 |
| KR20130071371A (ko) | 2011-12-19 | 2013-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자성 캐리어, 이성분계 현상제, 보급용 현상제 및 화상 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226368B2 (ja) | 1990-06-08 |
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